KR100705641B1 - 몰드 처리방법 - Google Patents

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KR100705641B1
KR100705641B1 KR1020060032465A KR20060032465A KR100705641B1 KR 100705641 B1 KR100705641 B1 KR 100705641B1 KR 1020060032465 A KR1020060032465 A KR 1020060032465A KR 20060032465 A KR20060032465 A KR 20060032465A KR 100705641 B1 KR100705641 B1 KR 100705641B1
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aminoethyl
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aminopropyltrimethoxysilane
amino
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김연상
이내윤
이민정
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이화여자대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명은 몰드 처리방법에 관한 것으로서, 소정의 패턴이 형성되어 있는 몰드를 마련하는 단계와; 상기 몰드의 표면에 수산화기 또는 아미노기를 도입하는 단계와; 상기 몰드에 다음 화학식 1로 표현된 표면처리 물질을 가하여 비접착 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
화학식 1.
Figure 112006024863003-pat00001
(여기서 R1은 서로 같거나 다를 수 있으며 CH3, F, CF3 중 어느 하나이고, R2는 상기 수산화기 또는 아미노기와 반응가능한 관능기임)
이에 의해 몰드와 유기층 간의 접착을 감소시키는 몰드처리방법이 제공된다.

Description

몰드 처리방법{TREATING METHOD OF MOLD}
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 몰드 처리방법을 설명하기 위한 순서도이고,
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제1실시예에 따른 몰드 처리방법을 순차적으로 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따라 처리된 몰드를 이용한 기판 패터닝 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 몰드 처리방법을 설명하기 위한 순서도이고,
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 제2실시예에 따른 몰드 처리방법을 순차적으로 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *
10 : 소프트 몰드 11 : 패턴
12 : 접착방지 코팅층
본 발명은, 몰드 처리방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 몰드 표면에 접착방지 코팅층을 형성하여 유기층과의 접착을 감소시킨 몰드 처리방법에 관한 것이다.
반도체 또는 표시장치의 제조에 있어서, 기판, 무기층 또는 금속층의 패터닝이 수행된다. 이와 같은 패터닝은 통상 감광층의 코팅, 노광, 현상 및 식각을 포함하는 사진식각(photolithography)을 통하여 이루어진다. 한편, 유기층의 패터닝에서는 식각이 생략되기도 한다.
사진식각 공정은 여러 단계를 거치기 때문에 과정이 복잡한 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 최근에 몰드를 이용하여 패터닝하는 방법이 개발되고 있다.
몰드에는 소정의 패턴이 형성되어 있으며, 기판 상의 유기층에 몰드를 가압한 후 제거하여 몰드의 패턴을 유기층에 전사하게 된다. 여기서, 유기층은 폴리머, 감광성 폴리머 또는 올리고머로 이루어질 수 있다.
그런데, 몰드와 유기층의 접착성에 의해 몰드 제거 과정에서 유기층에 전사된 패턴이 손상되는 문제가 있다. 특히 몰드의 패턴이 미세해질수록 전사된 패턴의 손상 문제는 심각해진다.
따라서 본 발명의 목적은 몰드와 유기층 간의 접착을 감소시키는 몰드처리방법을 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 목적은 소정의 패턴이 형성되어 있는 몰드를 마련하는 단계와; 상기 몰드의 표면에 수산화기를 도입하는 단계와; 상기 몰드에 다음 화학식 1로 표현된 표면처리 물질을 가하여 비접착 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 몰드 처리방법에 의해 달성된다.
화학식 1.
Figure 112006024863003-pat00002
여기서 R1은 서로 같거나 다를 수 있으며 CH3, F, CF3 중 어느 하나이고, R2는 상기 수산화기 또는 아미노기와 반응가능한 관능기임.
상기 화학식 1에서 상기 R2는 에폭시기를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 수산화기 도입 후에, 상기 몰드 표면에 아미노기를 도입하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 아미노기의 도입은, 상기 몰드에NH2를 말단기로 가지는 실란을 가하여 수행되는 것이 바람직하다.
