JP2005196168A - 平板表示素子の製造方法及び装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 本発明の目的は、フォト工程を行わない方法で、パターニング工程を実行し、工程時間を減らしてパターン不良を最小化するようにした平板表示素子の製造方法及び装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明の平板表示素子の製造方法及び装置は、エッチレジストとの反発力が大きい反発層が表面に形成されたソフトモールドを利用して平板表示素子の薄膜をパターニングする。
【選択図】図2

Description

本発明は平板(flat panel)表示素子に関し、特にフォト工程を行わない方法で、パターニング工程を実行して工程時間を減らし、パターン不良を最小化するようにした平板表示素子の製造方法及び装置に関する。
最近の情報化社会において、表示素子は、視覚情報伝達媒体として、の重要度がさらに増してきている。これまで主流であった陰極線管(Cathode Ray Tube)またはブラウン管は重量及び容積が大きいという問題点がある。
平板表示素子には液晶表示素子(Liquid Crystal Display : LCD)、電界放出表示素子(Field Emission Display : FED)、プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel : PDP)及び電界発光素子(Electroluminescence : EL)などがあり、これらの大部分が実用化されて市販されている。
液晶表示素子は電子製品の軽薄短小の趨勢を満足することができる上、生産性が向上しているため、多くの応用分野で急速に陰極線管に取って代わっている。
特に、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor : 以下、”TFT”という)を利用して液晶セルを駆動するアクティブマトリックスタイプの液晶表示素子は画質が良好で消費電力が低いという長所があり、最近の生産技術の確立と研究開発の成果により、大型化及び高解像度化が急速に進んでいる。
このようなアクティブマトリックスタイプの液晶表示素子においては、図1のように液晶層15を間に置いてカラーフィルター基板22とTFTアレイ基板23が合着される。図1に図示された液晶表示素子は全体有効画面の一部を示したものである。
カラーフィルター基板22においては、上部硝子基板12の背面にカラーフィルター13及び共通電極14が形成される。上部硝子基板12の前面には偏光板11が配置される。カラーフィルター13には赤(R)、緑(G)及び青(B)色のカラーフィルター層が配置され、特定波長帶域の光を透過させることによって、カラー表示ができるようにする。各色のカラーフィルター13の間には図示しないブラックマトリックス(Black Matrix)が形成される。
TFTアレイ基板23においては、下部硝子基板16の前面にデータライン19とゲートライン18が相互に交差して、その交差部にTFT20が形成される。さらに下部硝子基板16の前面においては、データライン19とゲートライン18の間のセル領域に画素電極21が形成される。TFT20はゲートライン18からのスキャニング信号に応答してデータライン19と画素電極21の間のデータ送信パスを切り替えることによって画素電極21を駆動する。TFTアレイ基板23の背面には偏光板17が配置される。
液晶層15は自身に印加された電界によりTFTアレイ基板23を経由して入射される光の透過量を調節する。
カラーフィルター基板22とTFT基板23上に配置された偏光板(11,17)は、ある一方向に偏光された光を透過させるようになっており、液晶15が90゜TN モードである時、その偏光方向は互いに直交するようになる。
カラーフィルター基板22とアレイTFT基板23の液晶対向面には図示しない背向膜が形成される。
アクティブマトリックスタイプの液晶表示素子を製造するための製造工程は基板洗浄、基板パターニング工程、背向膜形成/ラビング工程、基板合着/液晶注入工程、実裝工程、検査工程、リペア(Repair)工程などに分けられる。基板洗浄工程は、液晶表示素子の基板表面に付着した異物質を洗浄により除去する。基板パターニング工程は、カラーフィルター基板のパターニング工程と TFTアレイ基板のパターニング工程とに分けられて実施される。背向膜形成/ラビング工程はカラーフィルター基板とTFTアレイ基板のそれぞれに背向膜を塗布してその背向膜をラビング布などにラビングする。基板合着/液晶注入工程はシール材(Sealant)を利用してカラーフィルター基板とTFTアレイ基板とを合着して液晶注入口を通じて液晶とスペーサとを注入した後、その液晶注入口を封止する。実裝工程は、ゲートドライブ集積回路及びデータドライブ集積回路などの集積回路が実裝されたテープキャリアパッケージ(Tape Carrier Package : 以下、”TCP”という)を基板上のパッド部に接続させるものである。このようなドライブ集積回路は、前述のTCPを利用したテープ自動ボンディング(Tape Automated Bonding)方式以外にチップオンガラス(Chip On Glass ; 以下、”COG”という)方式などで基板上に直接実裝することもできる。検査工程は、TFTアレイ基板にデータラインとゲートラインなどの信号配線と画素電極が形成された後に実施される電気的検査と、基板合着/液晶注入工程後に実施される電気的検査及び肉眼検査とを含む。リペア工程は、検査工程によりリペアが可能であると判定された基板に対する復元を実施する。検査工程でリペアの不可能な基板は廃棄処分される。
このような液晶表示素子を含んだ大部分の平板表示素子の製造方法において、基板上に積層される薄膜物質はフォトリソグラフィ(Photorithography) 工程においてパターニングされる。フォトリソグラフィ工程は一般的にフォトレジスト(Photoresist)の塗布、マスク整列、露光、現像及び洗浄を含む一連の写真工程である。ところで、このようなフォトリソグラフィ工程は、工程所要時間が長く、フォトレジスト物質とストリップ溶液の浪費が大きくなるため、露光装備などの高価な装備が必要となるという問題点がある。
