JP2005199227A - 描画方法、描画装置、デバイス及び電子機器 - Google Patents
描画方法、描画装置、デバイス及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005199227A JP2005199227A JP2004010422A JP2004010422A JP2005199227A JP 2005199227 A JP2005199227 A JP 2005199227A JP 2004010422 A JP2004010422 A JP 2004010422A JP 2004010422 A JP2004010422 A JP 2004010422A JP 2005199227 A JP2005199227 A JP 2005199227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- droplet
- reference plate
- relative position
- ejection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 184
- 239000000463 material Substances 0.000 description 50
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 45
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- -1 silane compound Chemical class 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 16
- 239000002585 base Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- GLZPCOQZEFWAFX-UHFFFAOYSA-N Geraniol Chemical compound CC(C)=CCCC(C)=CCO GLZPCOQZEFWAFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRMNZCZEMHIOCP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethanol Chemical compound OCCC1=CC=CC=C1 WRMNZCZEMHIOCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- QMVPMAAFGQKVCJ-UHFFFAOYSA-N citronellol Chemical compound OCCC(C)CCC=C(C)C QMVPMAAFGQKVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N tridecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCC IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical class C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QMVPMAAFGQKVCJ-SNVBAGLBSA-N (R)-(+)-citronellol Natural products OCC[C@H](C)CCC=C(C)C QMVPMAAFGQKVCJ-SNVBAGLBSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- AXPZDYVDTMMLNB-UHFFFAOYSA-N Benzyl ethyl ether Chemical compound CCOCC1=CC=CC=C1 AXPZDYVDTMMLNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLZPCOQZEFWAFX-YFHOEESVSA-N Geraniol Natural products CC(C)=CCC\C(C)=C/CO GLZPCOQZEFWAFX-YFHOEESVSA-N 0.000 description 1
- 239000005792 Geraniol Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- GLZPCOQZEFWAFX-JXMROGBWSA-N Nerol Natural products CC(C)=CCC\C(C)=C\CO GLZPCOQZEFWAFX-JXMROGBWSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- JGQFVRIQXUFPAH-UHFFFAOYSA-N beta-citronellol Natural products OCCC(C)CCCC(C)=C JGQFVRIQXUFPAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULBTUVJTXULMLP-UHFFFAOYSA-N butyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCCC ULBTUVJTXULMLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000000484 citronellol Nutrition 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N dodecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- QYDYPVFESGNLHU-UHFFFAOYSA-N elaidic acid methyl ester Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(=O)OC QYDYPVFESGNLHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229940113087 geraniol Drugs 0.000 description 1
