JP2005203761A - 圧電膜素子およびその製造方法ならびに液体吐出ヘッド - Google Patents
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Abstract
【課題】圧電膜を形成する工程で基体との熱膨張差による応力を低減し、応力によるクラックや膜剥がれのない高品質な圧電膜素子を製造する。
【解決手段】例えば液体吐出ヘッドの振動板となる基体11上に、陽極化成等による多孔質シリコン等の多孔質層12を形成し、その上に単結晶薄膜13をエピタキシャル成長させる。単結晶薄膜13上に、下電極14、圧電膜15、上電極16を積層し、加熱処理によって圧電膜15を単結晶化または高配向の多結晶にする。多孔質層12を介在させることで、基体11と圧電膜15の間の熱膨張差による応力を緩和できる。
【選択図】図1
【解決手段】例えば液体吐出ヘッドの振動板となる基体11上に、陽極化成等による多孔質シリコン等の多孔質層12を形成し、その上に単結晶薄膜13をエピタキシャル成長させる。単結晶薄膜13上に、下電極14、圧電膜15、上電極16を積層し、加熱処理によって圧電膜15を単結晶化または高配向の多結晶にする。多孔質層12を介在させることで、基体11と圧電膜15の間の熱膨張差による応力を緩和できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、インクジェットプリンター等液体吐出記録装置の液体吐出ヘッド、マイクロホン、スピーカーなどの発音体、各種振動子や発振子、さらには各種センサー等の駆動部などに適用される圧電膜素子およびその製造方法ならびに液体吐出ヘッドに関するものである。
圧電性を有する誘電体薄膜(圧電膜)を用いた圧電膜素子は従来より、電気エネルギーを機械的エネルギーに変換するエネルギー変換素子として、センサーやアクチュエーターに広く利用されてきており、特に最近の目立った応用例として、インクジェットプリンター等に搭載される液体吐出ヘッドの圧電アクチュエーターがある。
この液体吐出ヘッドの圧電アクチュエーターの圧電膜素子は、一般的に圧電膜とこの圧電膜を挟んで配置された上電極、下電極とから構成されている。圧電膜の組成としては、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)を主成分とする二成分系、またはこの二成分に第三の成分を添加した、三成分系が知られており、また、圧電膜の製法としては、スパッタ法、ゾルゲル法、CVD法などが用いられる。
特許文献1にはこのようなPZTを主成分とする圧電膜、およびインクジェット式記録ヘッドが開示されている。
図5は、特許文献1において開示された一般的な圧電膜素子の膜構成を示すもので、この圧電膜素子は、基体であるシリコン基板101、シリコン熱酸化膜102、下電極103、圧電膜104、上電極105を有し、上、下電極103、105と圧電膜104の間にはそれぞれ密着層103a、105aが設けられる。
近年のインクジェット式プリンターは写真に迫る画質を達成しているが、より一層の画質の向上や、印刷速度の向上を求める消費者のニーズはさらに大きくなっており、液体吐出記録装置の圧電アクチュエーターには、より大きな変位量とともに、低電力化、小型化が求められており、このため、より高い圧電特性を有する圧電膜の開発が望まれている。
圧電膜において良好な圧電定数を得るためには通常500℃から700℃以上で熱処理を行う必要があるが、従来の圧電膜素子においては、図5に示したようにシリコン基板、圧電膜、下電極、上電極など熱膨張係数の異なる物質の積層構造となっており、上述の加熱工程によって熱膨張の差に基づく応力が発生し、これによって圧電膜の圧電性の低下やクラックの発生などを引き起こしていた。基体として、圧電膜と同等の熱膨張係数をもつ材料を用いれば圧電膜への応力は低減できるが、使用できる基板材料、作製プロセスが極めて限定されるという問題点がある。また、基体の厚さを圧電膜と概略同等あるいはそれ以下の厚みにしても応力は低減できるが、数μmから数十μmの厚みとなるため、ハンドリングが極めて困難になり、不可能とはいわないまでも現実的ではない。
応力緩和の一案として、特許文献2においては、下電極を二層以上の金属膜とし、第1層目の金属膜粒子を第2層目の金属膜粒子より小さくする構造が提案されている。この構成により、下電極が基板の反りと反対方向の反りを与えるため、圧電膜への応力を小さくできるとしている。
特開平08−078748号
特開平10−095111号
しかしながら、上記特許文献2に開示された膜構成では、少なくとも圧電膜をアクチュエーターとして使用する際には下電極の厚みを圧電膜と同等以下にする必要があり、通常は0.5μm以下である。これに対して基板の厚みは通常400μm以上であり、下電極によって基板の熱歪みの影響を低減する効果は小さいものであると思われる。
