JP2005203490A - プラズマ処理装置及び電極 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 真空処理室101と、真空処理室101内にガスを供給する手段と、プラズマ生成手段107と、ウエハ104を載置する電極103とを備えるプラズマ処理装置において、電極103の移動を可能とする構造と、該電極にバイアス電力を供給する構造と、電極を温調する媒体を輸送する構造とを有する支持軸121を備える。
【選択図】 図1
Description
本発明のプラズマ処理装置及び電極の一実施例について、図1、図2を使って説明する。図1はUHF−ECRを用いたプラズマエッチング装置の概略断面図である。ここで101は真空処理室で、石英窓102はUHF電磁界を真空処理室101内に通過させるために設けられ、電極103は石英窓102に対向して真空処理室101内に配置され、半導体集積回路が形成されるウエハ104を載置し、バイアス電圧を発生させるための高周波電源105が接続されている。また、電極103にはウエハ104を冷却するための冷却液を循環供給する温調液循環器106が接続されている。アンテナ107は石英窓102に連結されUHF電源110からの電磁界を真空処理室101内に導入する。ソレノイドコイル108は真空処理室101内に磁場を形成する。ガス分散板109はエッチングレシピにしたがってマスフローコントローラ110から供給されたガスを真空処理室内101に分散させ均一に導入する。
103…電極
104…ウエハ
121…電極支持軸
123…べローズ
123、124…べローズ
126、127…コイルチューブ
Claims (7)
- 真空処理室と、該真空処理室内にガスを供給する手段と、プラズマ生成手段と、ウエハを載置する電極とを備えるプラズマ処理装置において、
前記電極の移動を可能とする構造と、該電極にバイアス電力を供給する構造と、該電極を温調する媒体を輸送する構造とを有する支持軸を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
上記支持軸は、軸断面が同心円形状であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
上記電力供給構造の絶縁が電極を温調する媒体によって行われることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
上記支持軸は、電圧の異なる2系統以上のバイアス電力供給構造を有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
上記支持軸外から種類の異なる2系統以上の制御された伝熱媒体を供給する構造を有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置において、
上記ウエハと電極間への伝熱媒体ガスの供給を上記支持軸外から行うことを特徴とするプラズマ処理装置。 - プラズマ処理装置に使用され、ウエハを載置する電極において、
電極の移動を可能とする構造と、電極にバイアス電力を供給する構造と、電極を温調する媒体を輸送する構造とを有する支持軸を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置用電極。
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