JP2005227731A - 光導波路 - Google Patents

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Abstract

【課題】 コア断面におけるモードプロファイルが対称でない光導波路において、そのモードプロファイルの非対称性を低減させる。
【解決手段】 下クラッド層23の上面には、底面で幅が狭く、上面で幅の広い断面台形をしたコア溝25が形成されている。コア溝25内にはコア26が形成されており、コア26の上面は上クラッド層24によって封止されている。コア溝25の底面には、下クラッド層23よりも屈折率の小さな低屈折率層27が形成されており、これによって実質的なコア26と下クラッド層23との屈折率の差を大きくしている。
【選択図】 図6

Description

本発明は、光通信用のデバイスとして用いられる光導波路に関する。
光導波路は、光ファイバとの結合損失を低減するためにコアの断面形状が矩形状になるように作製するのが理想である。しかし、スタンパを用いて複製で作製する場合、スタンパに形成された抜きテーパ等により、コアの断面は矩形状にならずにテーパのついた形状(台形状)になってしまう(特許文献1など)。図1はテーパ状のコア断面を有する光導波路の一例を示す概略斜視図である。この光導波路10にあっては、上下のガラス基板11、12の間に下クラッド層13と上クラッド層14を積層したものを挟み込んでいる。下クラッド層13の上面に設けたコア溝15内には、コア16が充填されている。
このような光導波路10は、例えばスタンパ法により下クラッド層13が製作される。この方法では、ガラス基板11の上に紫外線硬化型樹脂を滴下し、スタンパで紫外線硬化型樹脂を押さえて基板とスタンパの間に押し広げ、紫外線照射により紫外線硬化型樹脂を硬化させて下クラッド層13を成形する。このとき下クラッド層13の上面にはスタンパが有する凸形状によりコア溝15が成形されるが、スタンパが離型しやすいように凸形状の両側面には離型させる方向に傾斜したテーパが付与されているので、コア溝15の両側面にも深さ方向に沿ったテーパが形成される。ついで、下クラッド層13の上面に形成されたコア溝15にコア材料を充填させてコア16を成形し、下クラッド層13とガラス基板12との間に上クラッド層14を成形して下クラッド層13と上クラッド層14の間にコア16を閉じ込める。よって、コア溝15内にコア材料を充填して成形されたコア16の断面の両側面にも深さ方向に沿ったテーパがつくことになる。
また、下クラッド層を射出成形により成形する方法でも、成形金型内で樹脂成形された下クラッド層から成形金型を容易に離型させるため、コア溝の深さ方向に沿ってテーパがつけられる。また、半導体製造プロセスを利用して下クラッド層の上にコア材料の層を堆積させた後にエッチングでコアを形成する場合でも、露光時にコア材料層の深さ方向に光が広がるので、エッチングした後のコアにはテーパがついてしまう。よって、これらの製法の場合でも、コアにテーパがついているので、コアの断面もテーパ状となる。
このようにしてコアの長さ方向に垂直な断面に深さ方向もしくは高さ方向に沿ってテーパがついていると、コアの下面からの高さによってコア断面の幅が異なる。そのため、コア断面の幅が狭い部分は、コア断面の幅が広い部分と比較して等価屈折率が小さくなる。コアの等価屈折率が小さいと、その等価屈折率と下クラッド層や上クラッド層の屈折率との差が小さくなるので、コア断面の幅が狭い部分では、コア断面の幅が広い部分よりもコア内の光の閉じ込めが弱くなる。そのため、コア断面にテーパがついていると、コア断面の幅の変化に起因して高さ方向のモードプロファイルがコア中央に対して非対称になる現象が生じる。
図2(a)は上面でコア幅が広く、下面でコア幅が狭いテーパ状断面を有するコア16と上下クラッド層13、14を示し、図2(b)はコア16の断面の左右の中央において高さ方向に沿った屈折率の変化を示し、図2(c)に実線で示す曲線は当該コア16内を伝搬する光信号のモードプロファイルを示している。図2(c)の縦軸はコア16の断面の高さ方向の中央から測った高さを表し、横軸はコア16内を伝搬する光信号の強度を表す。また、図2(c)に破線で示す曲線は、断面が矩形状をしたコアの理想的なモードプロファイルを示す。図2(c)に破線で示す理想的なモードプロファイルでは、コア断面の高さ方向の中央に関して対称な曲線を描いている。これに対し、テーパのついたコア断面の場合には、コア16の下面において下クラッド層13側への光の漏れが大きくなっており、そのモードプロファイルが非対称となっている。
このようにして、コア断面にテーパのついた従来の光導波路では、コアのモードプロファイルが上下方向で非対称になるので、コア内部を伝搬する光が上下方向で対称なモードプロファイルとなる光ファイバとの接続損失が大きくなるという問題があった。
特開2003−240991号公報
本発明は上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、コア断面の形状に起因して発生する非対称なモードプロファイルを持つ光導波路においてそのモードプロファイルの非対称性を低減させることにある。
