KR20050073017A - Ｐｄｍｓ 일래스토머 스탬프 및 이를 이용한 미세패턴형성 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 PDMS 일래스토머 스탬프 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기물질에 접촉하였을 때 표면이 팽윤되는 것을 방지하기 위해, 스탬프의 패턴 형성 부위를 완전 불소 치환 고분자를 용매에 용해시켜 제조한 코팅액으로 코팅 처리한 PDMS 일래스토머 스탬프 및 이를 이용한 리소그래피 공정에 의해 미세패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로 본 발명에 의한 PDMS 일래스토머 스탬프는 유기물질에 대한 팽윤성이 낮아 반복적으로 리소그래피에 적용할 수 있을 뿐만 아니라 이를 이용한 리소그래피 공정은 우수한 미세 패턴을 형성한다.

Description

ＰＤＭＳ 일래스토머 스탬프 및 이를 이용한 미세패턴 형성 방법{PDMS elastomer stamp and Method of forming minute pattern using the same}

본 발명은 PDMS 일래스토머 스탬프 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스탬프의 패턴 형성 부위가 완전 불소 치환 고분자로 코팅 처리된 PDMS 일래스토머 스탬프 및 이를 이용한 리소그래피 공정에 의해 미세패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.

리소그래피는 반도체 집적 회로와 많은 광학적, 자기적, 초미세 기계적 장치들의 제조에서 미세패턴을 형성하는 핵심적인 공정이다. 일반적으로 리소그래피 공정을 시작하기 전에 웨이퍼 표면에 묻은 이물질을 제거하는 웨이퍼 세정공정과 감광막이 웨이퍼에 잘 접착되도록 웨이퍼의 표면을 처리하는 표면처리공정, 감광막을 웨이퍼에 원하는 두께로 균일하게 도포하는 감광막 도포공정, 마스크를 감광막이 도포된 웨이퍼 위에 위치시키고 마스크 위에서 노광시킴으로써 마스크 위에 그려진 회로가 웨이퍼 상에 형성되도록 하는 정렬/노광공정, 노광에 의해 변형된 감광막을 세정액을 통해 제거하는 현상공정으로 구성된다. 이러한 방법에 의할 때 해상도는 복사 파장에 의해 결정되며 우수한 미세패턴을 형성하기 위해서는 많은 비용이 소요된다.

현재 리소그래피는 일반적으로 상기한 바와 같은 포토레지스트를 사용하여 수행되고 있다. 그러나 현재의 방법에서 적용되는 광원의 파장으로는 핏쳐(feature)를 더 작게 하는데 있어 그 한계에 도달했다. 반도체 산업이 발전함에 따라서 마이크로미터(micrometer)- 또는 나노미터-스케일(nanometer-scale) 디바이스를 제조하기 위한 신뢰할 만한 기술이 요청됨에 따라서 다른 기본원리에 기초한 리소그래피를 이용하여 나노미터 스케일의 핏쳐(feature)를 제공하고 높은 해상도, 높은 처리량, 낮은 비용, 및 넓은 면적의 적용 가능성을 갖는 기술이 연구되고 있다. 이와 관련하여 우수한 미세 패턴을 형성하기 위한 새로운 기술로서 전자 빔 라이팅(electron beam writing)이 이용되고 있지만 이 기술은 시간 및 비용이 많이 소요된다는 현실적인 문제점을 안고 있다. 따라서 이와는 다른 기술로서 나노 임프린팅 리소그래피(nanoimprinting lithography:NIL)가 적용되고 있다.

