JP2005211730A - ナノ粒子製造方法およびナノ粒子製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】粒子直径が100nm級以下の金属及び酸化物等ナノ粒子の製造分野において、回収率即ち、投入されたナノ粒子原料からナノ粒子として回収できる割合が30%級以上で、かつ粒径の均一性の高いナノ粒子製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】ナノ粒子の原料を蒸発させる蒸発装置から放出される熱の流れの実質的な終点の位置をナノ粒子回収装置内部に合致するように、真空容器内部の熱の流れの形態を制御するようにしたことを特徴とする。また、上記熱の流れの実質的な終点の位置がナノ粒子回収装置内部となるような装置構成にしたことを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】ナノ粒子の原料を蒸発させる蒸発装置から放出される熱の流れの実質的な終点の位置をナノ粒子回収装置内部に合致するように、真空容器内部の熱の流れの形態を制御するようにしたことを特徴とする。また、上記熱の流れの実質的な終点の位置がナノ粒子回収装置内部となるような装置構成にしたことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本発明は、金属及び酸化物等の固体原料を電気抵抗加熱方式、熱プラズマ方式、電子ビーム方式、イオンプレーテイング法及びレーザアブレーション方式等により加熱蒸発させて金属ナノ粒子及び酸化物ナノ粒子等を製造する方法および装置に関する。また、本発明は、無機化合物気体や有機化合物気体や有機金属化合物気体等をプラズマ化してナノ粒子等を製造する方法即ちプラズマ化学蒸着法およびプラズマ重合法とそれらを用いたナノ粒子製造装置に関する。
粒径が100nmより小さい粒子と定義されているナノ粒子に係わる新技術は、21世紀をリードするキーテクノロジーと言われ注目されている。特に、医療・医薬品・バイオテクノロジー、エネルギー・環境、エレクトロニクスおよび材料等の分野では、量子サイズ効果による高機能性や新物性の出現等が期待されており、基礎・応用の両面より精力的に研究が実施されている。しかしながら、ナノ粒子を量産化する方法および装置は依然として、完成しておらず、実験室的な方法および装置に頼っている状況にある。ナノ粒子の各方面に亘る社会的ニーズに対応するには、高純度で粒径均一性の高いナノ粒子を量産化可能な製造技術を確立することが必要である。
従来、ナノ粒子を製造できる技術としては、真空蒸着法、熱プラズマ法およびレーザアブレーション法等がある。
真空蒸着法の代表例には、例えば特許文献1がある。熱プラズマ法の代表例には、例えば特許文献2が、レーザアブレーション法の代表例には、例えば特許文献3がある。
先ず、従来の真空蒸着法を代表して、特許文献1記載の真空蒸着法の装置および方法を、図7を参照して説明する。図7は特許文献1記載の真空蒸着法による超微粒子の製造装置の構成図である。符番102は真空槽の断面を示し、符番103はるつぼ、符番104はるつぼ103内に置かれた原材料、105はるつぼ103を加熱するヒータ、106は蒸発した原材料を回収する回収手段、107は回収手段を冷却する冷却装置である。101は真空ポンプ(図示していない)で、真空槽内102の真空引きに使われる。符番108は不活性ガスを噴出するノズルで、るつぼ103の外周に配置されている。符番109は排気孔で、真空槽102の天井に設置の回収手段106の周囲に配置される。
るつぼ103に原材料104を置き、ヒータ105を稼動させて原材料104を加熱していくと、固体から液体状になり、さらに加熱を続けると、気体化される。そうすると、気体化された原材料104−aはるつぼ103を離れ、真空槽102内に拡散する。上方に移動した原材料104−aは回収手段106にぶつかり、回収手段106に併設された冷却装置107で冷却された回収手段106上に凝結111する。他方、拡散により横方向や斜め上方へ移動する原材料104−aはノズル108より噴出した不活性ガスの流れ110にぶつかって跳ね返されて、上方に向かうことが期待される。
以上説明したように、特許文献1記載の真空蒸着法の装置および方法によれば、原材料104が無機物質の場合でも、有機物質の場合でも、上記不活性ガスの上流方向への流れによる原材料104−aの跳ね返り効果により高い回収率で回収されると考えられている。しかし、次の理由で困難と考えられる。すなわち、真空槽102内部は圧力が低いので、ノズル108より噴出した不活性ガスは該ノズル内径の10ないし20倍の距離で、内部圧力とほぼ等しくなり、該ガス噴出流の境界は不連続でなくなる。したがって、上記のように、原材料104−aがノズル108より噴出した不活性ガスの流れ110にぶつかって跳ね返される現象は発生しないと考えられる。
次に、従来の熱プラズマ法を代表して、特許文献2記載の熱プラズマ法の装置および方法を、図8を参照して説明する。図8は特許文献2記載の熱プラズマ法の装置の構成図である。図8において、製膜チャンバー201の上側にプラズマトーチ202でなる低圧高温プラズマ203を生成させる手段が設置してあると共に、製膜チャンバー201内には、前記プラズマトーチ202と対向させて、基板204のホルダとして、基板加熱ホルダ205が設置してある。前記プラズマトーチ202は、窒化ケイ素製の内管206と透明石英製の外管207の2重構造として構成され、内管206の上端部にバルブ208を介して不活性ガスの導入系209が接続されていると共に、内管206の下端が製膜チャンバー201内に開口させてある。また、外管207の外側には高周波コイル210が設置してあり、高周波コイル210には高周波電源211が接続してある。外管207の上下部外側には導入ポート207a,207bが設けられて、矢印212のように冷却水を流して外管207を冷却できるようになっている。
前記製膜チャンバー201は主バルブ213を介して排気系(図示していない)が接続されているもので、製膜チャンバー201内および前記内管206の内側を真空排気できるようになっている。このような製膜チャンバー201の内側には、シャッター214が前記プラズマトーチ202の下端開口部と基板加熱ホルダー205の間に開閉可能に設置してある。
そして、更に、前記プラズマトーチ202の下端開口部の下方にリング状のガス噴出ノズル215が設置してある。このガス噴出ノズル215にはバルブ218を介して活性ガスの導入系219が接続してある。前記不活性ガスの導入系209には、別の導入系220が合流させてあり、この導入系220より、不活性ガス中に、蒸着すべき粉末原料221を混入できるようになっている。
上記の装置において、YBaCuO超電導薄膜のプラズマフラッシユ蒸着が以下に説明する手順で実施されている。
主排気系を介して製膜チャンバー201内およびプラズマトーチ202の内管206内を真空(1E−4Torr、即ち1.33E−2Pa)に排気した後、不活性ガスの導入系209を通してアルゴンガスを10リットル/分の流量でプラズマトーチ202へ導入すると共に、ガス噴出ノズル215を通して活性ガスの導入系219より酸素ガスを0.5〜10リットル/分の流量で製膜チャンバー201へ導入して、製膜チャンバー201内の圧力を20Torr(2,666Pa)に調整する。
冷却水を矢印212のように流した状態で、高周波電源211をONにして高周波コイル210に高周波13.56MHz、10KWを印加すると、内管206の内部に低圧高温プラズマ203が生成する。
基板加熱ホルダー205に基板204をセットし、基板温度を750℃に保持した状態で、前記導入系220を通して0.5リットル/分の流量のアルゴンガスで、YBaCuO超電導粉(粒径、約1ミクロン)を微量ずつプラズマトーチ202に供給し、プラズマフレームが安定した状態で、シャッター214を開けて、基板204の表面にYBaCuO超電導薄膜を形成させる。製膜時間20分で、0.5〜1ミクロンの厚さのYBaCuO超電導薄膜がえられる。
以上説明したように、特許文献2記載の熱プラズマ法の装置および方法によれば、粒径約1ミクロンの原料粉体とアルゴンガス等のキャリアガスを混合して、プラズマトーチ202の高温プラズマ化で蒸発させると、超電導薄膜がえられるとのことである。しかしながら、ナノ粒子製造への応用例は見当たらない。また、ナノ粒子の大量生産を目的にした上記熱プラズマ法によるナノ粒子製造装置及び方法は見当たらない。
次に、従来のレーザアブレーション法を代表して、特許文献3記載のレーザアブレーション法の装置および方法を、図9を参照して説明する。図9は特許文献3記載のレーザアブレーション法の装置の構成図である。図9において、気密容器310は密閉された耐圧容器からなり、その内部が外部空間から遮断されている。この気密容器310には、真空ポンプ312が圧力調整器314(図示していない)を介し接続されており、真空ポンプ312が駆動することにより、気密容器310の内部を減圧状態とすることができる。また、通常、圧力検出器(図示せず)を設け、気密容器310内部の圧力を検出しておき、圧力調整器314を制御して気密容器310内部を所定の圧力に保持する。このため、気密容器310の内部は真空ポンプ312および圧力調整器314により所定の減圧状態にできる。
更に、気密容器310にはバルブ316、流量調整器318を介し、ガス源320が接続されている。したがって、気密容器310内部にガス源320からの所望のガスを所定流量ずつ導入することができる。気密容器310内部を所定のガス雰囲気状態に維持することもできる。
レーザ発振器330は所定のレーザ光332を射出するものであり、例えばパルスレーザを発振するエキシマレーザなどが用いられる。そして、レーザ光332は集光レンズ334(光学系)を通過した後、気密容器310に設けられた透過窓336を介し、気密容器310に導かれる。