本発明にかかる第1の光導波路は、クラッド層内にコアが埋め込まれ、クラッド層の表面からの距離に応じてコアの幅が次第に増加又は減少する光導波路において、前記コアの幅の狭い側の面と前記クラッド層との境界面近傍に、前記コアより屈折率の大きな又は前記クラッド層よりも屈折率の小さな屈折率調整領域が形成されたものである。なお、ここでいうクラッド層とは、上クラッド層でも下クラッド層でもよく、単体のクラッド層でもよい。また、クラッド層の表面からの距離とは、クラッド層の表面から測ったコアの高さ方向又は深さ方向における距離である。
本発明の第1の光導波路においては、前記コアより屈折率の大きな屈折率調整領域を形成することにより、コアの幅の狭い側において、コア(屈折率調整領域)における等価屈折率とクラッド層の屈折率との屈折率差を大きくして光の閉じ込めをコアの幅の広い側と同程度に強くすることができるので、コア内を伝搬する光の強度のプロファイルを対称に近づけることができる。また、前記クラッド層より屈折率の小さな屈折率調整領域を形成することにより、コアの幅の狭い側において、コアの等価屈折率とクラッド層(屈折率調整領域)の屈折率との屈折率差を大きくして光の閉じ込めをコアの幅の広い側と同程度に強くすることができるので、コア内を伝搬する光の強度のプロファイルを対称に近づけることができる。これにより、光ファイバ等との結合効率を高めることができる。
第1の光導波路の実施態様においては、前記屈折率調整領域を、前記クラッド層又は前記コアを改質することにより形成することができる。例えば、クラッド層やコアに金属や半導体のイオンを打ち込んだり、拡散させたりすることにより任意の深さで改質することができる。
また、第1の光導波路の別な実施態様においては、前記屈折率調整領域を、前記コアと前記クラッド層との境界面にコア及びクラッド層と異なる材料を堆積させることにより形成することができる。堆積させる材料としては、金属や半導体を用いることができる。かかる方法によれば、光集積回路の製造工程において簡単に屈折率調整領域を形成することができる。
本発明にかかる第2の光導波路は、上クラッド層と下クラッド層の間にコアが埋め込まれ、クラッド層どうしの境界面からの距離に応じてコアの幅が次第に増加又は減少する光導波路において、前記コアの幅の広い側の面といずれかの前記クラッド層との境界面近傍に、前記コアよりも屈折率が小さく、且つ、前記コアの幅の狭い側の面と接するクラッド層よりも屈折率が大きな屈折率調整領域が形成されたものである。なお、クラッド層どうしの境界面からの距離とは、クラッド層どうしの境界面から測ったコアの高さ方向又は深さ方向における距離である。
本発明の第2の光導波路においては、コアの幅の広い側の面といずれかのクラッド層との境界面近傍に、コアよりも屈折率が小さく、且つ、コアの幅の狭い側の面と接するクラッド層よりも屈折率が大きな屈折率調整領域を形成することにより、コアの幅の広い側において、コアの等価屈折率と屈折率調整領域の屈折率との屈折率差を小さくして光の閉じ込めをコアの幅の狭い側と同程度に弱くすることができるので、コア内を伝搬する光の強度のプロファイルを対称に近づけることができる。これにより、光ファイバ等との結合効率を高めることができる。
第2の光導波路の実施態様においては、前記屈折率調整領域を、前記コア又はコアの幅の広い側の面と接するクラッド層を改質することにより形成することができる。例えば、クラッド層やコアに金属や半導体のイオンを打ち込んだり、拡散させたりすることにより任意の深さで改質することができる。
また、第2の光導波路の別な実施態様においては、前記屈折率調整領域を、上クラッド層と下クラッド層のうちコアの幅の広い側の面と接している側のクラッド層全体としている。
また、第2の光導波路の別な実施態様においては、前記屈折率調整領域を、前記コアといずれかの前記クラッド層との境界面に当該コア及びクラッド層と異なる材料を堆積させることにより形成することができる。堆積させる材料としては、金属や半導体を用いることができる。かかる方法によれば、光集積回路の製造工程において簡単に屈折率調整領域を形成することができる。
本発明にかかる第3の光導波路は、クラッド層内にコアが埋め込まれ、クラッド層の表面からの距離に応じてコアの幅が次第に増加又は減少する光導波路において、前記コアの幅の狭い側の面と前記クラッド層との境界面近傍に、周囲よりも引張応力の高い領域を形成したものである。なお、クラッド層の表面からの距離とは、クラッド層の表面から測ったコアの高さ方向又は深さ方向における距離である。
本発明の第3の光導波路においては、前記コアの幅の狭い側の面と前記クラッド層との境界面近傍に、周囲よりも引張応力の高い領域を形成することにより、コアの幅の狭い側において、前記クラッド層よりも屈折率の小さな領域を形成することができる。よって、コアの幅の狭い側においてコアの等価屈折率と引張応力の高い領域の屈折率との間の屈折率差を大きくして光の閉じ込めをコアの幅の広い側と同程度に強くすることができるので、コア内を伝搬する光の強度のプロファイルを対称に近づけることができる。これにより、光ファイバ等との結合効率を高めることができる。
なお、この発明の以上説明した構成要素は、可能な限り任意に組み合わせることができる。
以下本発明を実施例に従って具体的に説明する。なお、以下に説明する実施例は一例であって、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
