JP2005172808A - 半導体加速度センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】 線膨張係数の差に起因する応力がセンサに与える影響を低減して温度特性の優れた半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】 半導体基板1からなり、内方を開口したフレーム2と、フレーム2から開口内に延設された弾性を有するビーム3と、ビーム3により吊り下げ支持されて遊動自在に可動する錘部4と、ビーム3に設けられるとともに作用する加速度に応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗5と、フレーム2に固着された台座6と、を備えた半導体加速度センサ。台座6は、フレーム2と相対する面にフレーム2と当接する第1の支持手段7を有し、その反対側の面には台座6と直交する方向において第1の支持手段7と重ならない位置に第2の支持手段7を有する。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体基板1からなり、内方を開口したフレーム2と、フレーム2から開口内に延設された弾性を有するビーム3と、ビーム3により吊り下げ支持されて遊動自在に可動する錘部4と、ビーム3に設けられるとともに作用する加速度に応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗5と、フレーム2に固着された台座6と、を備えた半導体加速度センサ。台座6は、フレーム2と相対する面にフレーム2と当接する第1の支持手段7を有し、その反対側の面には台座6と直交する方向において第1の支持手段7と重ならない位置に第2の支持手段7を有する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、応力を電気信号に変換することにより作用した加速度を検知する半導体加速度センサに関し、特に、温度特性に優れた半導体加速度センサに関するものである。
この種の背景技術として、本願出願人は、例えば、特開2003−270263号公報(特許文献1)に温度特性を向上させる半導体加速度センサを提案した。これを図3示す。図3(a)はその全体概略斜視図であり、図3(b)はA−A線で切断したときの概略断面図である。
このものは、センサチップ100と、上ストッパ200と、下ストッパ300と、支持部400とを備えている。
センサチップ100は、このものに作用した加速度を電気信号に変換して出力するものであり、半導体基板にて形成されている。また、その構成要素としてフレーム110と、梁部120と、錘部130と、ピエゾ抵抗素子140とを有している。
フレーム110は、錘部130を支持しており、平面視において略四角形状に形成されている。また、その内方は、それぞれの辺がフレーム110の周縁と平行となる略四角形状に開口されており、全体としてフレーム110は枠体に構成されている。
梁部120は、フレーム110と錘部130との間に介在して錘部130を吊り下げ支持しており、平面視において短冊状に形成されており、また、その厚みは弾性を有するように薄肉状に形成されている。また、このものは、フレーム110を構成する4辺の上面から内方に向かってそれぞれ突設しており、フレームの内方の中央部131で交差して一体化している。
さらに、梁部120上には、錘部130の揺動に応じて生じる歪みによって抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子140が、中央部131の梁部120と錘部130との境界上にそれぞれ2本ずつと、梁部120とフレーム110との境界上にそれぞれ1本ずつ形成されている。そして、これらのピエゾ抵抗素子140は電気的に電極150と接続されており、この電極150を介して検出した加速度信号を出力している。
上ストッパ200は、センサチップ100に過度の加速度が作用したときの梁部120の破壊を抑制しており、耐熱ガラス等の半導体基板に近い線膨張係数を持つガラス材にて形成されている。また、その形状は、平面視において略四角形の平板であり、電極150を露出させる分だけセンサチップ100より小さく形成されている。また、このもののフレーム110の上面と接合する部分より内方は、錘部130の変位空隙を確保するために堀り込まれている。
下ストッパ300は、上ストッパ200同様、センサチップ100に過度の加速度が作用したときの梁部120の破壊を抑制しており、耐熱ガラス等の半導体基板に近い線膨張係数を持つガラス材にて形成されている。また、その形状は、平面視において略四角形の平板であり、センサチップ100と略同等の大きさに形成されている。