本発明は上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、圧電膜素子の基体と圧電膜との間に多孔質層を介在させることで、基体との熱膨張の差などによって発生する応力を低減し、製造工程における圧電膜の性能劣化および剥がれやクラック等の発生を抑えて、液体吐出ヘッド等の高性能かつ高密度化、低価格化等に貢献できる圧電膜素子およびその製造方法ならびに液体吐出ヘッドを提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するため、本発明の圧電膜素子は、基体と、該基体上に形成された多孔質層と、該多孔質層上に形成された単結晶または単一配向性の薄膜と、該薄膜上に形成された圧電膜と、を有することを特徴とする。
前記基体がシリコンからなり、前記多孔質層が多孔質シリコンからなるとよい。
前記圧電膜と前記薄膜との間に酸化膜層が介在するとよい。
本発明の圧電膜素子の製造方法は、基体上に多孔質層を形成する多孔質形成工程と、前記多孔質層上に単結晶または単一配向性の薄膜をエピタキシャル成長させる工程と、前記薄膜上に圧電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
前記多孔質形成工程が、基体の表面の陽極化成によって多孔質層を形成する工程であるとよい。
前記圧電膜と前記薄膜との間に導電層を設けるとよい。
本発明の液体吐出ヘッドは、圧電駆動力によって圧力発生室内の液体を加圧して吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであって、前記圧力発生室が設けられた流路基板と、該流路基板に前記圧力発生室に対応するように設けられた振動板と、該振動板上に形成された多孔質層と、該多孔質層上に形成された単結晶または単一配向性の薄膜と、該薄膜上に形成された圧電膜と、該圧電膜に電力を供給する電極と、を有することを特徴とする。
圧電膜を単結晶化または高配向の多結晶にするための単結晶または単一配向性の薄膜は、基体上の多孔質層を介して積層された膜であり、単結晶または単一配向性の薄膜の厚さを圧電膜と同等の厚さにできる。加えて、多孔質層が応力緩和層として機能するため、基体からの拘束が弱まり、熱膨張係数の差によって圧電膜に発生する応力を大幅に低減し、高品質な圧電膜を得ることができる。
単結晶または単一配向性の薄膜がシリコンであり、多孔質層が多孔質シリコンであり、基体がシリコンであれば、半導体材料、またMEMSの材料として広く研究され、利用されてきたシリコンを用いることにより、低コスト化を促進できる。また、加工法も広く検討されており、多種多様な加工法を選ぶことができる。
圧電膜と単結晶または単一配向性の薄膜との間に設けられる酸化膜層は、圧電膜を熱処理する際の相互拡散の防止層として有用である。特に圧電材料として、鉛などの拡散しやすい元素を含むものを使用する際に好適である。
また、酸化膜層として配向性の高い膜または単結晶酸化膜を用いると、圧電膜として単結晶を用いる場合に好適である。この酸化膜層に導電性酸化膜を用いて電極とする形態も好ましい。圧電膜が鉛、チタン、ジルコニウムのいずれかもしくは全てを含む圧電膜であれば、すぐれた圧電性能を有する圧電膜を得ることができる。
このように、多孔質層上に単結晶または単一配向性の薄膜を形成し、単結晶または単一配向性の薄膜上に圧電膜を配設することで、圧電膜への応力を低減し、低応力で高性能な圧電膜の形成が可能となる。
多孔質層を形成する方法が陽極化成によるものであれば、所望の密度の多孔質を形成することが可能である。
このように低応力で安定して製造される高品質な圧電膜を用いることで、液体吐出ヘッド等の高精細化や低コスト化等に貢献できる。
図1は第1の実施の形態による圧電膜素子の膜構成を示すもので、単結晶基体11上に、多孔質層12が形成され、多孔質層12上に単結晶または単一配向性の薄膜(以下、「単結晶薄膜」と称する)13が成膜され、その上に下電極14、圧電膜15、上電極16が順次積層される。
図2は第2の実施の形態による圧電膜素子の膜構成を示すもので、単結晶薄膜13と下電極14の間に拡散防止のための酸化膜層23が設けられる。基体11、多孔質層12、単結晶薄膜13、圧電膜15と電極手段である上下電極16、14については第1の実施の形態と同様であるから同一符号で表わし、説明は省略する。
次に、図3に基づいて図1の圧電膜素子の作製工程を説明する。まず図3の(a)に示すように、基体11上に多孔質層12を形成する。多孔質層12の形成方法としては、陽極化成法やゾルゲル法などを用いることができる。多孔質層12の材料としては、多孔質シリコン、多孔質ガリウム砒素、多孔質アルミナ、多孔質酸化チタンなどを用いることができる。また、カーボンまたは未焼結性のセラミックスを含有する材料から構成することもできる。多孔質層12の厚さとしては数μm〜数十μm程度で充分である。