図3は本発明の一実施例による光導波路を示す斜視図である。この光導波路20にあっては、下面側のガラス基板21と上面側のガラス基板22との間で、下クラッド層23と上クラッド層24を積層している。下クラッド層23の上面に形成されたコア溝25内には、コア26を設けている。コア26の両側面はテーパを付与されており、コア26の断面は下面側で幅の狭い台形となっている。また、コア26の下面(最も幅の狭い面)と下クラッド層23との間に低屈折率層27を設けている。下クラッド層23及び上クラッド層24は透明樹脂によって形成されており、等しい屈折率を有している。好ましくは、下クラッド層23と上クラッド層24は同じ透明樹脂によって成形される。コア26は、下クラッド層23及び上クラッド層24よりも屈折率の大きな透明樹脂によって形成されている。低屈折率層27は、下クラッド層23よりも小さな屈折率を有している。コア26の高さを6μmとすれば、低屈折率層27の厚みは0.5〜1.0μm程度となっている。
なお、図3ではコア溝25の下面の表面に低屈折率層27を設けているが、図4に示すように、コア溝25の下面から少し深い位置に低屈折率層27が埋まっていてもよい。また、図示しないが、低屈折率層27はコア26内の下面近傍に位置していても差し支えない。ただし、その場合は、コア26の中心が上方へ移動するので、光の強度のプロファイルの中心も上方へずれる。
図5(a)〜(d)は、図3に示した光導波路20の製造工程を説明する概略図である。まず、ガラス基板21の上面に紫外線硬化型樹脂を滴下し、これをスタンパ31で押えてスタンパ31とガラス基板21の間に紫外線硬化型樹脂を押し広げる。紫外線照射により紫外線硬化型樹脂を硬化させて下クラッド層23を成形した後、スタンパ31を下クラッド層23から離型させる。こうして成形された下クラッド層23には、コア溝25が形成される(図5(a))。スタンパ31には下面側で幅の狭くなった断面台形状の凸部が設けられているので、コア溝25の断面は両側面にテーパのついた断面逆台形となる。
ついで、コア溝25の全長にわたってその下面に真空蒸着で金属やSi等の半導体を堆積させる。この金属や半導体としては、下クラッド層23の屈折率を低下させるものや、下クラッド層23に拡散して下クラッド層23の屈折率を低下させる不純物となるものなどが好ましい。コア溝25の下面に金属や半導体を堆積させると、屈折率が低下するので、コア溝25の下面には下クラッド層23よりも低屈折率の低屈折率層27が形成される(図5(b))。あるいは、コア溝25の下面に金属イオンや水素イオン、ヘリウムイオン等を打ち込み、イオン注入によりコア溝25の下面を改質して低屈折率層27を形成しても良い。
この後、コア溝25内にコア材料の樹脂を充填させてコア26を形成する(図5(c))。さらに、下クラッド層23及びコア26の上に紫外線硬化型樹脂を滴下し、これをガラス基板22で押えてガラス基板22と下クラッド層23の間に押し広げる。ここに紫外線照射すると、紫外線硬化型樹脂が硬化して上クラッド層24が成形され、光導波路20が製作される(図5(d))。
図6は、図3に示した実施例の作用を説明する図であって、図6(a)は光導波路20のコア近傍を示す概略図、図6(b)はコア26の中央における高さ方向に沿った屈折率の変化を示す図、図6(c)はコア内を伝搬する光信号のモードプロファイルを表わす図である。図6(c)の縦軸はコア断面の高さ方向の中央から測った高さを表し、横軸はコア内を伝搬する光信号の強度を表しており、実線で表した曲線は当該コア26内を伝搬する光信号のモードプロファイルを示し、2点鎖線で表した曲線は図2(c)に実線で示した従来例のモードプロファイルである。
低屈折率層27のない従来例の場合には、コア26の幅が下面側で狭くなっているために、コア26の底部で等価屈折率が小さくなり、その結果コア26の底部の等価屈折率と下クラッド層23の屈折率との差が小さくなるので、図6(c)に2点鎖線で示すように、コア26の下面からの光の漏れが大きくなり、モードプロファイルが非対称となる。
本実施例の場合には、コア26の下面と下クラッド層23との境界面近傍に低屈折率層27が設けられており(図6(a))、この低屈折率層27は下クラッド層23よりも屈折率が小さいので、低屈折率層27は下クラッド層23の一部と考えることができる。よって、本実施例ではコア26の下面と下クラッド層23との境界面においてはコア26の等価屈折率と低屈折率層27の屈折率との差Δnが、低屈折率層27のない場合よりも大きくなる(図6(b))。その結果、コア26の下面における光の閉じ込めが強くなり、図6(c)に示す実線の曲線のように、モードプロファイルの非対称の度合いが緩和される。モードプロファイルが対称に近くなることにより、台形状の断面を有するコア26における2次元の強度分布も同心円状の分布となる。そして、モードプロファイルが対称に近くなることにより、光ファイバとの結合効率も向上する。
モードプロファイルを対称にするために、断面が台形をしたコアの屈折率を、幅の大きな側から幅の小さな側へ向けて次第に大きくすることも考えられるが、このような方法では、コアの製作に手間が掛かり、コストが上昇する。また、コア内の全体で屈折率が変化するので、コア内を伝搬する信号の波形が歪む恐れがある。これに対し、本実施例の場合には、コア26内の全体で屈折率は均一であるので、光導波路20の製作が容易で、また、伝搬する信号の波形が歪みにくい。