- 125000005456 glyceride group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QYDYPVFESGNLHU-KHPPLWFESA-N methyl oleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC QYDYPVFESGNLHU-KHPPLWFESA-N 0.000 description 1
- 229940073769 methyl oleate Drugs 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002895 organic esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002897 organic nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 125000001834 xanthenyl group Chemical class C1=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3C(C12)* 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Ink Jet (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
【解決手段】 吐出ヘッドから基板に向けて液滴を吐出してパターンを描画する方法において、液滴が着弾すべき目標位置が複数規定された基準板に向けて液滴を吐出する予備液滴吐出工程S102と、目標位置と液滴の着弾位置とのずれ量を検出する検出工程S103〜S105と、ずれ量に基づいて基板と吐出ヘッドとの相対位置誤差を求める誤差算出工程S106と、基板に向けて液滴を吐出するに先立って、基板と吐出ヘッドとの相対位置を相対位置誤差に基づいて変化させる補正工程S108,S123とを有する。
【選択図】 図6
Description
このため、特開2003−127392号公報に示すように、吐出ヘッドを高精度に組付けることにより、液状材料の着弾精度を向上させる技術が提案されている。
第1の発明は、吐出ヘッド(22)から基板(P)に向けて液滴(D)を吐出してパターンを描画する方法において、液滴が着弾すべき目標位置が複数規定された基準板(Z)に向けて液滴を吐出する予備液滴吐出工程(S102)と、目標位置と液滴の着弾位置とのずれ量を検出する検出工程(S103〜S105)と、ずれ量に基づいて基準板と吐出ヘッドとの相対位置誤差を求める誤差算出工程(S106)と、基板に向けて液滴を吐出するに先立って、基板と吐出ヘッドとの相対位置を相対位置誤差に基づいて変化させる補正工程(S108,S123)とを有するようにした。この発明によれば、吐出ヘッドと基板との相対位置が、液滴が基板の所定位置に着弾するように調整(補正)されるので、基板上に精度良く所定のパターンを形成することができる。
上に形成された複数のマーク(M)から求められるものでは、マーク上に液滴が着弾しないので、マークと液滴との相対位置を視覚的方法によって正確に求めることができる。
また、検出工程(S103〜S105)が基準板(Z)上に着弾した液滴(D)と複数のマーク(M)とを含む画像を取得する工程(S103)と、該画像に基づいて目標位置と液滴の着弾位置とのずれ量を求める工程(S104,S105)とからなるものでは、基準板上に着弾した液滴と複数のマークとを含む画像を画像処理することにより、容易にマークと液滴との相対位置を正確に求めることができる。
また、検出工程(S103〜S105)が、吐出ヘッド(22)から吐出される複数の液滴(D)毎に行われるものでは、吐出ヘッドと基板との相対位置誤差をより正確に求めることができる。特に、複数の液滴のずれ量より、吐出ヘッドと基板との回転方向の相対位置誤差も求めることができる。
以下、本発明の描画装置について図を参照しながら説明する。
図1は本発明の描画装置100を示す斜視図である。
描画装置100は、図1に示すように、基板P又は基準板Z上に液状材料を所定のパターンで供給可能な液滴吐出装置(インクジェット装置)であり、水平に設置されたベース12と、ベース12上に設けられて基板P又は基準板Zを支持するステージ38と、ベース12とステージ38との間に介在してステージ38を移動可能に支持する第1移動装置30と、ステージ38に支持されている基板P又は基準板Zに対して所定の材料を含む液状材料の液滴Dを定量的に吐出(滴下)可能な吐出ヘッドユニット20と、吐出ヘッドユニット20を移動可能に支持する第2移動装置40とを備える。
更に、吐出ヘッドユニット20から吐出した液滴Dが基準板Zに着弾した位置を検出するためのカメラと、吐出ヘッドユニット20の吐出動作や第1移動装置30及び第2移動装置40の移動動作を含む描画装置100の動作等を制御する制御装置60とを備える。
なお、ベース12の前後方向に沿った方向をY方向、これに対してベース12の左右方向に沿った方向をX方向とする。また、X方向及びY方向に垂直な方向をZ方向、Z軸回りの回転方法をθz方向とする。
そして、制御装置60からの指示により、第1移動装置30を駆動することにより、スライダー34をガイドレール32に沿ってY方向に移動させて、位置決めすることができる。
また、スライダー34上には、Z軸回り(θz)用のモータ36を介してステージ38が支持される。モータ(補正部)36は、例えばダイレクトドライブモータであり、モータ36を駆動することによりステージ38をスライダー34に対して微少にθz方向に回転させることができる。