一方、気密容器310内には、回転テーブル340が設けられており、この回転テーブル340に被照射物342が保持される。すなわち、回転テーブル340には、2次モータ344が固定されており、この2次モータ344の主軸に被照射物ホルダ346が固定されている。そして、この被照射物ホルダ346に被照射物342が固定される。したがって、集光レンズ334によって、レーザ光332を被照射物342に照射する場合、集光レンズ334における焦点距離の調整によって、被照射物342に照射されるレーザ光の照射パワー密度(エネルギー密度)を調整することができる。これによって、被照射物342から放射される放出物の量およびその組成、例えば多価イオンを含む放出物のイオン量や多価イオンの割合を制御できる。
なお、本発明においては、レーザ光を被照射物342に照射することにより、この雰囲気にプラズマを発生させるが、このプラズマ密度もレーザ光照射パワー密度の調整によって行うことができる。
また、被照射物342のレーザ照射による集中損傷を防ぐために、モータ344を駆動し、被照射物ホルダ346を回転させる。すなわち、被照射物ホルダ346を回転させることにより、被照射物342が回転し、集光レンズ334によって集光されたレーザ光は被照射物342各部に順次照射され、集中損傷を防ぐことができる。
また、回転テーブル340をその回転軸を中心に回転することにより、集光レンズ334からのレーザ光と被照射物342の角度を変更することができる。したがって、被照射物342から放出される放出物の飛散方向を制御することができる。
そして、気密容器310内の被照射物342に対向する位置には、基板ホルダ350が配置されており、この基板ホルダ350に膜が蒸着形成される基板352が装着される。
ここで、この実施例においては、基板352の前面側に蒸着手段としての選択透過手段である遮蔽板360が設けられている。この遮蔽板360には開口362(図示していない)が設けられており、被照射物342から放出された放出物をこの開口362を通過するもののみに限定することができる。つまり、放出物の流通される通路を空間的に限定し、所定の方向に放出された放出物を選択することができる。
したがって、基板352の表面に蒸着される物質は、被照射物342から開口362の方向に放出されたものだけに限定されることとなる。被照射物342から放出される放出物の成分は空間的に所定の分布があり、遮蔽板360の開口362の位置によって、所望の成分の放出物を選択することができ、これを基板352上に堆積することができる。
なお、被照射物ホルダ346および基板ホルダ350には温度制御装置370、372がそれぞれ付設されており、被照射物342および基板352の温度を所望のものに制御することができる。
具体例としては、次の条件により、タングステン膜が得られている。すなわち、被照射物342はタングステン(W),基板352はガラス、レーザ発振器330はKrFエキシマレーザ(波長249nm、パルス幅16nsec、パルスエネルギー250mJ)、レーザの繰り返し数は25Hz、被照射物342に対する照射パルス総数は30000パルス、被照射物342に対するレーザ照射面積は6E−3平方cm、モータ344の回転速度は20rpm、レーザ光332の被照射物342に対する入射角度は45°、被照射物342と基板352の温度は室温、気密容器310内の気圧は1E−5Torr以下、被照射物342と基板352との間隔は30mm、遮蔽板360を基板352に密着設置である。
以上説明したように、上記レーザアブレーション法では、レーザ光332を被照射物342上に集光して照射すれば、レーザ誘起プラズマが発生すると共に、被照射物342から被照射物の中性粒子、クラスタ、液滴粒子、微粒子、多価イオンを含むイオンおよび電子等からなる放出物が放出される。そして、放出された放出物は基板352上に堆積するのである。しかしながら、上記レーザアブレーション法のナノ粒子製造への応用例は見当たらない。また、ナノ粒子の大量生産を目的にした上記レーザアブレーション法によるナノ粒子製造装置及び方法は見当たらない。
医療・医薬品・バイオテクノロジー、エネルギー・環境、エレクトロニクスおよび材料等の各分野において、ナノ粒子製造方法及び装置に関する量産化技術に対するニーズは、年々強くなりつつあり、産業界のみならず、材料・化学・電気・応用物理等の学会においても精力的研究が実施されている。しかしながら、従来技術では、以下に述べるような課題が依然として存在していることから、上記ニーズへの対応が困難視されている。
従来技術、即ち前記真空蒸着法、熱プラズマ法及びレーザアブレーション法等の方法及び装置においては、蒸発源で生成されたナノ粒子を該蒸発源から回収手段近傍まで不活性ガスを用いて搬送し、該ガス中に浮遊のナノ粒子を濃度の勾配に基ずく拡散現象により該回収手段に堆積させている。しかしながら、従来の技術では、ナノ粒子製造の回収率即ち、投入されたナノ粒子原料からナノ粒子として回収できる割合(歩留まり)は10%以下と著しく低いという課題がある。また、回収率向上の困難性に関する本質的原因が依然として不明確であることも課題である。言い換えれば、量産化技術のキーポイントが不明確という課題がある。
本発明者は、最近、従来技術におけるナノ粒子製造の回収率の低さの原因に次の事項が関係していることを発見できた。
(1)前記真空蒸着法、熱プラズマ法及びレーザアブレーション法等の従来の方法及び装置における問題は、蒸発源で生成されたナノ粒子の大部分は真空容器内に導入された不活性ガスの流れに乗って浮遊し、その流れに乗って下流側へ搬送されることに起因している。すなわち、搬送ガス中のナノ粒子の振舞い(運動学的性質)を無視した装置構成が採用されていることが原因である。そのため、ナノ粒子が回収手段に効果的に回収されず、回収効率が著しく小さくなっている。
(2)具体的には、搬送ガス中のナノ粒子の振舞い(運動学的性質)の特徴は、第1に、粒径の大きい粒子に働く力は、ガス速度の2乗と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例すること、第2は、粒径の小さい粒子に働く力は、ガス速度と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例すること、第3は、粒子周辺のガスの温度勾配に比例した力(熱泳動力:高温度側から低温度側に向かって働く力)が働くこと、すなわち、ガス中の粒子にはガスの温度場と真空容器内壁等からの輻射加熱場の両方で決まる温度場にも強く影響されることである。しかしながら、従来技術は、上記第3の特徴が積極的に活用されていない、即ち従来の装置では真空容器内部の温度場が積極的に制御されていないという課題がある。
(1)前記真空蒸着法、熱プラズマ法及びレーザアブレーション法等の従来の方法及び装置における問題は、蒸発源で生成されたナノ粒子の大部分は真空容器内に導入された不活性ガスの流れに乗って浮遊し、その流れに乗って下流側へ搬送されることに起因している。すなわち、搬送ガス中のナノ粒子の振舞い(運動学的性質)を無視した装置構成が採用されていることが原因である。そのため、ナノ粒子が回収手段に効果的に回収されず、回収効率が著しく小さくなっている。
(2)具体的には、搬送ガス中のナノ粒子の振舞い(運動学的性質)の特徴は、第1に、粒径の大きい粒子に働く力は、ガス速度の2乗と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例すること、第2は、粒径の小さい粒子に働く力は、ガス速度と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例すること、第3は、粒子周辺のガスの温度勾配に比例した力(熱泳動力:高温度側から低温度側に向かって働く力)が働くこと、すなわち、ガス中の粒子にはガスの温度場と真空容器内壁等からの輻射加熱場の両方で決まる温度場にも強く影響されることである。しかしながら、従来技術は、上記第3の特徴が積極的に活用されていない、即ち従来の装置では真空容器内部の温度場が積極的に制御されていないという課題がある。
以上説明したように、従来の方法及び装置では、ナノ粒子製造での回収率が著しく悪いので、回収率の大幅な向上という課題がある。そこで、本発明は、この課題を解決するためになされたもので、従来困難視されている金属及び酸化物等のナノ粒子製造において、上記ナノ粒子の振舞い(運動学的性質)の特徴を活用した回収率の高い、かつ高純度で均一粒径のナノ粒子製造方法及び装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成する為に、本願の請求項1記載の発明は、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造方法において、前記蒸発装置から放出される熱の流れの実質的な終点の位置を前記回収装置内部に合致させるように熱の流れの形態を制御することを特徴とする。
なお、熱の流れはほぼ同じ意味の熱流線あるいは熱流束等で表現されるが、その方向は等温線に直交し、温度の高い側から低い側へ向いていることは公知である。
上記目的を達成する為に、本願の請求項2記載の発明は、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器に無機化合物気体あるいは有機化合物気体あるいは有機金属化合物気体からなる原料ガスを供給する原料ガス供給系と、該原料ガスをプラズマ処理させるプラズマ発生装置と、該プラズマ発生装置でプラズマ処理された原料ガスからナノ粒子を回収する回収装置を具備し、前記原料ガスを前記プラズマ発生装置でプラズマ処理し、該プラズマ処理された原料ガスを前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造方法において、前記真空容器内の主たる熱発生源を前記プラズマ発生装置内に配置し、かつ該熱発生源から放出される熱の流れの実質的な終点の位置を前記回収装置内部に合致させるように熱の流れの形態を制御することを特徴とする。
なお、真空容器内の主たる熱発生源とは、該真空容器内に複数の熱発生源が存在する場合、温度が最も高温でかつ熱容量が十分に大きいものであるという意味である。
上記目的を達成する為に、本願の請求項3記載の発明は、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該材料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造方法において、前記回収装置の近傍でのガスの流れの方向と熱の流れの方向が実質的に直交するように熱の流れの形態を制御することを特徴とする。