図7及び図8は光導波路20において上記低屈折率層27の屈折率を変化させたときのモードプロファイルの変化をシミュレーションにより描いたものである。図7はコア26の高さ方向の中央よりも上側のモードプロファイルを表わし、図8はコア26の高さ方向の中央よりも下側のモードプロファイルを表わし、いずれも縦軸は高さを示し、横軸は光信号の強度を示している。図7及び図8に示されているモードプロファイルのシミュレーション条件は、コア26の中央での高さ及び幅をいずれも6μmとし、コア26と下クラッド層23との屈折率の差がコア26の屈折率の0.37%とした。また、低屈折率層27の厚みは1μmとし、低屈折率層27の幅はコア26の下面の幅と等しいものとした。そして、下クラッド層23の屈折率と低屈折率層27の屈折率との差が、下クラッド層23の屈折率より0.00%、0.01%、0.03%、0.04%、0.06%、0.07%低い6パターンについてモードプロファイルを求めた。図7及び図8はこの結果を表したものである。
ここで、図7に示した上側のモードプロファイルにおいては、例えば強度が0.300[a.u.]となる箇所の高さを見ると、低屈折率層27の屈折率によらずコア26の中央から約4.210μmの高さとなっている。従って、モードプロファイルが対称であれば、コア26の中央からの高さが−4.210μmにおいても強度が0.300[a.u.]となる筈である。そこで、図8のモードプロファイルを見ると、低屈折率層27の屈折率を、下クラッド層23の屈折率より0.06%低下させた場合において、高さ約−4.210μmのときに強度が0.300[a.u.]となることが分かる。よって、低屈折率層27の屈折率を、下クラッド層23の屈折率より、0.06%だけ小さくなるようにすれば、ほぼ対称なモードプロファイルが得られることが分かる。
上記実施例では、コア26の下面と下クラッド層23との境界面近傍に下クラッド層23よりも屈折率の低い層を設けたが、この境界面近傍にコア26よりも屈折率が少し大きな層を設けてもよい。図9はこのような実施例を説明する図である。図9(a)はこの光導波路のコア近傍を示す概略図あって、コア26は下面側で幅が狭くなった断面台形をしており、コア26の底部近傍にコア26よりも屈折率のやや大きな高屈折率層28が設けられている。図9(b)はコア26の中央における高さ方向に沿った屈折率の変化を示す図である。図9(c)はコア内を伝搬する光信号のモードプロファイルを表わす図であって、実線で表した曲線は当該コア26内を伝搬する光信号のモードプロファイルを示し、2点鎖線で表した曲線は従来例のモードプロファイルである。
なお、図9(a)ではコア26の下面に高屈折率層28を設けているが、コア26の下面から少し上に高屈折率層28を位置させてもよい。また、高屈折率層28はコア溝25内の下面近傍(下クラッド層23)に位置していても差し支えない。
図9に示す実施例の場合には、コア26の下面と下クラッド層23との境界面近傍に高屈折率層28が設けられており(図9(a))、この高屈折率層28はコア26よりも屈折率が大きいので、高屈折率層28はコア26の一部と考えることができる。よって、本実施例ではコア26の下面と下クラッド層23との境界面における高屈折率層28の等価屈折率と下クラッド層23の屈折率との差Δnが、高屈折率層28のない場合よりも大きくなる(図9(b))。その結果、コア26の下面における光の閉じ込めが強くなり、図9(c)に示す実線の曲線のように、モードプロファイルの非対称の度合いが緩和される。モードプロファイルが対称に近くなることにより、台形状の断面を有するコア26における2次元の強度分布も同心円状の分布となる。そして、モードプロファイルが対称に近くなることにより、光ファイバとの結合効率も向上する。ただし、本実施例においては、高屈折率層28の屈折率の影響を受けて光の強度のプロファイルの中心が下方にずれるので、光ファイバの接続位置が下方へ移動する。
また、本実施例の場合も、コア26内の全体で屈折率は均一であるので、光導波路20の製作が容易で、また、伝搬する信号の波形が歪みにくい。
図10(a)〜(d)は、図9に示した光導波路の製造工程を説明する概略図である。まず、ガラス基板21の上面に、コア溝25を有する下クラッド層23を成形する(図10(a))。コア溝25の断面は、両側面にテーパのついた断面逆台形となっている。
ついで、コア溝25の全長にわたってその下面に真空蒸着で金属やSi等の半導体を堆積させる。この金属や半導体としては、コア26に不純物として拡散し、コア26の屈折率を高くするものを用いることができる。コア溝25の下面にこのような金属や半導体を堆積させると、コア26の屈折率が高くなるので、コア26の下面にはコア26よりも高屈折率の高屈折率層28が形成される(図10(b))。
この後、コア溝25内にコア材料の樹脂を充填させてコア26を作る(図10(c))。ついで、下クラッド層23及びコア26の上面とガラス基板22との間に上クラッド層24を成形して光導波路を作製する(図10(d))。
なお、この場合のモードプロファイルのシミュレーションの様子は省略するが、図7及び図8と同様な様子となる。
図11は本発明の別な実施例であって、コア26の上面(最も幅の広い面)と上クラッド層24との境界面において、上クラッド層24には上クラッド層24よりも屈折率が高く、かつ、コア26よりも屈折率が小さな中間屈折率層29を形成した光導波路30を示している。