さらに、下ストッパ300におけるフレーム110の下面と接合する面には平面視において略四角形の柱体をなす支持部400が複数設けられている。この支持部400は、錘部130の変位空隙を確保する高さに形成されており、フレーム110の各辺の中央位置とそれぞれ接合する位置に配設されている。
したがって、上記構成の半導体加速度センサによれば、センサチップ100は、その中心から最も近距離にある支持位置、すなわち、フレーム110の各辺の中央位置に接合する支持部400の微小面積で支持される。この場合、線膨張係数の異なる材料同士が接合している領域を小さくできるので、熱による膨張量又は収縮量は、フレーム110の全面を接合した場合と比較して小さくなり、また、センサチップ100の中心及び隣り合う支持部400とのなす角が90°に形成されているので、熱膨張又は熱収縮に伴って支持部400から梁部120に伝達される応力が均等になり、結果的に、線膨張係数の差に起因する熱応力がセンサチップに与える影響を緩和して温度特性を向上させることができる。
また、特開2000−304762号公報(特許文献2)には上ストッパ及び下ストッパの四隅に形成した支持部によりフレームと固着した半導体加速度センサを提案している。
特開2003−270263号公報
特開2000−304762号公報
しかしながら、このような半導体加速度センサにおいては、例えば、パッケージのような、下ストッパ300と接合されて半導体加速度センサ本体を固定する部材からの熱応力は考慮されておらず、特に、パッケージが樹脂にて形成されている場合、下ストッパ300とパッケージとの線膨張係数差は下ストッパ300とフレーム110との線膨張係数差に比べて大きくなる傾向にあり、高精度な温度特性を要求される状況においては熱応力の緩和能力が不足して梁部120に影響をもたらし、温度特性を十分に向上させることができない場合があった。
本発明は、上記の点に鑑みてなしたものであり、その目的とするところは、線膨張係数の差に起因する応力がセンサに与える影響を低減して温度特性の優れた半導体加速度センサを提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項1に係る発明の半導体加速度センサは、半導体基板からなり、内方を開口したフレームと、前記フレームから前記開口内に延設された弾性を有するビームと、前記ビームにより吊り下げ支持されて遊動自在に可動する錘部と、前記ビームに設けられるとともに作用する加速度に応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗と、前記フレームに固着された台座と、を備えた半導体加速度センサであって、前記台座は、前記フレームと相対する面にフレームと当接する第1の支持手段を有し、前記面と反対側の面には、前記台座と直交する方向において第1の支持手段と重ならない位置に第2の支持手段を有することを特徴とするものである。
請求項2に係る発明の半導体加速度センサは、請求項1記載の構成において、前記第1の支持手段は前記フレームの各辺の中間位置に設けられ、前記第2の支持手段は前記台座の隅角部に設けられてなるものとしている。
請求項3に係る発明の半導体加速度センサは、請求項1又は2記載の構成において、前記第1の支持手段及び前記第2の支持手段は、前記台座と一体形成された凸部であるものとしている。
請求項4に係る発明の半導体加速度センサは、請求項1乃至3いずれかに記載の構成において、前記台座は、前記第1の支持手段と前記第2の支持手段との間に前記台座の厚み方向に貫通するスリット部を有してなるものとしている。
本発明の半導体加速度センサによれば、第1の支持手段及び第2の支持手段を台座と直交する方向において重ならない位置に設けている、すなわち、台座の一方の主面から見たその投影像において、第1の支持手段及び第2の支持手段を両者が重ならない位置に設けることにより、第2の支持手段から第1の支持手段を介してビームまで到達する距離を長く取ることができ、その結果、ビームに到達する応力が距離に反比例して小さくなるので、線膨張係数の違いにより温度変化で生じる熱応力による影響を低減して温度特性を向上することができる。
また、第1の支持手段と第2の支持手段との間にスリット部を設けることにより、熱応力の伝達経路をスリット部で迂回させてより長く取ることができ、温度変化で生じる熱応力による影響をさらに低減して温度特性を向上することができる。
[第1の実施形態]
第1の実施形態に係る半導体加速度センサについて図1に基づき説明する。図1(a)はその概略斜視図、図1(b)はその概略下面図である。