したがって、本発明の目的は、フォト工程を行わない方法で、パターニング工程を実行し、工程時間を減らしてパターン不良を最小化するようにした平板表示素子の製造方法及び装置を提供することにある。
本発明の目的を達成するために、本発明に係る平板表示素子の製造方法は、薄膜上にエッチレジスト(エッチングレジスト、etch resist)を塗布する段階と、エッチレジストとの対向面に薄膜パターン形成のための突出部及びホームを有する、ソフトモールドを形成する段階と、ソフトモールドをエッチレジストに加圧してエッチレジストパターンを薄膜上に形成する段階と、エッチレジストパターンからソフトモールドを分離する段階と、エッチレジストパターンを利用して薄膜をエッチングして薄膜パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする。
本発明の一実施例によれば、本発明に係る平板表示素子の製造方法において、上記ソフトモールドを形成する段階は、エッチレジストとの対向面上にホームと突出面を形成する段階と、突出面を露光する段階と、露光された領域である突出面にオゾンを供給する段階と、オゾンが供給された突出面を自己組織化物質に露出させる段階とを含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明に係る平板表示素子の製造方法は上記自己組織化物質の末端基に従って突出面の表面が親水性及び疎水性の中である一性質をたたえるようになることを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明に係る平板表示素子の製造方法は、突出面の表面が親水性である場合に、上記末端基は -OH、-COOH、-COHのうちの少なくとも一つであることを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明に係る平板表示素子の製造方法は、突出面の表面が疎水性である場合に、上記末端基は-Cl、-F、-I、-CHのうちの少なくとも一つであることを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明に係る平板表示素子の製造方法において、平板表示素子は、液晶表示素子(LCD)、電界放出表示素子(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)及び電界発光素子(EL)のうちのいずれか一つであることを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明に係る平板表示素子の製造方法は、ソフトモールドをエッチレジストに加圧するうちにエッチレジストをベーキングする段階を含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明に係る平板表示素子の製造方法は、薄膜パターンを形成した後、エッチレジストパターンをストリップする段階を含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明に係る平板表示素子の製造方法は、ソフトモールドを形成する段階が、ソフトモールドの表面処理を通じてソフトモールドの表面上にエッチレジストとの反発力が大きい反発層を形成する段階を含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明に係る平板表示素子の製造方法において、ソフトモールドはポリジメチルシロキサン(Polydimethylsiloxane, PDMS)、ポリウレタン(Polyurethane)、架橋ノボラック樹脂(Cross-linked Novolac resin)のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする。
本発明の平板表示素子の製造装置は、薄膜上にエッチレジストを塗布する装置と、エッチレジストとの対向面に薄膜パターン形成のための突出部及びホームを有し、突出部の表面が表面処理されたソフトモールドと、ソフトモールドをエッチレジストに加圧してエッチレジストパターンを形成し、エッチレジストパターンからソフトモールドを分離し、エッチレジストパターンを利用して薄膜をエッチングして薄膜パターンを形成する装置とを具備することを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明の平板表示素子の製造装置は、ソフトモールドの表面がエッチレジストとの反発力が大きい反発層を具備することを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明の平板表示素子の製造装置は、ソフトモールドの反発層の厚さがおおよそ数十Å程度であることを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明の平板表示素子の製造装置は、ソフトモールドの反発層が疎水性であり、エッチレジストが親水性であることを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明の平板表示素子の製造装置は、ソフトモールドの反発層が-Cl、-F、-I、-CH(アルキル基)のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明の平板表示素子の製造装置は、ソフトモールドの反発層が親水性であり、エッチレジストが疎水性であることを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明の平板表示素子の製造装置は、ソフトモールドの反発層が-OH、-COOH、-COH(カルボキシル基)のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明の平板表示素子の製造装置は、ソフトモールドのホームに、エッチレジストの移動により、エッチレジストが満たされることを特徴とする。