すなわち、第1移動装置30は、ステージ38をY方向及びθz方向に移動可能に支持する。
そして、ステージ38は、基板P又は基準板Zを保持するものであり、ステージ38の上面に設けた不図示の吸着保持装置により、基板P又は基準板Zをステージ38の上に吸着保持する。
そして、制御装置60からの指示により、第2移動装置40を駆動することにより、スライダー44をガイドレール42に沿ってX方向に移動させて、位置決めすることができる。
第2移動装置40によるスライダー44の移動方向であるフィード方向は、第1移動装置30によるスライダー34の移動方向であるスキャン方向と直交する方向である。
そして、モータ46を作動することにより、吐出ヘッドユニット20をZ方向に沿って微少に上下移動して位置決め可能である。モータ(補正部)48を作動することにより、吐出ヘッドユニット20をZ軸回り(θz方向)に微少回転して位置決め可能である。
すなわち、第2移動装置40は、吐出ヘッドユニット20をX方向に移動可能に支持するとともに、吐出ヘッドユニット20をZ方向、θz方向に微動可能に支持する。これにより、吐出ヘッドユニット20の液滴吐出面をステージ38上に戴置した基板P又は基準板Zに対して正確に位置合わせすることができる。
なお、吐出ヘッドユニット20の液滴吐出面と基板P又は基準板Zの上面とを1mm以下に近接させることにより、吐出した液滴の飛行曲りを抑えて、液滴の配置精度の向上が図られる。
吐出ヘッドユニット20は、3つの吐出ヘッド22(22R,22G,22B)から構成され、これら3つの吐出ヘッド22のそれぞれから異種又は同種の液状材料が吐出されるようになっている。
吐出ヘッド22R,22G,22Bは同一構成であって、各吐出ヘッド22R,22G,22Bは一列または複数列に配列された複数のノズル(ノズル穴)211を有している。例えば、吐出ヘッド22の解像度が180dpi(1インチ当たり180点(ドット))の場合には、ノズル穴211が約141μm間隔に180個並べて形成される。なお、ノズル穴211は、エッチング法等により金属板に形成されるので、正確な位置に配置される。
そして、各吐出ヘッド22R,22G,22Bは、キャリッジ24に所定の組付け精度以内に収まるように組み付けられて、吐出ヘッドユニット20として一体的に構成される。
図3に示すように、吐出ヘッド22(22R,22G,22B)は、ノズル穴211を有するノズルプレート210と、振動板230を有する圧力室基板220と、これらノズルプレート210と振動板230とを嵌めこんで支持する筐体250とを備えている。吐出ヘッド22の主要部構造は、図4に示すように、圧力室基板220をノズルプレート210と振動板230とで挟み込んだ構造を備える。ノズルプレート210には、圧力室基板220と貼り合わせられたときにキャビティ(圧力室)221に対応することとなる位置にノズル穴(ノズル)211が形成されている。圧力室基板220には、シリコン単結晶基板等をエッチングすることにより、各々が圧力室として機能可能にキャビティ221が複数設けられている。キャビティ221どうしの間は側壁(隔壁)222で分離されている。各キャビティ221は供給口224を介して共通の流路であるリザーバ223に繋がっている。振動板230は、例えば熱酸化膜等により構成される。振動板230には液状材料タンク口231が設けられ、不図示のタンク(液状材料収容部)からパイプ(流路)を通して任意の液状材料を供給可能に構成されている。振動板230上のキャビティ221に相当する位置には圧電体素子240が形成されている。圧電体素子240はPZT素子等の圧電性セラミックスの結晶を上部電極および下部電極(図示せず)で挟んだ構造を備える。圧電体素子240は制御装置60から供給される吐出信号に対応して体積変化を発生可能に構成されている。
そして、第2移動装置40を作動させることにより、カメラ50を基準板Z上の任意の位置に移動させ、基準板Zの上面に着弾した液滴Dを含む画像を取得することができる。なお、カメラ50により取得した画像データは、制御装置60のメモリ部64に送られる。
演算部62(ずれ量検出部、誤差算出部、補正部)は、吐出ヘッドユニット20の液状材料の吐出動作や第1移動装置30及び第2移動装置18の移動動作を含む描画装置100の動作を制御する。
また、メモリ部64はカメラ50から送られて画像情報を記憶し、演算部62はその画像を処理して、液滴の着弾精度等を求めるとともに着弾精度を向上させる補正値を求めて、着弾精度の向上を図る。なお、液滴の着弾精度を向上させる方法については、後述する。
ステージ38上に戴置される基準板Zは、液滴の着弾精度を検出するためにのみ用いられる板部材であって、ガラス等の透明材料に図5(a)に示すようなマークMが蒸着法等により予め形成されたものである。マークMは、吐出ヘッドユニット20から基準板Zに吐出される液滴Dと略同程度の大きさに形成される。なお、マークMの形状は、例えば十字形のような形状であってもよい。
そして、マークMは、基準板Zの横方向、縦方法にそれぞれ所定の間隔に配置される。横(X)方向の間隔は、吐出ヘッド22R,22G,22Bのノズル穴211の間隔の2倍の間隔に合わせてある。つまり、吐出ヘッド22R,22G,22Bのノズル間隔は、上述したように約141μmであるため、基準板Zに形成されるマークMの間隔は、約282μm程度となる。
そして、このマークMの(X方向の)列は、Y方向に互い違いに配置される。すなわち、次の段のマーク列はノズル間隔と同一の距離だけX方向にずれた位置に形成される。つまり、図5(a)に示すように、水玉模様状に配置される。
なお、縦(Y)方向のマークMの間隔は、横(X)方向の間隔の半分程度間隔であり、例えば、125μmである。
また、マークMは、基準板Zの全面に形成してもよいし、所定の領域にのみ形成してもよい。例えば、図5(b)のように、マークMを形成する区画AMを所定の間隔を空けて設ける等してもよい。なお、マーク形成区画AMには、マークMが列(X)方向に91個、段方向(Y)方向に14段形成される。すなわち、1つのマーク形成区画AMには、1274個のマークMが形成される。