なお、図11では上クラッド層24の下面に中間屈折率層29を設けているが、上クラッド層24の下面から少し上に中間屈折率層29を位置させてもよい。また、中間屈折率層29はコア26の上面近傍に位置していても差し支えない。
図12(a)〜(d)は、図11に示した光導波路30の製造工程を説明する概略図である。まず、ガラス基板21の上面に紫外線硬化型樹脂を滴下し、これをスタンパ31で押えてスタンパ31とガラス基板21の間に紫外線硬化型樹脂を押し広げる。紫外線照射により紫外線硬化型樹脂を硬化させて下クラッド層23を成形した後、スタンパ31を下クラッド層23から離型させる。こうして成形された下クラッド層23には、コア溝25が形成される(図12(a))。コア溝25の断面は両側面にテーパのついた断面逆台形となる。このコア溝25にコア材料の樹脂を充填させてコア26を形成する(図12(b))。
ついで、コア26の上面に金属や半導体を堆積させることにより、上クラッド層24よりも屈折率が大きく、且つ、コア26よりも屈折率が小さい中間屈折率層29をコア26の上面に形成する(図12(c))。
この後、下クラッド層23及び中間屈折率層29の上に紫外線硬化型樹脂を滴下し、これをガラス基板22で押えてガラス基板22と下クラッド層23の間に押し広げる。ここに紫外線照射すると、紫外線硬化型樹脂が硬化して上クラッド層24が成形され、光導波路30が製作される(図12(d))。
図11に示す実施例ではコア26の上面と上クラッド層24との境界面近傍に設けられた中間屈折率層29の屈折率はコア26の屈折率よりもやや小さく、且つ、上クラッド層24の屈折率よりもやや大きいので(図13(a))、コア26の上面と上クラッド層24との境界面におけるコア26の等価屈折率と中間屈折率層29の屈折率との差Δnが、中間屈折率層29のない場合よりも小さくなる(図13(b))。その結果、コア26の上面における光の閉じ込めが弱くなり、図13(c)に示す実線の曲線のように、モードプロファイルの非対称の度合いが緩和される。モードプロファイルが対称に近くなることにより、台形状の断面を有するコア26における2次元の強度分布も同心円状の分布となる。そして、モードプロファイルが対称に近くなることにより、光ファイバとの結合効率も向上する。
図14及び図15は光導波路30において、上記中間屈折率層29の屈折率を変化させたときのモードプロファイルの変化をシミュレーションにより描いたものである。図14及び図15のシミュレーションは、図7及び図8の場合と同じ条件でシミュレーションしたものである。また、図14及び図15には、中間屈折率層29の屈折率と上クラッド層24の屈折率との差が、上クラッド層24の屈折率より0.00%、0.01%、0.03%、0.04%、0.06%、0.07%高い6パターンについてモードプロファイルを描いている。
ここで、図15に示した下側のモードプロファイルにおいては、例えば強度が0.300[a.u.]となる箇所の高さを見ると、中間屈折率層29の屈折率によらずコア中央から約−4.400μmの高さとなっている。従って、モードプロファイルが対称であれば、コア26の中央からの高さが4.400μmにおいても強度が0.300[a.u.]となる筈である。そこで、図14のモードプロファイルを見ると、中間屈折率層29の屈折率を、上クラッド層24の屈折率より0.120%高く(外挿法による)した場合において、高さ約4.400μmのときに強度が0.300[a.u.]となることが分かる。よって、中間屈折率層29の屈折率を、上クラッド層24の屈折率より0.120%だけ高くなるようにすれば、ほぼ対称なモードプロファイルが得られることが分かる。
図11の実施例では、コア26の上に中間屈折率層29を形成したが、これと同等な方法としては、上クラッド層24全体の屈折率を高くしてもよい。すなわち、図16に示す実施例では、上クラッド層24の屈折率を下クラッド層23の屈折率よりも高く、かつ、コア26の屈折率よりも低くしている。
図17(a)〜(c)は図16の実施例による光導波路32の製造手順を説明する図である。まず、断面が台形のコア溝25を有する下クラッド層23をガラス基板21の上に成形する(図17(a))。ついで、コア溝25内にコア材料の樹脂を充填させてコア26を形成する(図17(b))。この後、下クラッド層23及びコア26の上面とガラス基板22との間に、下クラッド層23よりも屈折率の高い樹脂を用いて上クラッド層24を成形する(図17(c))。
図18は、図16に示した実施例の作用を説明する図であって、図18(a)は光導波路32のコア近傍を示す概略図、図18(b)はコア26の中央における高さ方向に沿った屈折率の変化を示す図、図18(c)はコア26内を伝搬する光信号のモードプロファイルを表わす図である。図18(c)の縦軸はコア断面の高さ方向の中央から測った高さを表し、横軸はコア内を伝搬する光信号の強度を表しており、実線で表した曲線は当該コア26内を伝搬する光信号のモードプロファイルを示し、2点鎖線で表した曲線は図2(c)に実線で示した従来例のモードプロファイルである。
本実施例では、上クラッド層24の屈折率が下クラッド層23の屈折率よりも高くなっているので、図18(b)に示すように、コア26の上面の等価屈折率と上クラッド層24の屈折率との差Δnは、コア26の下面の等価屈折率と下クラッド層23の屈折率との差と同等になる。そのため、図18(c)に示すように、コア26内を伝搬する光は、コア26の上面側からの漏れが大きくなり、モードプロファイルが対称に近くなる。よって、コア26と光ファイバとの結合効率が向上する。
