JP2005191896A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 半導体集積回路外へ出力信号を導出する出力ドライブ回路を備え、該出力信号の導出部に寄生トランジスタが形成される半導体集積回路において、
   出力ドライブ回路の入力側に、出力信号の電圧が前記寄生トランジスタの所定の駆動範囲外では予め定める基準を超えて変化しないように、クランプするクランプ手段が設けられることを特徴とするドライブ回路を備える半導体集積回路。
2. 前記出力ドライブ回路は、出力側電極から前記出力信号のうちの少なくとも一部を導出する半導体素子を含み、
   前記クランプ手段は、該半導体素子の入力側電極に、前記クランプ用の電圧を印加することを特徴とする請求項１記載の出力ドライブ回路を備える半導体集積回路。
3. 前記半導体素子は、相補的な２種類の導電形式のうちの１つの導電形式を有し、
   前記出力ドライブ回路は、該半導体素子をハイサイド側に設け、該半導体素子と同一導電形式の半導体素子をローサイド側に設けるトーテムポール形式で、前記出力を導出することを特徴とする請求項２記載の出力ドライブ回路を備える半導体集積回路。
4. 前記半導体素子は、相補的な２種類の導電形式のうちの１つの導電形式を有し、
   前記出力ドライブ回路は該半導体素子と、該半導体素子に対して相補的な関係にある導電形式を有する半導体素子とで、プッシュプル形式で前記出力を導出することを特徴とする請求項３記載の出力ドライブ回路を備える半導体集積回路。
5. 前記クランプ手段は、
   前記出力ドライブ回路への入力信号に応じてスイッチング動作を行うスイッチング素子と、
   該スイッチング素子と該出力ドライブ回路の入力側との間に接続され、該スイッチング素子がＯＮ状態の時に、該出力ドライブ回路に前記クランプするための電圧が印加されるように設定するクランプ電圧設定手段とを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の出力ドライブ回路を備える半導体集積回路。
6. 前記クランプ電圧設定手段は、ダイオードによって前記クランプするための電圧を設定することを特徴とする請求項５記載の出力ドライブ回路を備える半導体集積回路。