上記目的を達成する為に、本願の請求項4記載の発明は、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原材料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造方法において、前記真空容器内に開口を備えた空洞体を設置して該空洞体を高温に維持し、かつ前記蒸発装置を該空洞体の内部に配置させ、蒸発物質の温度を制御することを特徴とする。
上記目的を達成する為に、本願の請求項5記載の発明は、請求項1ないし4において、前記回収装置を複数個配置することを特徴とする。
上記目的を達成する為に、本願の請求項6記載の発明は、請求項4において、前記空洞体の温度は、ナノ粒子原料の融点との差が500℃以内となるように設定され、該空洞体内部で生成される蒸発物質のふく射による温度低下を抑制することを特徴とする。
上記目的を達成する為に、本願の請求項7記載の発明は、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造装置において、前記蒸発装置から放出される熱の流れの実質的な終点の位置を前記回収装置内部に合致させるという構成を有することを特徴とする。
上記目的を達成する為に、本願の請求項8記載の発明は、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器に無機化合物気体あるいは有機化合物気体あるいは有機金属化合物気体からなる原料ガスを供給する原料ガス供給系と、該原料ガスをプラズマ処理させるプラズマ発生装置と、該プラズマ発生装置でプラズマ処理された原料ガスからナノ粒子を回収する回収装置を具備し、前記原料ガスを前記プラズマ発生装置でプラズマ処理させ、該プラズマ処理された原料ガスを前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造装置において、前記真空容器内の主たる熱発生源を前記プラズマ発生装置内に配置し、かつ該熱発生源から放出される熱の流れの実質的な終点の位置を前記回収装置内部に合致させるという構成を有することを特徴とする。
上記目的を達成する為に、本願の請求項9記載の発明は、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造装置であって、前記回収装置の近傍でのガスの流れの方向と熱の流れの方向を実質的に直交させるという構成を有することを特徴とする。
上記目的を達成する為に、本願の請求項10記載の発明は、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原材料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造装置において、前記真空容器内に開口を備えた空洞体を設置して該空洞体を高温に維持し、かつ前記蒸発装置を該空洞体の内部に配置させるという構成を有することを特徴とする。
上記目的を達成する為に、本願の請求項11記載の発明は、請求項7ないし10において、前記回収装置を複数個配置するという構成にすることを特徴とする。
請求項1のナノ粒子製造法によれば、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造方法において、前記蒸発装置から放出される熱の流れの実質的な終点の位置を前記回収装置内部に合致させるように熱の流れの形態を制御するので、該真空容器内での熱流線が該回収装置に収束するという形の熱流線形態が実現可能である。
その結果、ガス中に浮遊する粒径の大きい粒子はガス流れの力が強いためガスの流れに乗って流されるが、粒径の小さい粒子すなわちナノ粒子は流れに乗らず、温度勾配の大きさに比例して働く熱泳動力により、ガスの流れから離れて熱流線に沿って、効率よく該回収装置に引きつけられ堆積する。このことは回収効率の高いナノ粒子の量産化が可能であることを意味している。
したがって、従来困難視されていたナノ粒子の回収率向上が、簡単にかつ効果的に実現できる。この効果は、医療・バイオテクノロジー、エネルギー・環境、エレクトロニクス及び材料等の各分野において、著しく大きい。
なお、上記熱泳動の現象は、圧力の高低に依存せずに発生するものであるが、圧力が大気圧程度に高くなると、分子の流れ(ガス流れ)に起因する力が相対的に強く働くので、熱泳動の作用の効果は圧力の低い状態の方が強く働くと言うことができる。
請求項2のナノ粒子製造法によれば、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器に無機化合物気体あるいは有機化合物気体あるいは有機金属化合物気体からなる原料ガスを供給する原料ガス供給系と、該原料ガスをプラズマ処理させるプラズマ発生装置と、該プラズマ発生装置でプラズマ処理された原料ガスからナノ粒子を回収する回収装置を具備し、前記原料ガスを前記プラズマ発生装置でプラズマ処理し、該プラズマ処理された原料ガスを前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造方法において、前記真空容器内の主たる熱発生源を前記プラズマ発生装置内に配置し、かつ該熱発生源から放出される熱の流れの実質的な終点の位置を前記回収装置内部に合致させるように熱の流れの形態を制御するので、該真空容器内での熱流線が該回収装置に収束するという形の熱流線形態が実現可能である。
その結果、ガス中に浮遊する粒径の大きい粒子はガス流れの力が強いためガスの流れに乗って流されるが、粒径の小さい粒子すなわちナノ粒子は流れに乗らず、温度勾配の大きさに比例して働く熱泳動力により、ガス流れから離れて熱流線に沿って、効率よく該回収装置に引きつけられ堆積する。このことは回収効率の高いナノ粒子の量産化が可能であることを意味している。
したがって、従来困難視されていたナノ粒子の回収率向上が、簡単にかつ効果的に実現できる。この効果は、医療・バイオテクノロジー、エネルギー・環境、エレクトロニクス及び材料等の各分野において、著しく大きい。
請求項3のナノ粒子製造法によれば、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造方法において、前記回収装置の近傍でのガスの流れの方向と熱の流れの方向が実質的に直交するように熱の流れの形態を制御するので、該回収装置の近傍においての熱流がガス流れの方向に直交し、かつ該回収装置に向かって流れるという形の熱流線形態が実現可能である。
その結果、ガス中に浮遊するナノ粒子を、温度勾配の大きさに比例して働く熱泳動力により該ガス流れの方向に対して直角方向へ取り出すことが可能となる。即ち、ガス流れに乗って流れている大粒径の粒子群は該回収装置の面に平行な方向へ流れて行くが、粒子直径の小さいナノ粒子群はガス流れと直角方向に位置する該回収装置に引きつけられ、堆積する。このことは回収効率の高いナノ粒子の量産化が可能であることを意味している。
したがって、従来困難視されていたナノ粒子の均一性の高い回収が可能であり、かつ回収効率の向上も実現できる。この効果は、医療・バイオテクノロジー、エネルギー・環境、エレクトロニクス及び材料等の各分野において、著しく大きい。特に、小粒径のナノ粒子の捕捉回収において貢献度が大きい。
請求項4のナノ粒子製造法によれば、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原材料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させて回収するナノ粒子製造方法において、前記真空容器内に開口を備えた空洞体を設置して該空洞体を高温に維持し、かつ前記蒸発装置を該空洞体の内部に配置させ、蒸発物質の温度を制御するので、前記蒸発装置で生成された蒸発物質の熱輻射による温度低下が抑制され、かつ該高温度の空洞体の輻射熱による熱泳動力により蒸発物質の該空洞体への付着が防止される。
その結果、該蒸発装置から該回収装置までの距離が長い条件下におけるナノ粒子製造においても、ナノ粒子回収効率の低下を抑制した製造が可能となる。このことは回収効率の高いナノ粒子の大量生産が可能であることを意味している。
したがって、従来困難視されていたナノ粒子の均一性の高い回収が可能であり、かつ回収効率の向上も実現できる。この効果は、医療・バイオテクノロジー、エネルギー・環境、エレクトロニクス及び材料等の各分野における大量生産において、著しく価値が大きい。特に、大型設備での大量生産を行う場合、ナノ粒子の捕捉回収の効率の低下を抑制可能で、著しく価値が大きい。
請求項5のナノ粒子製造法によれば、前記回収装置を複数個配置するので、請求項1ないし4を応用するに際し、量産化を実現する確実な方法として、その価値が高い。
請求項6のナノ粒子製造法によれば、上記請求項4を実現する確実な方法として、その価値が高い。
請求項7のナノ粒子製造装置によれば、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造装置において、前記蒸発装置から放出される熱の流れ実質的な終点の位置を前記回収装置内部に合致させるという構成を有するので、該真空容器内での熱流線が該回収装置に収束するという形の熱流線形態を持つ装置が実現可能である。
その結果、ガス中に浮遊する粒径の大きい粒子はガス流れの力が強いのでガスの流れに乗って流されるが、粒径の小さい粒子すなわちナノ粒子は流れに乗らず、温度勾配の大きさに比例して働く熱泳動力により、ガス流れから離れて熱流線に沿って、効率よく該回収装置に引きつけられ堆積する。このことは回収効率の高いナノ粒子の量産化装置が実現できることを意味している。
したがって、従来困難視されていたナノ粒子製造装置における回収率の向上は、簡単にかつ効果的に実現できる。この効果は、医療・バイオテクノロジー、エネルギー・環境、エレクトロニクス及び材料等の各分野において、著しく大きい。
請求項8のナノ粒子製造装置によれば、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器に無機化合物気体あるいは有機化合物気体あるいは有機金属化合物気体からなる原料ガスを供給する原料ガス供給系と、該原料ガスをプラズマ処理させるプラズマ発生装置と、該プラズマ発生装置でプラズマ処理された原料ガスからナノ粒子を回収する回収装置を具備し、前記原料ガスを前記プラズマ発生装置でプラズマ処理させ、該プラズマ処理された原料ガスを前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造装置において、前記真空容器内の主たる熱発生源を前記プラズマ発生装置内に配置し、かつ該熱発生源から放出される熱の流れの実質的な終点の位置を前記回収装置内部に合致させるという構成を有するので、該真空容器内での熱流線が該回収装置に収束するという形の熱流線形態を持つ装置が実現可能である。
その結果、ガス中に浮遊する粒径の大きい粒子はガス流れの力が強いのでガスの流れに乗って流されるが、粒径の小さい粒子すなわちナノ粒子は流れに乗らず、温度勾配の大きさに比例して働く熱泳動力により、ガス流れから離れて熱流線に沿って、効率よく該回収装置に引きつけられ堆積する。このことは回収効率の高いナノ粒子の量産化装置が実現できることを意味している。
したがって、従来困難視されていたナノ粒子の回収率向上が、簡単にかつ効果的に実現できる。この効果は、医療・バイオテクノロジー、エネルギー・環境、エレクトロニクス及び材料等の各分野において、著しく大きい。
請求項9のナノ粒子製造装置によれば、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させて回収するナノ粒子製造装置において、前記回収装置の近傍におけるガスの流れの方向と熱流束の方向が実質的に直交するように該回収装置を配置するという構成を有するので、該回収装置の近傍においての熱流がガス流れの方向に直交し、かつ該回収装置に向かって流れるという形の熱流線形態を持つ装置が実現可能である。
その結果、ガス中に浮遊するナノ粒子を、温度勾配の大きさに比例して働く熱泳動力により該ガス流れの方向に対して直角方向へ取り出すことが可能となる。即ち、ガス流れに乗って流れている大粒径の粒子群は該回収装置の面に平行な方向へ流れて行くが、粒子直径の小さいナノ粒子群はガス流れと直角方向に位置する該回収装置に引きつけられ、堆積する。このことは回収効率の高いナノ粒子の量産化装置が実現できることを意味している。
したがって、従来困難視されていたナノ粒子の均一性の高い回収が可能であり、かつ回収効率の向上も実現できる。この効果は、医療・バイオテクノロジー、エネルギー・環境、エレクトロニクス及び材料等の各分野において、著しく大きい。特に、小粒径のナノ粒子の捕捉回収において貢献度が大きい。
請求項10のナノ粒子製造装置によれば、少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原材料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させて回収するナノ粒子製造装置において、前記真空容器内に、開口を備え、高温に維持される空洞体を配置させ、かつ該空洞体の内部に前記蒸発装置を配置させるという構成を有するので、前記蒸発装置で生成された蒸発物質の熱輻射による温度低下を抑制でき、かつ該高温度の空洞体の輻射熱による熱泳動力により蒸発物質の該空洞体への付着が防止される。
その結果、該蒸発装置から該回収装置までの距離が長い条件下におけるナノ粒子製造においても、ナノ粒子回収効率の低下を抑制した製造が可能となる。このことは回収効率の高いナノ粒子の大量生産装置が実現できることを意味している。
したがって、従来困難視されていたナノ粒子の均一性の高い回収が可能であり、かつ回収効率の向上も実現できる。この効果は、医療・バイオテクノロジー、エネルギー・環境、エレクトロニクス及び材料等の各分野における大量生産において、著しく価値が大きい。特に、大型設備での大量生産を行う場合、ナノ粒子の捕捉回収の効率の低下を抑制可能で、著しく価値が大きい。
請求項11のナノ粒子製造装置によれば、前記回収装置を複数個配置するので、請求項7ないし9を実用するに際し、量産化を実現する確実な装置として、その価値が高い。
以下、本発明の実施例に係わるナノ粒子製造装置及びナノ粒子製造方法について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、ナノ粒子製造装置及びナノ粒子製造方法の一例として、材料がシリコンであるシリコンナノ粒子を製作する装置および方法が記載されているが、本願の発明対象が下記の例の装置及び方法に限定されるものではない。
(実施例1)
図1、図2を参照して、実施例1のナノ粒子製造装置及びナノ粒子製造方法について説明する。図1は実施例1に係わるナノ粒子製造装置の構成図及び図2は図1に示した装置内部における熱の流れすなわち熱の流線を示す概念図である。
図1、図2を参照して、実施例1のナノ粒子製造装置及びナノ粒子製造方法について説明する。図1は実施例1に係わるナノ粒子製造装置の構成図及び図2は図1に示した装置内部における熱の流れすなわち熱の流線を示す概念図である。
先ず、装置の構成を説明する。図1及び図2において、符番1は真空容器で、その内部には後述のるつぼ2が設置され、その内壁の一部に後述の第1及び第2の回収手段14a、14bが設置される。真空容器1の形状は断面が円形で高さ方向に逆凸型になっており、断面積が小さい場所にるつぼ2が設置される。なお、逆凸型にしているのは、ガス流速が真空容器の上部の方で遅くするためである。符番2はるつぼで後述の粉末原料3を蒸発させる機能がある。なお、るつぼ2は粉末原料をフラッシュ蒸発させる機能を持つので電気抵抗加熱方式ヒータと呼称するのが妥当であるが、ここでは、従来技術の説明図7との関係により、るつぼと呼称すことにする。符番3は粉末原料供給装置で、所望のナノ粒子の材料である粉末原料を供給するもので、後述の不活性ガス供給管10a、10b、10c及び第3のバルブ11と組み合わせて用いられる。符番4はヒータで上記るつぼ2を1,000℃ないし2,000℃程度の範囲で任意の温度に加熱する。その温度は、予め、るつぼ2の温度と後述の電源6の出力の関係について予備試験にてデータを取得しておき、そのデータを基に、電源6の出力を調整することにより設定される。観測窓を設置しておき、輻射温度計で測定しても良い。なお、例えば、るつぼ2の材料を炭素(黒鉛)とし、るつぼを発熱抵抗体にして、電力供給線にタングステン、タンタル、あるいはモリブテンを用いても良い。符番5は真空用電流端子でヒータ4を加熱するための電力を伝送する。
符番6は電源でヒータ4に、真空用電流端子5を介して、加熱用電力を供給する。符番7a,7bは第1及び第2の真空ポンプで、それぞれ、真空容器1内部のガスを排気する。なお、第1の真空ポンプ7aは、真空容器1の大気を排出すために用いられ、第2の真空ポンプ7bは後述の不活性ガスを排出するために用いられる。また、図示しない真空計が設置されており、該真空計により、第1及び第2の真空ポンプ7a,7bは稼動させられる。符番8a、8bは第1及び第2のバルブで、それぞれ、第1及び第2の真空ポンプと真空容器1の間の流路の開閉を行う。即ち、第1及び第2のバルブ8a、8bと第1及び第2の真空ポンプ7a、7bと後述の第1及び第2の排気管9a、9bを組み合わせて使用することにより、真空容器1内部の排気が行われる。符番9a、9bは第1及び第2の排気管である。
符番10a、10b、10cは不活性ガス導入管で、後述の第3のバルブ11、図示しない不活性ガスボンベ及び粉末原料供給装置3と組み合わせて使用される。符番11は第3のバルブで、図示しない不活性ガスボンベから供給される不活性ガスと粉末原料供給装置3から供給される粉末原料との混合ガスを真空容器1内部へ導入する際の開閉を行う。符番12は不活性ガス導入管10aより導入された不活性ガスの流線で、不活性ガスの主流を示す。なお、圧力が大気圧以下に減圧されると、不活性ガスの流れは真空容器1の内部全体に拡散して流れる。符番13は真空容器内壁温度制御装置で、真空容器1の内壁の温度を約500ないし1、000℃の範囲で任意に設定できる。符番14a、14bは第1及び第2の回収手段で、後述の冷却装置15a、15bと組み合わせて使用される。符番15a、15bは、冷却装置で、上記第1及び第2の回収手段14a、14bの温度をマイナス約20℃ないしプラス約200℃の範囲に設定できる。符番16a,16bは第4及び第5のバルブで、それぞれ、第1及び第2の回収手段14a,14bを真空容器1内部へ開放する、あるいは遮蔽する機能を有する。
符番17a、17bは真空容器1内部の第1および第2の熱流線で、それぞれ、るつぼ2を始点とし、第1及び第2の回収手段を終点とする熱の流れを示している。なお、熱の流れは熱流線及び熱流束等と呼称されるが、ここでは、熱流線、熱流束、熱流束線及び熱流などの呼称を用いている。符番18a、18bは第3および第4の熱流束線で、それぞれ、るつぼ2と対向する真空容器内壁を始点とし、第1及び第2の回収手段を終点とする熱の流れを示している。
次に、上記構成のナノ粒子製造装置を用いて、粒径10〜100nm級のシリコンナノ粒子を製造する方法を説明する。図1及び図2において、予め、第2、第3、第4及び第5のバルブ8b,11,16a,16bを閉、第1のバルブ8aを開とし、第1の真空ポンプ7aを稼動させ、真空容器1内の大気及び不純物ガスを排気する。図示しない真空計で圧力を測定し、該圧力が1.0E−6Torr(1.33E−4Pa)程度に到達したら、電源6及びヒータ4を用いて、るつぼ2の温度を1500℃に設定する。なお、温度設定には、予備試験で取得しているデータを基に電源6の出力を設定する。
真空容器内壁温度制御装置13により図示しない内壁温度測定計にてモニターしながら、該真空容器内壁温度を、例えば600℃に設定する。第1及び第2の回収手段14a、14bの温度を冷却装置15a、15bを稼動させて、該第1及び第2の回収手段14a,14bに付属の図示しない温度計でモニターしながら、該第1及び第2の回収手段の温度を約60℃に設定する。真空容器1の内壁、るつぼ2および第1及び第2の回収手段14a,14bの温度が、それぞれ、600℃、1,500℃及び60℃と設定されれば、真空容器1内部の熱の流れ即ち熱流線の形状は、図2図示の熱流線17a,17b、18a,18bのようになる。
