JP2005221703A - 光学素子の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 プリズムに成膜される反射膜に形成される微小な透過部の位置がずれることを防止する。
【解決手段】 平板状の透明基板1にマスク部材4を使用してスリットパターンが一体的に形成されている反射膜2を成膜し、切断ライン2Aに沿って透明基板1を切断することにより基板ブロック5を得る。基板ブロック5の反射膜2が成膜されていない面の両端部を夫々目盛り2Cの位置まで研磨した第1のプリズム構成片8を第2のプリズム構成片8Cと接合した後に、上記の切断方向とは垂直な方向に切断することにより最終的な正四角柱プリズム20を得る。
【選択図】 図1

Description

本発明は、光学素子の製造方法に関し、特に入射する光の一部のみを透過させる光学素子の製造方法に関するものである。
ガラス基板等の透明な基板上に所定の光学特性を持つ膜を成膜した光学素子は、様々な光学装置に適用することができる。このような光学素子は、一定以上の波長を持つ光を透過または反射させるものや、偏光成分によって透過または反射させるものや、入射する全ての光を反射させるものがある。また、入射光の一部のみを透過させ、残りの入射光を全て反射させるものもある。
このうち、例えば光ディスクのピックアップ装置に適用される光学素子のうち、入射する光の一部を透過させる光学素子としては、例えば、光源から射出された光の一部を透過させ、この透過した光をサンプリングして光源の発光強度を一定に保持するためのAPC(Auto Power Control)の受光素子に入射させて、フィードバック制御を行うことにより常に安定したエネルギーで光源から光が射出するように制御するものがある。
例えば、図7は光ディスクのピックアップ装置の一例を示すブロック図であるが、この図に示されるように、光源103から射出された光は、コリメータレンズ104により平行光にされる。そして平行光にされた光は、平板状の形状をした第1の光学素子101に入射され、第1の光学素子101において大半の光が第2の光学素子102に向かって反射し、一部の光がAPC用光検出器107に透過する。ここで、APC用光検出器107は、光源103から射出される光の強度を計測するものであり、この光の強度をサンプリング信号として、受光光量に応じた電流信号をAPC回路108に出力する。このAPC回路108によって適切なゲインをかけて光源駆動回路109にサンプリング信号をフィードバックすることにより、光源103は発光強度が一定になるように制御することができる。
次に、第1の光学素子101において反射された光は、第2の光学素子102を経由して対物レンズ105に入射され、光ディスク110の記録トラックに対して集光される。この光ディスク110からの反射光は、対物レンズ105から第2の光学素子102に入射し、この第2の光学素子102において反射した光が集光レンズ106を経由して光検出器111に照射され、電気信号に変換される。
このように、第1の光学素子101に入射する光の一部をAPC用光検出器107に透過させるための光学素子としては、ガラス基板の基板上に光の反射部と透過部とを形成する構成としたものを用いることができる。ここで、ガラス基板等の平板状の基板に反射膜を形成し、この反射膜に光の透過部となるスリットパターンを設ける方法については従来から知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2002−6117号公報
上述した特許文献1のように平板状の基板にスリットパターンが形成された光学素子を用いる場合、光源からの光軸に対して、平板状の形状をした基板を所定角度傾斜させるように配設しなければならないが、この基板は極めて厳格な傾斜角をなしていなくてはならない。すなわち、基板上に成膜された光学素子の特性は入射光の入射角によって異なるため、入射光を正確に分岐させるためには、入射光に対する基板の角度は極めて厳格に設けられていなくてはならない。
そこで、平板状の形状をした基板に代えてプリズムを用いれば光軸合わせが容易になる。また、反射膜の耐候性という点からも、平板状の形状をした基板と比較して、正四角柱の形状をしたプリズムの方が安定しているため、優れている。