図6は描画装置100の液滴吐出精度を向上させる手順を示すフローチャート図、図7は基準板Z上に着弾した液滴Dを示す図である。
なお、吐出ヘッド22R,22G,22Bから吐出する液状材料の液滴Dとしては、同一材料であってもよいが、本実施形態では、吐出ヘッド22Rからは赤色Dr、吐出ヘッド22Gからは緑色Dg、吐出ヘッド22Bからは青色Dbの液状材料Dを吐出する場合について説明する。
まず、ステップS101において、不図示の基板ローダにより、基準板Zをステージ38上に戴置する。この際、所定の方法により基準板Zのアライメント処理が行われる。これにより、基準板Zは、ステージ上に精度よく位置決めされる。
なお、後工程においてステージ38上に戴置される基板Pも同様にアライメント処理を経るので、基準板Zと基板Pとは略同一位置に戴置される。
しかしながら、このアライメント処理に常に一定の誤差が含まる場合がある。また吐出ヘッドユニット20と第2移動装置40との組付誤差が存在する場合がある。このため、基準板Z或いは基板Pと吐出ヘッドユニット20とは、一定の相対位置誤差を有する。
具体的には、まず、第1移動装置18により吐出ヘッドユニット20をX方向の所定位置、例えば最も外側(−X側)に移動させて、基準板Zに形成したマーク形成区画AMへの吐出に備える。
次に、第1移動装置30により基準板Zを所定の一定速度にてY方向に移動させ、吐出ヘッドユニット20から直下に搬送される基準板Zのマーク形成区画AMの所定位置に向けて液滴Dを吐出する。
なお、図7に示すように、液滴DはマークMとマークMの間に吐出される。マークMの間隔は、ノズル穴211の間隔の2倍に合わせてあるので、一つおき(例えば奇数番目)のノズル穴211から液滴Dを吐出する。つまり、90個のノズル穴211から液滴Dを吐出する。
そして、Y方向(マークMの段方向)に移動しつつ、赤色Dr、緑色Dg、青色Dbの順に液滴Dを吐出する。なお、Y方向(マークMの段方向)の液滴Dの間隔は、マークMの段方向の間隔の2倍(125μmの2倍)に合わせられる。
更に、先に液滴Dを吐出したノズル穴211とは異なる(例えば偶数番目の)90個のノズル穴211から液滴Dを吐出する。同様に、これらのノズル穴211からも、赤色Dr、緑色Dg、青色Dbの順に、マークMの段方向の2倍の間隔に合わせて液滴Dを吐出する。
これにより、1つのマーク形成区画AMへの液滴吐出作業が完了する。この液滴吐出作業の際、吐出ヘッドユニット20のX方向、θz方向の位置、基準板Zのθz方向の位置は、一定に保たれる。
そして、基準板ZをY方向に移動させて、次のマーク形成区画AMへの液滴吐出作業を行い、基準板ZのY方向への移動(走査)が完了したら、吐出ヘッドユニット20を+X方向に所定量だけ移動させ、再度、基準板ZをY方向に送って、上述した吐出作業を行う。
すなわち、第1移動装置30により基準板ZをY方向に走査移動させつつ、第2移動装置40により吐出ヘッドユニット20をX方向にステップ移動させて、基準板Zに形成した全てのマーク形成区画AMに赤色Dr、緑色Dg、青色Dbの液滴Dを着弾させる。
なお、液滴DをマークM上に吐出しなかったのは、マークMが赤色Dr、緑色Dg、青色Dbの液滴Dに隠れてしまい、カメラ50でマークMを認識することが困難になってしまうからである。また、一つ置きのノズル穴211から液滴Dを吐出させたのは、ノズル穴211の間隔が狭いため、液滴Dをカメラ50で画像認識した際に隣接する液滴Dを誤検出してしまうおそれがあるからである。したがって、誤検出の可能性が殆どないのであれば、上述した吐出工程において、全てのノズル穴211から液滴Dを同時に吐出させてもよい(この場合、基準板Z上のマークMをノズル穴211と同一の間隔に形成する必要がある。)。
更に、ステップS105において、液滴Dの列における2点以上の液滴Dのずれ量から、マークMの列と着弾した液滴Dの列との傾き、すなわちθz方向のずれ量(Δθz)を求める。例えば、基準板Zの中央付近のマーク形成区画AMに着弾した液滴Dから求める。なお、マークMの列と着弾した液滴Dの列との傾きは、吐出ヘッド22R,22G,22B毎(液滴Dの色毎)に求める。
例えば、吐出ヘッド22Rの場合には、θz方向のずれ量(Δθzr)はステップS105で求めた液滴Dの列の傾きの値のうち、ヘッド22Rから吐出した値の平均値である。X方向とY方向のずれ量(ΔXr,ΔYr)は、90個の液滴DをそれぞれΔθzr回転させたとして計算した後のX方向とY方向のずれ量(ΔXd、ΔYd)の平均値である。
ここで、計算上の回転中心は、吐出ヘッドユニット20の回転中心またはステージ38の回転中心である。補正の際には、吐出ヘッドユニット20とステージ38のどちらか、もしくは両方を動かすが、補正の仕方によって計算した後のX方向とY方向のずれ量(ΔXd、ΔYd)は違う値となる。
ヘッド22G,22Bについても同様にずれ量を求める。
まず、ステップS121において、基板ローダにより基板Pをステージ38上に精度よく戴置する。上述したように、基板Pは、ステージ38上の基準板Zの戴置位置と同一位置に精度よく戴置される。
更に、ステップS123において、メモリ部64に記憶した補正値(−Xh,−Yh,−θzh)を第1移動装置30、第2移動装置18、モータ36,48に送り、吐出ヘッドユニット20と基板Pとの相対位置を変化させる。つまり、基準板Zにより求めた吐出ヘッドユニット20との補正値をそのまま基板Pにおける補正値として適用する。
その後、ステップS124において、吐出ヘッドユニット20に吐出信号(Spr,Spg,Spg)を送り、基板P上に液滴Dを吐出する描画作業を行う。
そして、ステップS125において、パターン描画が完了したか否かを判断する。すなわち、ステップS122からステップS124を繰り返し、基板P上に所定のパターンを形成する。
最後に、ステップS126において、ステージ38から基板Pを搬出することにより、パターン描画工程が完了する。
