JP2005200714A - メッキ浴用添加剤 - Google Patents
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Abstract
【課題】ヒドロキシアルカンスルホン酸を含有するメッキ浴にて半導体デバイスなどの電子部品をメッキしても、回路間絶縁が不良となるなどの問題を起因することのない、メッキ浴用添加剤及びメッキ浴を提供する。
【解決手段】ヒドロキシアルカンスルホン酸を主成分とするメッキ浴用添加剤であって、ヒドロキシアルカンスルホン酸に対するアルカリ金属分の存在量が0.05質量%未満であることを特徴とするメッキ浴用添加剤及びそれを配合したメッキ浴。
【解決手段】ヒドロキシアルカンスルホン酸を主成分とするメッキ浴用添加剤であって、ヒドロキシアルカンスルホン酸に対するアルカリ金属分の存在量が0.05質量%未満であることを特徴とするメッキ浴用添加剤及びそれを配合したメッキ浴。
Description
本発明は、ヒドロキシアルカンスルホン酸を主成分とするメッキ浴用添加剤に関するものであり、さらにこのメッキ浴用添加剤を用いたメッキ浴に関するものである。
従来よりヒドロキシアルカンスルホン酸は各種メッキ浴の成分として用いられており、例えば特許文献1では、ハンダ付け性向上用皮膜やエッチングレジスト用皮膜としてスズ鉛合金電気メッキのためのメッキ浴成分として用いられている。
また特許文献2では、電子部品へのメッキまたは半導体ウエハ表面へのPb−Sn合金突起電極形成のためのメッキ浴成分として用いられている。
また、特許文献3では、銀又は銀合金メッキのためのメッキ浴成分として用いられている。
また特許文献4では、無電解スズ−ビスマス合金メッキ浴のためのメッキ浴成分として用いられている。
しかしながら、従来供給されている一般的なヒドロキシアルカンスルホン酸は、例えばイセチオン酸であればエチレンオキシドに亜硫酸水素ナトリウムを作用させナトリウム塩として得られ(非特許文献1参照)、イオン交換してアルカリ金属分を除き酸として使用されている。
一方、ヒドロキシアルカンスルホン酸を含有するメッキ浴にて半導体デバイスなどの電子部品をメッキした際、電子部品における回路間絶縁が不良となる場合があるなどの問題が起こることがあった。
従って、本発明の目的は、ヒドロキシアルカンスルホン酸を含有するメッキ浴にて半導体デバイスなどの電子部品をメッキしても、回路間絶縁が不良となるなどの問題を起因することのない、メッキ浴用添加剤及びメッキ浴を提供することにある。
本発明者らは上記に鑑み鋭意研究の結果、メッキ浴中にアルカリ金属が存在すると、メッキ後に被メッキ物表面を工業的に許容される範囲の経済性を有する洗浄を行ってもアルカリ金属が残存し、その結果電子部品における回路間絶縁が不良となる場合があることを見出し本発明に到達した。
即ち本発明は、ヒドロキシアルカンスルホン酸を主成分とするメッキ浴用添加剤であって、ヒドロキシアルカンスルホン酸に対するアルカリ金属分の存在量が0.05質量%未満であることを特徴とする、メッキ浴用添加剤である。
また本発明は、ヒドロキシアルカンスルホン酸がイセチオン酸である上記のメッキ浴用添加剤である。
また本発明は、ヒドロキシアルカンスルホン酸が、ヒドロキシアルキルメルカプタンを過酸化水素を用いて酸化する方法により得られたものである上記のメッキ浴用添加剤である。
また本発明は、上記のメッキ浴用添加剤を配合したことを特徴とするメッキ浴である。
本発明により、ヒドロキシアルカンスルホン酸を含有するメッキ浴にて半導体デバイスなどの電子部品をメッキしても、電子部品における回路間絶縁が不良となるなどの問題を起因することのない、メッキ浴用添加剤及びメッキ浴が提供される。
本発明のメッキ浴用添加剤は、ヒドロキシアルカンスルホン酸を主成分とし、ヒドロキシアルカンスルホン酸に対するアルカリ金属分の存在量が0.05質量%未満であるものである。
ヒドロキシアルカンスルホン酸は特に限定されるものではないが、一般式 HO−R−SO3H (式中、Rは炭素原子数1〜12の炭化水素基であって、水酸基はRの任意の位置にあってよい)で表される化合物が好ましく、具体的には、例えば、2−ヒドロキシエタン−1−スルホン酸(イセチオン酸)、2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸、1−ヒドロキシプロパン−2−スルホン酸、3−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシブタン−1−スルホン酸、4−ヒドロキシブタン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシペンタン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシヘキサン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシデカン−1−スルホン酸などを例示することができ、特に2−ヒドロキシエタン−1−スルホン酸(イセチオン酸)がメッキ浴用添加剤として好ましい。