正四角柱の形状をしたプリズムは、端面が直角二等辺三角形の形状をした細長の三角柱プリズムを得て、この細長の三角柱プリズムの一面の一部に透過部をスリットとして形成した反射膜を成膜し、この細長の三角柱プリズムと同一形状をしており、且つ反射膜が成膜されていない細長の三角柱プリズムと、反射膜が成膜されている細長の三角柱プリズムとを反射膜が接合面となるように接合し、短手方向に切断することにより所望の正四角柱のプリズムを得ることができる。
このため、上述した細長の三角柱プリズムの一面に対してスリットパターンを有する反射膜を成膜しなくてはならないが、このとき細長の三角柱プリズムは端面を保持した状態で成膜を行わざるを得ない。このように端面が保持された状態で細長の三角柱プリズムの一面に成膜をすると、全体の形状に対して保持するための面積が非常に小さくなるために正確に位置決めをすることが難しいという問題がある。特に、スリットを有する反射膜を成膜するときに、短手方向にスリットの位置がずれてしまうと、例えばAPC用光検出器に適用した場合、測定するエネルギー分布にばらつきが生じる等の問題が発生し、正確なエネルギー測定を行うことができなくなる。また、近年の光ディスクは高密度化が進んでいるため、より正確な位置にスリットが形成されることが要求されている。
そこで、本発明は、細長の三角柱プリズムに所定形状のパターンを有する反射膜が成膜されるときに、この細長の三角柱プリズムの短手方向にスリットの位置がずれることを防止することにより、最終的に製造されるプリズムに形成される微小な透過部の位置を正確に設けることができる光学素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の光学素子の製造方法は、平板状の形状をした大板の透明基板の表面に金属膜を成膜する工程と、前記透明基板に、その1方向に沿って短冊状に切断して複数個の基板ブロックを得るときの基準となる切断ラインを形成するための切断ラインマスク部と、前記基板ブロックを研磨するときに研磨の境界となる目盛りを形成するための目盛りマスク部と、前記基板ブロックに透過部を形成するためのパターンマスク部とを有するマスク部材を用いて露光パターンを一体的に形成するマスクを転写する工程と、前記露光パターンが形成された部分以外の金属膜の剥離を行う工程と、前記透明基板の表面の全面に反射膜を成膜する工程と、前記透明基板の表面から露光パターン領域の金属膜および反射膜を剥離する工程と、前記切断ラインに沿って前記基板を切断して前記基板ブロックを得る工程と、前記基板ブロックの前記反射膜が成膜されている面とは反対面の2つの端部のうち1つの端部を前記目盛りまで研磨する工程と、前記基板ブロックの前記反対面の2つの端部のうち残りの1つの端部を前記目盛りまで研磨して細長の三角柱の形状をした第1のプリズム構成片を得る工程と、前記第1のプリズム構成片と同一形状をし、且つ反射膜が成膜されていない第2のプリズム構成片と前記第1のプリズム構成片とを接合してプリズム母材を得る工程と、前記プリズム母材を切断して、正四角柱のプリズムを得る工程と、を有することを特徴とする。
本発明の光学素子の製造方法は、微小な透過部の位置が正確に形成されたプリズムを得ることができる。
以下、本発明の実施形態について、図1のフローチャートに沿って説明する。最初に、平板状の形状をしたガラス板等の大板の透明基板1を用意し、この上に金属膜9を均一に成膜する(ステップS1)。ここで、本実施形態において透明基板1の形状は四角形のものとして説明するが、これに限られず透明基板1は円板の形状をしていてもよい。また、このとき、大板の透明基板1の金属膜9が成膜される面は予め研磨仕上げが行われている。
そして、図2(b)に示されるような金属膜9が成膜された平板状の大板の透明基板1を安定した状態で保持して、表面にフォトレジスト等の感光剤を塗布して、図2(a)に示されるマスク部材4を使用して、マスク部材4の打ち抜かれている部分を露光することにより露光パターンが形成される。(ステップS2)。そして、エッチングにより露光パターンが形成された部分以外の金属膜9を除去し(ステップS3)、露光パターン形成部の下層に金属膜9が残存している状態で透明基板1の表面に反射膜2を成膜する(ステップS4)。その後、金属膜9とその上の反射膜2とを剥離する(ステップS5)。これにより、透明基板1の表面全面には、露光パターンが形成されている反射膜2が成膜される。