第1の実施形態に係る半導体加速度センサについて図1に基づき説明する。図1(a)はその概略斜視図、図1(b)はその概略下面図である。
この実施形態の半導体加速度センサは、例えば、シリコン(Si)からなる支持層11上に、例えば、二酸化シリコン(SiO2)からなる絶縁層12を介してシリコンからなる活性層13を積層したSOI基板1を加工することにより形成しており、その主要構成要素として、フレーム2と、ビーム3と、錘部4と、ピエゾ抵抗5と、台座6と、支持手段7とを備えている。
このうち、フレーム2は、半導体加速度センサの基体となるものであり、ビーム3を介して錘部4を支持するものである。このものは、SOI基板1の内方を穿設した枠体であり、平面視において略四角形状に形成している。また、このフレーム2は、支持層11、絶縁層12、活性層13の3層で構成しており、その支持層11の表面にはピエゾ抵抗5と接続した、例えば、アルミニウム(Al)からなる電極(図示せず)を形成している。
ビーム3は、作用する加速度に応じて錘部4が遊動自在に動くように吊り下げ支持するものである。このものは、SOI基板1の活性層13にて構成しており、フレーム2の各辺の中央付近を基端部31として内方に向かって突設し、フレーム2の中央付近で交差部21を介して互いに一体化している。また、このビーム3は、平面視において長四角形状の短冊体であり、その厚みを活性層13と略同等に形成している。本実施形態では活性層13の厚みを5μm程度としており、このような厚みにおいては、ビーム3は作用する加速度に応じて可撓する弾性体として機能する。
錘部4は、作用する加速度の大きさに応じて誘導してビーム3の撓み量を変化させるものである。このものは、SOI基板1の支持層11にて構成しており、主錘部41と4つの補助錘部42とからなる。
このうち、主錘部41は、交差部21の下面に絶縁層12を介して結合している。その形状は平面視において四角形状の塊体であり、その厚みはフレーム2の支持層11の厚みと略同等であり、主錘部41の下面がフレーム2の下面と同一平面を構成している。
一方、補助錘部42は、主錘部41の4つの隅角にそれぞれ一体化して形成しており、加速度が作用していない状態でSOI基板1の活性層13側から見たときに、隣り合うビーム3とそのビーム3を支持するフレーム2の辺とで囲まれた領域に位置するように形成している。その形状は、平面視において略四角形状の塊体であり、その厚みは主錘部41と略同等の厚みを有している。
ピエゾ抵抗5は、応力によりビーム3が変形した際の撓み量を電気信号に変換するものである。このものは、ビーム3の表面に形成しており、詳細にはビーム3とフレーム2との結合部分近傍及びビーム3と交差部21との結合部分近傍に配置している。このうち、交差部21の近傍にあるピエゾ抵抗5は、フレーム2の辺と平行な方向のベクトル成分を持つ加速度に対して応答し、例えば、フレーム2の任意の一辺と平行な方向をX軸と規定し、X軸と直交してかつフレーム2の辺と平行な方向をY軸と規定すると、X軸と平行なフレーム2上にある4つのピエゾ抵抗5で1組のホイートストンブリッジを構成し、また、Y軸と平行なフレーム2上にある4つのピエゾ抵抗で1組のホイートストンブリッジを構成している。さらに、フレーム2の近傍にあるピエゾ抵抗5は、X軸及びY軸に直交する方向のベクトル成分を持つ加速度に対して応答し、例えば、この方向をZ軸と規定すると、ビーム3上にある4つのピエゾ抵抗5で1組のホイートストンブリッジを構成している。
台座6は、半導体加速度センサに過度の加速度が作用したときに、錘部4の以上変位によるビーム3の破壊を低減するためのものである。このものは、シリコン(Si)と線膨張係数の近い、例えば、硼珪酸ガラス等にて形成している。また、この台座6は、後述する支持手段7を介してフレーム2の支持層11に固着しており、その形状は、平面視において略四角形状の平板であり、フレーム2と略同等の大きさである。
ここにおいて、支持手段7は台座6と一体形成しており、フレーム2と相対する面及びその反対側にある面からその厚み方向に突設ししており、その形状は、平面視において略正方形状をなす柱体である。また、支持手段7のフレーム2との当接面における一辺は、フレーム2の各辺の幅の略半分の長さとしている。また、この支持手段7は台座6に複数設けている。このうち、フレーム2と相対する面側の上側支持手段71は、フレーム2の各辺の中央付近とそれぞれ当接する位置、すなわち、台座6の周縁を構成する各辺の中央付近にそれぞれ形成してあり、一方、その反対面側の下側支持手段72は台座6の4つの隅角に形成している。特に、上側支持手段71は、錘部4の下方向への変位を可能にする変位空間を形成しており、少なくとも検知しようとする最大加速度による錘部4の変位量と同等の高さに形成している。