上記温度設定が終了した後、該真空容器1内の圧力が1.0E−6Torr(1.33E−4Pa)程度に維持されていることを確認し、上記第1のバルブ8aを閉とする。そして、第2の真空ポンプ7bを稼動させ、第2のバルフ8bを開とする。
上記真空容器1の圧力及び温度条件のもと、シリコンの粉末原料を、例えば直径数ミクロンのシリコン粉末を粉末原料供給装置3から、不活性ガス供給管10a、10b、10c及び第3のバルブと組み合わせて用いて、不活性ガス例えばアルゴンガスと混合してるつぼ2に吹き付ける。アルゴンガスの流量は、10〜100sccm程度、例えば20sccm、シリコンの粉末原料の供給量は、1分間に数グラム程度、例えば1gとする。真空容器内圧力は、0.05〜5Torr(6.65〜665Pa)程度で、例えば0.1Torr(13.3Pa)とする。
不活性ガス供給管10cよりシリコン粉末とアルゴンガスとの混合ガスがるつぼ2に吹き付けられると、シリコン粉末は1、500℃のるつぼ2に接し、一瞬にして蒸発し、アルゴンガスと一緒に吹き飛ばされる。るつぼ2で蒸発生成されたシリコン粒子の中で、サブミクロン級の大粒子は内臓する熱エネルギーが大きいので、そのエネルギーでガスの流れから逸れて、真空容器1の内壁1aに衝突し、付着する。500nm以下程度の大部分の粒子はガス流れに乗って、るつぼ2から排気管9bの方向へ流れていく。この状態を保ちつつ、第4及び第5のバルブ16a,16bを開として、第1及び第2の回収手段14a,14bを真空容器1内部に曝す。
ガスの流れ12に乗って浮遊している微粒子、すなわちエアロゾル状粒子に働く力は、概略、次の3つに分けられる。すなわち、第1に、粒径の大きい粒子には、ガス速度の2乗と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例する力が働く、第2に、粒径の小さい粒子には、ガス速度と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例する力が働く、第3に、粒子周辺に温度勾配が存在すると、その温度勾配に比例した力(熱泳動力:高温度側から低温度側に向かって働く力)が働く、すなわち、ガスに浮遊の微粒子にはガスの温度場と真空容器内壁等からの輻射加熱場の両方で決まる温度場で形成される温度勾配にも強く影響される。すなわち、粒子直径の大きい粒子はガス流れに乗って流れの下流側へ移動しやすく、粒子直径の小さい粒子は流れには影響されないで、熱泳動力により移動されるという現象がある。したがって、上記真空容器1の圧力及び温度条件の下であれば、粒径10〜100nm級のシリコン粒子はその大部分が、温度勾配の高い道筋、即ち熱流速線17a,17b,18a,18bに沿って移動し、熱流速線の終点の位置にある第1及び第2の回収手段14a,14bに到達し、付着する。ナノ粒子の製造時間は、特に制限はないが、例えば数時間、2時間程度とする。
なお、上記真空容器内部のガスの流れが図1図示の12で、熱流線が図2図示の17a,17b、18a、18bのようであれば、ガス中に浮遊するナノ粒子を、温度勾配の大きさに比例して働く熱泳動力により該ガス流れの方向に対して直角方向へ取り出すことが可能となる。即ち、ガス流れに乗って流れている大粒径の粒子群は該回収装置の面に平行な方向へ流れて行くが、粒子直径の小さいナノ粒子群はガス流れと直角方向に位置する該回収装置に引きつけられ、堆積する。したがって、従来困難視されていたナノ粒子の均一性の高い回収が可能であり、かつ回収効率の向上も実現できる。
ナノ粒子の製造プロセスを一端終了させるには、上記状態において、第3のバルブ11を閉にする。そして、粉末原料供給装置3からの粉末供給を零にするとともに、電源6の出力を零にする。その後、第4及び第5のバルブを閉にして、第1及び第2の回収手段14a,14bを取り外す。第1及び第2の回収手段14a,14bに付着したナノ粒子を刷毛で拭いてサンプル瓶に収納する。
なお、上記製造装置の操作条件中、特に圧力、不活性ガス流量、及び粉末粒子供給量および真空容器内壁温度が重要なパラメータであるので、上記回収率をより一層高く、かつ高品質で粒径均一性の高い100nm級以下のシリコン粒子を製造するには、それぞれの最適値を予め、把握することが必要である。
以上説明したように、上記装置および方法によれば、蒸発源で生成された微粒子の中で比較的大粒径の微粒子には、ガス速度の2乗と粒子の流れ方向での投影断面積との積に比例する力が大きく作用するので、不活性ガスの流れに沿って排気される。他方、蒸発源で生成された微粒子の中で比較的小粒径の微粒子は、不活性ガスの流れに乗って流される力はガス速度と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例する程度で強くないので、粒子周辺のガスの温度勾配に比例した力(熱泳動力:高温度側から低温度側に向かって働く力)が支配的となる。そのため、真空容器1内部の第1および第2の熱流線17a、17b及び第3および第4の熱流線18a、18bに沿って移動する。その結果、小粒径の微粒子すなわち100nm級以下の粒子は第1及び第2の回収手段に到達し、付着する。さらに、ガス流れと熱流線が直交しているので、ガス流れに乗って流れている大粒径の粒子群は該回収装置の面に平行な方向へ流れて行き、粒子直径の小さいナノ粒子群はガス流れと直角方向に位置する該回収装置に引きつけられ、堆積する。したがって、粒径が小さい粒子、すなわち100nm程度以下のシリコン粒子は、ほとんど全て回収手段に回収される。このことは、高い回収率でナノ粒子を製造可能であることを示している。回収率としては、従来の5倍程度が可能である。上記例では従来の3倍程度が期待できる。
また、上記実施例1では、蒸発源として、電気抵抗加熱方式の装置を用いているが、これに限らず電子ビーム方式、熱プラズマ方式、レーザアブレーション方式を用いることもできる。
(実施例2)
図3、図4を参照して、実施例2のナノ粒子製造装置及びナノ粒子製造方法について説明する。図3は実施例2に係わるナノ粒子製造装置の構成図及び図4は図3に示した装置内部における熱の流線を示す概念図である。
図3、図4を参照して、実施例2のナノ粒子製造装置及びナノ粒子製造方法について説明する。図3は実施例2に係わるナノ粒子製造装置の構成図及び図4は図3に示した装置内部における熱の流線を示す概念図である。
先ず、装置の構成を説明する。図3及び図4において、図1及び図2と同部材は同符番を付している。符番1は真空容器で、その内部には後述のるつぼ2が設置され、その内壁の一部に後述の第1及び第2の回収手段14a、14bが第5及び第6のバルブ16a,16bを介して設置される。なお、真空容器1の形状は円筒である。符番2はるつぼで、真空容器1の下部に設置され、後述の粉末原料3を蒸発させる機能がある。なお、るつぼ2は粉末原料をフラッシュ蒸発させる機能を持つので電気抵抗加熱方式ヒータと呼称するのが妥当であるが、ここでは、従来技術の説明図7との関係により、るつぼと呼称すことにする。符番3は粉末原料供給装置で、所望のナノ粒子の材料である粉末原料を供給するもので、後述の不活性ガス供給管10a、10b、10c及び第4のバルブ11と組み合わせて用いられる。符番4はヒータで上記るつぼ2を1,000℃ないし2,000℃程度に加熱する。るつぼ2の温度と後述の電源6の出力の関係は予め、予備試験にてデータを取得しておき、そのデータを基に、電源6の出力を調整することによりるつぼ2の温度が設定される。観測窓を設置しておき、輻射温度計で測定しても良い。なお、例えば、るつぼ2の材料を炭素(黒鉛)とし、るつぼを発熱抵抗体にして、電力供給線にタングステン、タンタル、あるいはモリブテンを用いても良い。符番5は真空用電流端子でヒータ4を加熱するための電力を伝送する。符番6は第1の電源でヒータ4に、第1の真空用電流端子5を介して、加熱用電力を供給する。
符番7a,7b,7cは第1、第2及び第3の真空ポンプで、それぞれ、真空容器1内部のガスを排気する。なお、第1及び第2の真空ポンプ7a,7bは、真空容器1の大気を排出すために用いられ、第3の真空ポンプ7cは後述の不活性ガスを排出するために用いられる。また、図示しない真空計が設置されており、該真空計により、第1、第2及び第3の真空ポンプ7a,7b,7cは稼動させられる。符番8a、8b,8cは第1、第2及び第3のバルブで、それぞれ、第1、第2及び第3の真空ポンプ7a,7b,7cと真空容器1の間の流路の開閉を行う。即ち、第1、第2及び第3のバルブ8a、8b,8cと第1、第2及び第3の真空ポンプ7a、7b,7cと後述の第1、第2及び第3の排気管9a、9b,9cを組み合わせて使用することにより、真空容器1内部の排気が行われる。符番9a、9b,9cは第1、第2及び第3の排気管である。
符番10a、10b、10cは不活性ガス導入管で、後述の第4のバルブ11、図示しない不活性ガスボンベ及び粉末原料供給装置3と組み合わせて使用される。符番11は第4のバルブで、図示しない不活性ガスボンベから供給される不活性ガスと粉末原料供給装置3から供給される粉末原料との混合ガスを真空容器1内部へ導入する際の開閉を行う。符番12は不活性ガス導入管10aより導入された不活性ガスの流線で、不活性ガスの主流を示す。なお、圧力が大気圧以下に減圧されると、不活性ガスの流れは真空容器1の内部全体に拡散して流れる。
符番13a,13b,13cは第1、第2、第3の開口を備えた高温空洞体で、それぞれ、後述の第2、第3及び第4の真空用電流端子19a,19b、19cを介して第2、第3及び第4の電源20a、20b、20cより加熱用電力が供給されて、該高温空洞体の温度を独立に、約500ないし1、000℃の範囲で任意に設定できる。すなわち、開口を備えた空洞体13a,13b,13cを設置して該空洞体を高温に維持し、かつ蒸発装置のるつぼ2を該空洞体の内部に配置させているので、蒸発物質の温度を制御することが可能である。また、るつぼ2で生成されたナノ粒子群の熱輻射による温度低下が抑制され、かつ該高温度の空洞体による輻射熱による熱泳動力によりナノ粒子群の該空洞体への付着が防止される。
符番14a、14bは第1及び第2の回収手段で、後述の冷却装置15a、15bと組み合わせて使用される。符番15a、15bは、冷却装置で、上記第1及び第2の回収手段14a、14bの温度をマイナス約20℃ないしプラス約200℃の範囲に設定できる。符番16a,16bは第5及び第6のバルブで、それぞれ、第1及び第2の回収手段14a,14bを真空容器1内部へ開放する、あるいは遮蔽する機能を有する。
符番17a、17bは真空容器1内部の第1および第2の熱流線で、それぞれ、るつぼ2を始点とし、第1及び第2の回収手段を終点とする熱の流れを示している。符番18a、18bは第3および第4の熱流線で、それぞれ、るつぼ2と対向する位置にある開口を備えた高温空洞体13cを始点とし、第1及び第2の回収手段を終点とする熱の流れを示している。
次に、上記図3及び図4に図示のナノ粒子製造装置を用いて、粒径10〜100nm級のシリコンナノ粒子を製造する方法を説明する。図3及び図4において、予め、第3、第4、第5及び第6のバルブ9c,11,16a,16bを閉、第1及び第2のバルブ8a,8bを開とし、第1及び第2の真空ポンプ7a,7bを稼動させ、真空容器1内の大気及び不純物ガスを排気する。図示しない真空計で圧力を測定し、該圧力が1.0E−6Torr(1.33E−4Pa)程度に到達したら、電源6及びヒータ4を用いて、るつぼ2の温度を1500℃に設定する。なお、温度設定には、予備試験で取得しているデータを基に電源6の出力を設定する。
開口を備えた第1、第2及び第3の高温空洞体13a,13b,13cのそれぞれに、図示しない高温空洞体温度測定計にてモニターしながら、第2、第3及び第4の真空用電流端子19a,19b、19cを介して第2、第3及び第4の電源20a、20b、20cより加熱用電力を供給する。そして、該高温空洞体13a,13b,13cのそれぞれの温度を独立に、約500ないし1、000℃の範囲に設定する。例えば、該高温空洞体13a,13bの温度を1000℃に、該高温空洞体13cの温度を800℃に設定する。他方、第1及び第2の回収手段14a、14bの温度を、冷却装置15a、15bを稼動させて該第1及び第2の回収手段14a,14bに付属の図示しない温度計でモニターしながら、約60℃に設定する。該高温空洞体13a,13bの温度が1000℃に、該高温空洞体13cの温度が800℃に設定されれば、真空容器1内部の熱の流れ即ち熱流線の形状は、図4図示の熱流線17a,17b、18a,18bのようになる。
上記温度設定が終了した後、該真空容器1内の圧力が1.0E−6Torr(1.33E−4Pa)程度に維持されていることを確認し、上記第1及び第2のバルブ8a,8bを閉とする。そして、第3の真空ポンプ7cを稼動させ、第3のバルフ8cを開とする。
上記真空容器1の圧力及び温度条件のもと、シリコンの粉末原料を、例えば直径数ミクロンのシリコン粉末を粉末原料供給装置3から、不活性ガス供給管10a、10b、10c及び第4のバルブと組み合わせて用いて、不活性ガス例えばアルゴンガスと混合してるつぼ2に吹き付ける。アルゴンガスの流量は、20〜100sccm程度、例えば30sccm、シリコンの粉末原料の供給量は、1分間に数グラム程度、例えば2gとする。真空容器内圧力は、0.05〜5Torr(6.65〜665Pa)程度で、例えば0.1Torr(13.3Pa)とする。
不活性ガス供給管10cよりシリコン粉末とアルゴンガスとの混合ガスがるつぼ2に吹き付けられると、シリコン粉末は1、500℃のるつぼ2に接し、一瞬にして蒸発し、アルゴンガスと一緒に吹き飛ばされる。るつぼ2で蒸発生成されたシリコン粒子の中で、サブミクロン級の大粒子は内臓する熱エネルギーが大きいので、そのエネルギーでガスの流れから逸れて、高温空洞体13a,13bに衝突し、付着する。500nm以下程度の大部分の粒子はガス流れに乗って、るつぼ2から排気管9cの方向へ流れていく。この状態を保ちつつ、第5及び第6のバルブ16a,16bを開として、第1及び第2の回収手段14a,14bを真空容器1内部に曝す。
ガスの流れに乗って浮遊している微粒子、すなわちエアロゾル状粒子に働く力は、概略、次の3つに分けられる。すなわち、第1に、粒径の大きい粒子には、ガス速度の2乗と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例する力が働く、第2に、粒径の小さい粒子には、ガス速度と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例する力が働く、第3に、粒子周辺に温度勾配が存在すると、その温度勾配に比例した力(熱泳動力:高温度側から低温度側に向かって働く力)が働く、すなわち、ガスに浮遊の微粒子にはガスの温度場と真空容器内壁等からの輻射加熱場の両方で決まる温度場で形成される温度勾配にも強く影響される。すなわち、粒子直径の大きい粒子はガス流れに乗って流れの下流側へ移動しやすく、粒子直径の小さい粒子は流れには影響されないで、熱泳動力により移動されるという現象がある。したがって、上記真空容器1の圧力及び温度条件の下であれば、粒径10〜100nm級のシリコン粒子はその大部分が、温度勾配の高い道筋、即ち熱流線17a,17b,18a,18bに沿って移動し、熱流線の終点の位置にある第1及び第2の回収手段14a,14bに到達し、付着する。ナノ粒子の製造時間は、特に制限はないが、例えば数時間、2時間程度とする。
ナノ粒子の製造プロセスを一端終了させるには、上記状態において、第4のバルブ11を閉にする。そして、粉末原料供給装置3からの粉末供給を零にするとともに、電源6の出力を零にする。その後、第5及び第6のバルブを閉にして、第1及び第2の回収手段14a,14bを取り外す。第1及び第2の回収手段14a,14bに付着したナノ粒子を刷毛で拭いてサンプル瓶に収納する。
なお、上記製造装置の操作条件中、特に圧力、不活性ガス流量、及び粉末粒子供給量および開口を備えた高温空洞体13a,13b,13cのそれぞれの温度が重要なパラメータであるので、上記回収率をより一層高く、かつ高品質で粒径均一性の高い100nm級以下のシリコン粒子を製造するには、それぞれの最適値を予め、把握することが必要である。
以上説明したように、上記装置および方法によれば、蒸発源のるつぼ2で生成された微粒子の中で比較的大粒径の微粒子には、ガス速度の2条と粒子の流れ方向での投影断面積との積に比例する力が大きく作用するので、不活性ガスの流れに沿って排気される。他方、蒸発源のるつぼ2で生成された微粒子の中で比較的小粒径の微粒子は、不活性ガスの流れに乗って流される力はガス速度と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例する程度で強くないので、粒子周辺のガスの温度勾配に比例した力(熱泳動力:高温度側から低温度側に向かって働く力)が支配的となる。そのため、真空容器1内部の第1および第2の熱流線17a、17b及び第3および第4の熱流線18a、18bに沿って移動する。その結果、小粒径の微粒子すなわち100nm級以下の粒子は第1及び第2の回収手段に到達し、付着する。
また。前記真空容器1内に開口を備えた空洞体13a,13b,13cを設置して該空洞体を高温に維持し、かつ前記るつぼ2を該空洞体の内部に配置させているので、蒸発物質の温度を制御することが可能である。すなわち、前記るつぼ2で生成されたナノ粒子群の熱輻射による温度低下が抑制され、かつ該高温度の空洞体13a,13b,13cからの輻射熱による熱泳動力によりナノ粒子群の該空洞体への付着が防止される。その結果、該るつぼ2から該回収装置までの距離が長い条件下におけるナノ粒子製造においても、ナノ粒子回収効率の低下を抑制した製造が可能となる。
したがって、粒径が小さい粒子、すなわち100nm程度以下のシリコン粒子についての回収が効果的に実施できる。このことは、高い回収率でナノ粒子を製造可能であることを示している。回収率としては、従来の5倍程度が可能である。上記例では従来の3倍程度が期待できる。
なお、上記実施例2では、蒸発源として、電気抵抗加熱方式の装置を用いているが、これに限らず電子ビーム方式、熱プラズマ方式、レーザアブレーション方式を用いることもできる。
(実施例3)
図5、図6を参照して、実施例3のナノ粒子製造装置及びナノ粒子製造方法について説明する。図5は実施例3に係わるナノ粒子製造装置の構成図及び図6は図5に示した装置内部における熱の流線を示す概念図である。
図5、図6を参照して、実施例3のナノ粒子製造装置及びナノ粒子製造方法について説明する。図5は実施例3に係わるナノ粒子製造装置の構成図及び図6は図5に示した装置内部における熱の流線を示す概念図である。
先ず、装置の構成を図5および図6を参照して説明する。図中の符番は、図1ないし図4と同部材は同符番を付している。図5および図6において、符番1は真空容器で、形状は円筒である。この真空容器1には、後述の原料ガス3をプラズマ化するプラズマ発生装置が設置されている。すなわち、第1の電極2aと第2の電極2bからなる一対の電極が、それぞれ、絶縁物支持材26a、26b及び金属支持材27a、27bで真空容器1に固着さている。該第1及び第2の電極2a,2bには直径2mm〜10mm程度の多数の小孔が開口率40%〜60%で配置されている。そして、該一対の電極2a,2bには、真空用電流導入端子25a,25b、同軸ケーブル23a、23b、23c及びインピーダンス整合器24を用いて、高周波電源22の出力が供給される。高周波電源22の周波数は13.56MHzでも良いが、30MHzないし300MHzのVHF帯域の周波数の方が、生成されるプラズマの密度が高いので、ナノ粒子製造に適している。なお、一対の電極2a,2bなどから構成のプラズマ発生装置は、原料ガスが、無機化合物気体、有機化合物気体及び金属化合物気体のいずれの場合においても、それらの気体を容易にプラズマ処理可能で、気相から直接微粒子を製造できることは公知である。
また、この真空容器1には、メッシュヒータ4が配置されている。該メッシュヒータ4には、真空用電流導入端子5a,5bを介して電力供給線21、トランス20および電源6(50、あるいは60Hzの電源)が接続され、それを250〜600℃の範囲で任意に設定できる。なお、予め、メッシュヒータ4の温度と電源6の出力の関係を、予備試験にてデータとして取得しておき、そのデータを基に、該電源6の出力を調整することによりメッシュヒータ4の温度が設定される。該メッシュヒータ4は、上記一対の電極2a,2b間でプラズマ化された原料ガス及びプラズマ中に存在するSi粒子等を加熱する。なお、上記高温度メッシュヒータ4は、ガス分子を直接加熱可能であることに加えて、一対の電極2a,2bを輻射加熱できるので、メッシュヒータ4と一対の電極2a,2bが熱源となっている。
また、この真空容器1には、第1及び第2の高温筒体13a,13bが配置される。該第1及び第2の高温筒体13a,13bは、それぞれ、図示しない高温筒体温度測定計にてモニターしながら、図示しない第1及び第2の真空用電流端子を介して図示しない第1及び第2の電源より加熱用電力が供給される。そして、該高温筒体13a,13bの温度を独立に、約200ないし1、000℃の範囲に設定できる。なお、第2の高温筒体13bはメッシュヒータ4にと対向する位置に設置されている。
符番3は原料ガスで、例えばシリコンを含む無機化合物気体のシラン(SiH4)ガスで、図示しない原料ガス供給装置から供給され、第5のバルブ11、原料ガス供給管10を介して、真空容器1内に導入される。なお、原料ガスには、製造目的のナノ粒子の材料により、有機化合物気体及び金属化合物気体を用いることができる。符番7a及び7bは第1及び第2の真空ポンプで、それぞれ、真空容器1内部のガスを排気する。なお、第1の真空ポンプ7aは、真空容器1の大気を排出すために用いられ、第2の真空ポンプ7bは原料ガス及びプラズマで生成されたシリコン系粒子の中の大粒径の粒子を排出するために用いられる。また、図示しない真空計が設置されており、該真空計により、第1及び第2の真空ポンプ7a,7bは稼動させられる。符番8a及び8bは第1及び第2のバルブで、それぞれ、第1及び第2の真空ポンプ7a,7bと真空容器1の間の流路の開閉を行う。即ち、第1及び第2のバルブ8a、8bと第1及び第2の真空ポンプ7a、7bと第1及び第2の排気管9a、9bを組み合わせて使用することにより、真空容器1内部の排気が行われる。
符番12はナノ粒子を含むプラズマ生成物及び原料ガスの流線で、原料ガス3が一対の電極2a,2b間でプラズマ化され、シリコン微粒子等混在しているガスの主流を示す。なお、圧力が大気圧以下に減圧されると、ガスの流れは真空容器1の内部全体に拡散して流れる。符番14a、14bは、第1及び第2の回収手段で、後述の冷却装置15a、15bと組み合わせて使用される。符番15a、15bは冷却装置で、上記第1及び第2の回収手段14a、14bの温度をマイナス約20℃ないしプラス約200℃の範囲に設定できる。符番16a,16bは第3及び第4のバルブで、それぞれ、第1及び第2の回収手段14a,14bを真空容器1内部へ開放する、あるいは遮蔽する機能を有する。
符番17a、17bは真空容器1内部の第1および第2の熱流線で、それぞれ、メッシュヒータ4を始点とし、第1及び第2の回収手段14a,14bを終点とする熱の流れを示している。符番18a、18bは第3および第4の熱流線で、それぞれ、第2の高温筒体13bを始点とし、第1及び第2の回収手段14a,14bを終点とする熱の流れを示している。
次に、上記図5及び図6に図示のナノ粒子製造装置を用いて、粒径10〜100nm級のシリコンナノ粒子を製造する方法を説明する。図5及び図6において、予め、第2、第3、第4及び第5のバルブ8b,16a,16b、11を閉、第1のバルブ8aを開とし、第1の真空ポンプ7aを稼動させ、真空容器1内の大気及び不純物ガスを排気する。図示しない真空計で圧力を測定し、該圧力が1.0E−6Torr(1.33E−4Pa)程度に到達したら、第1及び第2の高温筒体13a,13bの温度をそれぞれ、350℃、300℃に設定する。なお、温度設定には、予備試験で取得しているデータを基に電源6の出力を設定する。なお、これらの温度設定は図示しない高温筒体温度測定計にてモニターしながら、図示しない第1及び第2の真空用電流端子を介して図示しない第1及び第2の電源より加熱用電力を供給することで実施される。そして、メッシュヒータ4の温度を350℃に設定する。この場合、上記真空用電流導入端子5a,5b、電力供給線21及びトランス20を介して接続されている電源6(50、あるいは60Hzの電源)から電力を供給することにより、メッシュヒータ4の温度を所定の値に設定できる。が接続され、それを250〜600℃の範囲で任意に設定できる。なお、予め、メッシュヒータ4の温度と電源6の出力の関係を、予備試験にてデータとして取得しておき、そのデータを基に、該電源6の出力を調整することによりメッシュヒータ4の温度が設定される。
上記第1及び第2の高温筒体13a,13bの温度がそれぞれ、350℃,300℃に、メッシュヒータ4の温度が350℃に設定されれば、真空容器1内部の熱の流れ即ち熱流線の形状は、図6図示の熱流線17a,17b、18a,18bのようになる。この場合、該第1及び第2の高温筒体13a,13bを高温に維持しているので、前記一対の電極2a,2b間で生成されたナノ粒子及び生成物質の熱輻射による温度低下が抑制され、かつ該高温度の空洞体による輻射熱による熱泳動力によりナノ粒子群の該空洞体への付着が防止される。その結果、該プラズマ発生装置から該回収装置までの距離が長い条件下におけるナノ粒子製造においても、ナノ粒子回収効率の低下を抑制した製造が可能でなる。
上記温度設定が終了した後、該真空容器1内の圧力が1.0E−6Torr(1.33E−4Pa)程度に維持されていることを確認し、上記第1のバルブ8aを閉とする。そして、第2の真空ポンプ7bを稼動させ、第2のバルフ8bを開とする。そして、第5のバルブを開にして、原料ガスのシラン(SiH4)ガスを流量100sccm〜1、500sccm程度、例えば250sccmとして、真空容器1に導入する。圧力は0.01Torr〜10Torr(1.33Pa〜1,330Pa)程度、例えば5Torr(667.5Pa)にする。なお、圧力調整は上記第2の真空ポンプ7aの前段に付属の図示しない圧力調整弁により自動的に所定の値に調整、設定される。
上記原料ガス3の真空容器1への導入後、原料ガスをプラズマ発生装置によりプラズマ処理する。すなわち、絶縁物支持材26a、26b及び金属支持材27a、27bで固着されている第1の電極2a及び第2の電極2bに、真空用電流導入端子25a,25b、同軸ケーブル23a、23b、23c及びインピーダンス整合器24を用いて、高周波電源22の出力を供給する。該高周波電源22の周波数は例えば60MHzで、出力は200Wないし3000Wで、例えば500Wto設定する。そうすると、上記原料ガスのSiH4ガスは一対の電極2a,2b間でプラズマ化される。SiH4ガスがプラズマ化されると、そのプラズマ中にはSiH3,SiH2,SiH等のラジカル種が生成され、気相中にて、微結晶Si及び多結晶Si等の微粒子が製造される。なお、一般に、圧力が高い場合や一対の電極に供給する電力が大きい場合に、微結晶Si及び多結晶Si等の微粒子の生成効率が高いということが公知である。
上記状態を保ちつつ、第3及び第4のバルブ16a,16bを開として、第1及び第2の回収手段14a,14bを真空容器1内部に曝す。
上記プラズマ処理された原料ガスは図5図示のガスの流れ12のように、原料ガス供給の上流側から排気管9bの方向へ流れていく。その流れに乗って浮遊している微粒子、すなわちエアロゾル状粒子に働く力は、概略、次の3つに分けられる。すなわち、第1に、粒径の大きい粒子には、ガス速度の2乗と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例する力が働く、第2に、粒径の小さい粒子には、ガス速度と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例する力が働く、第3に、粒子周辺に温度勾配が存在する場合、その温度勾配に比例した力(熱泳動力:高温度側から低温度側に向かって働く力)が働く、すなわち、ガスに浮遊の微粒子にはガスの温度場と真空容器内壁等からの輻射加熱場の両方で決まる温度場で形成される温度勾配にも強く影響される。すなわち、粒子直径の大きい粒子はガス流れに乗って流れの下流側へ移動しやすく、粒子直径の小さい粒子は流れには影響されないで、熱泳動力により移動されるという現象がある。したがって、上記真空容器1の圧力及び温度条件の下であれば、粒径10〜100nm級の微結晶Si及び多結晶Si等のシリコン粒子はその大部分が、温度勾配の高い道筋、即ち熱流速線17a,17b,18a,18bに沿って移動し、熱流速線の終点の位置にある第1及び第2の回収手段14a,14bに到達し、付着する。ナノ粒子の製造時間は、特に制限はないが、例えば数時間、2時間程度とする。
ナノ粒子の製造プロセスを一端終了させるには、上記状態において、第5のバルブ11を閉にする。そして、高周波電源22の出力を零にする。その後、第3及び第4のバルブを閉にして、第1及び第2の回収手段14a,14bを取り外す。第1及び第2の回収手段14a,14bに付着したナノ粒子を刷毛で拭いてサンプル瓶に収納する。
なお、上記製造装置の操作条件中、特にメッシュヒータ4の温度、SiH4の流量、アシストガスとしてのH2混入流量、真空容器内圧力および高周波電源22の出力は重要なパラメータなので、上記回収率をより一層高く、かつ高品質で粒径均一性の高い100nm級以下のシリコン粒子を製造するにはそれらの適正化が必要である。
以上説明したように、上記装置および方法によれば、一対の電極2a,2b間で生成されたプラズマ反応生成物の中で比較的大粒径の微粒子には、ガス速度の2条と粒子の流れ方向での投影断面積との積に比例する力が大きく作用するので、未反応ガス及び反応生成ガスの流れに沿って排気される。他方、プラズマ反応生成物の中で比較的小粒径の微粒子は未反応ガス及び反応生成ガスの流れに乗って流される力はガス速度と粒子の流れ方向での投影断面積の積に比例する程度で強くないので、微粒子周辺のガスの温度勾配に比例した力(熱泳動力:高温度側から低温度側に向かって働く力)が支配的となる。そのため、真空容器1内部の第1および第2の熱流線17a、17b及び第3および第4の熱流線18a、18bに沿って移動する。その結果、小粒径の微粒子すなわち100nm級以下の粒子は第1及び第2の回収手段14a,14bに到達し、付着する。