NIL 공정에서는 보다 안정적으로 원하는 패턴을 형성할 수 있는 일래스토머 스탬프에 관한 연구가 진행되었는데, 얻고자 하는 패턴에 대해 음각의 프로파일을 갖는 스탬프를 제조함에 있어서 패턴 형성이 용이하면서도 비용이 저렴한 실리콘 소재가 주로 사용되었다. 초기에는 NIL 공정이 고온과 압력이 가해지는 조건하에서 진행되었는데 이 경우 가열이 동반되는 열적 사이클링(thermal cycling)으로 인해 형성된 미세 패턴 또는 실리콘 스탬프의 패턴 부위 자체의 변형이 일어나는 경우가 빈번하였다. 뿐만 아니라 레지스트(resist)를 스탬프가 유리전이온도(Tg) 이상의 온도에서 물리적으로 압인하고, 유리전이온도(Tg) 이하의 온도에서 박리하는 과정에서 잔여 레지스트(resist)가 기판 상에 그대로 남기 때문에 별도의 반응성 이온 에칭(reactive ion etching[RIE])을 실시해야 하는 문제점이 있었다. 따라서 보다 마일드한 조건하에서의 리소그래피 공정, 즉 도 1에 나타낸 것과 같은 소프트 임프린팅 리소그래피(soft-imprinting lithography) 공정이 연구되었고 상기 문제점을 극복하기 위해 SFIL(step-and-flash imprinting lithography)이 제안되었다(T . Bailey, D. Resnick, D. Manicini, W. Dauksher, S.V. Screenivasan, C.G. Willson, Microeletron. Eng. 61-62 (2002) 461~467). 이 리소그래피 공정에서는 광가교성(photocurable) 모노머를 중합시켜 패턴을 형성하는데 광투과성이 큰 쿼처(qurrtz) 스탬프를 사용한다. 그러나 이런 쿼처(qurrtz) 스탬프는 원하는 패턴 형성을 위해 스탬프를 제조하는데 복잡한 몰딩(molding) 공정이 필요하고 일반적인 실리콘에 비해 비용이 고가인 문제점이 있다. 따라서 기존의 저렴한 실리콘 소재를 이용할 필요가 있는데, 그 중에서 PDMS(polydimethylsiloxane)는 그 자체가 투명하면서도 고분자재료에 대해 낮은 반응성과 계면(interfacial) 에너지를 갖고 있고, 탄성이 좋아 불균일한 표면에서조차 일정한 컨택(contact)을 줄 수 있으며, 패턴 형성 후에 패턴의 왜곡 없이 분리가 가능한 장점을 갖는다. 그러나 PDMS 역시 유기 물질 또는 유기 용매와 접촉하였을 때 팽윤(swelling)되어 그 표면이 변형되고, 백화 현상이 일어나 광을 투과시키지 못하며 원하는 패턴을 압인할 수 없어서 그 사용이 일회적이라는 문제점을 갖고 있다(Y. Xia, G.M. Whitesides, Angew. Chem. Int. Ed. 37 (1998) 551~575). 따라서 PDMS로 제조된 스탬프를 소프트 임프린팅 리소그래피에 사용하기 위해서는 PDMS 몰드의 팽윤 또는 백화 현상을 방지할 필요가 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위해서 일본공개특허 2002-206033에서는 PDMS 스탬프의 표면을 산소 플라즈마를 이용하여 활성화시키고 친수성기를 도입하여 스탬프의 표면 성질을 변형한 마이크로 컨택트(micro contact) 인쇄용의 친수성기를 지닌 스탬프(stamp)를 제공하였다. 그러나 이는 PDMS 몰드 표면을 변형시키는 방법 자체가 매우 복잡하다는 문제점을 안고 있다.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 PDMS (polydimethylsiloxane)를 재질로 하고 그 표면을 완전 불소 치환 고분자로 코팅하여 유기물질에 의해 팽윤 또는 백화되지 않는 일래스토머 스탬프 및 이를 이용한 미세 패턴 형성방법을 제공하고자 한다.

즉, 본 발명의 한 측면은 스탬프의 패턴 형성 부위가 완전 불소 치환 고분자로 코팅 처리된 PDMS 일래스토머 스탬프에 관한 것이다.

본 발명의 다른 한 측면은 ⅰ)모노머 및 광 개시제를 포함하는 광반응 조성물을 제조하는 단계; ⅱ)상기 광반응 조성물을 기판위에 도포하여 광반응 조성물의 층을 형성하는 단계; ⅲ)완전 불소 치환 고분자로 패턴 형성 부위가 코팅된 PDMS 일래스토머 스탬프로 상기 광반응 조성물 층을 압인(imprint)하는 단계; ⅳ)상기 PDMS 일래스토머 스탬프를 통해 상기 기판 상의 광반응 조성물 층에 광을 조사하여 중합 및 가교반응을 일으키는 단계; 및 ⅴ)상기 PDMS 일래스토머 스탬프 몰드를 기판으로부터 분리(demolding)하는 단계를 포함하는 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.