次に、その製造方法について説明する。
まず、それぞれの層厚が、例えば、支持層11が400μm程度、絶縁層12が0.5μm程度、活性層13が5μm程度のSOI基板1を用い、その表面に、例えば、パイロジェニック酸化法により二酸化シリコン(SiO2)からなる酸化膜を形成する。
次いで、活性層13にピエゾ抵抗5、拡散配線(図示せず)、金属配線(図示せず)及び電極(図示せず)を形成する。このうち、ピエゾ抵抗5及び拡散配線の形成は、まず、ビーム3及びフレーム2の所定の位置の酸化膜を除去し、例えば、活性層がn型の導電型を有する場合、導電型がp型となる不純物、例えば、ボロン(B)をイオン注入法又はデポジット拡散法等を用いて支持層11に注入する。続いて、1100℃程度に昇温した水蒸気と酸素との混合気体中で30分程度不純物を熱拡散して処理を終える。
一方、金属配線及び電極の形成は、拡散配線上の所定の位置の酸化膜を除去してコンタクトホール(図示せず)を形成し、活性層13の酸化膜上に、例えば、アルミニウム(Al)をスパッタ法を用いて積層する。続いて、フォトレジスト(図示せず)を塗布後、所定形状にパターニングして処理を終える。
次いで、活性層13にフォトレジストを塗布し、隣り合うビーム3とフレーム2とに囲まれた領域のフォトレジストを除去し、誘導結合型プラズマエッチング(ICP)を用いて活性層13をエッチングしてその領域を開口する。
次いで、支持層11にフォトレジストを塗布し、フレーム2と錘部4との境界となる部位のフォトレジストを除去し、ICPを用いて支持層11を絶縁層12に至るまでエッチング除去してフレーム2と錘部4を形成する。このとき、ICPには、例えば、六フッ化硫黄(SF6)ガスを用いる。
次いで、例えば、フッ化水素酸(HF)の溶液を霧状にして噴霧し、フレーム2の支持層11と当接する絶縁層12及び錘部4の主錘部41と当接する絶縁層12を除いた他の領域の絶縁層12をエッチングして錘部4を遊動自在にする。
最後に、予め支持手段7の形成された台座6をフレーム2に当接させ、例えば、陽極接合を用いて接合して半導体加速度センサを完成する。
このあと、上記工程を経て形成した半導体加速度センサを、例えば、パッケージ(図示せず)などに固着して外部と電気的に接続することにより、加速度センサ装置として使用可能になる。
本実施形態の半導体加速度センサによれば、上側支持手段71を台座6の周縁を構成する各辺の中央付近にそれぞれ形成し、かつ下側支持手段72を台座の隅角に形成することにより、下側支持手段72から上側支持手段71を介してビーム3までの応力の伝達距離を長く取ることができ、加えて、ビームに到達する応力は伝達距離に反比例して小さくなるので、結果的に線膨張係数の違いにより温度変化で生じる熱応力による影響を低減して温度特性を向上することができる。
なお、支持手段7は、台座6と一体化されているものに限定されるものではなく、別部材で構成して台座6とフレーム2との間及び台座6とパッケージとの間に介在させてもよい。この際、介在させる支持手段7の線膨張係数は、その支持手段7と固着されるそれぞれの部材の線膨張係数を上限及び下限として、その範囲内であることが望ましい。また、支持手段7の大きさ及び形成位置も上述した内容に限定されるものではなく、このような技術思想の範疇に含まれる限り適宜変更することが可能である。
[第2の実施形態]
第2の実施形態に係る半導体加速度センサを図2に基づき説明する。図2はその概略下面図である
第2の実施形態に係る半導体加速度センサを図2に基づき説明する。図2はその概略下面図である
本実施形態の半導体加速度センサは、台座8の所定の部分が第1の実施形態と異なるものであり、他の構成要素は第1の実施形態と実質的に同一であるので、同一部材には同一の番号を付して説明を省略する。
本実施形態の台座8は、上側支持手段71と下側支持手段72との間にスリット部81を設けていることが第1の実施形態と異なる部分である。
このスリット部81は、台座8の厚み方向と平行な方向に貫通した貫通孔であり、平面視において略長四角形状をなしている。このものは、その短辺の一方を台座8の周縁と一致させるように形成しており、上側支持手段71と下側支持手段72とを結ぶ直線を分断する位置に設けている。また、その大きさは、短辺を50μm程度とし、長辺をフレーム2の一辺の幅と略同等に形成している。
