JP2005172830A5

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Publication number: JP2005172830A5
Application number: JP2004356910A
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Filing date: 2004-12-09
Publication date: 2008-01-17
Anticipated expiration: 2024-12-09

Claims

集積回路構造のプロファイル決定方法であって、
実測計測信号を得るステップと、
プロファイル・パラメータのセットによって定義される、前記構造の関連プロファイル・モデルを備える第１のシミュレート計測信号を得るステップとを有し、
前記実測計測信号と前記第１のシミュレート計測信号が、第１の終了判定基準内で一致する場合に、
ａ）前記第１のシミュレート計測信号に関連した前記プロファイル・モデルの前記プロファイル・パラメータのセットから少なくとも１つのプロファイル・パラメータを選択するステップと、
ｂ）前記選択されたプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｃ）第２のシミュレート計測信号を得るステップであって、少なくとも１つのプロファイル・パラメータが前記の選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しいプロファイル・パラメータのセットによって定義される、前記構造の関連プロファイル・モデルを備える第２のシミュレート計測信号を得るステップと、
ｄ）前記実測計測信号と前記第２のシミュレート計測信号が、第２の終了判定基準内で一致する場合、前記第２のシミュレート計測信号に関連した前記プロファイル・モデルの前記プロファイル・パラメータのセットからの１つ以上の残りのプロファイル・パラメータについて値を求めるステップとを有する、ことを特徴とするプロファイル決定方法。
前記プロファイル決定方法は、
シミュレート計測信号及び関連プロファイル・モデルのライブラリを生成するステップをさらに含み、
前記ライブラリは、全てのプロファイル・パラメータが値域にわたって変動するように生成され、且つ前記第１のシミュレート計測信号が前記ライブラリから得られる、
請求項１に記載のプロファイル決定方法。
前記プロファイル決定方法は、
前記実測計測信号と前記第１のシミュレート計測信号が、前記第１の終了判定基準内で一致しない場合、前記ライブラリから別のシミュレート計測信号を得るステップをさらに含む、
請求項２に記載のプロファイル決定方法。
前記プロファイル決定方法は、
前記第２のシミュレート計測信号が前記ライブラリから得られ、且つ前記実測計測信号と前記第２のシミュレート計測信号が、第２の終了判定基準内で一致しない場合、前記ライブラリから、前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備える、別のシミュレート計測信号を得るステップを含む、
請求項２に記載のプロファイル決定方法。
前記第２のシミュレート計測信号が、前記第１のシミュレート計測信号の１つ以上の残りのプロファイル・パラメータに略等しい１つ以上の残りのプロファイル・パラメータを備えている、
請求項４に記載のプロファイル決定方法。
前記プロファイル決定方法は、
前記シミュレート計測信号及び関連プロファイル・モデルの部分集合を備える前記ライブラリの部分集合を生成するステップをさらに含み、
前記ライブラリの前記部分集合における前記プロファイル・モデルの前記プロファイル・パラメータのセットが、前記選択プロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備え、
且つ前記第２のシミュレート計測信号及び前記別のシミュレート計測信号の一方又は両方が、前記ライブラリの前記部分集合から得られる、
請求項４に記載のプロファイル決定方法。
前記実測計測信号と、前記第２のシミュレート計測信号又は前記別のシミュレート計測信号とが、前記第２の終了判定基準内で一致する場合、前記１つ以上の残りのプロファイル・パラメータに関する値が、前記第２のシミュレート計測信号又は前記別のシミュレート計測信号に対応する前記プロファイル・モデルを定義する前記プロファイル・パラメータのセットから求められる、
請求項４に記載のプロファイル決定方法。
前記第２のシミュレート計測信号を得るステップは、
前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備えるプロファイル・パラメータのセットを用いて、前記第２のシミュレート計測信号を生成するステップと、
前記実測計測信号と前記第２のシミュレート計測信号が、前記第２の終了判定基準内で一致しない場合、前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備えるプロファイル・パラメータのセットを用いて、別のシミュレート計測信号を生成するステップを含む、
請求項２に記載のプロファイル決定方法。
最適化技術、大域最適化技術、又は、大域最適化技術と局所最適化技術の組み合わせを用いて、前記第２のシミュレート計測信号又は前記別のシミュレート計測信号について、１つ以上の残りのプロファイル・パラメータを求めるステップをさらに含む、
請求項８に記載のプロファイル決定方法。
前記実測計測信号と前記第２のシミュレート計測信号又は前記別のシミュレート計測信号が前記第２の終了判定基準内で一致する場合、前記１つ以上の残りのプロファイル・パラメータ値が、前記第２のシミュレート計測信号又は前記別のシミュレート計測信号に対応する前記プロファイル・モデルを定義する前記プロファイル・パラメータのセットから求められる、
請求項９に記載のプロファイル決定方法。
前記第１のシミュレート計測信号を得るステップは、
プロファイル・パラメータのセットを用いて、前記第１のシミュレート計測信号を生成するステップと、
前記実測計測信号と前記第１のシミュレート計測信号が前記第１の終了判定基準内で一致しない場合、前記第１のシミュレート計測信号の前記プロファイル・パラメータとは異なる少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備えるプロファイル・パラメータのセットを用いて、別のシミュレート計測信号を発生するステップとを含む、
請求項１に記載のプロファイル決定方法。
最適化技術、大域最適化技術、または、大域最適化技術と局所最適化技術の組み合わせを用いて、前記別のシミュレート計測信号についてプロファイル・パラメータのセットを求めるステップをさらに含む、
請求項１１に記載のプロファイル決定方法。
前記第２のシミュレート計測信号を得るステップは、
前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備えるプロファイル・パラメータのセットを用いて、前記第２のシミュレート計測信号を生成するステップと、
前記実測計測信号と前記第２のシミュレート計測信号が前記第２の終了判定基準内で一致しない場合、前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備えるプロファイル・パラメータのセットを用いて、別のシミュレート計測信号を生成するステップを含む、
請求項１１に記載のプロファイル決定方法。
最適化技術、大域最適化技術、または、大域最適化技術と局所最適化技術の組み合わせを用いて、前記第２のシミュレート計測信号又は前記別のシミュレート計測信号について１つ以上の残りのプロファイル・パラメータを求めるステップをさらに含む、
請求項１３に記載のプロファイル決定方法。
前記プロファイル決定方法は、
前記第２のシミュレート計測信号が、シミュレート計測信号及び関連プロファイル・モデルのライブラリから得られるものであり、且つ前記実測計測信号と前記第２のシミュレート計測信号が前記第２の終了判定基準内で一致しない場合、前記ライブラリから、前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備える、別のシミュレート計測信号を得るステップを含む、
請求項１１に記載のプロファイル決定方法。
前記第２のシミュレート計測信号が、前記第１のシミュレート計測信号の１つ以上の残りのプロファイル・パラメータに略等しい１つ以上の残りのプロファイル・パラメータを備える、
請求項１５に記載のプロファイル決定方法。
前記プロファイル決定方法は、
前記シミュレート計測信号及び関連するプロファイル・モデルの部分集合を備えるライブラリの部分集合を生成するステップをさらに含み、
前記ライブラリの前記部分集合における前記プロファイル・モデルの前記プロファイル・パラメータのセットが、前記選択プロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備え、
前記第２のシミュレート計測信号及び前記別のシミュレート計測信号の一方又は両方が、前記ライブラリの前記部分集合から得られる、
請求項１５に記載のプロファイル決定方法。
前記少なくとも１つのプロファイル・パラメータを選択するステップは、
前記少なくとも１つのプロファイル・パラメータを選択するための１つ以上の基準を決定するステップと、
前記プロファイル・パラメータのセットから前記１つ以上の選択基準を満たす１つ以上のプロファイル・パラメータを選択するステップを含む、
請求項１に記載のプロファイル決定方法。
前記１つ以上の選択基準に、別のプロファイル・パラメータとの相関量を含む、請求項１８に記載のプロファイル決定方法。
前記選択されたプロファイル・パラメータの前記値を求めるステップは、
前記選択プロファイル・パラメータの実験、履歴、理論、及びシミュレーションデータの少なくともいずれか一つから、値を得るステップを含む、
請求項１に記載のプロファイル決定方法。
前記選択されたプロファイル・パラメータの前記値を求めるステップは、
測定装置で前記選択プロファイル・パラメータを測定するステップを含む、
請求項１に記載のプロファイル決定方法。
前記測定装置が、反射率計、楕円偏光計、散乱計、測長走査型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡、または、断面走査型電子顕微鏡の少なくとも１つである、
請求項２１に記載のプロファイル決定方法。
前記選択されたプロファイル・パラメータの測定は、
２以上の位置について実施され、且つ前記測定から求められる値が統計的手法を用いて重み付けを施される、
請求項２１に記載のプロファイル決定方法。
前記選択されたプロファイル・パラメータは、基礎をなす膜の厚さ又は前記構造の幅である、
請求項２１に記載のプロファイル決定方法。
前記プロファイル決定方法は、
前記第２のシミュレート計測信号が、重み付き平均最適化器、感度解析器、クラスタ・ベクトル予測器、動的クラスタ・アジャスタ、回帰ベースの最適化器、局所的高精細分解能ライブラリ手順、及び、繰り返しライブラリ改良手順のうち少なくとも１つを用いて得られる、
請求項１に記載のプロファイル決定方法。
実測計測信号からの集積回路構造のプロファイル決定方法であって、
構造に関する光学測定モデルを作成するステップであって、前記測定モデルは構造のプロファイル・モデルを含み、前記プロファイル・モデルはプロファイル・パラメータを有し、
ａ）値を求めるために第１のプロファイル・パラメータを選択するステップと、
ｂ）前記選択された第１のプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｃ）前記選択された第１のプロファイル・パラメータの求められた値を用い、且つ前記構造の１つ以上の実測計測信号を用いて、残りのプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｄ）プロファイル・パラメータの事前決定を終了するために１つ以上の後続終了判定基準を設定するステップと、
ｅ）値を求めるために後続プロファイル・パラメータを選択するステップと、
ｆ）前記選択された後続プロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｇ）前記選択された第１のプロファイル・パラメータ及び前記選択された後続のプロファイル・パラメータの求められた値を用い、且つ前記構造の１つ以上の実測計測信号を用いて、残りのプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｈ）プロファイル・パラメータの事前決定に関する前記１つ以上の後続終了判定基準が満たされるまで、ステップｅ）〜ｇ）を繰り返すステップと、を含むことを特徴とする、
プロファイル決定方法。
前記選択された第１のプロファイル・パラメータの値を求めるステップは、
全てのプロファイル・パラメータが対応する値域にわたって変動するように生成された、シミュレート計測信号及び関連プロファイル・パラメータのライブラリを生成するステップと、
実測計測信号に対応して前記ライブラリから最も一致するシミュレート計測信号を求めるステップと、
前記ライブラリからの前記最も一致するシミュレート計測信号に関連したプロファイル・パラメータ値の中から、前記第１のプロファイル・パラメータ値にアクセスするステップを含む、
請求項２６に記載のプロファイル決定方法。
前記ライブラリから前記最も一致するシミュレート計測信号を求める前記ステップは、
プロファイル改良手順を利用して、前記ライブラリから前記最も一致するシミュレート計測信号を求めるステップを含む、
請求項２７に記載のプロファイル決定方法。
前記ライブラリから前記最も一致するシミュレート計測信号を求める前記ステップは、
前記実測計測信号とライブラリ・インスタンスの部分集合を比較するステップを含み、前記ライブラリ・インスタンスの部分集合が、前記選択された第１のプロファイル・パラメータの値が、前記選択された第１のプロファイル・パラメータの前記求められた値に略等しいライブラリ・インスタンスに相当する、
請求項２７に記載のプロファイル決定方法。
前記選択された第１のプロファイル・パラメータ及び前記選択された後続のプロファイル・パラメータの求められた値を用いて、残りのプロファイル・パラメータの値を求めるステップは、
ｍ）回帰に関する１つ以上の後続終了判定基準を設定するステップと、
ｎ）前記残りのプロファイル・パラメータ値のセットを求めるステップと、
ｏ）前記残りのプロファイル・パラメータ値の選択されたセットに対応し、且つ前記第１のプロファイル・パラメータ及び全ての後続する選択されたプロファイル・パラメータの求められた値に対応するシミュレート計測信号を計算するステップと、
ｐ）回帰に関する前記１つ以上の後続終了判定基準が満たされるまで、ステップｎ）及びｏ）を繰り返すステップ、を含む、
請求項２６に記載のプロファイル決定方法。
実測計測信号からの集積回路構造のプロファイル決定方法であって、
構造に関する光学測定モデルを作成するステップであって、前記測定モデルは構造のプロファイル・モデルを含み、前記プロファイル・モデルはプロファイル・パラメータを有し、
値を求めるために複数のプロファイル・パラメータを選択するステップと、
前記選択された複数のプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
前記選択された複数のプロファイル・パラメータの求められた値を用い、且つ前記構造の１つ以上の実測計測信号を用いて、残りのプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、を含むことを特徴とする、
プロファイル決定方法。
前記選択された複数のプロファイル・パラメータの値を求めるステップは、
前記複数のプロファイル・パラメータの各選択プロファイル・パラメータ毎に、
ａ）回帰に関する１つ以上の終了判定基準を設定するステップと、
ｂ）前記プロファイル・パラメータに関する値のセットを選択するステップと、
ｃ）前記選択されたプロファイル・パラメータ値のセットに対応するシミュレート計測信号を計算するステップと、
ｄ）前記回帰に関する１つ以上の終了判定基準が満たされるまで、ステップｂ）及びｃ）を繰り返すステップと、
ｅ）前記回帰に関する１つ以上の終了判定基準が満たされた場合、前記複数のプロファイル・パラメータの前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた値として、前記複数のプロファイル・パラメータの前記選択されたプロファイル・パラメータ値を指定するステップとを含む、
請求項３１に記載のプロファイル決定方法。
前記残りのプロファイル・パラメータ値を求めるステップは、
全てのプロファイル・パラメータが対応する値域にわたって変動するように、シミュレート計測信号及び関連プロファイル・パラメータのライブラリを生成するステップと、
前記ライブラリから、前記１つ以上の実測計測信号に対応する最も一致するシミュレート計測信号を求めるステップと、
前記ライブラリからの前記対応する最も一致するシミュレート計測信号に関連したプロファイル・パラメータ値にアクセスするステップを含む、
請求項３１に記載のプロファイル決定方法。
前記ライブラリから、前記実測計測信号に対応する前記最も一致するシミュレート計測信号を求める前記ステップは、
前記実測計測信号と前記ライブラリ・インスタンスの部分集合を比較するステップを含み、ライブラリ・インスタンスの前記選択された複数のプロファイル・パラメータ値が、前記選択された複数のプロファイル・パラメータの前記対応する求められた値に略等しい前記ライブラリ・インスタンスに、前記ライブラリ・インスタンスの部分集合が相当する、
請求項３３に記載のプロファイル決定方法。
前記残りのプロファイル・パラメータ値を求める前記ステップは、
対応する値域にわたって変動する前記残りのプロファイル・パラメータとともに前記選択された複数のプロファイル・パラメータの前記求められた値を利用して回帰を実施するステップを含む、
請求項３１に記載のプロファイル決定方法。
実測計測信号からの集積回路構造のプロファイル決定方法であって、
ａ）プロファイル・パラメータ最適化に関する１つ以上の終了判定基準を設定するステップと、
ｂ）構造に関する光学測定モデルを作成するステップであって、前記測定モデルは構造のプロファイル・モデルを含み、前記プロファイル・モデルはプロファイル・パラメータを有し、
ｃ）値を求めるために複数のプロファイル・パラメータを選択するステップと、
ｄ）前記選択された複数のプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｅ）プロファイル・パラメータ最適化に関する前記１つ以上の終了判定基準を用いて、前記複数のプロファイル・パラメータにランク付けを施すステップと、
ｆ）前記選択された複数のプロファイル・パラメータのうち１つ以上のプロファイル・パラメータの求められた値を用い、且つ前記構造の少なくとも１つの実測計測信号を用いて、残りのプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｇ）プロファイル・パラメータの最適化に関する前記１つ以上の終了判定基準が満たされるまで、ステップｃ），ｄ），ｅ）及びｆ）を繰り返すステップを含むことを特徴とする、
プロファイル決定方法。
集積回路構造のプロファイル決定システムであって、
実測計測信号と、プロファイル・パラメータのセットによって定義される、構造の関連プロファイル・モデルを備える第１のシミュレート計測信号とを得るように構成されたパラメータ・プロセッサと、
前記パラメータ・プロセッサに結合されたプロファイル評価器であって、
前記実測計測信号と前記第１のシミュレート計測信号が第１の終了判定基準内で一致する場合、
ａ）前記第１のシミュレート計測信号に関連した前記プロファイル・モデルの前記プロファイル・パラメータのセットから少なくとも１つのプロファイル・パラメータを選択し、
ｂ）前記選択されたプロファイル・パラメータの値を求め、
ｃ）少なくとも１つのプロファイル・パラメータが前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しいプロファイル・パラメータのセットによって定義される前記構造の関連プロファイル・モデルを備える第２のシミュレート計測信号を得て、
ｄ）前記実測計測信号と前記第２のシミュレート計測信号が第２の終了判定基準内で一致する場合、前記第２のシミュレート計測信号に関連した前記プロファイル・モデルの前記プロファイル・パラメータのセットからの１つ以上の残りのプロファイル・パラメータについて値を求める、
ように構成されたプロファイル評価器、
を有することを特徴とする、
プロファイル決定システム。
前記プロファイル決定システムは、
シミュレート計測信号及び関連プロファイル・モデルのライブラリをさらに有し、前記ライブラリが、全てのプロファイル・パラメータが値域にわたって変動するように生成され、且つ前記第１のシミュレート計測信号が前記ライブラリから得られる、
請求項３７に記載のプロファイル決定システム。
前記プロファイル決定システムは、
前記実測計測信号と前記第１のシミュレート計測信号が前記第１の終了判定基準内で一致しない場合、前記パラメータ・プロセッサが前記ライブラリから別のシミュレート計測信号を得る、
請求項３８に記載のプロファイル決定システム。
前記プロファイル決定システムは、
前記第２のシミュレート計測信号が、前記ライブラリから得られ、且つ前記実測計測信号と前記第２のシミュレート計測信号が前記第２の終了判定基準内で一致しない場合、前記パラメータ評価器が、前記ライブラリから前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備える別のシミュレート計測信号を得る、
請求項３８に記載のプロファイル決定システム。
前記プロファイル決定システムは、
前記第２のシミュレート計測信号が、前記第１のシミュレート計測信号の１つ以上の残りのプロファイル・パラメータに略等しい１つ以上の残りのプロファイル・パラメータを備えている、
請求項４０に記載のプロファイル決定システム。
前記プロファイル決定システムは、
前記シミュレート計測信号及び関連プロファイル・モデルの部分集合を備えたライブラリの部分集合をさらに有し、
前記ライブラリ部分集合における前記プロファイル・モデルのプロファイル・パラメータのセットが、前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備え、
且つ前記プロファイル評価器が、前記ライブラリ部分集合から、前記第２のシミュレート計測信号及び前記別のシミュレート計測信号のいずれか一方又は両方を得る、
請求項４０に記載のプロファイル決定システム。
前記プロファイル決定システムは、
前記実測計測信号と前記第２のシミュレート計測信号又は前記別のシミュレート計測信号が、前記第２の終了判定基準内で一致する場合、前記プロファイル評価器が、前記第２のシミュレート計測信号又は前記別のシミュレート計測信号に対応する前記プロファイルモデルを定義する前記プロファイル・パラメータのセットから前記１つ以上の残りのプロファイル・パラメータについて前記値を求める、
請求項４０に記載のプロファイル決定システム。
前記プロファイル評価器が、
前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備えるプロファイル・パラメータのセットを用いて、前記第２のシミュレート計測信号を生成し、
且つ前記実測計測信号と前記第２のシミュレート計測信号が、前記第２の終了判定基準内で一致しない場合、前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備えるプロファイル・パラメータのセットを用いて、別のシミュレート計測信号を生成することによって、
前記第２のシミュレート計測信号を得る、
請求項３８に記載のプロファイル決定システム。
前記パラメータ・プロセッサが、
プロファイル・パラメータのセットを用いて、前記第１のシミュレート計測信号を生成し、
記実測計測信号と前記第１のシミュレート計測信号が、前記第１の終了判定基準内で一致しない場合、前記第１のシミュレート計測信号の前記プロファイル・パラメータとは異なる少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備えるプロファイル・パラメータのセットを用いて、別のシミュレート計測信号を生成することによって、
前記第１のシミュレート計測信号を得る、
請求項３７に記載のプロファイル決定システム。
前記プロファイル評価器が、
前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備えるプロファイル・パラメータのセットを用いて、前記第２のシミュレート計測信号を生成し、
且つ前記実測計測信号と前記第２のシミュレート計測信号が、前記第２の終了判定基準内で一致しない場合、前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備えるプロファイル・パラメータのセットを用いて、別のシミュレート計測信号を生成することによって、
前記第２のシミュレート計測信号を得る、
請求項４５に記載のプロファイル決定システム。
前記プロファイル決定システムは、
シミュレート計測信号及び関連プロファイル・モデルのライブラリをさらに有し、
前記プロファイル評価器が、前記ライブラリから前記第２のシミュレート計測信号を得、且つ前記実測計測信号と前記第２のシミュレート計測信号が、前記第２の終了判定基準内で一致しない場合、前記プロファイル評価器が、前記ライブラリから、前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備える別のシミュレート計測信号を得る、
請求項４５に記載のプロファイル決定システム。
前記プロファイル決定システムは、
前記シミュレート計測信号及び関連プロファイル・モデルの部分集合を備える前記ライブラリの部分集合をさらに有し、
前記ライブラリの部分集合における前記プロファイル・モデルの前記プロファイル・パラメータのセットが、前記選択されたプロファイル・パラメータについて求められた前記値に略等しい少なくとも１つのプロファイル・パラメータを備え、
且つ前記プロファイル評価器が、前記ライブラリの部分集合から、前記第２のシミュレート計測信号及び前記別のシミュレート計測信号のいずれか一方又は両方を得る、
請求項４７に記載のプロファイル決定システム。
前記プロファイル決定システムは、
前記ウェハー構造の計測信号を測定し、その実測計測信号を伝送するように構成された測定装置をさらに有し、前記測定装置が、前記パラメータ・プロセッサ及び前記プロセッサ評価器に結合されている、
請求項３７に記載のプロファイル決定システム。
前記測定装置が、反射率計または楕円偏光計である、請求項４９に記載のプロファイル決定システム。
前記パラメータ・プロセッサは、前記１つ以上のプロファイル・パラメータのうちから選択されたプロファイル・パラメータと別の１つ以上のプロファイル・パラメータとの相関に基づいて、前記１つ以上のプロファイル・パラメータを選択する、
請求項３７に記載のプロファイル決定システム。
前記選択されたプロファイル・パラメータは、膜厚又は構造幅である、請求項５１に記載のプロファイル決定システム。
前記パラメータ・プロセッサは、
数学的手法及び統計的手法のいずれか一方又は両方を用いて、実験、履歴、理論、シミュレーションデータ、及び測定装置によって得られた測定結果のうち、少なくともいずれか一つから選択された１つ以上の前記プロファイル・パラメータ値を求めるように、さらに構成されている、
請求項３７に記載のプロファイル決定システム。
ウェハー構造のプロファイルを決定するためのコンピュータプログラムであって、
構造に関する光学測定モデルを作成するステップであって、前記測定モデルは構造のプロファイル・モデルを含み、前記プロファイル・モデルはプロファイル・パラメータを有し、
ａ）値を求めるために第１のプロファイル・パラメータを選択するステップと、
ｂ）前記選択された第１のプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｃ）前記選択された第１のプロファイル・パラメータの求められた前記値を用い、且つ前記構造の１つ以上の実測計測信号を用いて、残りのプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｄ）プロファイル・パラメータの事前決定を終了するために１つ以上の後続終了判定基準を設定するステップと、
ｅ）値を求めるために後続プロファイル・パラメータを選択するステップと、
ｆ）前記選択された後続プロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｇ）前記選択された第１のプロファイル・パラメータ及び前記選択された後続のプロファイル・パラメータの求められた値を用い、且つ前記構造の１つ以上の実測計測信号を用いて、残りのプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｈ）プロファイル・パラメータの事前決定に関する前記１つ以上の後続終了判定基準が満たされるまで、ステップｅ）〜ｇ）を繰り返すステップとを、
実行するようコンピュータに指示することによって、実測計測信号からウェハー構造のプロファイルを決定することを特徴とする、コンピュータプログラム。
前記コンピュータプログラムは、
ｍ）回帰に関する１つ以上の後続終了判定基準を設定するステップと、
ｎ）前記残りのプロファイル・パラメータ値のセットを求めるステップと、
ｏ）前記残りのプロファイル・パラメータ値の選択されたセット、及び、前記第１のプロファイル・パラメータ及び全ての後続する選択されたプロファイル・パラメータの求められた値に対応するシミュレート計測信号を計算するステップと、
ｐ）回帰に関する前記１つ以上の後続終了判定基準が満たされるまで、ステップｎ）及びｏ）を繰り返すステップとを、
さらに実行するようコンピュータに指示する、請求項５４に記載のコンピュータプログラム。
ウェハー構造のプロファイルを決定するためのコンピュータプログラムであって、
ａ）プロファイル・パラメータ最適化に関する１つ以上の終了判定基準を設定するステップと、
ｂ）構造に関する光学測定モデルであって、プロファイル・パラメータを有する構造のプロファイル・モデルを含む光学測定モデルを作成するステップと、
ｃ）値を求めるために複数のプロファイル・パラメータを選択するステップと、
ｄ）前記選択された複数のプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｅ）プロファイル・パラメータ最適化に関する前記１つ以上の終了判定基準を用いて、前記複数のプロファイル・パラメータにランク付けを施すステップと、
ｆ）前記選択された複数のプロファイル・パラメータのうち１つ以上のプロファイル・パラメータの求められた値を用い、且つ前記構造の少なくとも１つの実測計測信号を用いて、残りのプロファイル・パラメータの値を求めるステップと、
ｇ）プロファイル・パラメータ最適化に関する前記１つ以上の終了判定基準が満たされるまで、ステップｃ），ｄ），ｅ）及びｆ）を繰り返すステップとを、
実行するようコンピュータに指示することによって、実測計測信号からウェハー構造のプロファイルを求めることを特徴とする、コンピュータプログラム。