JP2005174983A - 半導体ウェハ - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイシング後にスクライブ領域に残ったパッドから、半導体装置に書き込まれている情報が解析されたり、改ざんされるのを防止可能にする。
【解決手段】パッド1にチップ領域16へ延設された所定長の第3の金属配線4を一体に設け、パッド1および第3の金属配線4に対応の下層に第2の金属配線8を配置して、第2の金属配線8と上記パッド1とをダイシングにより切り離される位置に配置されたパッドビア2により接続し、第2の金属配線8に、ビア13を介してチップ領域16の内部深くにある半導体装置に接続された第1の金属配線5を接続する。
【選択図】 図1
【解決手段】パッド1にチップ領域16へ延設された所定長の第3の金属配線4を一体に設け、パッド1および第3の金属配線4に対応の下層に第2の金属配線8を配置して、第2の金属配線8と上記パッド1とをダイシングにより切り離される位置に配置されたパッドビア2により接続し、第2の金属配線8に、ビア13を介してチップ領域16の内部深くにある半導体装置に接続された第1の金属配線5を接続する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置内部の機密情報を不正な手段による解析行為から保護する耐タンパー性の高い構造を備えた半導体ウェハに関する。
近年、半導体装置の面積の縮小と耐タンパー性を兼ねた技術として、半導体ウェハのスクライブ領域に検査用パッドを配置し、ダイシングする際に検査用パッドを切り落とす技術がよく使われるようになった。このように、検査用パッドを切り離すことで半導体ウェハから切り出された半導体装置の面積を縮小化し、さらに外部から半導体装置内部への配線経路を物理的に遮断することにより、不正解析手段による情報の解読、改ざんに対する保護機能と、切り落とした時の加工上の信頼性確保を兼ねていた。
図8は従来の半導体ウェハの一部を拡大して模式的に示す平面図である。複数の検査用パッド22はスクライブ領域24に並設されている。これらのパッド22はシールリング3を越えてチップ領域21の半導体装置側へ、引き出し配線23により引き込まれている(例えば、特許文献1参照)。また、パッド22を用いて検査データの入出力が半導体装置に対して行われる。一方、ウェハ検査終了後、ダイヤモンドカッターの刃を用い、スクライブ領域において切断領域25を切断して、飛ばしてしまうことにより、半導体装置を半導体ウェハから切り出すことができる。パッド22を半導体装置から切り落とすことで、パッド22を通して半導体装置内の機密情報が読み出されたり、改竄されたりすることを防ぐことができる。
特開2001−135597公報
上述の従来の技術では、半導体装置を半導体ウェハから切り出すときパッド上を切断領域25にしているが、ダイヤモンドカッターの刃の大きさやパッド22の大きさによっては、パッド22の一部分がスクライブ領域24に残る可能性がある。もし残った場合は、その残ったパッド22の一部が外部からプローブを当てられる絶好のターゲットとなる。確実にパッド22を切り落とすためには、切断領域25を引き出し線23まで含めたり、あるいはパッド22の引き出し線の配線経路を長くする様に折り曲げて切断領域25を通過させ、さらにチップ領域21へ配線することが考えられる。しかし、いずれもスクライブ領域24の面積が増大し、半導体ウェハから半導体装置を切り出すことができる個数を減らしてしまう。
また、パッド22上を切断領域25にして、パッド22を残さずにダイシングできたとしても、半導体装置内部の信号配線よりも格段に太い引き出し配線がスクライブ領域24内に必ず残る。この太い引き出し配線はやはり外部からプローブを当てるターゲットにされる。さらに、最上層での引き出し配線を避け、それより下層の異なる金属配線に乗り換えて、パッド22の引き出し線をスクライブ領域24からチップ領域21に引き込む方法も考えられる。しかし、レイアウト観察により、パッド22からの太い引き込み線が視認できれば、現在のFIB加工技術やマイクロプローブ技術をもってすれば、そこから、半導体装置(記憶領域)内の機密情報のコピーや改竄行為が容易に行われてしまい、保護効力としては脆弱である。
上記課題を解決するために、本発明の半導体ウェハは、パッドの一部がダイシングによりスクライブ領域に残ったとしても、それを不正行為に利用できない構造にする。
本発明の半導体ウェハは、スクライブ領域に配置されるパッドと、チップ領域から前記パッドへ引き出され、下層を内部回路に接続した積層構造の金属配線と、前記金属配線の下層と最上層とを接続する前記パッド開口部の一部に形成されたビアを備える。この構成によれば、ダイシング後にパッドの一部がスクライブ領域に残ってもその部分に外部からプローブ当てて、半導体装置に信号を与えたり半導体装置の内部を観測したりすることは、パッドおよび積層構造の上下層を接続するビアが切り落とされることで不可能になる。また、ビアを切り落とすだけでよいため、ダイシングにより完全に切り落す部分が少なくなる。さらに、ビアを完全に包含するように切断領域を定めればよいので、余分なスクライブ領域を必要とせず、パッドをすべて切り落とす以上の効果を得ることができる。
