JP2005226153A - プラズマ支援スパッタ成膜装置 - Google Patents

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Abstract

【発明の課題】 良好でかつ要求された特性を維持することができ、膜堆積の間停止状態にある温度制御性の良好なウェハーホルダを有するプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供すること。
【解決手段】 プラズマ支援スパッタ成膜装置は次の構成からなる。プラズマの生成のため使用されるプロセスガスが導入される反応容器1と、プラズマによってスパッタされる物質で作られるドーナツ型電極であって、その下面はウェハーの表面に対し傾斜されているドーナツ型電極2と、ドーナツ型電極の上方の円の上を移動しながらその中心軸で回転する回転プレートであって、その下面に取付けられかつドーナツ型電極の表面に平行なマグネット配列4を含む回転プレート3と、ドーナツ型電極に接続された電力源10と、そして膜堆積のためウェハー9を配置するためのウェハーホルダ5であって、膜堆積の間停止状態にあるウェハーホルダとから構成される。
【選択図】 図1

Description

本発明はプラズマ支援スパッタ成膜装置に関し、特に、ウェハーの上に薄膜を堆積するためのプラズマ支援スパッタ成膜装置であって、ウェハーホルダは膜堆積の間停止しており、良好な膜の均一性を有し、高い精度の膜厚み制御を有するプラズマ支援スパッタ成膜装置に関する。
マグネトロンDCまたはマグネトロンRFのスパッタ装置は、半導体産業において用いられる基板の上に薄い膜を堆積させるため、広く応用されている。基板の上に膜を堆積することにおいて主要な要求の1つは、例えば、シリコンウェハーの上での膜の均一性である。より高い膜の均一性を備えて膜を堆積させるために、ウェハーの表面に関して、傾斜電極を有するDCスパッタリング装置が発明され、利用されている(特許文献1,2)。しかしながら、この装置は、基板温度を制御すること、堆積した膜が再びスパッタリングされること、パーティクルを減少させることにおいて、いくつかの問題を有している。これらの問題を図5を参照して詳細に説明する。
図5は、傾斜電極を有するDCスパッタリング装置の断面図を示す。反応容器100は電極101、ウェハーホルダ102、ガス導入部103、およびガス排出部104から成っている。電極101は金属で作られ、スパッタされかつウェハー112の上に堆積される必要のある例えばAl,Ti,Ta等の金属で作られている。電極101は誘電体物質105を用いて反応容器100から電気的に絶縁されている。一般的に、電極101の状面の上には、いくつかの特別な配列を有した複数のマグネット106が配置されている。さらに、電極101に設けられたマグネット106は電極101の偏り軸または中心軸の周りに回転されている。円形の矢印121は中心軸の周りの回転動作の状態を示す。電極101はDC電力源107に接続されている。
通常、ウェハーホルダ102は、金属電極108、誘電体物質109、側壁110、および軸部111から構成されている。軸部111は、円形の矢印122で示されるごとくその中心軸でウェハーホルダ102を回転させるため、電気モータに接続されている。当該電気モータは、図において示されていない。
反応容器100の中には、電極101にDC電流を与えることによって、反応容器100の内部を低い圧力に維持しながらDCプラズマが生成される。電極101のより高い負の電圧のために、プラズマの中のイオンは電極101に対して加速され、スパッタが行われる。これらのスパッタされた原子は、その後、プラズマを通り抜けて移動し、ウェハー112の上に堆積し、そしてプラズマに対して露出したその他の表面の上に堆積する。
傾斜電極101から到来するスパッタされた原子の流れはウェハーの表面の上で均一ではない。ウェハーの表面の上で均一な膜を得るために、ウェハーホルダ102はその中心軸の周りに回転させられる。このことは均一な膜をもたらす結果となる。
前述したPVD装置におけるすべての問題は、回転するようにされたウェハーホルダ102が原因となっている。