また、本発明の一実施例によれば、本発明の平板表示素子の製造装置は、平板表示素子が、液晶表示素子(LCD)、電界放出表示素子(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)及び電界発光素子(EL)のうちのいずれか一つであることを特徴とする。
本発明に係る平板表示素子の製造方法及び装置によれば、ソフトモールドとエッチレジストを利用して、フォト工程を行わずに、表示素子の薄膜をパターニングすることができ、その工程時間を減らすことができ、また、ソフトモールドの表面処理を通じてソフトモールドとエッチレジストとの間の反発力を大きくすることによってパターン不良を最小化することができる。
以下、図2乃至図5を参照して本発明の望ましい実施例について説明する。
図2を参照すると、本発明の実施例に係る平板表示素子の製造方法は、薄膜32が形成された硝子基板31上にエッチレジスト(エッチングレジスト、etch resist)溶液33aを塗布する工程、ソフトモールド34を利用したエッチレジスト層33のパターニング工程、薄膜32のパターニングのためのエッチング工程、残留エッチレジストパターンのストリップ工程、及び検査工程を含む。
硝子基板31上に形成された薄膜32aは、平板表示素子の画素アレイに存在する金属パターン、有機物パターン及び無機物パターンに利用される基本材料であり、公知の塗布工程や蒸着工程により硝子基板31上に形成される。
エッチレジスト溶液33aは耐熱性と耐藥品性(Chemical-resistance)を持つ材料、例えば、エチルアルコール(ethanol)溶液にノボラック樹脂(Novolac resin)がおおよそ5〜30wt(重量)%添加された溶液が利用され得る。このようなエッチレジスト溶液33aはノズル噴射、スピンコーティングなどの塗布工程により薄膜32a上に塗布される。
ソフトモールド34は、弾性が大きいゴム材料、例えば、ポリジメチルシロキサン(Polydimethylsiloxane, PDMS)、ポリウレタン(Polyurethane)、架橋ノボラック樹脂(Cross-linked Novolac resin)などからなり、硝子基板31上に残留させるパターンに対応するホーム34aが形成される。ソフトモールド34はエッチレジスト溶液33a 上に整列された後、薄膜32aとの接触が可能な程度の圧力、すなわち自身の自重程度の重さだけでエッチレジスト溶液33aに加圧される。これと同時に、硝子基板31はおおよそ130℃以下の温度で10分〜2時間程度ベーキング(baking)される。その後、ソフトモールド34と硝子基板31との間の圧力により発生する毛管力(Capillary force)と、ソフトモールド34とエッチレジスト溶液33aとの間の反発力とにより、エッチレジスト溶液33aが、図3のようにソフトモールド34のホーム34a内に移動する。その結果、ソフトモールド34のホームパターンとは反転されたパターン形態でエッチレジストパターン33bが薄膜32a上に形成される。
ソフトモールド34と硝子基板31が分離した後、湿式エッチング工程(Wet etching process)や乾式エッチング工程(Dry etching process)が実施される。この時エッチレジストパターン33bはマスクとして作用するため、そのエッチレジストパターン33bの下部に位置した薄膜32aだけが硝子基板31上に残り、それ以外の薄膜32aは除去される。次いで、エッチレジストパターン(33b)はストリップ工程により除去され、薄膜パターン32bに対する電気的、光学的検査を通じて薄膜パターン32bのショート(short)、断線などが検査される。
ソフトモールド34は硝子基板31と分離した後、紫外線(UV)とオゾン(O3)により洗浄され、他の薄膜32aのパターニング工程に再投入される。
ところで、エッチレジスト物質のパターニング工程において、エッチレジストパターン(33b)と一緒に、望ましくない残膜が薄膜32a上に残ることがある。この場合、薄膜32aのパターン不良が起こる可能性がある。例えば、毛管力及びソフトモールド34とエッチレジスト溶液33aとの間の反発力が強ければ、エッチレジスト溶液33aの移動が円滑になるので、図4A及び図4Bのように、エッチレジストパターン33bが望ましい形態に形成される。これとは異なり、ソフトモールド34とエッチレジスト溶液33aとの間の反発力が弱ければ、エッチレジスト溶液33aの流動性が低くなるので、図4Cのように、エッチレジストパターン33b以外の望ましくない残膜33cが薄膜32a上に残る。
本発明に係る平板表示素子の製造方法は、ソフトモールド34のエッチレジスト物質対向面を、エッチレジスト溶液33aとの反発力が大きくなるように表面処理する。このような表面処理は、ソフトモールド34とエッチレジスト溶液33aとの間の反発力を大きくし、エッチレジスト溶液33aの上にソフトモールド34が加圧される際、エッチレジスト溶液33aがソフトモールド34のホーム34aに移動することを円滑にする。
図5は本発明の実施例に係るソフトモールド34の表面処理を段階的に示している。
図5を参照すると、フォトマスク36は、ソフトモールド34のエッチレジストに対向する面上に整列される。このソフトモールド34は、前述したように、ポリジメチルシロキサン(Polydimethylsiloxane, PDMS)、ポリウレタン(Polyurethane)、架橋ノボラック樹脂(Cross-linked Novolac resin)などからなり、エッチレジスト対向面上にホーム34aと突出面34bとが形成される。ソフトモールド34の突出面34bが薄膜32aと接触する際、ホーム34aには、エッチレジスト溶液33aの移動によりエッチレジスト溶液33aが満たされる。フォトマスク36には、ソフトモールド34の突出面34bだけを光に露出させる光透過部36が形成される。フォトマスク36が整列された状態で、ソフトモールド34の突出面34b上に紫外線(UV)が照射される。この時の紫外線(UV)は180nm〜300nm間の波長を持つ。それにより、ソフトモールド34の突出面34b上でCH基が蒸発してその表面上がシリコンオキサイド層(SiOx)に変わる。このような露光工程でオゾンを供給すると、ソフトモールド34が極疎水性(ultra-hydrophobic)物質だとしても、突出面34bは一時的に(おおよそ2時間程度)親水性を呈するようになる。
次いで、蒸気(vapor)あるいは液体(liquid)状態の自己組織化物質(自己集合物質、Self Assembly Materials, SAM)を、シリコンオキサイド層に変わったソフトモールド34の突出面34bと反応させる。自己組織化物質は突出面34bの表面を極疎水化または極親水(ultra-hydrophilic)化する。このような自己組織化物質の一例としては、塩化シリル蒸気(Silyl chloride vapor)があり、その構造は下の化学式1のようになる。
[化学式1]
Cl3 SiR-X
ここで、Rはアルキルグル−ムで、Xは末端基(terminal group)である。末端基Xに従ってソフトモールド34の突出面34bの表面が極疎水化されたり極親水化されたりする。例えば、末端基Xが-Cl、-F、-I、-CH(アルキル基,Alkyl radical)などであれば、突出面(34b)は永久的に極疎水性をたたえるようになる。対照的に、末端基Xが-OH、-COOH、-COH(カルボキシル基, Carboxyl radical)であれば突出面34bは永久的に極親水性を呈するようになる。
突出面34b上で極疎水化または極親水化された反発層35はエッチレジスト物質との反発力を大きくする。エッチレジスト溶液33aが親水性であれば反発層35は疎水性でなければならず、エッチレジスト溶液33aが疎水性であれば反発層35は親水性でなければならない。このような反発層35はおおよそ数十Å程度の厚さを持つ。
本発明に係る平板表示素子の製造方法及び装置は、液晶表示素子(LCD)、電界放出表示素子(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)及び電界発光素子(EL)などの平板表示素子の電極層、有機物層及び無機物層などをパターニングするための工程に適用することができる。
アクティブマトリックスタイプの液晶表示素子を示す斜視図である。 本発明の実施例に係る平板表示素子の製造方法を示す図である。 図2に図示されたソフトモールドと基板との接触の際のエッチレジスト溶液の移動を示す図である。 エッチレジストパターンの多くの類型を概略的に示す図である。 エッチレジストパターンの多くの類型を概略的に示す図である。 エッチレジストパターンの多くの類型を概略的に示す図である。 図2に図示されたソフトモールドの表面処理を示す図である。
符号の説明
11、17:偏光板
12、16、31:硝子基板
13:カラーフィルター
14:共通電極
15:液晶層
18:ゲートライン
19:データライン
20:薄膜トランジスタ
21:画素電極
22:カラーフィルター基板
32a、32b:薄膜
33a、33b:エッチレジスト
34:ソフトモールド
35:反発層
36:フォトマスク

Claims (19)

  1. 薄膜上にエッチレジストを塗布する段階と、
    前記エッチレジストとの対向面に薄膜パターン形成のための突出部及びホームを有する、ソフトモールドを形成する段階と、
    前記ソフトモールドを前記エッチレジストに加圧して、エッチレジストパターンを前記薄膜上に形成する段階と、
    前記エッチレジストパターンから前記ソフトモールドを分離する段階と、
    前記エッチレジストパターンを利用して、前記薄膜をエッチングして薄膜パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする平板表示素子の製造方法。
  2. 前記ソフトモールドを形成する段階は、前記エッチレジストとの対向面上にホームと突出面とを形成する段階と、前記突出面を露光する段階と、前記露光された領域である突出面にオゾンを供給する段階と、前記オゾンが供給された前記突出面を自己組織化物質に露出させる段階とを含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
  3. 前記自己組織化物質の末端基に従って、前記突出面の表面が親水性及び疎水性のうちいずれか一つの性質を呈するようになることを特徴とする請求項2記載の方法。
  4. 前記突出面の表面が親水性である場合に、前記末端基は、 -OH、-COOH、-COHのうちの少なくとも一つであることを特徴とする請求項3記載の方法。
  5. 前記突出面の表面が疎水性である場合に、前記末端基は、-Cl、-F、-I、-CHのうちの少なくとも一つであることを特徴とする請求項3記載の方法。
  6. 前記平板表示素子は、液晶表示素子(LCD)、電界放出表示素子(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)及び電界発光素子(EL)のうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項1記載の方法。
  7. 前記ソフトモールドを前記エッチレジストに加圧する際に前記エッチレジストをベーキングする段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
  8. 前記薄膜パターンを形成した後、前記エッチレジストパターンをストリップする段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
  9. 前記ソフトモールドを形成する段階は、前記ソフトモールドの表面処理を通じて前記ソフトモールドの表面上に前記エッチレジストとの反発力が大きい反発層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
  10. 前記ソフトモールドは、 ポリジメチルシロキサン(Polydimethylsiloxane, PDMS)、ポリウレタン(Polyurethane)、架橋ノボラック樹脂(Cross-linked Novolac resin)のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
  11. 薄膜上にエッチレジストを塗布する装置と、
    前記エッチレジストとの対向面に薄膜パターン形成のための突出部及びホームを有し、前記突出部の表面が表面処理された、ソフトモールドと、
    前記ソフトモールドを前記エッチレジストに加圧して、エッチレジストパターンを形成し、前記エッチレジストパターンから前記ソフトモールドを分離し、前記エッチレジストパターンを利用して前記薄膜をエッチングして薄膜パターンを形成する装置とを具備することを特徴とする平板表示素子の製造装置。
  12. 前記ソフトモールドの表面は、前記エッチレジストとの反発力が大きい反発層を具備することを特徴とする請求項11記載の装置。
  13. 前記ソフトモールドの反発層の厚さはおおよそ数十Å程度であることを特徴とする請求項12記載の装置。
  14. 前記ソフトモールドの反発層は疎水性であり、前記エッチレジストは親水性であることを特徴とする請求項12記載の装置。
  15. 前記ソフトモールドの反発層は、-C1、-F、-I、-CHのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項14記載の装置。
  16. 前記ソフトモールドの反発層は親水性であり、前記エッチレジストは疎水性であることを特徴とする請求項12記載の装置。
  17. 前記ソフトモールドの反発層は、-OH、-COOH、-COH(カルボキシル基)のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項14記載の装置。
  18. 前記エッチレジストの移動により、前記ソフトモールドのホームに前記エッチレジストが満たされることを特徴とする請求項11記載の装置。
  19. 前記平板表示素子は、液晶表示素子(LCD)、電界放出表示素子(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)及び電界発光素子(EL)のうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項11記載の装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173200A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Lg Philips Lcd Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
US7807087B2 (en) 2006-08-01 2010-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Imprinting apparatus and method for forming residual film on a substrate
US7807082B2 (en) * 2005-12-26 2010-10-05 Lg Display Co., Ltd. Apparatus for fabricating flat panel display device and method for fabricating thereof
JP2015076504A (ja) * 2013-10-09 2015-04-20 大日本印刷株式会社 モールド管理システム
KR20160022311A (ko) * 2013-06-19 2016-02-29 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 엠보싱 리소그래피용 엠보싱 화합물
JP2018125565A (ja) * 2018-05-07 2018-08-09 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101010431B1 (ko) * 2003-12-27 2011-01-21 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법 및 장치
KR101117987B1 (ko) * 2005-06-07 2012-03-06 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조장치 및 방법
KR20070074787A (ko) * 2005-06-13 2007-07-18 삼성전자주식회사 계조 전압 발생 장치 및 액정 표시 장치
KR101137862B1 (ko) 2005-06-17 2012-04-20 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법
KR101171190B1 (ko) 2005-11-02 2012-08-06 삼성전자주식회사 표시장치의 제조방법과 이에 사용되는 몰드
KR101194646B1 (ko) 2005-12-30 2012-10-24 엘지디스플레이 주식회사 소프트몰드 제조방법
KR100705641B1 (ko) * 2006-04-10 2007-04-17 이화여자대학교 산학협력단 몰드 처리방법
KR101261606B1 (ko) * 2006-05-09 2013-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시판의 제조 장치 및 제조 방법
KR100848559B1 (ko) * 2006-06-29 2008-07-25 엘지디스플레이 주식회사 소프트몰드 제조방법 및 그것을 이용한 패턴 형성 방법
KR100832298B1 (ko) * 2006-06-29 2008-05-26 엘지디스플레이 주식회사 패턴 형성용 레지스트와 이를 이용한 소프트몰드 제조방법