ここで、マスク部材4について説明する。本実施形態のマスク部材4は、図2(a)に示されるように、切断ラインマスク部4A、透過部としてのスリットマスク部4Sおよび目盛りマスク部4Cを有して構成される。図2(a)に示されるように、これら切断ラインマスク部4A、スリットマスク部4Sおよび目盛りマスク部4Cの部分(透過部パターン形成部)が遮光され、他の部分が露光された部分(露光パターン形成部)である。このマスク部材4により、大板の透明基板1には、反射膜2が成膜されない切断ライン2A、スリット2Sおよび目盛り2Cの透過部パターンが一体的に形成される。ここで、大板の透明基板1に正確な透過部パターンを形成するためには、金属膜9の成膜時に均一な膜厚となし、且つエッチングも高精度に行われなければならない。そのため、大板の透明基板1を広い面積の平板状の部材とし、この大板の透明基板1の状態で金属膜9の成膜、露光パターンの形成およびエッチングを行うことにより、高精度な加工が可能になる。
切断ライン2A、スリット2Sおよび目盛り2Cについて説明する。本実施形態では、平板状の形状をした大板の透明基板1を1方向に沿って短冊状に切断して、複数個の細長の四角柱の形状をした基板ブロック5を得るために、大板の透明基板1の切断時の基準となるための切断ライン2Aが形成される。本実施形態では、この切断ライン2Aに沿って、例えばカッター等の切断ライン材により大板の透明基板1を切断することにより、図3(b)に示されるような細長の四角柱の形状をした基板ブロック5を得ることができる。
次に、図2(a)に示されるように、マスク部材4には目盛りマスク部4Cが設けられる。この目盛りマスク部4Cは、1つの基板ブロック5に対応して、基板ブロック5の短手方向の両端部に夫々目盛り2Cが形成されるように設けられるものであり、後述する研磨工程において、作業者が研磨する境界を視認するために設けられる。従って、目盛り2Cは基板ブロック5の研磨を行うときの目安として設けられるものであることから、作業者が視認することができる程度の形状を有していればよく、その形状は非常に小さいものである。これに対応して、目盛りマスク部4Cの形状も非常に小さく形成される。
次に、スリットマスク部4Sは、大板の透明基板1から切り出される細長の四角柱の基板ブロック5の中央にスリット2Sが形成されるために設けられるものである。従って、スリットマスク部4Sは、切断ラインマスク部4Aと同様に、基板ブロック5の長手方向と平行に設けられる。すなわち、基板ブロック5に成膜される反射膜2は、その中央部分であるスリット2Sの部分のみ反射膜2が成膜されていない状態になる。このスリット2Sに入射する入射光は、反射膜2が成膜されていないため、反射せずに透過する。また、本実施形態のスリット2Sは、その幅が非常に狭く形成され、例えば切断ライン2Aと比較して10分の1程度の幅であるものとする。また、これに対応して、スリットマスク部4Sの幅も非常に狭く形成される。
次に、図3(a)に示されるように、上述したようなパターンの反射膜2が成膜された大板の透明基板1を切断ライン2Aに沿って切断し、図3(b)に示されるような細長の四角柱の基板ブロック5を切り出す第1の切断工程が行われる(ステップS6)。このとき、図3(b)に示されるように、基板ブロック5には、中央部分にスリット2Sが形成され、このスリット2Sを挟んで端部付近に夫々目盛り2Cが形成されている。
次に、基板ブロック5の研磨について図4を用いて説明する。本実施形態では、図4(a)に示されるような研磨装置によって基板ブロック5の研磨が行われる。最初に、基板ブロック5の成膜面5Aを治具6に接着剤等で貼り付けを行い、ラップ盤7で基板ブロック5の成膜面5Aの反対面の両端部のうち1つの端部を研磨する第1の研磨工程が行われる(ステップS7)。これにより、第1の研磨面5Bが形成される。このとき、基板ブロック5は治具6に対して45°の角度をなすように貼り付けられ、ラップ盤7は基板ブロック5の成膜面5Aの反対面の端部に対して45°の角度をなすように研磨を行っていく。ただし、一般に、加工効率上の観点から、ラップ盤7は基板ブロック5の成膜面5Aの反対面の端部から研磨していくのではなく、ある程度まで切断した状態で、研磨を行っていく方が望ましい。そして、第1の研磨面5Bの研磨を目盛り2Cの位置まで行っていく。