상기 실란은 아미노프로필트리클로로실란(NH2(CH2)3SiCl3) 아미노프로필트리클로로실란(aminopropyltrichlorosilane), N-(3-(트리메톡시실릴)프로필)에틸렌디아민(N-(3-(Trimethoxysilyl)propyl)ethylenediamine), 4-아미노부틸트리에톡시실란(4-aminobutyltriethoxysilane), (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실 란((aminoethylaminomethyl)phenethyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필실란트리올(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylsilanetriol), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란( N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane), N-(6-아미노헥실)아미노메틸트리메톡시실란(N-(6-aminohexyl)aminomethyltrimethoxysilane), N-(6-아미노헥실)아미노프로필메톡시실란(N-(6-aminohexyl)aminopropyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-11-아미노운데실트리메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-11-aminoundecyltrimethoxysilane), 3-(m-아미노페녹시)프로필트리메톡시실란)(3-(m-aminophenoxy)propyltrimethoxysilane), m-아미노페닐트리메톡시실란(m-aminophenyltrimethoxysilane), p-아미노페닐트리메톡시실란(p-aminophenyltrimethoxysilane), N-3-[아미노(폴리프로필렌옥시)]아미노프로필트리메톡시실란(N-3-[amino(polypropylenoxy)]aminopropyltrimethoxysilane), 11-아미노운데실트리에톡시실란(11-aminoundecyltriethoxysilane), 3-아미노프로필메톡시실란(NH2(CH2)3Si(OCH3)3, 3-aminopropyltrimethoxysilane), 3-아미노프로필트리에톡시실란( NH2(CH2)3Si(OC2H5)3 , 3-aminopropyltriethoxysilane)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 수산화기의 도입은, 상기 몰드를 산소 플라즈마 처리하거나, 상기 몰드를 UVO(UV with oxygen)처리하여 수행되는 것이 바람직하다.
상기 몰드의 재질은 폴리우레탄계 고분자 또는 아크릴계 고분자를 포함하며,상기 아크릴계 고분자는 펜타에리스리톨 프로폭실레이트 트리아크릴레이트(Pentaerythritol propoxylate triacrylate), 비스페놀 A 프로폭실레이트 다이아크릴레이트(Bisphenol A propoxylate diacrylate), 트리메틸롤프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane ethoxylate triacrylate)로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서의‘몰드’는 고분자로 이루어진 소프트 몰드(soft mold), 무기물로 이루어진 하드 몰드(hard mold) 및 소프트 몰드와 하드 몰드를 제조하기 위한 마스터 몰드(master mold)를 모두 포함한다.
본 발명은 몰드에 표면처리 물질을 도입하여 비접착 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 한다. 표면처리 물질 도입을 용이하게 하기 위해 몰드에는 수산화기 또는 아미노기와 같은 관능기가 도입되어 있으며, 표면처리 물질은 몰드에 도입되어 있는 관능기와 반응하여 몰드 표면에 도입된다.
표면처리 물질은 다음과 같은 화학식 1로 표현된다.
화학식 1.
Figure 112006024863003-pat00003
여기서 R1은 서로 같거나 다를 수 있으며 CH3, F, CF3 중 어느 하나이고, R2 는 수산화기 또는 아미노기와 반응가능한 관능기이다.
표면처리 물질의 도입으로 형성되는 비접착 코팅층은 다른 물질과의 비접착성이 우수하다. 따라서 비접착 코팅층이 소프트 몰드나 하드 몰드에 형성될 경우, 패턴 전사 대상인 유기층과의 접착성이 감소되어 패턴 품질을 향상시킬 수 있다. 비접착 코팅층이 마스터 몰드에 형성될 경우, 소프트 몰드나 하드 몰드의 재료물질과의 접착성이 감소되어 고품질의 소프트 몰드 또는 하드 몰드를 생산할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하겠다.
먼저 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 몰드 처리방법을 설명한다. 제1실시예에서는 소프트 몰드에 비접착 코팅층을 도입한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 몰드 처리방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제1실시예에 따른 몰드 처리방법을 순차적으로 나타낸 도면이다.
먼저 도 2a와 같이 소프트 몰드(10)를 마련한다(S110). 소프트 몰드(10)에는 소정의 패턴(11)이 마련되어 있다. 소프트 몰드(10)는 폴리우레탄 계열의 고분자 또는 에폭시 계열의 고분자로 이루어질 수 있으며, 구체적으로는 펜타에리스리톨 프로폭실레이트 트리아크릴레이트(Pentaerythritol propoxylate triacrylate), 비스페놀 A 프로폭실레이트 다이아크릴레이트(Bisphenol A propoxylate diacrylate), 트리메틸롤프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane ethoxylate triacrylate) 등으로 이루어질 수 있다.
패턴(11)은 마이크로 미터 내지 나노미터 크기일 수 있다.
다음 도 2b와 같이 소프트 몰드(10) 표면에 수산화기(OH)를 도입한다(S111). 수산화기의 도입은, 이에 한정되지 않으나, 소프트 몰드(10)를 산소 플라즈마로 처리하거나 UVO(UV with oxygen) 처리하여 수행될 수 있다. 산소 플라즈마 처리는, 예를 들어, 약 25W의 강도, 0.2Torr 압력에서 약 20초간 수행된다.
다음 도 2c와 같이, 소프트 몰드(10) 표면에 아미노기를 도입한다(S112). 아미노기의 도입은 NH2를 가진 실란을 가하여 수행될 수 있다. 구체적으로는, 아미노프로필트리클로로실란(NH2(CH2)3SiCl3) 아미노프로필트리클로로실란(aminopropyltrichlorosilane), N-(3-(트리메톡시실릴)프로필)에틸렌디아민(N-(3-(Trimethoxysilyl)propyl)ethylenediamine), 4-아미노부틸트리에톡시실란(4-aminobutyltriethoxysilane), (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실란((aminoethylaminomethyl)phenethyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필실란트리올(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylsilanetriol), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란( N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane), N-(6-아미노헥실)아미노메틸트리메톡시실란(N-(6-aminohexyl)aminomethyltrimethoxysilane), N-(6-아미노헥실)아미노프로필메톡시실란(N-(6-aminohexyl)aminopropyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-11-아미노운데실트리메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-11-aminoundecyltrimethoxysilane), 3-(m-아미노페녹시)프로필트리메톡시실란)(3-(m- aminophenoxy)propyltrimethoxysilane), m-아미노페닐트리메톡시실란(m-aminophenyltrimethoxysilane), p-아미노페닐트리메톡시실란(p-aminophenyltrimethoxysilane), N-3-[아미노(폴리프로필렌옥시)]아미노프로필트리메톡시실란(N-3-[amino(polypropylenoxy)]aminopropyltrimethoxysilane), 11-아미노운데실트리에톡시실란(11-aminoundecyltriethoxysilane), 3-아미노프로필메톡시실란(NH2(CH2)3Si(OCH3)3, 3-aminopropyltrimethoxysilane), 3-아미노프로필트리에톡시실란( NH2(CH2)3Si(OC2H5)3 , 3-aminopropyltriethoxysilane, 이하 APTES) 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
APTES를 이용할 경우, 수산화기가 도입된 소프트 몰드(10)를 0.5질량%의 APTES가 용해되어 있는 순수(deionized water)에 침지(dipping)한다. 침지 시간은 약 5분 내지 20분 정도일 수 있다. 침지를 통해 APTES의 실란기와 수산화기가 반응하여 소프트 몰드(10)에 아미노기가 도입된다.
이후 세정과정(S113)을 거치는데, 세정에서는 순수를 이용할 수 있다.
다음 도 2d와 같이 표면처리 물질을 가하여 비접착 코팅층(12)을 형성한다(S114). 이 때 사용된 표면처리 물질은, 폴리(디메틸실록산)계열을 말단으로 가지는 화학물질로써, 예를 들어, 다음 화학식 2로 표현되는 폴리(디메틸실록산), 모노글리시딜 에테르 터미네이티드(poly(dimethylsiloxane), monoglycidyl ether terminated, 이하 PDMS-mget), 에폭시사이클로헥실에틸메틸실록산 디메틸 실록산 공중합체(Epoxycyclohexylethylmethylsiloxane dimethylsiloxane copolymers), 모 노-(2,3-에폭시)프로필에테르-터미네이티드 폴리디메틸실록산(mono-(2,3-epoxy)propylether terminated polydimethylsiloxane), 폴리(디메틸실록산-코-(2-3,4-에폭시사이클로헥실)에틸)메틸실록산(poly(dimethylsiloxane-co-(2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl)methylsiloxane), 폴리(디메틸실록산-코-(3-(2-(2-하이드록시에톡시)에톡시)프로필)메틸실록산)(poly(dimethylsiloxane-co-(3-(2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy)propyl)methylsiloxane))중 어느 하나를 사용할 수 있다.
화학식 2.