次に図3の(b)に示すように、多孔質層12上にエピタキシャル成長によって単結晶薄膜13を形成する。単結晶薄膜13の膜厚は、圧電膜15の材料、膜厚を考慮して、決定するが、圧電膜15の膜厚と概略同程度以下、好ましくは2μm以下である。この時のエピタキシャル成長法としてはCVD法やPVD法などを用いることができる。また、別基板にエピタキシャル成長によって積層された単結晶を多孔質層12に接合して単結晶薄膜13としてもよい。
また、図2に示すように、単結晶薄膜13上に酸化膜層23が形成されていると、拡散しやすい元素を用いる場合の拡散を防止することができる。また、圧電膜15として配向性の高い膜や、単結晶膜を用いるときに好適である。酸化膜層23の材料としては、SiO2 や、YSZ、MgO、Al2 O3 、LaAlO3 、Ir2 O3 、SRO、STOなどを用いることができる。
単結晶薄膜13を形成した後、図3の(c)に示すように、下電極14、圧電膜15、上電極16を順に形成する。下電極14としては例えばTi膜と白金膜などのような密着層と金属層の組み合わせや、Ir2 O3 などの導電性酸化物結晶などを用いることができるが、圧電膜15の材料、作製方法を考慮して、好ましい材料を選択する。
下電極14を形成した後、圧電膜15を形成する。圧電膜15の材料としては例えばチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)やチタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、あるいはそれらにMn、Nb、La、Ge等の元素を添加したものでもよい。また、単結晶であっても多結晶であってもよい。圧電膜15の形成方法としては、スパッタ法、ゾルゲル法、水熱合成法、CVD法、レーザーアブレーション法、ガスデポジション法などを用いることができる。圧電膜15の形成後、上電極16を形成する。上電極16の材料としては下電極14と同様なものを用いることができる。
図4は、図1の圧電膜素子を搭載する液体吐出ヘッドの構成を示す。図4の(a)に示すように、流路基板であるSi基板からなる本体部1は、吐出口2、圧力発生室3、共通液室4等となる溝を有し、本体部1の上部開口を塞ぐように、圧電膜素子の基体11が接合され、圧電膜15および上電極16は、同図の(b)に示す圧力発生室3の形状に従ってパターニングされる。圧電膜素子の下電極14、上電極16に駆動電力を供給することで圧電膜15に変形歪みを発生させ、振動板である基体11を介して圧力発生室3内の液体を加圧し、吐出口2から吐出する。
本実施例は、図1の膜構成の圧電膜素子において、シリコン基体上に多孔質シリコンを形成し、単結晶シリコンをエピタキシャル成長させた上に多結晶のPZTを形成したものである。まず図3の(a)に示すように、基体11として、厚さ625μmの5インチp型(100)単結晶シリコン基板を用い、49%HF溶液中において陽極化成を行い、多孔質層12となる多孔質シリコン層を形成した。電流密度を100mA/cm2 とした時の多孔質化速度は8.4μm/minであり、約2.5分間陽極化成を行って20μmの厚みの多孔質層を得た。次に図3の(b)に示すように、多孔質層12の上にCVD法により単結晶シリコンを2μmエピタキシャル成長し、シリコンの単結晶薄膜13とした。エピタキシャル成長条件は以下の通りである。
使用ガス:SiH4 /H2
ガス流量:0.62/140(1/min)
温度:750℃
圧力:10640Pa
成長レート:0.12μm/min
ガス流量:0.62/140(1/min)
温度:750℃
圧力:10640Pa
成長レート:0.12μm/min
次に、拡散防止のために、水蒸気雰囲気中で1100℃の熱処理を行い、エピタキシャル層である単結晶薄膜13上に0.1μm厚さの図示しない熱酸化膜を形成した。
続いて、図3の(c)に示すように、下電極14、圧電膜15、上電極16を順次形成した。まず、下電極14としてTiを4nm、Ptを150nm、スパッタ法により順次積層した。スパッタ条件は以下の通りである。
RF周波数:13.56MHz
RFパワー:300W
スパッタ圧力:0.67Pa
Ar流量:30sccm
RFパワー:300W
スパッタ圧力:0.67Pa
Ar流量:30sccm
この条件において、Tiの成膜レートは略4.8nm/minであり、Ptの成膜レートは略14nm/minであった。次にPZTをスパッタ法により略3μm成膜した。PZTのスパッタ条件を以下に示す。
RF周波数:13.56MHz
RFパワー:200W
スパッタ圧力:3Pa
Ar流量:50sccm