そして基板ブロック5の成膜面5Aの反対面の両端部のうち1つの端部の研磨が目盛り2Cの位置まで終了したら、治具6を90°回転させて、図4(b)のような状態にして第2の研磨工程を行う(ステップS8)。これにより、第2の研磨面5Cが形成される。このとき、同様に、ラップ盤7は基板ブロック5の成膜面5Aの反対面の端部に対して45°の角度をなすように研磨を行っていく。そして、第2の研磨面5Cの研磨を目盛り2Cの位置まで行っていく。このように目盛り2Cを目安として研磨すると、正確な加工が可能になり、研磨不足や過剰研磨の発生を防止することができる。
以上のように第1の研磨工程および第2の研磨工程を経ることにより、端面が直角二等辺三角形をした細長の三角柱の形状の第1のプリズム構成片8を得ることができる。ここで、端面が直角二等辺三角形をした第1のプリズム構成片8を得るために、スリット2Sの位置は2つの目盛り2Cの中間位置に設けられるようにする。
目盛り2Cおよびスリット2Sが以上のような関係を満たすことにより、端面が直角二等辺三角形の形状をした第1のプリズム構成片8を生成することができる。これに対応して、マスク部材4の目盛りマスク部4Cおよびスリットマスク部4Sが形成されなくてはならない。
次に、図5(a)に示されるように、第1のプリズム構成片8と同一形状をしており、且つ反射膜が成膜されていない第2のプリズム構成片8Cを用意し、この第2のプリズム構成片8Cと第1のプリズム構成片8とを、成膜面5Aが接合面となるように接合して(ステップS9)、プリズム母材19を得る。ここで、このプリズム母材19の側面19A、19B、19Cおよび19Dに対して反射防止膜を成膜することにより、より光学的な機能を発揮することができる。
そして、図5(a)に示されるように、プリズム母材19を第1の切断工程とは垂直な方向に切断することにより(ステップS10)、最終的な正四角柱のプリズム20を得ることができる。
本実施の形態では、マスクパターンの形成およびそのエッチング処理に当たって、形状が大きい平板状の大板の透明基板1の状態で行うものであり、透明基板1の側面を保持することができ、この側面は比較的面積が大きいことから、安定した状態で保持することができる。従って、切断ライン2A、目盛り2Cおよびスリット2Sのパターンを極めて正確に形成することができる。そして、この大板の透明基板1を切断ライン2Aに沿って短冊状に切断することにより細長の正四角柱の基板ブロック5を生成し、この基板ブロック5の成膜面5Aとは反対の面の両端部を目盛り2Cの位置まで研磨することにより、スリット2Sの位置は、基板ブロック5の長手方向と垂直な方向にずれることがなく、極めて正確な中心位置に形成された端面が直角二等辺三角形の第1のプリズム構成片8を得ることができる。
また、本実施形態において、マスクパターンを転写するときに、マスク部材4の額縁部分を保持するが、このとき、多少の誤差が発生したとしても、切断ラインマスク部4A、目盛りマスク部4Cおよびスリットマスク部4Sが正しく形成されていれば、スリット2Sの位置は正確な位置に形成することができる。
ここで、本実施形態では、スリット2Sが必ず中央に位置する正四角柱のプリズム20を製造するようにしたが、スリット2Sが中央に位置しないものも製造することができる。例えば、マスク部材4の1つの基板ブロック5に対応する2つの目盛り4Cの中央ではなく、1:2となるような箇所にスリットマスク部4Sを設けることにより、最終的に生成される正四角柱プリズム20に形成されるスリット2Sの位置も、1:2となるように設けられる。このようにスリット2Sが中央ではない位置に設ける場合においても、2つの目盛りマスク部4Cの間の所定の位置にスリットマスク部4Sを設け、上述した第1および第2の研磨工程において、目盛り2Cの位置まで研磨することにより、スリット2Sの位置は目的とする位置から基板ブロック5の長手方向と垂直な方向にずれることはない。