本発明の半導体ウェハにおいて、前記金属配線の上層が下層の構造をシールドする形状であることが好ましい。この構成によれば、金属配線の上層で下層構造をシールドすることにより、不正解析行為を受けやすい内部構造のレイアウト観察を阻止することができ、耐タンパー性を高めることができる。
本発明は、さらに、前記金属配線と前記内部回路との間に配置され、前記内部回路と前記金属配線とを選択的に接続する複数の配線を備える。この構成によれば、複数の配線から選択された特定の配線のみを介して金属配線と内部回路とが接続される構造を採ることで、パッドからは複数の配線を介して内部回路へ到達するようにレイアウト上は見える。従って、不正解析者が改ざんに利用しようとする、内部回路と金属配線とが接続された配線の特定が困難になり、撹乱させることができる。なお、レイアウト観察により正しい経路を知るためには、積層構造の金属配線を剥離しなければならず、金属配線を剥離すると半導体装置の回路網の接続が失われて正常に動作できなくなる。従って、高い耐タンパー性を実現することができる。
本発明の半導体ウェハにおいて、前記内部回路と前記金属配線とが非接続のダミー配線を少なくとも1つ備える。この構成によれば、不正解析者のレイアウト観察による、金属配線とダミー配線との見分けを付き難くすることができる。
さらに、本発明の半導体ウェハは、前記ダミー配線に接続されるダミーパッドを備えることが好ましい。この構成によれば、通常のパッドとダミーパッドとの混載により、不正解析者による解析を困難にすることができる。
本発明によれば、ダイシングによりチップ領域から引き出される金属配線 の上下層を接続するビアが切り落とされるので、ダイシング後にパッドの一部がスクライブ領域に残ってもその部分に外部からプローブを当てて、半導体装置に信号を与えたり半導体装置の内部を観測したりすることが不可能になる。よって、半導体装置内のデータのコピーや改ざんを防止できる。また、スクライブ領域の最小面積化を実現できる。
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。なお、図面において同一部分または相当部分には同じ符号を付して、その説明は繰り返さない。
(第1の実施形態)
本発明による第1の実施形態による半導体ウェハの構造を図1および図2に示す。図1は半導体ウェハの一部分を拡大して模式的に示した平面図である。図2は図1に示す半導体ウェハのB−B線における縦断面図である。図1および図2において、チップ領域16を分けるスクライブ領域15上にパッド1が配置され、パッド1にはパッド1より幅の狭い第3の金属配線4が一体に設けられている。パッド1および第3の金属配線4の下層にはこれらと同一パターンの第2の金属配線8が対向配置され、パッド1と第2の金属配線8とがパッドビア(PADVIA)2を介して接続されている。パッドビア2は全域に分布しているのではなく、パッド1から入出力される信号が電気特性を損なわずに伝播されるに足る分だけ、チップ領域16より遠い側に寄せて分布されている。
本発明による第1の実施形態による半導体ウェハの構造を図1および図2に示す。図1は半導体ウェハの一部分を拡大して模式的に示した平面図である。図2は図1に示す半導体ウェハのB−B線における縦断面図である。図1および図2において、チップ領域16を分けるスクライブ領域15上にパッド1が配置され、パッド1にはパッド1より幅の狭い第3の金属配線4が一体に設けられている。パッド1および第3の金属配線4の下層にはこれらと同一パターンの第2の金属配線8が対向配置され、パッド1と第2の金属配線8とがパッドビア(PADVIA)2を介して接続されている。パッドビア2は全域に分布しているのではなく、パッド1から入出力される信号が電気特性を損なわずに伝播されるに足る分だけ、チップ領域16より遠い側に寄せて分布されている。
パッド1に一体の第3の金属配線4と第2の金属配線8はスクライブ領域15からシールリング3を越えてチップ領域16上に配線され、第2の金属配線8からビア(VIA)13を介して第1の金属配線5に接続されている。さらに、第1の金属配線5は、各一のコンタクトホール12を介して保護素子7と、ダイシング後の腐食を防止する拡散抵抗器9とに接続されている。拡散抵抗器9は再び別のコンタクトホール12を介して別の第1の金属配線5に接続されて、チップ領域16内部深くの半導体装置へ配線されていく。
第2の金属配線8および第3の金属配線4は、拡散抵抗器9からチップ領域16内部深くまで配線されている第1の金属配線5の始点を完全に覆い隠すところまで配線されている。ダイシングライン6はパッド1上を通り、パッドビア2を確実に切り落とすところに定め、定めたダイシングライン6に沿ってダイヤモンドカッターによりスクライブ領域15が切り落される。パッド1の一部分が残ってもパッドビア12が切り落とされているため、第3の金属配線4は、第2の金属配線8や第1の金属配線5とは接続を持たないフローティングな配線となる。
