JP2005203391A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ゲート電極がP型であるPチャネルトレンチMOSFETの製造方法において、ゲート電極を多結晶シリコン膜上に絶縁膜を形成してボロンイオン注入を行いその後絶縁膜を除去する工程を複数回行って形成することで、動作が安定でかつ高品質なPチャネルトレンチMOSFETを提供することが可能となる。
【選択図】 図4
Description
(1) N型の半導体基板内にトレンチを形成する工程と、該トレンチ内面上にゲート酸化膜を形成する工程と、前記半導体基板に第1の多結晶シリコン膜を被着する工程と、前記第1の多結晶シリコン膜上に第1の絶縁膜を形成する工程と、イオン注入法により前記第1の多結晶シリコン膜中にボロンイオンを導入する工程と、前記第1の絶縁膜を除去する工程と、前記第1の多結晶シリコン膜上に第2の多結晶シリコン膜を被着する工程と、前記第2の多結晶シリコン膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、イオン注入法により前記第2の多結晶シリコン膜中にボロンイオンを導入する工程と、前記第2の絶縁膜を除去する工程と、前記第2の多結晶シリコン膜上に第3の多結晶シリコン膜を被着する工程と、前記第3の多結晶シリコン膜上に第3の絶縁膜を形成する工程と、イオン注入法により前記第3の多結晶シリコン膜中にボロンイオンを導入する工程と、前記第3の絶縁膜を除去する工程と、からなることを特徴とするPチャネルMOSFETの製造方法とした。
(2) 前記第1、第2および第3の多結晶シリコン膜の膜厚は300nmから400nmであることを特徴とするPチャネルMOSFETの製造方法とした。
(3) 前記第1、第2および第3の多結晶シリコン膜に導入するボロンのド−ズ量は1×1015/cm2から7×1015/cm2であることを特徴とするPチャネルMOSFETの半導体装置製造方法とした。
(4) 前記第1、第2および第3の絶縁膜はCVD法による100nmから300nmの膜厚である酸化膜であることを特徴とするPチャネルMOSFETの製造方法とした。
102、202 低濃度ドリフト層
103、203 トレンチ
104、204 ゲート絶縁膜
105、205 第1の多結晶シリコン
106 第1の絶縁膜
107 第2の多結晶シリコン
108 第2の絶縁膜
109 第3の多結晶シリコン
110 第3の絶縁膜
Claims (4)
- N型の半導体基板内にトレンチを形成する工程と、
該トレンチ内面上にゲート酸化膜を形成する工程と、
前記半導体基板に第1の多結晶シリコン膜を被着する工程と、
前記第1の多結晶シリコン膜上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
イオン注入法により前記第1の多結晶シリコン膜中にボロンイオンを導入する工程と、
前記第1の絶縁膜を除去する工程と、
前記第1の多結晶シリコン膜上に第2の多結晶シリコン膜を被着する工程と、
前記第2の多結晶シリコン膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
イオン注入法により前記第2の多結晶シリコン膜中にボロンイオンを導入する工程と、
前記第2の絶縁膜を除去する工程と、
前記第2の多結晶シリコン膜上に第3の多結晶シリコン膜を被着する工程と、
前記第3の多結晶シリコン膜上に第3の絶縁膜を形成する工程と、
イオン注入法により前記第3の多結晶シリコン膜中にボロンイオンを導入する工程と、
前記第3の絶縁膜を除去する工程と、からなることを特徴とするPチャネルMOSFETの製造方法。 - 前記第1、第2および第3の多結晶シリコン膜の膜厚は300nmから400nmである請求項1記載のPチャネルMOSFETの製造方法。
- 前記第1、第2および第3の多結晶シリコン膜に導入するボロンのド−ズ量は1×1015/cm2から7×1015/cm2である請求項1記載のPチャネルMOSFETの製造方法。
- 前記第1、第2および第3の絶縁膜はCVD法による100nmから300nmの膜厚である酸化膜である請求項1記載のPチャネルMOSFETの製造方法。
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