이하, 본 발명에 관하여 보다 상세히 설명하기로 한다.

본 발명의 일래스토머 스탬프의 소재로 사용되는 PDMS (polydimethylsiloxane)는 그 자체가 투명하면서도 고분자 재료에 대해 낮은 반응성과 계면(interfacial) 에너지를 갖기 때문에 소프트 임프린팅 리소그래피 공정에서 광을 투과시킬 수 있으며 중합체에 패턴을 압인(imprint)한 후에 발생할 수 있는 스틱킹(sticking)이나 패턴의 왜곡 없이 스탬프와 패턴이 형성된 고분자를 분리할 수 있다. 또한 탄성이 좋아 불균일한 표면에서조차 일정한 컨택(contact)을 줄 수 있으며, 패턴 상의 디펙트(defect)를 감소시킬 수 있는 장점이 있다.

본 발명의 PDMS 일래스토머 스탬프는 형성하고자 하는 미세패턴에 대해 반대의 프로파일을 갖는 PDMS 스탬프를 제조한 후에, 완전 불소 치환 고분자를 적합한 용매에 용해시킨 코팅액을 제조하고 이를 일래스토머 스탬프의 패턴 형성 부위에 코팅하고 건조하는 과정을 통해 제작된다. 즉, 상기 언급한 바와 같이 PDMS 일래스토머 스탬프가 소프트 임프린팅 리소그래피 공정에서 광중합 반응시에 사용되는 유기 용매 또는 유기 모노머와 반응하여 팽윤하는 것을 방지하기 위해 완전 불소 치환 고분자로 표면을 코팅하는 것이다.

PDMS 일래스토머 스탬프를 코팅하는 완전 불소 치환 고분자로는 구체적으로 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 물질을 예로 들 수 있다. 하기 화합물들은 기존의 금속 주형을 코팅하는데 주로 사용되던 테프론(Teflon) 등이 결정질로서 광 투과성이 없었던 것과는 다르게 완전 불소 치환 고분자로서 그 자체가 투명하므로 리소그래피 공정 중의 광중합 반응에서 광을 그대로 투과시킬 수 있다는 특징을 갖는다.

상기식에서 n은 1 이하의 실수이고,

상기식에서 R_F가 탄소수 1-5의 선형 또는 가지형의 퍼플루오로알킬 라디칼(perfluoroalkylic radical), X₁ 및 X₂는 각각 독립적으로 F 또는 CF₃ 이다.

상기 화학식 1의 화합물은 듀퐁사의 테플론 AF라는 물질로서 2,2-비스트리플루오로메틸-4,5-디플루오로-1,3-다이옥솔(PDD)와 테트라플루오로에틸렌의 공중합체이다. 또한 상기 화학식 2의 화합물은 하이플론 AD(hyflon AD: 오시몽社(Ausimont))이며, 상기 화학식 3의 화합물은 사이톱(CYTOP: Asahi glass co.)이다.

상기 완전 불소 치환 고분자의 분자량은 각각 8000 이상에서 1000,000 이하의 범위인 것이 바람직하다.

상기 완전 불소 치환 고분자는 유기용매 내에 0.001 중량% 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.01 중량% 내지 2 중량% 농도로 용해되어 코팅액을 형성하고 이러한 코팅액을 사용하여 PDMS 스탬프에 코팅된다.

상기 코팅액 제조시에 완전 불소로 치환된 고분자를 용해시키는 용매로는 FC 77(듀퐁社), 퍼플루오로플로렌(perfluoro-fluorene), 퍼플루오로벤질테트랄린 (perfluorobenzyltetralin), 폴리(트리플루오로-클로로에틸렌)오일 (poly(trifluoro-chloroethylene)oil), 퍼플루오로-폴리에스터 오일 (perfluoro-polyester oil), 1,1,3,5,6-펜타클로로-노나플루오로벤젠 (1,1,3,5,6-pentachloro-nonafluorobenzene) 등을 예로 들 수 있다.

상기에서 제조된 코팅액은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 사용되는 일반적인 방법에 의해 PDMS 일래스토머 스탬프에 코팅된다.

코팅 방법으로는 블레이드법(blade method), 스핀 코팅법 등이 사용될 수 있으며, 수천 rpm에서의 스핀 코팅이 보다 바람직하다. 코팅 과정은 수초에서 수분까지 진행될 수 있으며, 바람직하게는 10초 내지 5분이다.

상기 코팅이 진행된 후, 상온에서 진행되는 자연건조에 의해 본 발명의 목적에 부합하는 PDMS 일래스토머 스탬프가 완성된다.

상기 PDMS 스탬프상에 형성된 완전 불소 치환 고분자 코팅막의 두께는 수Å에서 수㎛일 수 있으며, 보다 바람직하게는 10Å 내지 1㎛이다.

본 발명은 상기 제조된 완전 불소 치환 고분자 코팅막을 갖는 PDMS 일래스토머 스탬프를 이용한 소프트 임프린팅 리소그래피 공정에 의한 미세패턴 형성 방법도 포함한다.

본 발명의 미세패턴 형성 방법은 ⅰ)모노머 및 광 개시제를 포함하는 광반응 조성물을 제조하는 단계; ⅱ)상기 광반응 조성물을 기판위에 도포하여 광반응 조성물의 층을 형성하는 단계; ⅲ)완전 불소 치환 고분자로 패턴 형성 부위가 코팅된 PDMS 일래스토머 스탬프로 상기 광반응 조성물 층을 압인(imprint)하는 단계; ⅳ)상기 PDMS 일래스토머 스탬프를 통해 상기 기판 상의 광반응 조성물 층에 광을 조사하여 중합 및 가교반응을 일으키는 단계; 및 ⅴ)상기 PDMS 일래스토머 스탬프 몰드를 기판으로부터 분리(demolding)하는 단계를 포함한다.

상기 광반응 조성물은 모노머 및 광 개시제를 포함한다.

상기 모노머는 아크릴 및 그의 유도체, 스티렌 및 그의 유도체, 또는 이들의 공모노머를 사용할 수 있으며, 이에 한정되지 않고 포토레지스트로 사용될 수 있는 모든 모노머가 사용가능하다. 특히 스티렌계 모노머 또는 아크릴계 모노머로서 스티렌(styrene）또는 메틸메타크릴레이트(MMA)를 사용하는 것이 가장 바람직하다.

상기 광 개시제로는 2-메틸-4-(메틸티오)-2-모폴리노-프로피오페논(2-methyl-4-(methylthio)-2-morpholino-propiophenone) 또는 이가큐어(igacure: Ciba-Geigy)가 바람직하나 이에 한정되지 않는다. 광 개시제의 양은 모노머의 양에 대비하여 0.0001 중량% 내지 30 중량%인 것이 바람직하다.

상기 모노머 및 광 개시제를 포함하는 조성물은 일반적인 방법에 의해 기판에 도포하는데 주로 스핀 코팅이 이용된다.

다음 단계로 투명한 PDMS 일래스토머 스탬프로 기판 상에 코팅된 광중합 조성물을 압인하는데 있어서, 깨끗한 패턴을 형성하기 위해서는 PDMS 스탬프가 광중합 조성물 상에 부유하지 않도록 약간의 압력이 가해질 필요가 있다. PDMS 스탬프가 중합체를 압인한 후 광을 조사하는데 있어서, 광(光)은 대개 UV를 사용하며 파장은 300nm 내지 400nm이고, 노광 시간은 수초 내지 수 시간인 것이 바람직하다.

상기 광 조사가 진행되면 기판 상에 도포되었던 모노머들은 광 개시제에 의해 중합 및 가교 반응을 일으키면서 사용된 PDMS 일래스토머 스탬프에 대응되는 패턴을 형성하고 노광 공정 이후의 세정 과정을 거치면서 깨끗한 미세 패턴을 제공하게 된다.

본 발명의 미세패턴 형성 공정의 마지막 단계는 광에 의한 중합 반응이 완결된 후, 형성된 패턴으로부터 PDMS 일래스토머 스탬프를 분리(demolding)하는 단계인데, 이미 상기한 바와 같이 완전 불소로 치환된 본 발명의 화합물들로 코팅된 PDMS 일래스토머 스탬프를 사용할 경우 스탬프 자체에도 왜곡이 일어나지 않으면서 형성된 패턴도 손상 없이 분리가 가능하다. 또한 우수한 전사능력으로 인해 대면적에서의 패턴 형성도 가능하다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명에 관하여 보다 상세하게 설명하고자 하나 실시예에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것은 아니다.

실시예 1

PDMS 일래스토머 스탬프는 PDMS 전구체(Sylgard TM 184, Dow Corning)를 이용하여 원하는 패턴을 갖도록 몰딩(molding)하여 제조하였다. PDMS 스탬프를 제조한 후, FC-77(3M)용매에 비정질 불소 고분자(Hyflon AD 60, solvay; 화학식 2와 같은 일반 구조를 갖는 고분자)를 녹여 불소 고분자가 0.05중량% 용해된 용액을 코팅액으로 준비하였다. 준비된 코팅액은 60초 동안 2000 rev./분으로 PDMS 스탬프에 스핀 코팅하였다.

제조한 코팅된 스탬프를 이용하여 소프트 임프린팅 리소그래피 공정을 실시하였다. 글래스 기판 상에 스틸렌 모노머와 UV 개시제인 2-메틸-4-(메틸티오)-2-모폴리노-프로피오페논을 모노머 대비 2 중량%로 혼합하여 스핀 코팅하였다. 표면이 코팅된 PDMS 스탬프가 모노머 혼합물상에 놓이게 하였다. 약간의 압력을 주어 PDMS 몰드가 모노머 혼합물상에서 부유하지 않도록 하여 UV를 30분간 조사하여 중합을 수행해 균일한 패턴을 형성할 수 있었다. 도 2에 형성된 미세패턴의 SEM(scanning electron microscopy)을 나타내었다.

실시예 2

PDMS 일래스토머 스탬프는 PDMS 전구체(Sylgard TM 184, Dow Corning)를 이용하여 원하는 패턴을 갖도록 몰딩(molding)하여 제조하였다. PDMS 스탬프를 제조한 후, FC-77(3M)용매에 비정질 불소 고분자(Teflon AF 1600, dupont; 화학식 1과 같은 일반 구조를 갖는 고분자)를 녹여 불소 고분자가 0.04중량% 용해된 용액을 코팅액으로 준비하였다. 준비된 코팅액은 50초 동안 1800 rev./분으로 PDMS 스탬프에 스핀 코팅하였다.

제조한 코팅된 스탬프를 이용하여 소프트 임프린팅 리소그래피 공정을 실시하였다. 글래스 기판 상에 스틸렌 모노머와 UV 개시제인 2-메틸-4-(메틸티오)-2-모폴리노-프로피오페논을 모노머 대비 1 중량%로 혼합하여 스핀 코팅하였다. 표면이 코팅된 PDMS 스탬프가 모노머 혼합물상에 놓이게 하였다. 약간의 압력을 주어 PDMS 몰드가 모노머 혼합물상에서 부유하지 않도록 하여 UV를 40분간 조사하여 중합을 수행해 균일한 패턴을 형성할 수 있었다.

실시예 3

PDMS 일래스토머 스탬프는 PDMS 전구체(Sylgard TM 184, Dow Corning)를 이용하여 원하는 패턴을 갖도록 몰딩(molding)하여 제조하였다. PDMS 스탬프를 제조한 후, FC-77(3M)용매에 비정질 불소 고분자(CYTOP, asahi glass co; 화학식 3과 같은 일반 구조를 갖는 고분자)를 녹여 불소 고분자가 0.05중량% 용해된 용액을 코팅액으로 준비하였다. 준비된 코팅액은 50초 동안 2200 rev./분으로 PDMS 스탬프에 스핀 코팅하였다.

제조한 코팅된 스탬프를 이용하여 소프트 임프린팅 리소그래피 공정을 실시하였다. 글래스 기판 상에 스틸렌 모노머와 UV 개시제인 2-메틸-4-(메틸티오)-2-모폴리노-프로피오페논을 모노머 대비 1.5 중량%로 혼합하여 스핀 코팅하였다. 표면이 코팅된 PDMS 스탬프가 모노머 혼합물상에 놓이게 하였다. 약간의 압력을 주어 PDMS 몰드가 모노머 혼합물상에서 부유하지 않도록 하여 UV를 35분간 조사하여 중합을 수행해 균일한 패턴을 형성할 수 있었다.