なお、基板Pと吐出ヘッドユニット20とのX方向の相対位置を変化させるためには、第2移動装置40により微少移動させる。また、基板Pと吐出ヘッドユニット20とのY方向の相対位置を変化させるためには、第1移動装置30により微少移動させる場合の他、制御装置60から吐出ヘッドユニット20への吐出信号の指令タイミングを変化させてもよい。また、基板Pと吐出ヘッドユニット20とのθz方向の相対位置を変化させるためには、モータ36,48のいずれを駆動してもよい。また、モータ36,48の両方をそれぞれ駆動してもよい。
また、吐出ヘッド22が1つのみの場合には、吐出ヘッド22Rと基準板Zとの相対位置誤差が、吐出ヘッドユニット20と基準板Zとの相対位置誤差になるので、ステップS107を省けばよい。
更に、上述した実施形態では、各吐出ヘッド22が1つのノズル列を有する場合について説明したが、各吐出ヘッド22が複数のノズル列を有する場合には、各ノズル列をそれぞれ1つの吐出ヘッド22と想定して、上述した実施形態と同様の処理を行えばよい。
以下の説明では、一例として、有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置600及びこれを駆動するTFT(薄膜トランジスタ)を製造する手順を示す。
また、上述したように、EL表示装置600の製造に先立って、基準板Zに液滴Dを吐出して補正値(−Xh,−Yh,−θzh)を求めておく。そして、基板Pに対して液滴Dを吐出する際に、基板Pと吐出ヘッドユニット20との相対位置を補正して、正確な位置に液滴Dを吐出する。
そして、基板Pに対してこれら複数の吐出ヘッド22のうち、吐出ヘッド22Rから第1の材料を含む液状材料を吐出した後これを乾燥(焼成)し、次いで吐出ヘッド22Gから第2の材料を含む液状材料を第1の材料層に対して吐出した後これを乾燥(焼成)し、以下、複数の吐出ヘッドを用いて同様の処理を行うことにより、基板P上に複数の材料層が積層され、多層配線パターンが形成されるようになっている。
一方、走査線311に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路304が設けられている。また、画素領域ARの各々には、走査線311を介して走査信号がゲート電極に供給される第1の薄膜トランジスタ322と、この第1の薄膜トランジスタ322を介して信号線312から供給される画像信号を保持する保持容量capと、保持容量capによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第2の薄膜トランジスタ324と、この第2の薄膜トランジスタ324を介して共通給電線313に電気的に接続したときに共通給電線313から駆動電流が流れ込む画素電極323と、この画素電極(陽極)323と対向電極(陰極)522との間に挟み込まれる発光部(発光層)360とが設けられている。
はじめに、基板P上にシリコン層541を形成する。シリコン層541を形成する際には、まず、図11(a)に示すように、基板Pの表面にTEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約200〜500nmのシリコン酸化膜からなる下地保護層581を形成する。
また、ゲート絶縁層582をCVD法で形成する際の反応ガスは、Si2H6+O3の他に、Si2H6+O2、Si3H8+O3、Si3H8+O2としてもよい。更に、上記の反応ガスに加えて、B(ホウ素)含有の反応ガス、F(フッ素)含有の反応ガスを用いてもよい。
更に、第1層間絶縁層583の形成工程を、ゲート絶縁層582の形成工程と同様、インクジェット法によって行ってもよい。第1層間絶縁層583を形成するための吐出ヘッドから吐出させる液状材料としては、ゲート絶縁層582同様、SiO2等の材料を適当な溶媒に分散してペースト化したものや、絶縁性材料含有ゾルなどが挙げられる。絶縁性材料含有ゾルとしては、テトラエトキシシラン等のシラン化合物をエタノール等の適当な溶媒に溶かしたものや、アルミニウムのキレート塩、有機アルカリ金属塩または有機アルカリ土類金属塩等を含有する組成物で、焼成すると無機酸化物のみになるように調合したものでもよい。インクジェット法によって形成された第1層間絶縁層583は、この後、予備乾燥される。
第1層間絶縁層583はインクジェット法によって形成される。ここで、描画装置100の制御装置60は、図12(a)に示すように、ドレイン電極544の上面に非吐出領域(非滴下領域)Hを設定し、ドレイン電極544のうち非吐出領域H以外の部分、ソース電極543及び第1層間絶縁層583を覆うように、第2層間絶縁層584を形成するための液状材料を吐出し、第2層間絶縁層584を形成する。こうすることによって、コンタクトホール323aが形成される。あるいは、コンタクトホール323aをフォトリソグラフィ法で形成してもよい。
すなわち、基材(第3絶縁層等を含む基板P)を所定温度(例えば70〜80度程度)に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理(O2プラズマ処理)を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で4フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理(CF4プラズマ処理)を行い、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。なお、画素電極323の電極面についても、このCF4プラズマ処理の影響を多少受けるが、画素電極323の材料であるITO等はフッ素に対する親和性に乏しいため、親液化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。
金属としては、金属ペーストの用途によって銀、金、ニッケル、インジウム、錫、鉛、亜鉛、チタン、銅、クロム、タンタル、タングステン、パラジウム、白金、鉄、コバルト、ホウ素、ケイ素、アルミニウム、マグネシウム、スカンジウム、ロジウム、イリジウム、バナジウム、ルテニウム、オスミウム、ニオブ、ビスマス、バリウムなどのうち少なくとも1種の金属又はこれらの合金が挙げられる。また、酸化銀(AgO又はAg2O)や酸化銅なども挙げられる。