このとき、第3の金属線4は、第2の金属配線8と、ビア13と、保護素子7と、コンタクトホール12と、拡散抵抗器9と、拡散抵抗器9までの第1の金属配線5とをレイアウト観察上完全にシールドすることになる。従って、引き出し配線を太くする必要のある入力保護回路の部分を覆い隠すことになり、レイアウト観察で見えるのは、チップ領域16内部深くにある細い配線の最下層の第1の金属配線5になり、FIB加工の難度を格段に上げる。さらに、チップ領域16の他の回路網配線で、パッド1からチップ領域16内部深くに行く第1の金属配線を覆い隠すようにしたり、その配線の途中でダイシングにより切り離すと電気的にパッド1への経路を遮断してしまう回路を設けておけばさらに良い。
また、レイアウト観察上シールドの役目を果たしている第3の金属配線4を仮に剥離しても、半導体装置の回路網配線に使われる第3の金属配線4をも剥離してしまうこととなり、半導体装置として正常動作しなくなり、結局不正行為による改竄・コピーは不可能となる。しかも、第2の金属配線8が第3の金属配線4と同様に下層の構造をシールドする。従って、仮に第2の金属配線8を剥離しても、さらにチップ領域16の回路網配線を壊し、復元を困難にする。なお、図において、10は半導体基板、11は半導体基板10に形成されたウェル、17は層間絶縁膜、18は最上層の絶縁膜17に形成されたパッド開口部で、開口部18にパッド1の表面が露出している。
以上のことから、第1の実施形態によれば、ダイシング後にパッド1の一部がスクライブ領域15上に残っても、より高いタンパー性が得られ、ダイシングラインをパッドを残さない位置、例えば引き出し線上に選ぶ必要がなく、パッド1上に定めることができるので、スクライブ領域15の面積も最小限にできるタンパーパッド14構造を有した半導体ウェハを得ることができる。
(第2の実施形態)
本発明による第2の実施形態による半導体ウェハの構造を図3および図4に示す。図3は半導体ウェハの一部分を拡大して模式的に示した平面図である。図4は図3に示す半導体ウェハのC−C線における縦断面図である。構造は第1の実施形態とほぼ同じであるが、図4に示す部分が異なる。以下に、第1の実施形態との相違点のみ説明する。ここでは、拡散抵抗器9の出力が接続される第1の金属配線5が、複数(図4では3本)に分けてチップ領域16の内部深くに行くように配線されている。拡散抵抗器9は、3本あるうちのどの第1の金属配線5と接続を持つかは、製造時のコンタクトホール12の選択により決まる。
本発明による第2の実施形態による半導体ウェハの構造を図3および図4に示す。図3は半導体ウェハの一部分を拡大して模式的に示した平面図である。図4は図3に示す半導体ウェハのC−C線における縦断面図である。構造は第1の実施形態とほぼ同じであるが、図4に示す部分が異なる。以下に、第1の実施形態との相違点のみ説明する。ここでは、拡散抵抗器9の出力が接続される第1の金属配線5が、複数(図4では3本)に分けてチップ領域16の内部深くに行くように配線されている。拡散抵抗器9は、3本あるうちのどの第1の金属配線5と接続を持つかは、製造時のコンタクトホール12の選択により決まる。
この構造の半導体ウェハのタンパーパッド30の構造では、第1の金属配線5が第3の金属配線4のシールド部から、チップ領域16の内部深くに行くようにレイアウトされているように見えるので、さらに拡散抵抗器9と複数の第1の金属配線5との接続確認が撹乱されている。従って、正しい配線経路は、第3の金属配線4および第2の金属配線8の剥離なくしては特定が困難となる。また、応用例として、拡散抵抗器9からの出力配線を、いずれかに形成したコンタクトホール12とビア13を使って、第2の金属配線8と第1の金属配線5のいずれかに選択的に接続するようにして使用すると、さらに配線特定が困難となり、より高い耐タンパー性を得ることができる。
(第3の実施形態)
本発明による第3の実施形態による構成を図5および図6に示す。本実施形態は、上記の各実施形態の半導体ウェハにおけるタンパーパッド14、30と、前記ダンパーパッドと表面上は同一パターンであるダミーパッド20からなり、ダミーパッド20は図7に示すようにタンパーパッド14、30と混載して用いられる。以下に、タンパーパッド20の構造について図5および図6を用いて説明する。図5は半導体ウェハの一部分を拡大して模式的に示した平面図である。図6は図5に示す半導体ウェハの切断線D−Dにおける縦断面図である。図5は、図1に示した第1の実施形態と同じである。しかし、図6に示すように、パッド1を形成している第2の金属配線8から第1の金属配線5を接続するビアが存在していない。
