JP2005175230A

JP2005175230A - 圧電素子の製造方法

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Publication number: JP2005175230A
Application number: JP2003413981A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Muramoto; 美幸村本; Masami Murai; 正己村井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-12-11
Filing date: 2003-12-11
Publication date: 2005-06-30

Abstract

【課題】圧電体層の剥がれを防止でき、良好な変位特性が得られる圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の一方面側に設けられた下電極と、下電極上に設けられた圧電体層と、圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子の製造方法であって、基板上に前記下電極を形成する下電極形成工程と、基板表面の水分を除去する水分除去工程と基板上に圧電材料を塗布して圧電体前駆体膜を形成する塗布工程と圧電体前駆体膜を焼成する焼成工程とを少なくとも含んで圧電体層を形成する圧電体層形成工程と、圧電体層上に上電極を形成する工程とを有する。
【選択図】なし

Description

本発明は、圧電材料からなる圧電体層に電圧を印加することによって変位する圧電素子の製造方法に関する。

例えば、液体噴射ヘッド等に用いられる圧電素子は、電気機械変換機能を呈する圧電材料からなる圧電体層を２つの電極で挟んだ素子であり、圧電体層は、例えば、結晶化した圧電性セラミックスにより構成されている。また、このような圧電素子を用いた液体噴射ヘッドとしては、例えば、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドがある。インクジェット式記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの２種類が実用化されている。たわみ振動モードのアクチュエータを使用したものとしては、例えば、振動板の表面全体に亙って成膜技術により均一な圧電体膜を形成し、この圧電体層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けることによって各圧力発生室毎に独立するように圧電素子を形成したものが知られている。

このような圧電素子を構成する圧電体層の製造方法としては、いわゆるゾル−ゲル法が知られている。例えば、下電極を形成した基板上に有機金属化合物のゾルを塗布して乾燥および脱脂させて圧電体の前駆体膜を形成する。そして、この塗布、乾燥および脱脂の工程を所定回数実行した後、前駆体膜を高温で熱処理して結晶化させ、結晶化した圧電体層の上にさらにゾルの塗布、乾燥、脱脂及び結晶化工程を繰り返し実行して、所定厚さの圧電体層を形成する方法がある（例えば、特許文献１参照）。

このような製造方法によれば、例えば、１μｍ以上の厚さの圧電体層を比較的良好に形成でき、クラック等の発生は防止することはできる。しかしながら、圧電体層の密着性にはばらつきがあり、場合によっては製造過程で剥がれてしまうという問題がある。さらに、圧電体層の結晶配向度等の結晶状態を制御することは難しく、常に一定の変位特性を有する圧電素子を形成するのが難しいという問題もある。なお、このような問題は、液体噴射ヘッドに用いられる圧電素子だけでなく、他の装置に用いられる圧電素子においても同様に存在する。

特開平９−２２３８３０号公報（第４〜６頁参照）

本発明は、このような事情に鑑み、圧電体層の剥がれを防止でき、良好な変位特性が得られる圧電素子の製造方法を提供することを課題とする。

上記課題を解決する本発明の第１の態様は、基板の一方面側に設けられた下電極と、該下電極上に設けられた圧電体層と、該圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子の製造方法であって、前記基板上に前記下電極を形成する下電極形成工程と、前記基板表面の水分を除去する水分除去工程と前記基板上に圧電材料を塗布して圧電体前駆体膜を形成する塗布工程と該圧電体前駆体膜を焼成する焼成工程とを少なくとも含んで前記圧電体層を形成する圧電体層形成工程と、前記圧電体層上に前記上電極を形成する工程とを有することを特徴とする圧電素子の製造方法にある。
かかる第１の態様では、圧電体層を形成する際に、水分除去工程を実施し、基板表面の水分が除去されることで、圧電体層の密着性が向上すると共に、結晶状態が安定する。