第1の問題は、膜堆積の間ウェハーの温度を制御することができないということである。このことは金属電極108に対して液体を基礎にした冷却機構を組込むことが難しいということが原因である。金属電極108に加熱機構を組込むことも同様に難しい。これらの困難性は機構的な難しさであり、ウェハーホルダ102の回転に起因して生じるものである。制御された温度で膜を堆積させることは望ましい物理的かつ電気的特性を備えた膜を得るために重要なことである。例えば、電気メッキのプロセスのため種になる層としてCu(銅)の膜を堆積することは、より良い表面滑らかさを得るため、零度よりも低い温度で実行されなければならない。
第2の問題は、静電力を用いてウェハーをクランプするため金属電極108の上に静電チャック(ESC)を作ることが、電気的接続を設計することの複雑性のため困難であるということである。ESCを用いてウェハーをクランプすることは、ウェハーの温度における制御が膜堆積プロセスの間必要とされる場合に重要である。
第3の問題は、金属電極108へRF電流を供給することが、同様にまた、回転するウェハーホルダ102への電気的接続を作ることが困難である、という理由に基づき容易ではないということである。金属電極108へRF電力を与えることは、膜堆積がソフトイオンの衝突で実行されなければならない場合、または堆積された膜が再びスパッタされる必要がある場合には必要である。
第4の問題は、ウェハーホルダ102の連続回転が原因で反応容器内にパーティクルが発生するということである。ウェハーホルダ102の回転はその外側部分および周辺部分の振動を生じさせる。これは、堆積した薄膜が振動する表面から薄片となって分離することを容易にし、そのことが最終的にウェハー表面におけるパーティクルコンタミネーションの原因となる。
加えて、ドーナツ型のカソードまたはターゲットに関する技術として次の特許文献3,4が挙げられる。
特開2002−167661号公報 特開2002−296413号公報 特開平7−126847号公報 特開平5−189762号公報
本発明の課題は、前述した4つの問題を解決することである。本発明によって提案されるマグネトロンDCまたはマグネトロンRFのスパッタリング装置において、ウェハーホルダは、電極および関連する部分の構造を変更しまたは改善することによって、ウェハーを処理している時に停止状態にある。
本発明の目的は、傾斜した表面を有するドーナツ型電極と、自転しかつ公転(衛星運動)するマグネットの構成と、そして膜の堆積の間停止状態にある温度の制御性が良好なウェハーホルダとを採用することによって、前述した問題を解決することができ、かつ膜の均一性および厚みの制御性の点で良好なかつ要求された品質を維持することができるプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供することにある。
本発明に係るプラズマ支援スパッタ成膜装置は、前述の目的を達成するため、次のように構成される。
プラズマ支援スパッタ成膜装置は次の構成から成る。プラズマの生成のため使用されるプロセスガスが導入される反応容器と、プラズマによってスパッタされる物質で作られるドーナツ型電極であって、その下面はウェハーの表面に対し傾斜されているドーナツ型電極と、ドーナツ型電極の上方の円の上を移動しながらその中心軸で回転する回転プレートであって、その下面に取付けられかつドーナツ型電極の表面に平行なマグネット配列を含む回転プレートと、ドーナツ型電極に接続された電力源と、そして膜堆積のためウェハーを配置するためのウェハーホルダであって、膜堆積の間停止状態にあるウェハーホルダとから構成される。
上記のプラズマ支援スパッタ成膜装置において、好ましくは、回転プレートの下面におけるマグネット配列は回転軸の周りに対称である。
上記のプラズマ支援スパッタ成膜装置において、好ましくは、回転プレートの下面に設けられたマグネット配列はその回転軸の周りに非対称である。
