JP2005217413A - 磁気メモリ素子およびその製造方法ならびに反応チャンバ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 スイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたMTJセルとを備える磁気メモリ素子において、前記MTJセルは、前記スイッチング素子に連結された下部電極と、前記下部電極上に順次に積層された下部磁性層、フッ素含有トンネリング膜、上部磁性層およびキャッピング層とを含む磁気メモリ素子およびその製造方法ならびにその方法に用いる反応チャンバ。
【選択図】 図3
Description
磁気メモリ素子のセル間抵抗偏差と磁気抵抗比とは、トンネリング膜の特性と直接関連している。
図8に示すとおり、前記反応チャンバは、酸化フッ化処理されるサンプル62が置かれるステージ60を備える。そして、ステージ60の上側には、フッ素源供給手段64と、前記反応チャンバに供給されるプラズマ源ガス、例えば、酸素(O2)ガスまたは酸素とアルゴン(Ar)との混合ガスからプラズマを発生させるプラズマ発生手段66とが備えられている。フッ素源供給手段64は、フッ素樹脂(例えば、PTFE:テフロン(商品名))からなる環状体(ring)であることが望ましい。
まず、従来の磁気メモリ素子と、本発明の磁気メモリ素子とを比較するために、Al2O3膜をトンネリング膜として使用した従来の磁気メモリ素子(以下、第1磁気メモリ素子)と、フッ素含有アルミニウム酸化膜(AlOXFY)をトンネリング膜として使用した本発明の磁気メモリ素子(以下、第2磁気メモリ素子)とを形成した。そして、前記第1磁気メモリ素子および第2磁気メモリ素子のそれぞれについて、トンネリング膜の形成のための酸化時間によるTMR変化と抵抗変化とを測定した。また、前記第1磁気メモリ素子および第2磁気メモリ素子のそれぞれについて、TMRの電圧依存性、トンネリング膜の厚さの均一性、フッ素含有の有無、フッ素含有位置およびトンネリング膜の下側に形成された物質膜が酸化されているか否かを測定した。
図9は、前記第1磁気メモリ素子および第2磁気メモリ素子における酸化時間に対するTMRおよび抵抗の変化を示す。
図9において、▲は、前記第1磁気メモリ素子のTMRの変化を表し、●は、前記第2磁気メモリ素子のTMRの変化を表す。そして、△および○は、それぞれ前記第1磁気メモリ素子および第2磁気メモリ素子の抵抗の変化を表す。
44 下部磁性層
44a バッファ膜
44b ピニング膜
44c ピンド膜
46a トンネリング膜
48 上部磁性層
50 キャッピング膜
Claims (10)
- スイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたMTJセルとを備える磁気メモリ素子において、
前記MTJセルは、
前記スイッチング素子に連結された下部電極と、
前記下部電極上に順次に積層された下部磁性層、フッ素含有トンネリング膜、上部磁性層およびキャッピング層とを含むことを特徴とする磁気メモリ素子。 - 前記下部磁性層は、順次に積層されたバッファ膜、AF膜およびSAF膜であることを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリ素子。
- 前記フッ素含有トンネリング膜において、フッ素は表層に分布していることを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリ素子。
- 前記フッ素含有トンネリング膜は、フッ素含有アルミニウム酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリ素子。
- スイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたMTJセルとを備える磁気メモリ素子の製造方法において、
前記MTJセルは、
前記スイッチング素子を覆う層間絶縁層上に、前記スイッチング素子と連結される下部電極を形成する第1段階と、
前記下部電極上に下部磁性層を形成する第2段階と、
前記下部磁性層上に金属膜を形成する第3段階と、
前記金属膜を酸化およびフッ化させる第4段階と、
前記酸化およびフッ化された金属膜上に上部磁性層およびキャッピング層を形成する第5段階と、
前記下部電極上に順次に積層された層を積層順序と逆の順序でパターニングする第6段階とを含む工程によって形成することを特徴とする磁気メモリ素子の製造方法。 - 前記金属膜は、所定厚さのアルミニウム膜で形成されることを特徴とする請求項5に記載の磁気メモリ素子の製造方法。
- 前記第4段階は、
前記第3段階において金属膜が形成された結果物を酸素プラズマ発生手段およびフッ素源供給手段を備える反応チャンバに導入する段階と、
前記金属膜上に酸素プラズマおよびフッ素源を供給して、酸化およびフッ化工程を実施する段階と、を含むことを特徴とする請求項5に記載の磁気メモリ素子の製造方法。 - 前記フッ素源供給手段は、フッ素樹脂からなる環状体であることを特徴とする請求項7に記載の磁気メモリ素子の製造方法。
- ステージと、
前記ステージの上側に配置されたフッ素源供給手段と、
前記フッ素源供給手段の上側に配置された酸素プラズマ発生手段と、を含むことを特徴とする反応チャンバ。 - 前記フッ素源供給手段は、フッ素樹脂からなる環状体であることを特徴とする請求項9に記載の磁気メモリ素子の製造方法に使われた反応チャンバ。
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