本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記水分除去工程では、前記基板表面をＨＭＤＳ処理することを特徴とする圧電素子の製造方法にある。
かかる第２の態様では、基板表面に、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の溶液を吹きつけて疎水化することで、基板表面に付着している水分を除去する。

本発明の第３の態様は、第１の態様において、前記水分除去工程が、前記基板を少なくとも１００℃以上に加熱する加熱工程を少なくとも含むことを特徴とする圧電素子の製造方法にある。
かかる第３の態様では、基板を加熱して水分を蒸発させることで、基板表面の水分を除去する。

本発明の第４の態様は、第３の態様において、前記水分除去工程が、前記加熱工程後に実施され前記基板表面をＨＭＤＳ処理する疎水処理工程をさらに含むことを特徴とする圧電素子の製造方法にある。
かかる第４の態様では、加熱工程と疎水処理工程とを実施することで、基板表面の水分が確実に除去される。

本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様において、前記下電極形成工程では、前記下電極を前記基板の全面に形成後、所定形状にパターニングすることを特徴とする圧電素子の製造方法にある。
かかる第５の態様では、パターニングされた下電極上に圧電体層を形成した場合でも、圧電体層の密着性が向上し、圧電体層の剥がれの発生は防止される。

本発明の第６の態様は、第１〜５の何れかの態様において、前記塗布工程では、圧電材料をゾル−ゲル法により塗布して前記圧電体前駆体膜を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法にある。
かかる第６の態様では、ゾル−ゲル法により圧電体前駆体膜を良好に形成でき、この圧電体前駆体膜を焼成することで、結晶状態が良好な圧電体層が得られる。

以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
まず、本発明に係る圧電素子を具備する装置の一例として、液体噴射ヘッドの構造、本実施形態では、インクジェット式記録ヘッドの構造について説明する。なお、図１は、本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及び断面図である。図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ１〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４を介して連通されている。なお、連通部１３は、後述する保護基板のリザーバ部と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。

また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０^-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又は不錆鋼などからなる。

一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、厚さが例えば約１．０μｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）からなる絶縁体膜５５が形成されている。また、この絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜６０は圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。なお、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。

また、流路形成基板１０上の圧電素子３００側の面には、圧電素子３００に対向する領域にその運動を阻害しない程度の空間を確保可能な圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が接合されている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３１内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。さらに、保護基板３０には、流路形成基板１０の連通部１３に対応する領域にリザーバ部３２が設けられている。このリザーバ部３２は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の並設方向に沿って設けられており、上述したように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。

また、保護基板３０の圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられ、この貫通孔３３内に下電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出され、これら下電極膜６０及びリード電極９０には、図示しないが、駆動ＩＣから延設される接続配線の一端が接続される。
なお、保護基板３０の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることがより好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。

また、保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。

このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない駆動ＩＣからの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。

以下、このような本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法、特に、圧電素子の製造方法について図３〜図６を参照して説明する。なお、図３〜図６は、圧力発生室１２の長手方向の断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。

次いで、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、まず、弾性膜５０上に、例えば、ＤＣスパッタ法によりジルコニウム層を形成し、このジルコニウム層を熱酸化することにより酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。次いで、図３（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。

次に、図３（ｄ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層７０を形成する。ここで、本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成している。また、圧電体層７０の製造方法は、ゾル−ゲル法に限定されず、例えば、ＭＯＤ（Metal-Organic Decomposition）法等を用いてもよい。