Figure 112006024863003-pat00004
비접착 코팅층(12)의 형성은 PDMS-mget를 아미노기가 도입되어 있는 소프트 몰드(10)에 도입하고, 60 ℃내지 90℃ 에서 1시간 내지 5시간 동안 반응시켜 수행될 수 있다. 반응을 통해 PDMS의 에폭시기가 소프트 몰드(10)에 형성되어 있는 아미노기와 결합하면서 비접착 코팅층(12)이 형성된다.
마지막으로 소프트 몰드(10)를 세정(S115)하는데, 이 때의 세정은 소프트 몰드(10)를 이소프로필알콜 또는 톨루엔에 담근 상태에서 초음파를 이용하여 수행될 수 있다.
이상의 실시예는 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 아미노기의 도입 단계(S112)는 생략될 수 있다. 이 때, PDMS-mget는 소프트 몰드(10)의 수산화기와 직 접 반응하며, 반응온도는 다소 상승된다.
이하 도 3을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따라 처리된 몰드를 이용한 기판 패터닝 방법을 설명한다. 도 3에서는 기판(웨이퍼) 패터닝을 예시하였으나, 본 발명의 금속층 또는 무기층의 패터닝에도 적용될 수 있다.
먼저 실리콘 등으로 이루어진 기판(100) 상에 유기층(110)을 코팅한다. 유기층(110)은, 예를 들어, 미국 놀랜드(Norland) 사의 자외선-경화 접착제인 NOA 63일 수 있다.
유기층(110)의 표면에 이상에서 설명한 방법으로 형성된 비접착 코팅층(12)이 형성되어 있는 소프트 몰드(10)를 가압하고 약 30분간 자외선을 가하여 유기층(110)을 경화시킨다.
경화 후 소프트 몰드(10)를 제거하면, 기판(100) 상에는 패턴(111)이 형성되어 있는 유기층(110)이 형성된다. 즉, 소프트 몰드(10)의 패턴이 유기층(110)으로 전사된 것이다. 여기서 소프트 몰드(10)의 표면에 형성된 비접착 코팅층(12)에 의해, 소프트 몰드(10)는 유기층(110)의 패턴(111)을 손상시키지 않고 유기층(110)과 분리될 수 있다. 한편 소프트 몰드(10)의 패턴(11)간의 간격이 좁아지면, 예를 들어 1㎛이하로, 패턴(11)이 서로 붙는 페어링(pairing) 불량이 발생할 수 있다.
본 발명에 따르면 의한 표면처리 기법을 통해 몰드의 표면만 선택적으로 유기물이 달라붙지 않게 가공할 수 있으므로 몰드 재료로 소프트한 물질 뿐 아니라 좀 더 단단한 고분자 물질도 다양하게 쓸 수 있기 때문에 몰드의 단단함을 표면 물성에 관계없이 몰드 재료로 조절함에 따라 이러한 페어링 불량을 감소시킬 수 있 다.
패턴(111) 사이에 잔류하는 유기층(110)은 반응성 이온식각(reactive ion etching, RIE)에 의해 제거되어, 패턴(111) 사이에는 기판(100)이 노출된다.
다음으로 노출된 기판(100)을 반응성 이온식각을 통해 제거한다. 이 과정에서, 반응성 이온식각은 기판(100)만 선택적으로 식각되는 조건에서 수행되는 것이 바람직하다.
이하 도 4 내지 도 5d를 참조하여 본 발명의 제2실시예에 따른 몰드 처리방법을 설명한다. 제2실시예에서는 마스터 몰드로부터 소프트 몰드를 제조하는 과정을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 몰드 처리방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 제2실시예에 따른 몰드 처리방법을 순차적으로 나타낸 도면이다.
먼저 마스터 몰드(20)를 마련한다(S210). 마스터 몰드(20)는 실리콘 또는 실리카 등으로 제조될 수 있으며, 소프트 몰드(10)의 패턴(11)에 대응하는 음각의 공간부(21)가 형성되어 있다.
이 후 도 5a와 같이 마스터 몰드(20) 표면에 비접착 코팅층(22)을 형성한다(S211). 비접착 코팅층(22)의 형성방법은 소프트 몰드(10)에 비접착 코팅층(12)을 형성하는 방법과 동일하며 설명은 생략한다. 단, 실리콘으로 제조된 마스터 몰드(20) 표면의 산소 플라즈마 처리는, 예를 들어, 약 50W의 강도, 0.2Torr 압력에서 약 10분간 수행된다.
이 후 도 5b와 같이 마스터 몰드(20) 상에 소프트 몰드 형성층(15)을 코팅한다(S212). 소프트 몰드 형성층(15)은, 예를 들어, 미국 놀랜드(Norland) 사의 폴리우레탄계 자외선-경화 접착제인 NOA나 에폭시 계열의 자외선 경화 감광물질인 SU-8 2035(마이크로 캠, 미국)일 수 있다.
소프트 몰드 형성층(15)의 상부에는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)판이 부착되어 있다.
이 후 도 5c와 같이 소프트 몰드 형성층(15)에 열 그리고/또는 자외선을 가하여, 소프트 몰드 형성층(15)을 경화시킨다(S213).
다음으로 도 5d와 같이 제조된 소프트 몰드(10)를 마스터 몰드(20)에서 분리한다(S214). 이 과정에서 마스터 몰드(20)의 표면에 형성된 비접착 코팅층(22)에 의해, 소프트 몰드(10)는 패턴(11)의 손상없이 마스터 몰드(20)에서 분리될 수 있다.
도시하지는 않았지만 소프트 몰드(10)는 이 후 다시 열 그리고/또는 자외선을 이용하여 2차 경화될 수 있다.
비록 본발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 본발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 몰드와 유기층 간의 접착을 감소 시키는 몰드처리방법이 제공된다.

Claims (7)

  1. 소정의 패턴이 형성되어 있는 몰드를 마련하는 단계와;
    상기 몰드의 표면에 수산화기를 도입하는 단계와;
    상기 몰드에 다음 화학식 1로 표현된 표면처리 물질을 가하여 비접착 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드 처리방법.
    화학식 1.
    Figure 112006024863003-pat00005
    여기서 R1은 서로 같거나 다를 수 있으며 CH3, F, CF3 중 어느 하나이고, R2는 상기 수산화기 또는 아미노기와 반응가능한 관능기임.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1에서 상기 R2는 에폭시기를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드 처리방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수산화기 도입 후에,
    상기 몰드 표면에 아미노기를 도입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드처리방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 아미노기의 도입은,
    상기 몰드에NH2를 말단기로 가지는 실란을 가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 몰드처리방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 실란은 아미노프로필트리클로로실란(NH2(CH2)3SiCl3) 아미노프로필트리클로로실란(aminopropyltrichlorosilane), N-(3-(트리메톡시실릴)프로필)에틸렌디아민(N-(3-(Trimethoxysilyl)propyl)ethylenediamine), 4-아미노부틸트리에톡시실란(4-aminobutyltriethoxysilane), (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실란((aminoethylaminomethyl)phenethyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필실란트리올(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylsilanetriol), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란( N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane), N-(6-아미노헥실)아미노메틸트리메톡시실란(N-(6-aminohexyl)aminomethyltrimethoxysilane), N-(6-아미노헥실)아 미노프로필메톡시실란(N-(6-aminohexyl)aminopropyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-11-아미노운데실트리메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-11-aminoundecyltrimethoxysilane), 3-(m-아미노페녹시)프로필트리메톡시실란)(3-(m-aminophenoxy)propyltrimethoxysilane), m-아미노페닐트리메톡시실란(m-aminophenyltrimethoxysilane), p-아미노페닐트리메톡시실란(p-aminophenyltrimethoxysilane), N-3-[아미노(폴리프로필렌옥시)]아미노프로필트리메톡시실란(N-3-[amino(polypropylenoxy)]aminopropyltrimethoxysilane), 11-아미노운데실트리에톡시실란(11-aminoundecyltriethoxysilane), 3-아미노프로필메톡시실란(NH2(CH2)3Si(OCH3)3, 3-aminopropyltrimethoxysilane), 3-아미노프로필트리에톡시실란( NH2(CH2)3Si(OC2H5)3 , 3-aminopropyltriethoxysilane)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드처리방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수산화기의 도입은,
    상기 몰드를 산소 플라즈마 처리하거나, 상기 몰드를 UVO(UV with oxygen)처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 몰드처리방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 몰드의 재질은 폴리우레탄계 고분자 또는 아크릴계 고분자를 포함하며, 상기 아크릴계 고분자는 펜타에리스리톨 프로폭실레이트 트리아크릴레이트(Pentaerythritol propoxylate triacrylate), 비스페놀 A 프로폭실레이트 다이아크릴레이트(Bisphenol A propoxylate diacrylate), 트리메틸롤프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane ethoxylate triacrylate)로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드처리방법.
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