KR101319325B1 (ko) * 2006-12-29 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 패턴의 형성 방법
KR101341782B1 (ko) * 2006-12-29 2013-12-13 엘지디스플레이 주식회사 몰드 구조물, 이를 이용한 패턴의 형성 방법과 액정 표시장치의 제조 방법
US9347312B2 (en) 2009-04-22 2016-05-24 Weatherford Canada Partnership Pressure sensor arrangement using an optical fiber and methodologies for performing an analysis of a subterranean formation
CN103203959B (zh) * 2012-01-16 2016-08-10 昆山允升吉光电科技有限公司 一种混合制备工艺及该种工艺制得的台阶模板
CN110764366A (zh) * 2013-11-29 2020-02-07 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 具有印模结构的印模及其制造方法
CN104882467B (zh) * 2015-06-04 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制造方法、显示装置
KR102178401B1 (ko) * 2019-07-24 2020-11-13 한밭대학교 산학협력단 유기발광다이오드용 박막 패턴형성 방법 및 이로부터 제조된 유기물 박막

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57135066A (en) * 1981-02-14 1982-08-20 Tatsumo Kk Rotary applying machine
US4680084A (en) * 1984-08-21 1987-07-14 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Interferometric methods and apparatus for device fabrication
JPH0580530A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US6180239B1 (en) * 1993-10-04 2001-01-30 President And Fellows Of Harvard College Microcontact printing on surfaces and derivative articles
US6309580B1 (en) * 1995-11-15 2001-10-30 Regents Of The University Of Minnesota Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography
US6020047A (en) * 1996-09-04 2000-02-01 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Polymer films having a printed self-assembling monolayer
CN1179621A (zh) * 1996-10-14 1998-04-22 大宇电子株式会社 构图方法
JPH10221522A (ja) 1997-02-07 1998-08-21 Dainippon Printing Co Ltd ブラックマトリックスの形成方法
US20010051585A1 (en) * 1998-09-01 2001-12-13 Lg Electronics Inc. Composition for barrier ribs of plasma display panel and method of fabricating such barrier ribs using the composition
JP2000315890A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Hitachi Chem Co Ltd 電磁波シールドフィルムの製造方法、電磁波シールドフィルム並びにこの電磁波シールドフィルムを用いた電磁波遮蔽体及びディスプレイ
US6190929B1 (en) * 1999-07-23 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor devices and methods of forming field emission displays
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
JP2001223185A (ja) * 1999-11-11 2001-08-17 Ishikawa Seisakusho Ltd 半導体デバイス等の製造における回路パターン転写方法
CN100504598C (zh) * 2000-07-16 2009-06-24 得克萨斯州大学系统董事会 用于平版印刷工艺中的高分辨率重叠对齐方法和系统
JP2003100625A (ja) * 2000-08-30 2003-04-04 Ishikawa Seisakusho Ltd 半導体デバイス製造におけるパターン転写方法
JP2002158192A (ja) * 2000-08-30 2002-05-31 Ishikawa Seisakusho Ltd 半導体デバイス製造におけるパターン転写法
JP2002270541A (ja) 2001-03-08 2002-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd モールド、モールドの製造方法及びパターン形成方法
US6964793B2 (en) * 2002-05-16 2005-11-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field
US6673287B2 (en) * 2001-05-16 2004-01-06 International Business Machines Corporation Vapor phase surface modification of composite substrates to form a molecularly thin release layer
US6957608B1 (en) * 2002-08-02 2005-10-25 Kovio, Inc. Contact print methods
US7150844B2 (en) * 2003-10-16 2006-12-19 Seagate Technology Llc Dry passivation process for stamper/imprinter family making for patterned recording media
KR101010431B1 (ko) * 2003-12-27 2011-01-21 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법 및 장치
KR101010476B1 (ko) * 2003-12-27 2011-01-21 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법 및 장치

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173200A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Lg Philips Lcd Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
US7965034B2 (en) 2005-12-22 2011-06-21 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescence display device comprising a contact electrode with elasticity and fabricating method thereof
US8210890B2 (en) 2005-12-22 2012-07-03 Lg Display Co., Ltd. Method of fabricating organic electroluminescence display device comprising an elastic contact electrode
US7807082B2 (en) * 2005-12-26 2010-10-05 Lg Display Co., Ltd. Apparatus for fabricating flat panel display device and method for fabricating thereof
US7807087B2 (en) 2006-08-01 2010-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Imprinting apparatus and method for forming residual film on a substrate
KR20160022311A (ko) * 2013-06-19 2016-02-29 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 엠보싱 리소그래피용 엠보싱 화합물
JP2016524330A (ja) * 2013-06-19 2016-08-12 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料
US9981419B2 (en) 2013-06-19 2018-05-29 Ev Group E. Thallner Gmbh Embossing compound for embossing lithography
KR102087472B1 (ko) 2013-06-19 2020-03-11 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 엠보싱 리소그래피용 엠보싱 화합물
KR20200027057A (ko) * 2013-06-19 2020-03-11 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 엠보싱 리소그래피용 엠보싱 화합물
US10589457B2 (en) 2013-06-19 2020-03-17 Ev Group E. Thallner Gmbh Embossing compound for embossing lithography
KR102233597B1 (ko) 2013-06-19 2021-03-30 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 엠보싱 리소그래피용 엠보싱 화합물
JP2015076504A (ja) * 2013-10-09 2015-04-20 大日本印刷株式会社 モールド管理システム
JP2018125565A (ja) * 2018-05-07 2018-08-09 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料

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CN1637614A (zh) 2005-07-13

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