また。前記真空容器1内に開口を備えた空洞体13aを設置して該空洞体を高温に維持することによりプラズマ反応生成物の温度を制御することが可能である。すなわち、前記一対の電極2a,2b間で生成されたプラズマ反応生成物の熱輻射による温度低下が抑制され、かつ該高温度の空洞体13aからの輻射熱による熱泳動力によりプラズマ反応生成物の該空洞体13aへの付着が防止される。その結果、一対の電極2a,2bから該回収装置までの距離が長い条件下におけるナノ粒子製造においても、ナノ粒子回収効率の低下を抑制した製造が可能となる。
したがって、粒径が小さい粒子、すなわち100nm程度以下のシリコン粒子についての回収が効果的に実施できる。このことは、高い回収率でナノ粒子を製造可能であることを示している。回収率としては、従来の5倍程度が可能である。上記例では従来の3倍程度が期待できる。
なお、上記実施例3では、ナノ粒子生成源として、無機化合物気体を一対の電極2a,2b間でプラズマ処理する方法を用いているが、ガスには有機化合物気体及び有機金属化合物気体等を用い、またプラズマ装置にはマイクロ波プラズマ装置及び誘導結合方式プラズマ装置等を用いても良い。
1...真空容器、
2...るつぼ、
3...粉末原料供給装置、
4...ヒータ、
5...真空用電流端子、
6...第1の電源、
7a,7b,7c...第1、第2及び第3の真空ポンプ、
8a、8b,8c...第1、第2及び第3のバルブ、
9a、9b,9c...第1、第2及び第3の排気管、
10a、10b、10c...不活性ガス導入管、
11...第4のバルブ、
12...不活性ガスの流線、
13a,13b,13c...第1、第2及び第3の開口を備えた高温空洞体、
14a、14b...第1及び第2の回収手段、
15a、15b...冷却装置、
16a,16b...第5及び第6のバルブ、
17a、17b...第1および第2の熱流線、
18a、18b...第3および第4の熱流線。
2...るつぼ、
3...粉末原料供給装置、
4...ヒータ、
5...真空用電流端子、
6...第1の電源、
7a,7b,7c...第1、第2及び第3の真空ポンプ、
8a、8b,8c...第1、第2及び第3のバルブ、
9a、9b,9c...第1、第2及び第3の排気管、
10a、10b、10c...不活性ガス導入管、
11...第4のバルブ、
12...不活性ガスの流線、
13a,13b,13c...第1、第2及び第3の開口を備えた高温空洞体、
14a、14b...第1及び第2の回収手段、
15a、15b...冷却装置、
16a,16b...第5及び第6のバルブ、
17a、17b...第1および第2の熱流線、
18a、18b...第3および第4の熱流線。
Claims (11)
- 少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造方法において、前記蒸発装置から放出される熱の流れの実質的な終点の位置が前記回収装置内部に合致するように熱の流れの形態を制御することを特徴とするナノ粒子製造方法。
- 少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器に無機化合物気体あるいは有機化合物気体あるいは有機金属化合物気体からなる原料ガスを供給する原料ガス供給系と、該原料ガスをプラズマ処理させるプラズマ発生装置と、該プラズマ発生装置でプラズマ処理された原料ガスからナノ粒子を回収する回収装置を具備し、前記原料ガスを前記プラズマ発生装置でプラズマ処理し、該プラズマ処理された原料ガスを前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造方法において、前記真空容器内の主たる熱発生源を前記プラズマ発生装置内に配置し、かつ該熱発生源から放出される熱の流れの実質的な終点の位置が前記回収装置内部に合致するように熱の流れの形態を制御することを特徴とするナノ粒子製造方法。
- 少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造方法において、前記回収装置の近傍でのガスの流れの方向と熱の流れの方向が実質的に直交するように熱の流れの形態を制御することを特徴とするナノ粒子製造方法。
- 少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原材料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造方法において、前記真空容器内に開口を備えた空洞体を設置して該空洞体を高温に維持し、かつ前記蒸発装置を該空洞体の内部に配置させ、蒸発物質の温度を制御することを特徴とするナノ粒子製造方法。
- 前記回収装置が前記真空容器に複数個配置されることを特徴とする請求項1ないし4記載のナノ粒子製造方法。
- 前記空洞体の温度が、ナノ粒子原料の融点との差が500℃以内になるように設定され、該空洞体内部で生成される蒸発物質のふく射による温度低下を抑制することを特徴とする請求項4記載のナノ粒子製造方法。
- 少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原料を供給する原料供給系と、該原料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造装置において、前記蒸発装置から放出される熱の流れの実質的な終点の位置を前記回収装置内部に合致させるという構成を有することを特徴とするナノ粒子製造装置。
- 少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器に無機化合物気体あるいは有機化合物気体あるいは有機金属化合物気体からなる原料ガスを供給する原料ガス供給系と、該原料ガスをプラズマ処理させるプラズマ発生装置と、該プラズマ発生装置でプラズマ処理された原料ガスからナノ粒子を回収する回収装置を具備し、前記原料ガスを前記プラズマ発生装置でプラズマ処理させ、該プラズマ処理された原料ガスを前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造装置において、前記真空容器内の主たる熱発生源を前記プラズマ発生装置内に配置し、かつ該熱発生源から放出される熱の流れの実質的な終点の位置を前記回収装置内部に合致させるという構成を有することを特徴とするナノ粒子製造装置。
- 少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原材料を供給する原材料供給系と、該原材料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造装置において、前記回収装置の近傍でのガスの流れの方向と熱の流れの方向を実質的に直交させるという構成を有することを特徴とするナノ粒子製造装置。
- 少なくとも、排気系を備えた真空容器と、該真空容器にキャリアガスを供給するガス供給系と、ナノ粒子の原材料を供給する原材料供給系と、該原材料を蒸発させる蒸発装置と、該蒸発装置で蒸発した蒸発物質を回収する回収装置を具備し、前記原材料を前記蒸発装置で蒸発させ、該蒸発物質を前記キャリアガスで前記回収装置近傍に搬送させてナノ粒子を回収するナノ粒子製造装置において、前記真空容器内に開口を備えた空洞体を設置して該空洞体を高温に維持し、かつ前記蒸発装置を該空洞体の内部に配置させるという構成を有することを特徴とするナノ粒子製造装置。
- 前記回収装置が複数個配置されるという構成を有することを特徴とする請求項7ないし10記載のナノ粒子製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004019206A JP2005211730A (ja) | 2004-01-28 | 2004-01-28 | ナノ粒子製造方法およびナノ粒子製造装置 |
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Publications (1)
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JP2005211730A true JP2005211730A (ja) | 2005-08-11 |
Family
ID=34903493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004019206A Pending JP2005211730A (ja) | 2004-01-28 | 2004-01-28 | ナノ粒子製造方法およびナノ粒子製造装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101247968B1 (ko) | 2011-06-17 | 2013-04-03 | 충남대학교산학협력단 | 나노입자 코팅장치, 그를 이용한 코어-쉘 나노입자의 제조방법 및 코팅두께 측정방법 |
KR101364225B1 (ko) | 2012-12-10 | 2014-02-17 | 충남대학교산학협력단 | 상온 상압에서의 전자빔 조사를 이용한 기체상 중공 나노입자의 제조장치 및 제조방법 |
JP5728119B1 (ja) * | 2014-09-30 | 2015-06-03 | 株式会社ジーエル・マテリアルズホールディングス | 異種ナノ粒子の同時製造方法 |
US9309119B2 (en) | 2010-03-24 | 2016-04-12 | Hitachi Metals, Ltd. | Producing method of metal fine particles or metal oxide fine particles, metal fine particles or metal oxide fine particles, and metal-containing paste, and metal film or metal oxide film |
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2004
- 2004-01-28 JP JP2004019206A patent/JP2005211730A/ja active Pending
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