RFパワー:200W
スパッタ圧力:3Pa
Ar流量:50sccm
この条件におけるPZTの成膜レートは略5.5nm/minであった。スパッタ法で成膜した後、酸素雰囲気中で700℃の熱処理を5時間行い、圧電膜15を形成した。この圧電性を有するPZT膜をX線回折で評価したところ、高配向の多結晶であることが確認された。最後にTiを4nm、Ptを150nm、スパッタ法によって順に積層し、上電極16とした。スパッタ条件は下電極14と同じである。
本実施例は、図2に示す膜構成の圧電膜素子において、シリコン基体上に多孔質シリコンを形成し、単結晶シリコンをエピタキシャル成長させた上に単結晶のPZTを形成したものである。図2における基体11は、625μm厚の5インチp型(100)シリコン、多孔質層12は多孔質シリコン、単結晶薄膜13はエピタキシャル成長された単結晶シリコン、下電極14は導電性酸化物単結晶、圧電膜15は単結晶PZT、その上に上電極16が形成される。
実施例1と同様に、p型シリコンの基体11をHF溶液中で陽極化成し、多孔質シリコンからなる多孔質層12を形成した。多孔質シリコン層の厚み、陽極化成の条件は実施例1と同じである。次に実施例1と同様にして厚さ2μmのエピタキシャル単結晶(100)シリコン膜からなる単結晶膜13を形成した。次に酸化膜層23として(100)YSZを800℃でスパッタ成膜し、40℃以上の冷却速度で冷却し、単結晶YSZを0.3μm形成した。
その後、下電極14としてスパッタ法により(111)Ptを0.5μm形成し、その上に(111)PT、(111)PZTを順次600℃で形成し、3.5μmの厚さの圧電膜15とした。また、このとき、(100)YSZからなる酸化膜層23とエピタキシャル単結晶(100)シリコン膜からなる単結晶薄膜13の界面には0.02μmのSiO2 が形成されていた。また、X線回折法によって圧電膜15の結晶性を調べたところ、(111)配向が99%以上の単結晶PZTであることを確認した。最後に上電極16として、Tiを4nm、Ptを150nm、スパッタ法によって積層した。
上記の実施例1および実施例2において、基体上に形成された多孔質層を介在させることで、基体との熱膨張係数の違いなどによって圧電膜に発生する応力が低減され、製造工程における圧電膜の剥がれやクラックの発生等を効果的に回避して、すぐれた圧電特性を有する圧電膜素子を高密度で安定して製造できる。このような圧電膜素子を圧電アクチュエーターとして搭載することで、液体吐出ヘッドの高性能化、高精細化、低価格化に貢献できる。
1 本体部
2 吐出口
3 圧力発生室
4 共通液室
11 基体
12 多孔質層
13 単結晶薄膜
14 下電極
15 圧電膜
16 上電極
23 酸化膜層
2 吐出口
3 圧力発生室
4 共通液室
11 基体
12 多孔質層
13 単結晶薄膜
14 下電極
15 圧電膜
16 上電極
23 酸化膜層
Claims (7)
- 基体と、該基体上に形成された多孔質層と、該多孔質層上に形成された単結晶または単一配向性の薄膜と、該薄膜上に形成された圧電膜と、を有することを特徴とする圧電膜素子。
- 前記基体がシリコンからなり、前記多孔質層が多孔質シリコンからなることを特徴とする請求項1記載の圧電膜素子。
- 前記圧電膜と前記薄膜との間に酸化膜層が介在することを特徴とする請求項1記載の圧電膜素子。
- 基体上に多孔質層を形成する多孔質形成工程と、
前記多孔質層上に単結晶または単一配向性の薄膜をエピタキシャル成長させる工程と、
前記薄膜上に圧電膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする圧電膜素子の製造方法。 - 前記多孔質形成工程が、基体の表面の陽極化成によって多孔質層を形成する工程であることを特徴とする請求項4記載の圧電膜素子の製造方法。
- 前記圧電膜と前記薄膜との間に導電層を設けることを特徴とする請求項4記載の圧電膜素子の製造方法。
- 圧電駆動力によって圧力発生室内の液体を加圧して吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであって、
前記圧力発生室が設けられた流路基板と、該流路基板に前記圧力発生室に対応するように設けられた振動板と、該振動板上に形成された多孔質層と、該多孔質層上に形成された単結晶または単一配向性の薄膜と、該薄膜上に形成された圧電膜と、該圧電膜に電力を供給する電極と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッド。
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2004
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