プラズマ支援スパッタ成膜装置は次の構成から成る。プラズマの生成のため使用されるプロセスガスが導入される反応容器と、プラズマによってスパッタされる物質で作られるドーナツ型電極であって、その下面はウェハーの表面に対し傾斜されているドーナツ型電極と、ドーナツ型電極の下側に1つまたはそれ以上の閉じたループ状磁束線を生成するため、電極に対向し、交互の磁極を有しかつ異なるに直径を持ち、ドーナツ型電極の上方に配置される2つまたはそれ以上の円形のマグネットと、ドーナツ型電極に接続された電力源と、そして膜堆積のためウェハーを配置するためのウェハーホルダであって、膜堆積の間停止状態にあるウェハーホルダとから構成される。
本発明によるプラズマ支援スパッタ成膜装置は、傾斜した表面を有するドーナツ型電極、自転しかつ公転するマグネット構成、そして膜堆積の間停止状態にある温度制御性の可能なウェハーホルダを採用することによって、膜の均一性および膜厚みの制御性のごとき良好なかつ要求された特性を維持することができる。
以下に、添付した図面に従って好ましい実施形態が説明される。当該実施形態の説明を通して本発明の詳細が明らかにされる。
図1〜図3に従って本発明の第1実施形態が説明される。図1は、本発明のプラズマ支援スパッタ成膜装置の第1実施形態の縦断面図を示す。
反応容器1は、その天井壁1Aに設けられた電極2と、その底板17に設けられたウェハーホルダ5とを備えている。上側の支持壁1Bは天井壁1Aを支持する。天井壁1Aはリング形状の傾斜した周辺部分を有している。電極2は、天井壁1Aのリング形状の傾斜した周辺部分に配置されている。
電極2は、Al,Ti,Ta等のごとき、スパッタされる必要がありかつウェハーホルダ5の上に配置されたウェハー9の上に堆積される金属で作られている。電極2は誘電体物質8を用いて反応容器1から電気的に絶縁されている。電極2はDC電力源10が接続されている。
第1実施形態の反応容器1において、電極2はドーナツ型または円形リング形状の形態を有し、そして底板17にはガス導入部6があり、そして底板17の近くの側壁20の下側部分にはガス排出部7がある。電極2の裏側の空間には、マグネット配列4が取付けられた回転プレートまたは回転ディスク3が存在する。
電極2はスパッタされかつウェハー9の上に堆積されるべき物質で作られている。電極2の形状は、図2に示されるごとく、中心に孔を有した円形である。電極2の内側直径および外側直径は重要な事項ではなく、ウェハーの直径およびウェハーから電極2までの高さを考慮することにより決定される。電極2の内側および外側の直径の中心、およびウェハー9の中心は同じ直線の上に存在する。電極2の表面は傾斜されており、これによってこれらの表面の延長されたものは円錐形の構造を作る。図1において“α”によって示される、電極表面と水平線との間の傾斜角度は重要な事項ではなく、一般的に45度よりも小さいものである。図2において“t”によって示された電極2の厚みは同様にまた重要な事項ではなく、2mmから20mmの範囲にあるものである。より薄い電極2は、その下面でより強い磁束を作るので、好ましい。電極2は、反応容器1の残りの各部分から電気的に絶縁するため絶縁材8によって覆われており、そしてDCまたはrfの電力を与えられている。1つの例としてDC電源10が図1に示されている。
複数のマグネットから構成されるマグネット配列4は、回転プレート3に固定されている。回転プレート3は、通常、金属で作られている。回転プレート3の直径は、通常、図2で“d”で示された電極2の幅よりも少しばかり短くなるように定められている。しかしながら、適当なハードウェアの変形を施して電極の幅“d”よりもより大きい回転プレートを採用することもできる。
回転プレート3はその中心軸16で絶えず回転している。加えて、マグネット配列4を備えた回転プレート3は電極2の上方の円形軌道で衛星運動に類似した運動で移動する。この場合において、回転プレート3はドーナツ型電極2の表面に平行である。これらの運動は、図3で模式的に示されている。図3において、矢印31はスピン運動(自転運動)を示し、矢印32は衛星運動(公転運動)を示している。スピン運動および衛星運動を作るための機構は、中心軸16に結合されたモータ33、上側支持壁1Bの側壁20に固定されたギア機構を備えたリング形状ガイド部材、およびモータ33とリング形状ガイド部材34を連結するための連結部材から構成されている。モータ33が動作する時、中心軸35が回転され、モータ33と回転プレート3を含むユニットは、ギア機構によってリング形状ガイド部材34に沿って移動する。
回転プレート3の下側のマグネット配列4は重要な事項ではなく、いかなる対称または非対称の形態を有したマグネット配列であってもよい。
ウェハーホルダ5は底板17に固定されている。それは金属電極11、静電チャック(ESC)12、および絶縁体13から構成されている。金属電極11には、液体導入部14および液体排出部15を経由して温度制御液体が供給される。温度制御液体は金属電極11において通常100℃〜−100℃の範囲で一定温度に維持するために用いられる。もし、より高い温度、一般的に100℃を越える温度が必要とされるならば、金属電極11の内部に電気的加熱システムを設けることができる。ESCを形成するために金属電極の上面の上に薄い誘電体層12が存在する。この誘電体層12の中に、ESCの一部として非常に薄い金属電極またはいくつかの電極を設けてもよい。さらに、ウェハー9とESCの間で熱的伝導性を増加させるためESCに対しガス供給機構を設けるようにしてもよい。ESCの構成についての詳細な説明は、一般的文献において利用可能であるので、ここでは与えない。ウェハーホルダ5は反応容器1の底板17上に固定されている。このことが、電気的な配線、および冷却/加熱機構を設けることを容易にする。しかしながら、前述されたすべての装置構成を備えて垂直方向に移動するようにウェハーホルダ5を作ることも可能である。ウェハーホルダ5の重要な特徴は、従来技術で説明されたものに比較して、ウェハーおよびウェハーホルダが膜堆積の間停止状態にあるということである。すなわち、ウェハーホルダ5にはいかなる回転部分も存在しないということである。
前述した構造の作動を説明する。ウェハー搬入/搬出ドア18を通して反応容器1の内部に導入されたウェハー9は、固定されたウェハーホルダ5の上に配置される。ウェハーホルダ5におけるウェハー9はESCの上に静電的にクランプされる。ESCは冷却媒体またはヒータによって支援されて一定温度になるよう維持されている。ガスが反応容器1の中に供給され、そして反応容器は所望の圧力に維持される。反応容器1の内部の圧力は重要な事項ではなく、0.1ミリトール(mTorr)から100ミリトールの範囲において変化させることができる。DC電力がDC電源10から電極2に供給され、これによりプラズマを発生させ、維持する。電極2に供給されたDC電流による電力は重要な事項ではなく、要求される成膜速度および他のパラメータによって決定される。特に、膜厚の正確な制御が必要とされる場合、成膜は例えば10nm(ナノメートル)/分の低い速度で行われなければならない。この場合において、例えば50ワット(W)の低いDC電力が電極2に与えられる。たとえDC電源10によって与えられる同じ負電圧を電極2の全体が受けたとしても、プラズマが磁界によって閉じ込められるので、プラズマは回転プレート3の下側に集中する。この濃度の高いプラズマは、マグネット配列4を備えた回転プレート3の運動に伴って、電極2の下側で円形軌道上にて移動する。スパッタリングの現象は濃いプラズマが存在する場所において主に起き、そしてスパッタされた原子はウェハーの表面に角度を保って到達する。それ故に、成膜のプロセスは、従来技術の箇所で説明したそれとほとんど同じであり、非常に良好な膜均一性を備えた膜を生じさせるという結果となる。
ウェハーホルダ5における金属電極11はrf電流を与えられてもよいし、与えられなくてもよい。たとえrf電力が与えられたとしても、rf電源36からのrf電流による電力は、通常、堆積した膜での過度のスパッタが起きないように低い値に保持される。
第1実施形態のスパッタリング装置は、ウェハーの温度を所望の値に維持できると共に、非常に高い精度で膜厚の制御性が良好な、非常に均一性のよい膜を作ることができる。さらに膜堆積は、ソフトなイオン衝突または再スパッタプロセスで行われる。
第1実施形態によれば、ウェハーホルダ5は停止された状態にあり、電極2の下側の領域に作られるプラズマは、回転プレート3のマグネット配列に対応し、回転プレート3の衛星運動(公転運動)と共に回転する。それ故に、ウェハーホルダ5がそれ自体が回転しなくても、均一な薄膜がウェハーホルダ5上のウェハー9の上に堆積する。
次に、図4を参照して第2実施形態が説明される。それは第1実施形態のわずかな変形例である。この装置における唯一の変形は、第1実施形態に比較して、上記の回転プレート3を用いることなく、マグネット配列4に対応するマグネット配列の新しい構造を用いることである。ここで、電極2の外側表面の上に2つまたはそれ以上の円形マグネット19a,19bが配置され、それらは電極の表面に対向し、交互に異なる極性を有している。それらは移動しない。図4では、例えば、2つの円形のマグネット19a,19bを有する構成が示されている。これらの2つのマグネット19a,19bは、永久的に、電極の上において固定され、または例えば1mmの狭い間隔をあけて電極表面に平行にわずかばかり移動された状態で配置されている。2つの円形マグネット19a,19bの間には磁束線37が存在する。当該磁束線37は電極2を貫き、反応容器1の内部に至る。円形マグネット19a,19bのわずかな動きは、電極の利用効率の改善という結果をもたらす。
電極2に対してDC電源またはrf電源を応用することは第1実施形態で説明されたものと同じである。しかしながら、当該マグネット配列を用いることにより、電極2の下側に強いドーナツ型のプラズマが生成され、かつ同時にドーナツ型表面の上にスパッタリング現象が起きる。それ故に、この構成を用いると、成膜速度が増大することになる。
前述した変更された部分を除いて、その他のすべての構造、機能、手順、および結果は第1実施形態で説明されたそれらと同じである。
本発明は、ウェハーホルダを回転させないプラズマ支援マグネトロンスパッタリングに用いられ、膜の均一性および膜厚の制御性、そして温度制御性の良好なウェハー上の膜堆積に有用である。
この図は、本発明の第1実施形態の装置の縦断面図である。 この図は、ドーナツ型電極の斜視図である。 この図は、ドーナツ型電極に対する回転プレートの運動を伴った当該ドーナツ型電極の模式的平面図である。 この図は、本発明の第2実施形態の装置の縦断面図である。 この図は、従来の装置の縦断面図である。
符号の説明
1 反応容器
2 ドーナツ型電極
3 回転プレート
4 マグネット配列
5 ウェハーホルダ
8 絶縁材
9 ウェハー
10 DC電源
11 金属電極
12 誘電体層(ESC)
13 誘電体層
19a 円形マグネット
19b 円形マグネット

Claims (4)

  1. プラズマの生成に使用されるプロセスガスが導入される反応容器と、
    前記プラズマによってスパッタされる必要のある物質で作られ、その下面がウェハーの表面に対して傾斜されたドーナツ型電極と、
    ドーナツ型電極の上側を円の上を移動しながらその中心軸で回転運動し、下面に取り付けられかつ前記ドーナツ型電極の表面に平行なマグネット配列を含む回転プレートと、
    前記ドーナツ型電極に接続された電力源と、そして、
    膜堆積のため前記ウェハーを配置し、膜堆積の間静止しているウェハーホルダと、
    から構成されるプラズマ支援スパッタ成膜装置。
  2. 前記回転プレートの下面に設けられた前記マグネット配列は回転軸の周りに対称的である請求項1記載のプラズマ支援スパッタ成膜装置。
  3. 回転プレートの下面に設けられた前記マグネット配列はその回転軸の周りに非対称である請求項1記載のプラズマ支援スパッタ成膜装置。
  4. プラズマの生成に使用されるプロセスガスが導入される反応容器と、
    前記プラズマによってスパッタされる必要のある物質で作られ、その下面がウェハーの表面に対して傾斜されたドーナツ型電極と、
    前記ドーナツ型電極の下側に1つまたはそれ以上の閉じたループ状磁束線を生成するため、前記電極に対向し、交互の磁極を有しかつ異なるに直径を持ち、前記ドーナツ型電極の上方に配置される2つまたはそれ以上の円形のマグネットと、
    前記ドーナツ型電極に接続された電力源と、そして、
    膜堆積のため前記ウェハーを配置し、膜堆積の間静止しているウェハーホルダと、
    から構成されるプラズマ支援スパッタ成膜装置。
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