JP2004156144A - マグネトロンスパッタ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ターゲット材料7をスパッタにより蒸発させ基材2表面上に成膜するマグネトロンスパッタ装置20において、基材又は基材を載置する支持台22の回りに、かつ基材又は支持台の中心軸10を中心に、ターゲットと基材加熱用ヒーター3とを互いに干渉することなく周方向に設け、ターゲットと基材及び基材加熱用ヒーターと基材との間を遮断可能なシャッター4を設け、加熱時及びターゲット活性化時にターゲットと基材の間を遮断し、イオンボンバード時及び蒸着時には基材加熱用ヒーターとターゲットの間を遮断する。さらに、シャッターにアノード12を兼ねさせる。
【選択図】 図2
Description
かかるマグネトロンスパッタ装置20を用いてTiAlN膜の被覆を行なった。第1の実施例においては、図2に示す装置において、7cm×25cm×5mmのチタン板のターゲット材料1枚と、同寸法のアルミ板のターゲット材料1枚の計2枚を1組としてターゲット電極5に取り付け、ターゲット表面7a、7bが支持台−ターゲット平面11aに対して45度傾いた角度で設置し、基材2をはさんで反対側にも同じ構成の一組のターゲットを設置した。基材2には直径10cm、高さ25cm、内径9.4cmのSUS304製円筒を用い、それを回転機構を持つ基材支持台上に載置した。このとき、基材の回転数は10rpmとした。なお、電磁石9は使用しなかった。この時アノード電極には+30Vの電圧を印加し、真空容器内のプラズマ密度を向上させた。
次に本発明の第二の実施の形態について説明する。第二の実施の形態においては、図6に示される本発明のマグネトロンスパッタ装置20′を用いてアルミニウム材料にCrN膜の被覆を行なった。実施例一では基材が円筒状であったが、実施例二では図6に示すように基材2の形状が直方体である点、ターゲット材料7がすべて同じである点、取り付け角度がα=α′=60度である点、電磁石9を使用した点が異なるのみであり、同符号を付して説明を省略する。図6において、ターゲット2組の全てに7cm×25cm×5mmのクロム板を取り付け、各ターゲットの表面7a,7bが支持台−ターゲット平面11aに対して60度の傾きとなるように設置し、それらを図6に示されるように基材をはさんで反対側に設置した。基材2の寸法は縦25cm、横15cm、厚さ5cmで、図6のように基材支持台22上に載置し、基材回転は行わなかった。また、ターゲットの外側に設置された電磁石9に基材電流が増える方向へ電磁石電流を流した。なお、ここでは特にアノード電極としてはシャッターを併用し、真空容器などと電気的絶縁を保ちつつ、シャッターに+30Vの正電圧を印加し、真空容器内の放電プラズマ密度の向上を図った。
2 基材
3 基材加熱用ヒーター
4 シャッター
5 ターゲット電極
7 ターゲット材料
10 中心軸
12 アノード(陽極)
20、20′ マグネトロンスパッタ装置
22 支持台
Claims (2)
- ターゲット電極に固定されたターゲット材料をスパッタにより蒸発させ基材表面上に成膜するマグネトロンスパッタ装置において、前記基材又は前記基材を載置する支持台の回りに、かつ前記基材又は前記支持台の中心軸を中心に、前記ターゲットと、前記基材を加熱する基材加熱用ヒーターと、が互いに干渉することなく円周方向に設けられ、前記ターゲットと前記基材及び前記基材加熱用ヒーターと前記基材との間を遮断可能なシャッターが設けられており、加熱時及びターゲット活性化時には前記ターゲットと前記基材の間を遮断し、イオンボンバード時及び蒸着時には前記基材加熱用ヒーターと前記ターゲットの間を遮断することができるようにされていることを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
- 前記シャッターが前記ターゲットに対してアノードを兼ねていることを特徴とする請求項1記載のマグネトロンスパッタ装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP3088561A1 (en) * | 2015-04-29 | 2016-11-02 | AMP Sp. z o.o. | Hybrid vacuum furnace |
JP2019183213A (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-24 | 株式会社クラフト | スパッタリング装置 |
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2004
- 2004-01-28 JP JP2004019400A patent/JP4396885B2/ja not_active Expired - Lifetime
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