この実施例の場合についてのモードプロファイルのシミュレーション図は示さないが、その作用からも明らかなように、この実施例におけるシミュレーションも図14及び図15のシミュレーションと同様な傾向が示される。
なお、この実施例の変形例としては、下クラッド層23をコア26とほぼ同じ厚みでコア26と同じ高さに位置する層とコア26の下方に位置する層とに分け、コア26の下方に位置する層の屈折率をコア26とほぼ同じ高さに位置する層の屈折率よりも低くしてもよい(図示せず)。
図19は、コア26の下面及び両側面底部の近傍において、下クラッド層23に低屈折率層27を形成した本発明の実施例を示している。コア26の厚みを6μmとして、コア26の下面から両側面にかけて低屈折率層27を、例えば1μmの厚みで設けている。この実施例は、図3の実施例においてコア26の下面に設けられた低屈折率層27をコア26の両側面底部にまで延長した実施例に当たる。従って、図3の実施例と同様な作用により、コア26内を伝搬する光のモードプロファイルを対称にすることができる。
図20及び図21は当該実施例において低屈折率層27の屈折率を変化させたときのモードプロファイルの変化をシミュレーションにより描いたものである。図20及び図21のシミュレーションは、図7及び図8の場合と同じ条件でシミュレーションしたものである。また、図20及び図21には、低屈折率層27の屈折率と下クラッド層23の屈折率との差が、下クラッド層23の屈折率より0.00%、0.01%、0.03%、0.04%、0.06%、0.07%低い6パターンについてモードプロファイルを描いている。
ここで、図20に示した上側のモードプロファイルにおいては、例えば強度が0.300[a.u.]となる箇所の高さを見ると、低屈折率層27の屈折率によらずコア26の中央から約4.210μmの高さとなっている。従って、モードプロファイルが対称であれば、コア26の中央からの高さが−4.210μmにおいても強度が0.300[a.u.]となる筈である。そこで、図21のモードプロファイルを見ると、低屈折率層27の屈折率を、下クラッド層23の屈折率より0.07%低くした場合において、高さ約−4.210μmのときに強度が0.300[a.u.]となることが分かる。よって、低屈折率層27の屈折率が、下クラッド層23の屈折率より0.07%だけ低くなるようにすれば、ほぼ対称なモードプロファイルが得られることが分かる。
なお、本発明においては、上記実施例を組み合わせて実施することも可能である。例えば、コアの上面近傍において上クラッド層に上クラッド層とコアとの中間の屈折率の中間屈折率層を設けると共に、コアの下面近傍において下クラッド層に下クラッド層よりも屈折率の低い低屈折率層(又は、コアよりも屈折率の高い高屈折率層)を設けてもよい。
図22は本発明の別な実施例による光導波路の断面図である。この光導波路40にあっては、コア26の下面近傍において、下クラッド層23に引張内部応力の高い高ストレス領域41を形成している。
このような光導波路を製作するには、比較的硬化収縮の大きなコア、クラッド材料(樹脂)を用いてスタンパ法により下クラッド層23に下方で狭くなった断面台形のコア溝25を作製した後、コア材料(樹脂)をコア溝25に注入し、上から透明な平板で押さえてコア26を成形し、その状態でコア材料を硬化させる。この後、下クラッド層23の上に上クラッド層24を成形してコア26を封止する。
このようにして光導波路を製作すると、コア26の硬化収縮の方向と下クラッド層23の硬化収縮の方向が異なるためにコア26と下クラッド層23との間に引張応力が発生し、コア26の下面近傍において下クラッド層23に高ストレス領域41が発現する。比較的高い引張応力の発生している高ストレス領域41では、引張応力のために樹脂(下クラッド層23)の密度が低下しており、そのためコア26の下面近傍の高ストレス領域41では屈折率が周囲の下クラッド層23よりも小さくなっている。例えば、10MPaの引張応力が発生していると、0.1%程度の屈折率の変化が生じると考えられる。よって、コア26の等価屈折率と高ストレス領域41の屈折率との差がコア26の等価屈折率と下クラッド層23との差よりも大きくなって、コア26の下面側で光の閉じ込めが大きくなり、光のモードプロファイルが対称に近づく。
図23はスタンパ法により光導波路を作製した場合にコアの周辺に発生する引張応力の分布をシミュレーションにより描いたものである。すなわち、下クラッド層23及びコア溝25の成形時と、コア26の成形時と、上クラッド層24の成形時とに分けて各段階での応力を求め、それらを重ね合わせたものである。このシミュレーション図では、コア26の上面側では引張応力が0MPa〜7MPaとなっており、コア26内では約7MPaとなっており、下クラッド層23内の大部分の領域では5MPaとなっており、コア26の下面側では7MPa〜10MPa以上となっている。よって、コア26の下面近傍の屈折率が小さくなり、光がコア26の下面から漏れ出しにくくなる。
本発明の実施例においては、コアの断面形状は台形状のものにより説明したが、これに限られることはなく、例えば半円形状などコアの深さ方向もしくは高さ方向で幅が単調に増加または減少するような断面形状のコアを持つすべての光導波路に適用可能である。
テーパ状のコア断面を有する光導波路の一例を示す概略斜視図である。 (a)〜(c)は同上の光導波路の作用説明図である。 本発明の一実施例による光導波路を示す斜視図である。 図3の光導波路の変形例を示す概略断面図である。 (a)〜(d)は図3に示した光導波路の製造工程を説明する概略図である。 (a)〜(c)は図3に示した実施例の作用説明図である。 低屈折率層の屈折率を変化させたときの、コア上半部でのモードプロファイルの変化を示すシミュレーション図である。 低屈折率層の屈折率を変化させたときの、コア下半部でのモードプロファイルの変化を示すシミュレーション図である。 本発明の別な実施例を説明する図である。 (a)〜(d)は、図9に示した光導波路の製造工程を説明する概略図である。 本発明のさらに別な実施例による光導波路を示す斜視図である。 (a)〜(d)は、図11に示した光導波路の製造工程を説明する概略図である。 (a)〜(c)は図11に示した実施例の作用説明図である。 中間屈折率層の屈折率を変化させたときの、コア上半部でのモードプロファイルの変化を示すシミュレーション図である。 中間屈折率層の屈折率を変化させたときの、コア下半部でのモードプロファイルの変化を示すシミュレーション図である。 本発明のさらに別な実施例による光導波路を示す斜視図である。 (a)〜(c)は図16の実施例による光導波路の製造手順を説明する概略図である。 (a)〜(c)は、図16に示した実施例の作用説明図である。 (a)は本発明の別な実施例による光導波路の要部を示す概略図、(b)はコア内を伝搬する光のモードプロファイルを示す図である。 低屈折率層の屈折率を変化させたときの、コア上半部でのモードプロファイルの変化を示すシミュレーション図である。 低屈折率層の屈折率を変化させたときの、コア下半部でのモードプロファイルの変化を示すシミュレーション図である。 本発明のさらに別な実施例による光導波路の断面図である。 光導波路内の応力分布を表した図である。
符号の説明
21、22 ガラス基板
23 下クラッド層
24 上クラッド層
25 コア溝
26 コア
27 低屈折率層
28 高屈折率層
29 中間屈折率層
41 高ストレス領域

Claims (8)

  1. クラッド層内にコアが埋め込まれ、クラッド層の表面からの距離に応じてコアの幅が次第に増加又は減少する光導波路において、
    前記コアの幅の狭い側の面と前記クラッド層との境界面近傍に、前記コアより屈折率の大きな又は前記クラッド層よりも屈折率の小さな屈折率調整領域が形成されていることを特徴とする光導波路。
  2. 前記屈折率調整領域は、前記クラッド層又は前記コアを改質することにより形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の光導波路。
  3. 前記屈折率調整領域は、前記コアと前記クラッド層との境界面にコア及びクラッド層と異なる材料を堆積させることにより形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の光導波路。
  4. 上クラッド層と下クラッド層の間にコアが埋め込まれ、クラッド層どうしの境界面からの距離に応じてコアの幅が次第に増加又は減少する光導波路において、
    前記コアの幅の広い側の面といずれかの前記クラッド層との境界面近傍に、前記コアよりも屈折率が小さく、且つ、前記コアの幅の狭い側の面と接するクラッド層よりも屈折率が大きな屈折率調整領域が形成されていることを特徴とする光導波路。
  5. 前記屈折率調整領域は、前記コア又はコアの幅の広い側の面と接するクラッド層を改質することにより形成されていることを特徴とする、請求項4に記載の光導波路。
  6. 前記屈折率調整領域は、上クラッド層と下クラッド層のうちコアの幅の広い側の面と接している側のクラッド層全体であることを特徴とする、請求項4に記載の光導波路。
  7. 前記屈折率の小さな領域は、前記コアといずれかの前記クラッド層との境界面に当該コア及びクラッド層と異なる材料を堆積させることにより形成されていることを特徴とする、請求項4に記載の光導波路。
  8. クラッド層内にコアが埋め込まれ、クラッド層の表面からの距離に応じてコアの幅が次第に増加又は減少する光導波路において、
    前記コアの幅の狭い側の面と前記クラッド層との境界面近傍に、周囲よりも引張応力の高い領域を形成したことを特徴とする光導波路。
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EP05101126A EP1566670B1 (en) 2004-02-16 2005-02-15 Optical waveguide with a reduced asymmetry of the mode profile and optical transmission method
US11/058,639 US7177517B2 (en) 2004-02-16 2005-02-15 Optical wave guide and the method of propagating light using the same
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020148896A (ja) * 2019-03-13 2020-09-17 住友大阪セメント株式会社 光導波路素子及びその製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008276000A (ja) * 2007-05-01 2008-11-13 Nitto Denko Corp 光導波路