図13(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図13(a)において、携帯電話1000(電子機器800)は、上記の有機EL表示装置600を用いた表示部1001を備える。
図13(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図13(b)において、腕時計1100(電子機器800)は、上記の有機EL表示装置600を用いた表示部1101を備える。
図13(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図13(c)において、情報処理装置1200(電子機器800)は、キーボードなどの入力部1202、情報処理装置本体1204、上記の有機EL表示装置600を用いた表示部1206を備える。
図13(d)は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図13(d)において、薄型大画面テレビ(電子機器)1300は、薄型大画面テレビ本体(筐体)1302、スピーカーなどの音声出力部1304、上記の有機EL表示装置600を用いた表示部1306を備える。
以上のように、図13(a)〜(d)に示す電子機器800は、上記実施の形態の有機EL表示装置600を表示部1001,1101,1206,1306として備えているので、表示品位に優れ、明るい画面を備えた電子機器800となる。
Claims (9)
- 吐出ヘッドと基板とを相対移動させつつ、前記吐出ヘッドから前記基板に向けて液滴を吐出してパターンを描画する方法において、
前記液滴が着弾すべき目標位置が複数規定された基準板に向けて前記液滴を吐出する予備液滴吐出工程と、
前記目標位置と前記液滴の着弾位置とのずれ量を検出する検出工程と、
前記ずれ量に基づいて前記基準板と前記吐出ヘッドとの相対位置誤差を求める誤差算出工程と、
前記基板に向けて前記液滴を吐出するに先立って、前記基板と前記吐出ヘッドとの相対位置を前記相対位置誤差に基づいて変化させる補正工程と、
を有することを特徴とする描画方法。 - 一体的に構成された複数の吐出ヘッドと基板とを相対移動させつつ、前記吐出ヘッドのそれぞれから前記基板に向けて液滴を吐出してパターンを描画する方法において、
前記液滴が着弾すべき目標位置が複数規定された基準板に向けて前記吐出ヘッドのそれぞれから前記液滴を吐出する予備液滴吐出工程と、
前記目標位置と前記液滴の着弾位置とのずれ量を検出する検出工程と、
前記ずれ量に基づいて前記基準板と前記吐出ヘッドのそれぞれとの相対位置誤差を求める誤差算出工程と、
前記吐出ヘッド毎に求められた前記相対位置誤差の平均値を求める平均値算出工程と、
前記基板に向けて前記液滴を吐出するに先立って、前記基板と前記吐出ヘッドとの相対位置を前記平均値に基づいて変化させる補正工程と、
を有することを特徴とする描画方法。 - 前記目標位置は、前記吐出ヘッドのノズルの間隔に合わせて前記基準板上に形成された複数のマークから求められることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の描画方法。
- 前記検出工程は、前記基準板上に着弾した前記液滴と前記複数のマークとを含む画像を取得する工程と、前記画像に基づいて前記目標位置と前記液滴の着弾位置とのずれ量を求める工程とからなることを特徴とする請求項3に記載の描画方法。
- 前記検出工程は、前記吐出ヘッドから吐出される複数の液滴毎に行われることを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の描画方法。
- 吐出ヘッドと基板とを相対移動させつつ、前記吐出ヘッドから前記基板に向けて液滴を吐出してパターンを描画する装置において、
前記吐出ヘッドのノズルの間隔に合わせて形成された複数のマークを有する基準板と、
前記基準板に着弾した前記液滴と前記マークとを含む画像を取得する画像検出部と、
前記画像から前記液滴が着弾すべき目標位置と前記液滴の着弾位置とのずれ量を検出するずれ量検出部と、
前記ずれ量に基づいて前記基板と前記吐出ヘッドとの相対位置誤差を求める誤差算出部と、
前記基板に向けて前記液滴を吐出するに先立って、前記基板と前記吐出ヘッドとの相対位置を前記相対位置誤差に基づいて変化させる補正部と、
を備えることを特徴とする描画装置。 - 一体的に構成された複数の吐出ヘッドと基板とを相対移動させつつ、前記吐出ヘッドのそれぞれから前記基板に向けて液滴を吐出してパターンを描画する装置において、
前記吐出ヘッドのノズルの間隔に合わせて形成された複数のマークを有する基準板と、
前記基準板に着弾した前記液滴と前記マークとを含む画像を取得する画像検出部と、
前記画像から前記液滴が着弾すべき目標位置と前記液滴の着弾位置とのずれ量を検出するずれ量検出部と、
前記ずれ量に基づいて前記基準板と前記吐出ヘッドのそれぞれとの相対位置誤差を求める誤差算出部と、
前記吐出ヘッド毎に求められた前記相対位置誤差の平均値を求める平均値算出部と、
前記基板に向けて前記液滴を吐出するに先立って、前記基板と前記吐出ヘッドとの相対位置を前記平均値に基づいて変化させる補正部と、
を備えることを特徴とする描画装置。 - 請求項1から請求項6のうちいずれか一項に記載の描画方法、或いは請求項6又は請求項7に記載の描画装置により製造されることを特徴とするデバイス。
- 請求項8に記載のデバイスが搭載されることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004010422A JP4370920B2 (ja) | 2004-01-19 | 2004-01-19 | 描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004010422A JP4370920B2 (ja) | 2004-01-19 | 2004-01-19 | 描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005199227A true JP2005199227A (ja) | 2005-07-28 |