圧電体層７０の具体的な形成手順としては、まず、流路形成基板用ウェハ１１０の表面、本実施形態では、下電極膜６０及び絶縁体膜５５表面の水分を除去する水分除去工程を実施する。この水分除去工程では、例えば、流路形成基板用ウェハを少なくとも１００℃以上、好ましくは１４０℃程度の温度で加熱することにより（加熱工程）、流路形成基板用ウェハ１１０の表面の水分を蒸発させる。あるいは、流路形成基板用ウェハ１１０をＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）処理し（疎水処理工程）、流路形成基板用ウェハ１１０の表面を疎水化することで、表面に付着している水分を除去する。なお、「ＨＭＤＳ処理」とは、基板上にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の溶液を吹き付けて表面を疎水化処理することを言う。そして、この疎水処理工程では、具体的には、約２４〜８０℃、好ましくは６０℃程度の処理温度で、約１０秒〜２０分間、ヘキサメチルジシラザンの溶液を流路形成基板用ウェハ１１０に吹き付けてその表面を疎水化させる。例えば、本実施形態に係る水分除去工程では、流路形成基板用ウェハ１１０を約１４０℃で３０分加熱した後、一旦冷却し、さらに、流路形成基板用ウェハ１１０を約６０℃で１５分間ＨＭＤＳ処理することによって表面を疎水化させるようにした。

これにより、流路形成基板用ウェハ１１０の表面（下電極膜６０及び絶縁体膜５５の表面）に付着した水分はほぼ完全に除去される。なお、本実施形態では、加熱工程及び疎水処理工程の両工程を実施することにより流路形成基板用ウェハ１１０表面の水分を除去するようにしたが、勿論、何れか一方の工程のみを実施することによっても流路形成基板用ウェハ１１０表面の水分は十分に除去することができる。

そして、このような水分除去工程を実施した後、図４（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上、本実施形態では、下電極膜６０及び絶縁体膜５５上にＰＺＴ前駆体膜である圧電体前駆体膜７１を成膜する。すなわち、流路形成基板用ウェハ１１０上に金属有機化合物を含むゾル（溶液）を塗布する。次いで、圧電体前駆体膜７１を、所定温度に加熱して一定時間乾燥させ、ゾルの溶媒を蒸発させることで圧電体前駆体膜７１を乾燥させる。さらに、大気雰囲気下において一定の温度で一定時間、圧電体前駆体膜７１を脱脂する。なお、ここで言う脱脂とは、ゾル膜の有機成分、例えば、ＮＯ_２、ＣＯ_２、Ｈ_２Ｏ等を離脱させることである。

そして、このような塗布・乾燥・脱脂の工程を、所定回数、例えば、本実施形態では、２回繰り返すことで、図４（ｂ）に示すように、圧電体前駆体膜７１を所定厚に形成し、この圧電体前駆体膜７１を加熱処理することによって結晶化させて圧電体膜７２を形成する。例えば、本実施形態では、約７００℃で３０分間加熱を行って圧電体前駆体膜７１を焼成して圧電体膜７２を形成した。なお、加熱装置としては、拡散炉を使用することができるほか、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）装置でもよい。
そして、上述した塗布・乾燥・脱脂・焼成の工程を、複数回繰り返すことにより、図４（ｃ）に示すように、複数層、本実施形態では、５層の圧電体膜７２からなる所定厚さの圧電体層７０を形成する。例えば、ゾルの塗布１回あたりの膜厚が０．１μｍ程度の場合には、圧電体層７０全体の膜厚は約１μｍとなる。

このように、圧電体層７０を形成する際、流路形成基板用ウェハ１１０の表面に付着している水分を除去する水分除去工程を実施することにより、圧電体層７０の流路形成基板用ウェハ１１０との密着性、例えば、本実施形態では、下電極膜６０及び絶縁体膜５５との密着性が向上し、圧電体層７０の剥がれを防止することができる。また、本実施形態のように下電極膜６０がパターニングされている場合、圧電体層７０の剥がれが発生し易いため、水分除去工程の実施が、特に効果的に作用する。また、本実施形態では、圧電体層７０は５層の圧電体膜７２からなるため、水分除去工程を実施することで、各圧電体膜７２間の密着性も向上する。