本発明による第3の実施形態による構成を図5および図6に示す。本実施形態は、上記の各実施形態の半導体ウェハにおけるタンパーパッド14、30と、前記ダンパーパッドと表面上は同一パターンであるダミーパッド20からなり、ダミーパッド20は図7に示すようにタンパーパッド14、30と混載して用いられる。以下に、タンパーパッド20の構造について図5および図6を用いて説明する。図5は半導体ウェハの一部分を拡大して模式的に示した平面図である。図6は図5に示す半導体ウェハの切断線D−Dにおける縦断面図である。図5は、図1に示した第1の実施形態と同じである。しかし、図6に示すように、パッド1を形成している第2の金属配線8から第1の金属配線5を接続するビアが存在していない。
従って、ダイシングの前も後も、第3の金属配線4および第2の金属配線8とチップ領域16上の内部回路との接続はないダミー配線が存在することになる。また、レイアウト観察上は第1の実施形態の場合と相違がないので、あたかも第3の金属配線4や第2の金属配線8に第1の金属配線5が繋って、第1の金属配線5がさらにチップ領域16の内部深くに接続されているように、不正解析者に思わせることができる。なお、応用例として、拡散抵抗器9とチップ領域16の内部深く行く第1の金属配線5を接続するコンタクトホール12を形成しない方法も考えられ、効果は同じである。
上記のように、ダミーパッド20をタンパーパッド14、30とともに適度に混載すると、不正解析者をますます撹乱させて、不正解析に多大な時間と工数を費やさせることができ、格段に高い耐タンパー性を得ることができる。
本発明の半導体ウェハは、ダイシングによりチップ領域から引き出される金属配線 の上下層を接続するビアが切り落とされるので、ダイシング後にパッドの一部がスクライブ領域に残ってもその部分に外部からプローブ当てて、半導体装置に信号を与えたり半導体装置の内部を観測したりすることが不可能になるという効果を有し、半導体装置内部の機密情報を不正な手段による解析行為から保護する耐タンパー性の高い構造を備えた半導体ウェハ等として有用である。
1 パッド
2 パッドビア
4 第3の金属配線
5 第1の金属配線
6 ダイシングライン
8 第2の金属配線
12 コンタクトホール
13 ビア
14、30 タンパーパッド
15 スクライブ領域
16 チップ領域
20 ダミーパッド
2 パッドビア
4 第3の金属配線
5 第1の金属配線
6 ダイシングライン
8 第2の金属配線
12 コンタクトホール
13 ビア
14、30 タンパーパッド
15 スクライブ領域
16 チップ領域
20 ダミーパッド
Claims (5)
- スクライブ領域に配置されるパッドと、
チップ領域から前記パッドへ引き出され、下層を内部回路に接続した積層構造の金属配線と、
前記金属配線の下層と最上層とを接続する前記パッド開口部の一部に形成されたビアを備える半導体ウェハ。 - 前記金属配線の上層が下層の構造をシールドする形状である請求項1記載の半導体ウェハ。
- 前記金属配線と前記内部回路との間に配置され、前記内部回路と前記金属配線とを選択的に接続する複数の配線を備える請求項1または2記載の半導体ウェハ。
- 前記内部回路と前記金属配線とが非接続のダミー配線を少なくとも1つ備える請求項3記載の半導体ウェハ。
- 前記ダミー配線に接続されるダミーパッドを備える請求項4記載の半導体ウェハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003408707A JP2005174983A (ja) | 2003-12-08 | 2003-12-08 | 半導体ウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003408707A JP2005174983A (ja) | 2003-12-08 | 2003-12-08 | 半導体ウェハ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005174983A true JP2005174983A (ja) | 2005-06-30 |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP2005174983A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011223033A (ja) * | 2011-07-22 | 2011-11-04 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
-
2003
- 2003-12-08 JP JP2003408707A patent/JP2005174983A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011223033A (ja) * | 2011-07-22 | 2011-11-04 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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