JP4370920B2 JP4370920B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=34823152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004010422A Expired - Lifetime JP4370920B2 (ja) | 2004-01-19 | 2004-01-19 | 描画装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4370920B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007130571A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Seiko Epson Corp | 液滴吐出装置の液滴着弾位置補正方法、液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
JP2007136431A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法及び液滴吐出装置 |
JP2007260571A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Toppan Printing Co Ltd | アライメント装置 |
JP2008012701A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 液滴吐出装置 |
JP2008029941A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Kubota Matsushitadenko Exterior Works Ltd | 塗装建築板及び塗装建築板の塗装状態判定方法 |
JP2008155630A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Palo Alto Research Center Inc | 高いスポット配置精度で印刷する方法 |
JP2009000618A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Seiko Epson Corp | 液状体の吐出方法、有機el素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法 |
JP2009006616A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Brother Ind Ltd | アクチュエータユニット及びその製造方法、液体吐出ヘッド |
JP2011045850A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Casio Computer Co Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
WO2016129443A1 (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 東レエンジニアリング株式会社 | インクジェット塗布方法およびインクジェット塗布装置 |
-
2004
- 2004-01-19 JP JP2004010422A patent/JP4370920B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007130571A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Seiko Epson Corp | 液滴吐出装置の液滴着弾位置補正方法、液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
JP2007136431A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法及び液滴吐出装置 |
JP2007260571A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Toppan Printing Co Ltd | アライメント装置 |
JP2008012701A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 液滴吐出装置 |
JP2008029941A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Kubota Matsushitadenko Exterior Works Ltd | 塗装建築板及び塗装建築板の塗装状態判定方法 |
JP2008155630A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Palo Alto Research Center Inc | 高いスポット配置精度で印刷する方法 |
JP2009000618A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Seiko Epson Corp | 液状体の吐出方法、有機el素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法 |
JP2009006616A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Brother Ind Ltd | アクチュエータユニット及びその製造方法、液体吐出ヘッド |