さらに、圧電体層７０が良好な結晶状態で形成されるという効果もある。例えば、本実施形態のように、圧電体層７０がチタン酸ジルコン酸鉛からなる場合、結晶の（１００）面配向強度が向上し、配向度も向上する。また、流路形成基板用ウェハの面内方向における、これら配向強度及び配向度のばらつきも小さくなる。したがって、水分除去工程を実施することで、圧電体層７０の耐久性及び信頼性を向上させることができると共に、圧電体層７０の電気的特性も向上させることができる。なお「配向度」とは、Ｘ線回折広角法によって圧電体層を測定した際に生じる回折強度の比率を意味する。例えば、圧電体層をＸ線回折広角法により測定すると（１００）面、（１１０）面及び（１１１）面に相当する回折強度のピークが発生し、「配向度」とは、これらの各面に相当するピーク強度の和に対する各ピーク強度の比率を意味する。
また、本実施形態では、水分除去工程を、下電極膜６０を形成後にのみ実施するようにしたが、これに限定されず、例えば、圧電体層７０を構成する各圧電体膜７２を形成する前に、その都度実施するようにしてもよい。これにより、圧電体層７０を構成する各圧電体膜７２間の密着性がさらに向上する。

そして、このように圧電体層７０を形成した後は、図５（ａ）に示すように、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０を流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成する。次いで、図５（ｂ）に示すように、圧電体層７０及び上電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。次に、リード電極９０を形成する。具体的には、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなる金属層９１を形成する。その後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して金属層９１を各圧電素子３００毎にパターニングすることでリード電極９０が形成される。

次に、図５（ｄ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハ１３０を接合する。なお、この保護基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。

次いで、図６（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ化硝酸等によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みにする。例えば、本実施形態では、約７０μｍ厚になるように流路形成基板用ウェハ１１０をエッチング加工した。次いで、図６（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるマスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、このマスク膜５２を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより、図６（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等を形成する。

なお、その後は、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。

（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。また、上述した実施形態では、インクジェット式記録ヘッドを例示して本発明を説明したが、勿論、インク以外の液体を噴射するものにも適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
さらに、本発明の圧電素子の製造方法は、液体噴射ヘッドに利用されるものに限定されるものではなく、他のあらゆる装置に搭載される圧電素子の製造方法にも適用できることは言うまでもない。

実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。

符号の説明

１０流路形成基板、１２圧力発生室、２０ノズルプレート、２１ノズル開口、３０保護基板、３１圧電素子保持部、３２リザーバ部、４０コンプライアンス基板、５０弾性膜、５５絶縁体膜、６０下電極膜、７０圧電体層、８０上電極膜、１００リザーバ、１１０流路形成基板用ウェハ、３００圧電素子

Claims

基板の一方面側に設けられた下電極と、該下電極上に設けられた圧電体層と、該圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子の製造方法であって、
前記基板上に前記下電極を形成する下電極形成工程と、前記基板表面の水分を除去する水分除去工程と前記基板上に圧電材料を塗布して圧電体前駆体膜を形成する塗布工程と該圧電体前駆体膜を焼成する焼成工程とを少なくとも含んで前記圧電体層を形成する圧電体層形成工程と、前記圧電体層上に前記上電極を形成する工程とを有することを特徴とする圧電素子の製造方法。
請求項１において、前記水分除去工程では、前記基板表面をＨＭＤＳ処理することを特徴とする圧電素子の製造方法。
請求項１において、前記水分除去工程が、前記基板を少なくとも１００℃以上に加熱する加熱工程を少なくとも含むことを特徴とする圧電素子の製造方法。
請求項３において、前記水分除去工程が、前記加熱工程後に実施され前記基板表面をＨＭＤＳ処理する疎水処理工程をさらに含むことを特徴とする圧電素子の製造方法。
請求項１〜４の何れかにおいて、前記下電極形成工程では、前記下電極を前記基板の全面に形成後、所定形状にパターニングすることを特徴とする圧電素子の製造方法。
請求項１〜５の何れかにおいて、前記塗布工程では、圧電材料をゾル−ゲル法により塗布して前記圧電体前駆体膜を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法。