US7987478B2 (en) * 2007-08-28 2011-07-26 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Methods, devices, and computer program products for providing unobtrusive video advertising content
JP5506517B2 (ja) * 2010-04-12 2014-05-28 キヤノン株式会社 固体撮像素子
US8798420B2 (en) * 2012-03-14 2014-08-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Multi-mode optical fiber
EP3510429A4 (en) * 2016-09-09 2020-04-15 Ranovus Inc. OPTICAL COUPLER WITH A WAVEGUIDE AND MATERIALS SUITABLE FOR A WAVEGUIDE INDEX AT THE EDGE OF A SUBSTRATE
CN106597603B (zh) * 2016-10-18 2019-12-31 国网江西省电力公司信息通信分公司 一种新型少模光纤

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2340019A1 (de) * 1973-08-07 1975-02-20 Siemens Ag Kopplung fuer lichtleitfasern untereinander und fuer lichtleitfasern mit endgeraeten
US5018811A (en) 1990-07-18 1991-05-28 Northrop Corporation Asymmetric optical waveguides for minimizing bending losses and techniques for fabricating same
JPH05313034A (ja) 1992-05-14 1993-11-26 Hitachi Cable Ltd 低損失希土類元素添加光導波路およびその製造方法
US5703989A (en) 1995-12-29 1997-12-30 Lucent Technologies Inc. Single-mode waveguide structure for optoelectronic integrated circuits and method of making same
US20010026670A1 (en) * 2000-03-28 2001-10-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical waveguide and method for making the same
US7103245B2 (en) 2000-07-10 2006-09-05 Massachusetts Institute Of Technology High density integrated optical chip
US6542684B2 (en) 2001-05-01 2003-04-01 Corning Incorporated Optimized multi-layer optical waveguiding system
JP3823770B2 (ja) 2001-07-31 2006-09-20 日立電線株式会社 光導波路及びその製造方法
JP3841395B2 (ja) 2001-10-09 2006-11-01 松下電器産業株式会社 光導波路
US6760529B2 (en) * 2001-12-11 2004-07-06 Intel Corporation Three-dimensional tapered optical waveguides and methods of manufacture thereof
JP4066670B2 (ja) * 2002-02-19 2008-03-26 オムロン株式会社 光スイッチ
JP4079146B2 (ja) * 2002-09-20 2008-04-23 凸版印刷株式会社 光導波路の製造方法
JP2005157090A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Mitsumi Electric Co Ltd 光導波路デバイス

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020148896A (ja) * 2019-03-13 2020-09-17 住友大阪セメント株式会社 光導波路素子及びその製造方法
JP7205317B2 (ja) 2019-03-13 2023-01-17 住友大阪セメント株式会社 光導波路素子及びその製造方法

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