US7802876B2 (en) | 2007-06-29 | 2010-09-28 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Actuator unit and manufacturing method thereof, and liquid ejection head |
JP2011045850A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Casio Computer Co Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
KR101174575B1 (ko) * | 2009-08-28 | 2012-08-16 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 도포장치 및 도포장치의 구동방법 |
WO2016129443A1 (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 東レエンジニアリング株式会社 | インクジェット塗布方法およびインクジェット塗布装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4370920B2 (ja) | 2009-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3982502B2 (ja) | 描画装置 | |
JP4126996B2 (ja) | デバイスの製造方法及びデバイス製造装置 | |
US7754275B2 (en) | Device, method for manufacturing device, and method for forming film | |
US7896721B2 (en) | Method of manufacturing an organic electroluminescence device using a liquid droplet ejection method | |
JP4232415B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 | |
US20080210944A1 (en) | Ejecting method and ejecting apparatus | |
JP4370920B2 (ja) | 描画装置 | |
US20030146692A1 (en) | Organic EL device and manufacturing method therefor, electrooptic apparatus, and electronic apparatus | |
JP2007227127A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP4232756B2 (ja) | 膜形成装置、電子装置の製造方法及び電気光学装置の製造方法 | |
JP4370919B2 (ja) | 描画装置 | |
JP4788144B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
KR20060049804A (ko) | 표시 장치 및 전자 기기 | |
JP2009259457A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、及び電子機器 | |
JP5076295B2 (ja) | 膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP2008311231A (ja) | 膜形成装置、電子装置の製造方法及び電気光学装置の製造方法 | |
JP4380715B2 (ja) | 描画方法 | |
JP4370918B2 (ja) | 描画装置 | |
JP2004311206A (ja) | 乾燥装置及び方法、el表示デバイスの製造装置及び製造方法、el表示デバイス並びに電子機器 | |
JP2005199173A (ja) | データ構造、描画方法、描画装置、デバイス及び電子機器 | |
JP2004338171A (ja) | 描画装置、描画方法、デバイス及び電子機器 | |
JP2003282561A (ja) | デバイスの製造方法及びデバイス製造装置 | |
JP2005087802A (ja) | 液滴吐出装置、膜構造体の製造方法および膜構造体、デバイスおよび電子機器 | |
JP2009054522A (ja) | 表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法 | |
JP2005000786A (ja) | 描画装置、描画方法、デバイス及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20061229 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090507 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090703 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090703 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090811 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090824 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4370920 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130911 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |