JP4542420B2 - 薄膜のパターニング方法と平板表示素子の製造方法及び装置 - Google Patents
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Description
本発明は平板表示素子に関することで、特にフォト工程を使わない方法でパターニング工程を遂行してその工程時間を減らしてパターン不良を最小化するようにした薄膜のパターニング方法と平板表示素子の製造方法及び装置に関するものである。
最近の情報化社会において表示素子は視覚情報伝達媒体としてその大切さが強調されている。現在主流をなしている陰極線管 またはブラウン管は大きさと重さの点で問題点がある。
平板表示素子には液晶表示素子( LCD)、電界放出表示素子(FED)、プラズマディスプレイパネル( PDP)及び電界発光素子( EL)などがあって、この大部分が実用化されて市販されている。
液晶表示素子は電子製品の軽薄短小の趨勢を満足することができるし、生産性が向上していて多くの応用分野で陰極線管と早い速度で入れ替わっている。
特に、薄膜トランジスタ( 以下, "TFT"と言う)を利用して液晶セルを駆動するアクティブマトリックスタイプの液晶表示素子は画質が優秀で消費電力の低い長所があり、最近の生産技術確保と研究開発の成果で大型化と高解像度化で急速に発展している。
このようなアクティブマトリックスタイプの液晶表示素子は図１のように液晶層１５を間に置いて合着されるカラーフィルターアレイ基板２２と TFTアレイ基板２３と、を具備する。図１に図示された液晶表示素子は全体有效画面の一部を示したものである。
カラーフィルターアレイ基板２２には上部ガラス基板１２の背面上に図示しないブラックマトリックス、カラーフィルター１３と共通電極１４が形成される。上部ガラス基板１２の前面上には偏光板１１が付着する。カラーフィルター１３は赤(R)、緑(G)及び青(B)色のカラーフィルターを含んで特定波長帯域の可視光を透過させることによってカラー表示ができるようにする。
TFTアレイ基板２３には下部ガラス基板１６の前面にデータライン１９とゲートライン１８が相互交差されて、その交差部にTFT２０が形成される。及び下部ガラス基板１６の前面にはデータライン１９とゲートライン１８ の間のセル領域に画素電極２１が形成される。TFT２０はゲートライン１８からのスキャニング信号に回答してデータライン１９と画素電極２１の間のデータ伝送パスを切換することによって画素電極２１を駆動するようになる。TFT アレイ基板２３の背面には偏光板１７が付着する。
液晶層１５は自分に印加された電界によってTFTアレイ基板２３を経由して入射される光の透過量を調節する。
カラーフィルターアレイ基板２２とTFT基板２３上に付着した偏光板(１１,１７)はある一つの方向に偏光された光を透過させるようになって、液晶１５が90°TNモードである時、その偏光方向は互いに直交するようになる。
カラーフィルターアレイ基板２２とアレイTFT基板２３の液晶対向面には図示しない配向膜が形成される。
アクティブマトリックスタイプの液晶表示素子を製造するための製造工程は基板洗浄、基板パターニング工程、配向膜形成/ラビング工程、基板合着/液晶注入工程、実裝工程、検査工程、リペア工程などに分けられる。基板洗浄工程は液晶表示素子の基板表面に汚染した異物質を洗浄額で除去する。基板パターニング工程はカラーフィルター基板のパターニング工程と TFTアレイ基板のパターニング工程に分けられて実施される。配向膜形成/ラビング工程はカラーフィルター基板とTFTアレイ基板のそれぞれに配向膜を塗布して、その配向膜をラビング布などにラビングするようになる。基板合着/液晶注入工程はシール材を利用してカラーフィルター基板とTFTアレイ基板を合着して液晶注入口を通じて液晶とスペーサを注入した後、その液晶注入口を閉じる。実裝工程はゲートドライブ集積回路及びデータドライブ集積回路などの集積回路が実裝されたテープキャリアパッケージ( TCP)を基板上のパッド部に接続させるようになる。このようなドライブ集積回路は前述のTCPを利用したテープ自動結合方式以外にチップ-オン-ガラス( COG)方式などで基板上に直接実裝されることもある。検査工程はTFTアレイ基板にデータラインとゲートラインなどの信号配線と画素電極が形成された後に実施される電気的検査と基板合着/液晶注入工程後に実施される電気的検査及び肉眼検査を含む。リペア工程は検査工程によってリペアが可能なことが判定された基板に対する復元を実施する。検査工程においてリペアの不可能な基板は廃棄処分される。
このような液晶表示素子を含んだ大部分の平板表示素子の製造方法において、基板上に積層される薄膜物質はフォトリソグラフィ 工程によりパターニングされる。フォトリソグラフィ工程は一般的にフォトレジストの塗布、マスク整列、露光、現象及び洗浄を含む一連の写真工程である。ところでこのようなフォトリソグラフィ工程は工程所要時間が長くて、フォトレジスト物質とストリップ溶液の浪費が大きくて露光装備などの高価装備が必要な問題点がある。
したがって、本発明の目的はフォト工程を使わない方法でパターニング工程を遂行して、その工程時間を減らしてパターン不良を最小化するようにした薄膜のパターニング方法と平板表示素子の製造方法及び装置を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明に係る平板表示素子の製造方法は基板上に薄膜を形成する段階と、溶媒が含まれたエッチングレジスト溶液を前記基板上に塗布する段階と、前記基板上にソフトモールドを整列する段階と、前記エッチングレジスト溶液上でソフトモールドを加圧する間前記溶媒の気化温度未満の第１温度を持つ１次熱処理を通じて前記エッチングレジスト溶液を成形してエッチングレジストパターンを前記薄膜上に形成する段階と、前記エッチングレジストパターンから前記ソフトモールドを分離する段階と、前記エッチングレジストパターンに対して２次熱処理を実施する段階と、前記エッチングレジストパターンをマスクで利用して前記薄膜をエッチングする段階と、を含む。
前記平板表示素子の製造方法は前記エッチングレジスト溶液を塗布する前に前記エッチングレジスト溶液を形成する段階をさらに含む。
前記平板表示素子の製造方法において、前記エッチングレジスト溶液は ４０wt％〜６０wt％の前記溶媒、３０wt％〜５０wt％の架橋可能なポリマー樹脂、及び１wt％〜５wt％の架橋剤を含む。
前記平板表示素子の製造方法において、前記架橋可能なポリマー樹脂はフェノール-ノボラック樹脂である。
前記平板表示素子の製造方法において、前記架橋剤はアミン系列架橋剤、メラミン系列架橋剤及び要素系列架橋剤の中から少なくともいずれか以上を含む。
前記平板表示素子の製造方法において、前記１次熱処理をする段階はおおよそ４０〜６０℃/１０min程度の前記第１温度で前記基板を加熱する。
前記平板表示素子の製造方法において、前記第２熱処理をする段階はおおよそ溶媒の気化温度と同じであるとか高い第２温度で前記基板を加熱する。
前記平板表示素子の製造方法において、前記２次熱処理をする段階はおおよそ７０〜１２０℃/２min程度の第２温度で前記基板を加熱する。
前記平板表示素子の製造方法において、前記２次熱処理をする段階は前記第１温度より高い第２温度で前記基板を加熱する。
前記平板表示素子の製造方法において、前記２次熱処理をする段階はおおよそ７０〜１２０℃/２min程度の第２温度で前記基板を加熱する。
本発明に係る平板表示素子の製造装置は溶媒が含まれたエッチングレジスト溶液を薄膜が形成された基板上に塗布する塗布装置と、前記エッチングレジスト溶液上で整列ができるソフトモールドと、前記基板に熱を加える加熱装置と、パターニングされたエッチングレジスト層をマスクで利用して前記薄膜をエッチングするエッチング装置と、を具備する。
前記平板表示素子の製造装置は前記基板に前記ソフトモールドを加圧する加圧装置をさらに具備する。
前記加熱装置は前記基板をおおよそ４０〜６０℃/１０min程度の第１温度で基板を加熱する。
前記加熱装置は前記第１温度と、前記第１温度より高い第２温度で前記基板を加熱する。
前記加熱装置は前記２次加熱温度をおおよそ７０〜１２０℃/２min程度にして前記２次加熱温度で前記基板を加熱する。
前記平板表示素子は液晶表示素子(LCD)、電界放出表示素子(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、電界発光素子(EL)、及び半導体素子の中からいずれかである。
本発明に係る薄膜のパターニング方法は基板上に薄膜を形成する段階と、溶媒が含まれたエッチングレジスト溶液を前記基板上に塗布する段階と、前記基板上にソフトモールドを整列する段階と、前記エッチングレジスト溶液上でソフトモールドを加圧する間に前記溶媒の気化温度未満の第１温度を持つ１次熱処理を通じて前記エッチングレジスト溶液を成形してエッチングレジストパターンを前記薄膜上に形成する段階と、前記エッチングレジストパターンから前記ソフトモールドを分離する段階と、前記エッチングレジストパターンを固化させる段階と、前記固化されたエッチングレジストパターンをマスクで利用して前記薄膜をエッチングする段階と、を含む。
前記薄膜のパターニング方法において、前記エッチングレジストパターンを固化させる段階は前記エッチングレジストパターンに対して２次熱処理をする段階を含む。
前記薄膜のパターニング方法において、前記２次熱処理をする段階はおおよそ７０〜１２０℃/２min程度の第２温度で前記基板を加熱する。
前記薄膜のパターニング方法において、前記１次熱処理をする段階はおおよそ４０〜６０℃/１０min程度の前記第１温度で前記基板を加熱する。
前記薄膜のパターニング方法において、前記第２熱処理をする段階はおおよそ溶媒の気化温度と同じであるとか高い第２温度で前記基板を加熱する。
前記薄膜のパターニング方法は前記エッチングレジスト溶液を塗布する前に前記エッチングレジスト溶液を形成する段階をさらに含む。
前記薄膜のパターニング方法において、前記エッチングレジスト溶液は ４０wt％〜６０wt％の前記溶媒、３０wt％〜５０wt％の架橋可能なポリマー樹脂、及び１wt％〜５wt％の架橋劑を含む。
前記薄膜のパターニング方法において、前記架橋可能なポリマー樹脂はフェノール-ノボラックである。
薄膜のパターニング方法において、前記架橋剤はアミン系列架橋剤、メラミン系列架橋剤及び要素系列架橋剤の中から少なくともいずれか以上を含む。
［実施例］
以下、図２乃至図６を参照して本発明の望ましい実施例について説明する事にする。
以下、図２乃至図６を参照して本発明の望ましい実施例について説明する事にする。
図２を参照すると、本発明の実施例に係る薄膜のパターニング方法及び平板表示素子の製造方法は塗布装置を利用して画素アレイの薄膜(３２a)が形成されたガラス基板３１上にエッチングレジスト溶液(３３a)を塗布するエッチングレジスト塗布工程、ソフトモールド３４を利用したエッチングレジスト溶液(３３a)のパターニング工程、薄膜(３２a)のパターニングのためのエッチング工程、エッチングレジストパターン(３３b)をストリップ溶液で除去するストリップ工程、及び薄膜パターン(３２b)に対する検査工程を含む。
ガラス基板３１上に形成された画素アレイの薄膜(３２a)は平板表示素子の画素アレイに存在する金属パターン、有機物パターン及び無機物パターンに利用される基本材料で工紙の塗布工程や蒸着工程によってガラス基板３１上に形成される。
エッチングレジスト溶液(３３a)は耐熱性と耐藥品性と、を持つ材料である。このエッチングレジスト溶液(３３a)がエッチングレジストパターン(３３b)でパターン化された後には薄膜(３２a)のエッチング工程で薄膜(３２a)が選択的にパターン化されることができるようにするマスク役目をするようになる。
ソフトモールド３４はガラス基板３１上に形成するパターンと対応する陰角パターンまたは溝(３４a)が形成される。このソフトモールド３４はエッチングレジスト溶液(３３a)上に整列された後、薄膜(３２a)との接触が可能な程度の圧力、即ち自分の自重位の重さだけでエッチングレジスト溶液(３３a)に加圧される。これと同時にガラス基板３１は熱処理によってベーキングされる。それではソフトモールド３４とガラス基板３１の間の圧力から発生する毛細管の力と、ソフトモールド３４とエッチングレジスト溶液(３２a)の間の反発力によってエッチングレジスト溶液(３３a)が図３のようにソフトモールド３４の溝(３４a)内に移動することと同時に固化が進行される。その結果、ソフトモールド３４の陰角パターンの反転全射パターン形態でエッチングレジストパターン(３３b)が薄膜(３２a)上に形成される。
ソフトモールド３４とガラス基板３１が分離した後、湿式エッチング装置を利用した湿式エッチング工程や乾式エッチング装置を利用した乾式エッチング工程が実施される。この時、エッチングレジストパターン(３４b)はマスクと作用するから、そのエッチングレジストパターン(３４c)の下部に位した薄膜(３２a)だけがガラス基板３１上に殘留してその以外の薄膜(３２a)は除去される。引き継いで、エッチングレジストパターン(３４c)はストリップ工程によって除去されて薄膜パターン(３２b)に対する電気的、光学的検査を通じて薄膜パターン(３２b)の不良可否が判定される。
ソフトモールド３４はガラス基板３１と分離した後紫外線(UV)とオゾン(O3)で洗浄された後、他の薄膜(３２a)のパターニング工程に再投入される。
ところでエッチングレジストのパターニング工程でエッチングレジスト溶液(３３a) 内の揮発性溶媒によって発生されるガス放出(out-gasing)とエッチングレジスト溶液(３３a)に流入される外部空気によってエッチングレジスト溶液(３３a)内に気泡が発生する。このような気泡はソフトモールド３４がエッチングレジスト溶液(３３a)の溶媒を吸収しながらエッチングレジスト溶液(３３a)を固化させる能力より溶媒の気化速度が早いことから発生する。図４のようにこのような気泡４１はソフトモールド３４の加圧による圧力とベーキング工程で増加及び凝集されてその気泡はエッチングレジストパターン(３３b)の陷沒や遺失の原因として作用する。このような気泡は何回もの実験を通して知られたところによると、常温でも発生する。
エッチングレジストのパターニング工程から発生する気泡を最小化するために、本発明に係る薄膜のパターニング方法及び平板表示素子の製造方法はエッチングレジスト溶液(３３a)内に架橋剤を均一に混合して熱処理工程を通じてエッチングレジスト溶液(３３a)の架橋を誘導することにより溶媒の気化と気泡の発生を抑制する。
このために、本発明に係るエッチングレジスト溶液(３３a)には架橋可能なポリマー樹脂、架橋剤及び溶媒が所定の構成比で混合する。表１はエッチングレジスト溶液(３３a)の一例を示す。
このために、本発明に係るエッチングレジスト溶液(３３a)には架橋可能なポリマー樹脂、架橋剤及び溶媒が所定の構成比で混合する。表１はエッチングレジスト溶液(３３a)の一例を示す。
フェノールノボラック樹脂は図５のような構造を持って耐熱性と耐藥品性が優秀なポリマーで知られて来た。アミン系列架橋剤、メラミン系列架橋剤及び要素架橋剤は工紙の架橋剤として使用可能である。例えば、アミン系列架橋剤としては N,N'-ビス（２−メチル−２−ニトロプロピル）１，６（ヘキサンジアミン）が選択されることができる。
このような構成のエッチングレジスト溶液(３３a)内で架橋を誘導するために、本発明の実施例に係る平板表示素子の製造方法は図６のようにエッチングレジスト溶液(３３a)上でソフトモールド３４が加圧される期間の間、１次熱処理を実施する。及び本発明の実施例に係る平板表示素子の製造方法はエッチャントに対するエッチングレジスト溶液(３３a)の耐薬品性を強化するために、図６のようにエッチングレジスト溶液(３３a)からソフトモールド３４が分離した後に２次熱処理を実施する。
図６を参照すると、ソフトモールド３４がエッチングレジスト溶液(３３a)に接触されて自重の程度の圧力に加圧される時、エッチングレジスト溶液(３３a)が気化されないで架橋を誘導することができる温度であるおおよそ４０〜６０℃/１０minの温度で基板３１がヒーターによって加熱される。この時、エッチングレジスト溶液(３３a)内の架橋剤はエッチングレジストの光重合反応を促進させて、エッチングレジスト溶液(３３a)の固化を誘導してエッチングレジストを適当な形象に成形する。この１次熱処理温度はエッチングレジスト溶液(３３a)内に含まれた溶媒の気化温度の未満である。したがって、ソフトモールド３４によってエッチングレジスト溶液(３３a)が成形される過程で溶媒が気化されないから気泡が発生されない。すなわち、１次熱処理によってエッチングレジスト溶液(３３a)の成形過程で溶媒の気化による気泡発生がほとんどない。
そしてエッチングレジストパターン(３３b)からソフトモールド３４が分離した後には溶媒の気化温度以上のおおよそ７０℃〜１２０℃/２minの温度で基板３１がヒーターによって加熱される。この２次熱処理によってエッチングレジストパターン(３３b)内の溶媒が気化される。したがって、２次熱処理によってエッチングレジストパターン(３３b)は完全に固化される。そして２次熱処理によってエッチングレジストパターン(３３b)はパッキングの程度が増加されてエチォントに対する耐薬品性が強化される。
本発明に係る平板表示素子の製造方法は液晶表示素子(LCD)、電界放出表示素子(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)及び電界発光素子(EL)などの平板表示素子の電極層、有機物層及び無機物層などをパターニングするための工程や各種半導体素子の製造工程に適用されることができる。
上述したところのように、本発明に係る薄膜のパターニング方法と平板表示素子の製造方法及び装置はソフトモールドとエッチングレジストを利用してフォト工程を使わないで表示素子の薄膜をパターニングすることができるし、その工程時間を減らすことができる。さらに、本発明に係る薄膜のパターニング方法と平板表示素子の製造方法及び装置はエッチングレジスト溶液の造成を架橋可能なポリマー樹脂 + 架橋剤 + 溶媒にして、エッチングレジストの成形過程で溶媒の気化温度である１次熱処理を通じて気泡発生のなしにエッチングレジストを成形して気泡によるエッチングレジストのパターン不良を最小化することができる。
以上説明した内容を通じて当業者であれば、本発明の技術思想を一脱しない範囲で多様な変更及び修正ができる。したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載した内容に限定されるのではなく特許請求の範囲により決められなければならない。
１１、１７:偏光板
１２、１６、３１:ガラス基板
１３:カラーフィルター
１４:共通電極
１５:液晶層
１８:ゲートライン
１９:データライン
２０:薄膜トランジスタ
２１:画素電極
２２:カラーフィルター基板
３２a、３２b:薄膜
３３a、３３b:エッチングレジスト
３４:ソフトモールド
４１:気泡
１２、１６、３１:ガラス基板
１３:カラーフィルター
１４:共通電極
１５:液晶層
１８:ゲートライン
１９:データライン
２０:薄膜トランジスタ
２１:画素電極
２２:カラーフィルター基板
３２a、３２b:薄膜
３３a、３３b:エッチングレジスト
３４:ソフトモールド
４１:気泡
Claims (20)
- 基板上に薄膜を形成する段階と、
溶媒が含まれたエッチングレジスト溶液を前記基板上に塗布する段階と、ここで、前記エッチングレジスト溶液は溶媒及び架橋可能なポリマー樹脂に架橋材を均一に混合することにより形成され、
前記基板上にソフトモールドを整列する段階と、
前記エッチングレジスト溶液上でソフトモールドを加圧する間、１次熱処理を通じて前記エッチングレジスト溶液に架橋を誘導し、得られた前記エッチングレジスト溶液を成形してエッチングレジストパターンを前記薄膜上に形成する段階と、前記１次熱処理は４０〜６０℃／１０ｍｉｎで行われ、
前記エッチングレジストパターンから前記ソフトモールドを分離する段階と、
前記エッチングレジストパターンに対して２次熱処理を実施して前記溶媒を気化する段階と、前記２次熱処理は７０〜１２０℃／２ｍｉｎで行われ、
前記エッチングレジストパターンをマスクで利用して前記薄膜をエッチングする段階とを含み、
前記溶媒は、前記１次熱処理の際に前記エッチングレジストパターン中に残存し、前記２次熱処理の際に気化する
ことを特徴とする平板表示素子の製造方法。 - 前記エッチングレジスト溶液を塗布する前に前記エッチングレジスト溶液を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の平板表示素子の製造方法。
- 前記エッチングレジスト溶液は、４０wt％〜６０wt％の前記溶媒、３０wt％〜５０wt％の架橋可能なポリマー樹脂、及び１wt％〜５wt％の架橋剤を含むことを特徴とする請求項２記載の平板表示素子の製造方法。
- 前記架橋可能なポリマー樹脂は、フェノール-ノボラック樹脂であることを特徴とする請求項２記載の平板表示素子の製造方法。
- 前記架橋剤は、アミン系列架橋剤、メラミン系列架橋剤及び要素系列架橋剤の中から少なくともいずれか以上を含むことを特徴とする請求項２記載の平板表示素子の製造方法。
- 前記２次熱処理をする段階は、おおよそ溶媒の気化温度と同じか又は高い第２温度で前記基板を加熱することを特徴とする請求項１記載の平板表示素子の製造方法。
- 前記２次熱処理をする段階は、おおよそ７０〜１２０℃/２min程度の第２温度で前記基板を加熱することを特徴とする請求項６記載の平板表示素子の製造方法。
- 前記平板表示素子は液晶表示素子(LCD)、電界放出表示素子(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、電界発光素子(EL)、及び半導体素子の中からいずれかであることを特徴とする請求項１記載の平板表示素子の製造方法。
- 溶媒が含まれたエッチングレジスト溶液を薄膜が形成された基板上に塗布する塗布装置と、
前記エッチングレジスト溶液上において整列ができるソフトモールドと、
前記基板に熱を加える加熱装置と、
パターニングされたエッチングレジスト層をマスクとして利用して前記薄膜をエッチングするエッチング装置と、を具備し、
前記エッチングレジスト溶液は溶媒及び架橋可能なポリマー樹脂に架橋材を均一に混合することにより形成され、
前記加熱装置は、前記ソフトモールドを加圧する際１次熱処理を行い前記エッチングレジスト溶液に架橋を誘導し、この際前記溶媒は前記エッチングレジスト溶液中に残存し、前記エッチング前に２次熱処理を行ないこの際前記溶媒は気化し、前記１次熱処理は４０〜６０℃／１０ｍｉｎで行われ、前記２次熱処理は７０〜１２０℃／２ｍｉｎで行われる
ことを特徴とする平板表示素子の製造装置。 - 前記基板に前記ソフトモールドを加圧する加圧装置をさらに具備することを特徴とする請求項９記載の平板表示素子の製造装置。
- 前記加熱装置は前記第１温度と、前記第１温度より高い第２温度で前記基板を加熱することを特徴とする請求項９記載の平板表示素子の製造方法。
- 前記加熱装置は前記２次加熱温度をおおよそ７０〜１２０℃/２min程度にして前記２次加熱温度で前記基板を加熱することを特徴とする請求項１１記載の平板表示素子の製造装置。
- 前記平板表示素子は液晶表示素子(LCD)、電界放出表示素子(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、電界発光素子(EL)、及び半導体素子の中からいずれかであることを特徴とする請求項９記載の平板表示素子の製造装置。
- 基板上に薄膜を形成する段階と、
溶媒が含まれたエッチングレジスト溶液を前記基板上に塗布する段階と、ここで、前記エッチングレジスト溶液は溶媒及び架橋可能なポリマー樹脂に架橋材を均一に混合することにより形成され、
前記基板上にソフトモールドを整列する段階と、
前記エッチングレジスト溶液上でソフトモールドを加圧する間１次熱処理を通じて前記エッチングレジスト溶液に架橋を誘導し、得られた前記エッチングレジスト溶液を成形してエッチングレジストパターンを前記薄膜上に形成する段階と、前記１次熱処理は４０〜６０℃／１０ｍｉｎで行われ、
前記エッチングレジストパターンから前記ソフトモールドを分離する段階と、
前記エッチングレジストパターンに対して２次熱処理を実施し前記溶媒を気化させて、前記エッチングレジストパターンを固化させる段階と、前記２次熱処理は７０〜１２０℃／２ｍｉｎで行われ、
前記固化されたエッチングレジストパターンをマスクで利用して前記薄膜をエッチングする段階とを含み、
前記溶媒は、前記１次熱処理の際に前記エッチングレジストパターン中に残存し、前記２次熱処理の際に気化する
ことを特徴とする薄膜のパターニング方法。 - 前記エッチングレジストパターンを固化させる段階は前記エッチングレジストパターンに対して２次熱処理をする段階を含むことを特徴とする請求項１４記載の薄膜のパターニング方法。
- 前記２次熱処理をする段階は、おおよそ７０〜１２０℃/２min程度の第２温度で前記基板を加熱することを特徴とする請求項１５記載の薄膜のパターニング方法。
- 前記２次熱処理をする段階は、おおよそ溶媒の気化温度と同じか又は高い第２温度で前記基板を加熱することを特徴とする請求項１５記載の薄膜のパターニング方法。
- 前記エッチングレジスト溶液は、４０wt％〜６０wt％の前記溶媒、３０wt％〜５０wt％の架橋可能なポリマー樹脂、及び１wt％〜５wt％の架橋剤を含むことを特徴とする請求項１４記載の薄膜のパターニング方法。
- 前記架橋可能なポリマー樹脂は、フェノールーノボラック樹脂であることを特徴とする請求項１８記載の薄膜のパターニング方法。
- 前記架橋剤は、アミン系列架橋剤、メラミン系列架橋剤及び要素系列架橋剤の中から少なくともいずれか以上を含むことを特徴とする請求項１８記載の薄膜のパターニング方法。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0580530A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 薄膜パターン製造方法 |
| JP2000194142A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | パタ―ン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2001198979A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-24 | Ishikawa Seisakusho Ltd | パターン転写装置 |
| JP2002128956A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | 高分子用添加剤 |
| JP2002158192A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-05-31 | Ishikawa Seisakusho Ltd | 半導体デバイス製造におけるパターン転写法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309580B1 (en) * | 1995-11-15 | 2001-10-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography |
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| KR100421034B1 (ko) * | 1999-04-21 | 2004-03-04 | 삼성전자주식회사 | 레지스트 조성물과 이를 이용한 미세패턴 형성방법 |
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| JP2002128956A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | 高分子用添加剤 |
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