비교예

PDMS 일래스토머 스탬프는 PDMS 전구체(Sylgard TM 184, Dow Corning)를 이용하여 원하는 패턴을 갖도록 몰딩(molding)하여 제조하였다. 글래스 기판 상에 스틸렌 모노머와 UV 개시제인 2-메틸-4-(메틸티오)-2-모폴리노-프로피오페논을 모노머 대비 1.5 중량%로 혼합하여 스핀 코팅하였다. 표면이 코팅되지 않은 PDMS 스탬프가 모노머 혼합물상에 놓이게 하였다. 약간의 압력을 주어 PDMS 몰드가 모노머 혼합물상에서 부유하지 않도록 하여 UV를 35분간 조사하여 중합을 수행해 불균일한 패턴을 형성할 수 있었다. 도 3에 형성된 미세패턴의 SEM(scanning electron microscopy)을 나타내었다.

본 발명의 완전 불소 치환 고분자로 코팅된 PDMS 일래스토머 스탬프는 유기물질 또는 유기용매에 대한 팽윤 또는 백화 현상이 개선되었고 이를 이용한 소프트 식각 리소그래피(soft-imprint lithography)는 매우 낮은 식각 압력으로 상온에서 서브미크론 범위의 고분자 패턴을 제조할 수 있으며, 높은 종횡비(aspect ratio) 및 좋은 전사능력을 제공한다.

도 1 본 발명의 PDMS 몰드를 이용하여 미세패턴을 형성하는 개략적인 과정을 도시한 것이다.

도 2는 실시예 1에서 형성된 미세패턴의 SEM(scanning electron microscopy)을 나타낸 것이다.

도 3은 비교예에서 형성된 미세패턴의 SEM을 나타낸 것이다.

Claims (8)

1. 스탬프의 패턴 형성 부위가 완전 불소 치환 고분자로 코팅 처리된 PDMS 일래스토머 스탬프.
2. 제 1항에 있어서, 상기 완전 불소 치환 고분자는 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 PDMS 일래스토머 스탬프:

   [화학식 1]

   상기식에서 n은 1이하의 실수이고;

   [화학식 2]

   상기식에서 R_F가 탄소수 1-5의 선형 또는 가지형의 퍼플루오로알킬 라디칼(perfluoroalkylic radical), X₁ 및 X₂는 각각 독립적으로 F 또는 CF₃ 이다.

   [화학식 3]
3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 완전 불소 치환 고분자의 분자량의 범위가 8000 이상 1,000,000 이하인 것을 특징으로 하는 PDMS 일래스토머 스탬프.
4. 제 1항에 있어서, 상기 코팅 두께는 10Å 내지 1㎛인 것을 특징으로 하는 PDMS 일래스토머 스탬프.
5. ⅰ)모노머 및 광 개시제를 포함하는 광반응 조성물을 제조하는 단계; ⅱ)상기 광반응 조성물을 기판위에 도포하여 광반응 조성물의 층을 형성하는 단계; ⅲ)완전 불소 치환 고분자로 패턴 형성 부위가 코팅된 PDMS 일래스토머 스탬프로 상기 광반응 조성물 층을 압인(imprint)하는 단계; ⅳ)상기 PDMS 일래스토머 스탬프를 통해 상기 기판 상의 광반응 조성물 층에 광을 조사하여 중합 및 가교반응을 일으키는 단계; 및 ⅴ)상기 PDMS 일래스토머 스탬프 몰드를 기판으로부터 분리 (demolding)하는 단계를 포함하는 미세 패턴 형성 방법.
6. 제 4항에 있어서, 상기 모노머는 스티렌(styrene) 또는 메틸 메타크릴레이트 (methyl methacrylate: MMA)인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.
7. 제 4항에 있어서, 상기 광 개시제는 2-메틸-4-(메틸티오)-2-모폴리노-프로피오페논(2-metthyl-4-(methylthio)-2-morpholino-propiophenone)인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.
8. 제 4항에 있어서, 상기 광 개시제는 상기 모노머에 대하여 0.0001 중량% 내지 30 중량% 함량으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.