また、本実施形態では、反射膜は金属で形成してもよいが、金属は劣化の問題等があるために誘電体多層膜からなるダイクロイック膜または偏光膜を使用する方が望ましい。このとき、誘電体多層膜の反射特性は、反射率が100%に近いものを用いる。
また、図6(a)のように、1つの基板ブロック5に対応するような切断ラインマスク部4Aと目盛りマスク部4Cとを有し、また、切断ラインマスク部4Aとは垂直な方向に、夫々切断ラインマスク部4Aおよび目盛りマスク部4Cに対応するような第2の切断ラインマスク部4Dを設け、これら切断ラインマスク部4Aと第2の切断ラインマスク部4Dとに囲まれる位置に円形の透過マスク部4Tを有するマスク部材4を用いることにより、図6(b)のような円形の透過部2Tを有する正四角柱プリズム20を製造することができる。なお、この場合のマスク部材4は、例えば透明フィルムの表面に印刷手段によりマスクパターンを形成することができる。
また、本実施形態では、目盛り2Cが基板ブロック5の長手方向の両端部に1箇所ずつ設けられるようにしたが、これに限られず、基板ブロック5の長手方向の両端部に複数箇所設けてもよい。このように、目盛り2Cを複数箇所に設けることにより、研磨の境界の目安とすることができる。
また、本実施形態では、端面が概略直角二等辺三角形の三角柱プリズム8を生成したが、基板ブロック5を研磨する角度を変えることにより、端面が任意の二等辺三角形の形状をした三角柱プリズム8を生成することができる。
正四角柱のプリズムを製造する工程を示すフローチャートである。 マスク部材と大板の透明基板との外観図である。 大板の透明基板と基板ブロックとの外観図である。 第1および第2の研磨工程を示す説明である。 プリズム母材および正四角柱のプリズムの外観図である。 マスク部材および正四角柱のプリズムに成膜される反射膜の外観図である。 従来の光ディスクのピックアップ装置の概略構成図である。
符号の説明
1 基板 2 反射膜
2A 切断ライン 2C 目盛り
2S スリット 4 マスク部材
4A 切断ラインマスク部 4C 目盛りマスク部
4S スリットマスク部 5 基板ブロック
6 治具 7 ラップ盤
9 金属膜

Claims (2)

  1. 平板状の形状をした大板の透明基板の表面に金属膜を成膜する工程と、
    前記透明基板に、その1方向に沿って短冊状に切断して複数個の基板ブロックを得るときの基準となる切断ラインを形成するための切断ラインマスク部と、前記基板ブロックを研磨するときに研磨の境界となる目盛りを形成するための目盛りマスク部と、前記基板ブロックに透過部を形成するためのパターンマスク部とを有するマスク部材を用いて露光パターンを一体的に形成するマスクを転写する工程と、
    前記露光パターンが形成された部分以外の金属膜を剥離する工程と、
    前記透明基板の表面の全面に反射膜を成膜する工程と、
    前記透明基板の表面から露光パターン領域の金属膜および反射膜を剥離する工程と、
    前記切断ラインに沿って前記基板を切断して前記基板ブロックを得る工程と、
    前記基板ブロックの前記反射膜が成膜されている面とは反対面の2つの端部のうち1つの端部を前記目盛りまで研磨する工程と、
    前記基板ブロックの前記反対面の2つの端部のうち残りの1つの端部を前記目盛りまで研磨して細長の三角柱の形状をした第1のプリズム構成片を得る工程と、
    前記第1のプリズム構成片と同一形状をし、且つ反射膜が成膜されていない第2のプリズム構成片と前記第1のプリズム構成片とを接合してプリズム母材を得る工程と、
    前記プリズム母材を切断して、正四角柱のプリズムを得る工程と、を有することを特徴とする光学素子の製造方法。
  2. 前記基板ブロックの前記反射膜が成膜されている面と反対面の2つの端部は45°の角度で研磨されることを特徴とする請求項1記載のプリズムの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008298873A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Fujinon Corp 反射プリズム、光ピックアップ及び反射プリズムの製造方法
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