ヒドロキシアルカンスルホン酸を得る方法は任意であり特に限定されないが、例えばイセチオン酸を例に説明すると、一般的な製法、即ち、エチレンオキシドに亜硫酸水素ナトリウムを作用させナトリウム塩として得、イオン交換してアルカリ金属分を除きイセチオン酸を得るに際して、アルカリ金属分が0.05質量%未満となるまでイオン交換処理操作を繰り返して、アルカリ金属分をヒドロキシアルカンスルホン酸に対して0.05質量%未満とすればよい。
また、特開平10−204052に記載のように、ヒドロキシアルキルメルカプタンを過酸化水素を用いて酸化する方法は、アルカリ金属を使用しないので、より効率的にアルカリ金属分が0.05質量%未満であるヒドロキシアルカンスルホン酸を得ることができるので好ましい。
本発明のメッキ浴用添加剤は、メッキ浴に対して添加するヒドロキシアルカンスルホン酸成分として有用でありメッキ浴用添加剤中のヒドロキシアルカンスルホン酸含量は任意である。本発明のメッキ浴には、ヒドロキシアルカンスルホン酸以外にもメッキ浴に添加することを所望する他の成分を配合することができるが、ヒドロキシアルカンスルホン酸に対してアルカリ金属分が0.05質量%以上とならないようにすることが必要である。
メッキ浴に添加することを所望する他の成分としては任意であるが、一例を示すと、酸化防止剤(例えばカテコール、ハイドロキノン、アルコルビン酸など)、光沢剤ないし光沢助剤(例えばベンズアルデヒド、ホルマリン、グリオキザールなど)、錯化剤(例えばEDTA、エチレンジアミン、クエン酸など)、均一化剤としての非イオン性界面活性剤(例えばポリエチレングリコール、オキシエチレンオキシプロピレンブロックコポリマー、アルキルフェノールエチレンオキシド付加物、高級アルコールエチレンオキシド付加物、多価アルコール脂肪酸エステル、脂肪酸アルカノールアマイドなど)、酸化防止助剤ないし平滑剤(チオ尿素、エチレンチオ尿素、チオグリコール酸など)などを挙げることができる。
次に本発明のメッキ浴は、上記した本発明のメッキ浴用添加剤を配合したメッキ浴であり、ヒドロキシアルカンスルホン酸の他は、従来、ヒドロキシアルカンスルホン酸を含有するメッキ浴の成分として知られている成分を通常の使用量の範囲で任意に配合すればよく、またヒドロキシアルカンスルホン酸の使用量としても従来知られている範囲とすればよい。
従って、本発明のメッキ浴中のヒドロキシアルカンスルホン酸の成分は使用者の所望により任意に選択することができ、特に限定されるものではないが、例えば、メッキを所望する金属のイオンを供給する化合物(例えば、銅、錫、銀及びその塩、酸化物などの単独若しくは複数)をはじめ、無機酸、有機酸、酸化剤、還元剤、界面活性剤、pH調整剤、緩衝剤、平滑剤、応力緩和剤、安定剤、錯化剤(キレート剤)、光沢剤、半光沢剤、酸化防止剤、分散剤、均一化剤、その他メッキ浴に配合して使用することが知られている添加剤を挙げることができ、上記本発明のメッキ浴用添加剤に配合できる任意成分も配合できる。
以下に本発明の実施例を挙げ更に本発明を説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。
〔実施例1〕
内部冷却器、攪拌装置、溶媒留去の為の開閉コックの付いた冷却器及び液体導入装置を備えたガラス製反応装置に、60質量%の過酸化水素357g(6.3mol)を加えた後、攪拌しつつ、156g(2.0mol)の2−メルカプトエタノールを0.4mL/分で液体導入口から連続でフィードした。この間、液温は冷却器への冷却水量を調節して45℃に保持した。2−メルカプトエタノールの添加終了後、室温で10時間攪拌を継続した。この反応液に、試料導入管より窒素ガスを吹き込み、蒸気の一部を系外に除去しながら、攪拌下、常圧で110℃に加熱して5時間保持した。この反応液を、イオン交換樹脂(デュオライト A−561:住友化学製)200mLを充填した35mmφの塔に、塔頂より(ダウンフロー)SV0.5で通液して精製し、54.0質量%のイセチオン酸水溶液(収量241.6g:収率95.9%)を得た。このイセチオン酸水溶液中からアルカリ金属分は検出されなかった(検出限界10ppb)。
内部冷却器、攪拌装置、溶媒留去の為の開閉コックの付いた冷却器及び液体導入装置を備えたガラス製反応装置に、60質量%の過酸化水素357g(6.3mol)を加えた後、攪拌しつつ、156g(2.0mol)の2−メルカプトエタノールを0.4mL/分で液体導入口から連続でフィードした。この間、液温は冷却器への冷却水量を調節して45℃に保持した。2−メルカプトエタノールの添加終了後、室温で10時間攪拌を継続した。この反応液に、試料導入管より窒素ガスを吹き込み、蒸気の一部を系外に除去しながら、攪拌下、常圧で110℃に加熱して5時間保持した。この反応液を、イオン交換樹脂(デュオライト A−561:住友化学製)200mLを充填した35mmφの塔に、塔頂より(ダウンフロー)SV0.5で通液して精製し、54.0質量%のイセチオン酸水溶液(収量241.6g:収率95.9%)を得た。このイセチオン酸水溶液中からアルカリ金属分は検出されなかった(検出限界10ppb)。
このイセチオン酸水溶液を本発明のメッキ浴用添加剤(1)とした。
〔比較例1及び実施例2〕
市販のイセチオン酸ナトリウム(青木油脂工業製)の43質量%水溶液を調製し、これをイオン交換樹脂(モノスフィア630C_H:ダウケミカル社製)82mLを充填した30mmφの塔に、塔頂より(ダウンフロー)SV1.0で通液して精製し、イセチオン酸に対して5質量%のナトリウム含量である、10質量%のイセチオン酸水溶液を得た。これをイセチオン濃度40質量%まで濃縮したものを比較メッキ浴用添加剤(1)とした。
市販のイセチオン酸ナトリウム(青木油脂工業製)の43質量%水溶液を調製し、これをイオン交換樹脂(モノスフィア630C_H:ダウケミカル社製)82mLを充填した30mmφの塔に、塔頂より(ダウンフロー)SV1.0で通液して精製し、イセチオン酸に対して5質量%のナトリウム含量である、10質量%のイセチオン酸水溶液を得た。これをイセチオン濃度40質量%まで濃縮したものを比較メッキ浴用添加剤(1)とした。
イオン交換樹脂を常法により再生したのち比較メッキ浴用添加剤(1)に同様の精製操作を2回繰り返して、イセチオン酸に対して0.03質量%のナトリウム含量である、7.0質量%のイセチオン酸水溶液を得た。これをイセチオン酸濃度40質量%まで濃縮したものを本発明のメッキ浴用添加剤(2)とした。
〔実施例3〕
2−メルカプトエタノールを2−メルカプトプロパノールに替えたほかは実施例1と同様にして、49.2質量%の2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸水溶液を得た。この2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸水溶液中からアルカリ金属分は検出されなかった。
2−メルカプトエタノールを2−メルカプトプロパノールに替えたほかは実施例1と同様にして、49.2質量%の2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸水溶液を得た。この2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸水溶液中からアルカリ金属分は検出されなかった。
この2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸水溶液を本発明のメッキ浴用添加剤(3)とした。
〔実施例4、比較例2〕
実施例1〜3で得た本発明のメッキ浴用添加剤及び比較例1で得た比較メッキ浴用添加剤を用いて表1に記載した組成の水溶液として各メッキ浴(Snメッキ用メッキ浴)を得た。
実施例1〜3で得た本発明のメッキ浴用添加剤及び比較例1で得た比較メッキ浴用添加剤を用いて表1に記載した組成の水溶液として各メッキ浴(Snメッキ用メッキ浴)を得た。
一方、シリコンウエハ上に2系統の隣接する銅回路を形成し、各銅回路に上記各メッキ浴を用いてSnメッキを施した後、これら回路間の絶縁性を試験したところ、本発明の各メッキ浴を使用した場合は絶縁性良好であったが、比較例2で得た比較メッキ浴用添加剤を用いたメッキ浴の場合は絶縁性が不良であった。
Claims (4)
- ヒドロキシアルカンスルホン酸を主成分とするメッキ浴用添加剤であって、ヒドロキシアルカンスルホン酸に対するアルカリ金属分の存在量が0.05質量%未満であることを特徴とする、メッキ浴用添加剤。
- ヒドロキシアルカンスルホン酸がイセチオン酸である、請求項1に記載のメッキ浴用添加剤。
- ヒドロキシアルカンスルホン酸が、ヒドロキシアルキルメルカプタンを過酸化水素を用いて酸化する方法により得られたものである請求項1又は請求項2に記載のメッキ浴用添加剤。
- 請求項1〜3の何れか1項に記載のメッキ浴用添加剤を配合したことを特徴とするメッキ浴。
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