本実施形態の半導体加速度センサによれば、上側支持手段71と下側支持手段72との間にスリット部81を設けることにより、熱応力をスリット部81で迂回させてその伝達距離をより長く取ることができるので、温度変化で生じる熱応力による影響をさらに低減して温度特性を向上することができる。
1 半導体基板
2 フレーム
3 ビーム
4 錘部
5 ピエゾ抵抗
6 台座
7 支持手段
71 上側支持手段(第1の支持手段)
72 下側支持手段(第2の支持手段)
8 台座
81 スリット部
2 フレーム
3 ビーム
4 錘部
5 ピエゾ抵抗
6 台座
7 支持手段
71 上側支持手段(第1の支持手段)
72 下側支持手段(第2の支持手段)
8 台座
81 スリット部
Claims (4)
- 半導体基板からなり、内方を開口したフレームと、前記フレームから前記開口内に延設された弾性を有するビームと、前記ビームにより吊り下げ支持されて遊動自在に可動する錘部と、前記ビームに設けられるとともに作用する加速度に応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗と、前記フレームに固着された台座と、を備えた半導体加速度センサであって、
前記台座は、前記フレームと相対する面にフレームと当接する第1の支持手段を有し、前記面と反対側の面には、前記台座と直交する方向において第1の支持手段と重ならない位置に第2の支持手段を有することを特徴とする半導体加速度センサ。 - 前記第1の支持手段は前記フレームの各辺の中間位置に設けられ、前記第2の支持手段は前記台座の隅角部に設けられてなる請求項1記載の半導体加速度センサ。
- 前記第1の支持手段及び前記第2の支持手段は、前記台座と一体形成された凸部である請求項1又は2記載の半導体加速度センサ。
- 前記台座は、前記第1の支持手段と前記第2の支持手段との間に前記台座の厚み方向に貫通するスリット部を有してなる請求項1乃至3いずれかに記載の半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004332477A JP2005172808A (ja) | 2003-11-21 | 2004-11-16 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (2)
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JP2003391540 | 2003-11-21 | ||
JP2004332477A JP2005172808A (ja) | 2003-11-21 | 2004-11-16 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005172808A true JP2005172808A (ja) | 2005-06-30 |
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---|---|---|---|
JP2004332477A Pending JP2005172808A (ja) | 2003-11-21 | 2004-11-16 | 半導体加速度センサ |
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JP (1) | JP2005172808A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103675346A (zh) * | 2012-09-21 | 2014-03-26 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 一种加速度计及其制造工艺 |
-
2004
- 2004-11-16 JP JP2004332477A patent/JP2005172808A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103675346A (zh) * | 2012-09-21 | 2014-03-26 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 一种加速度计及其制造工艺 |
WO2014044015A1 (zh) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 一种加速度计及其制造工艺 |
US9170271B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-10-27 | Chinese Academy of Sciences Institute of Geology and Geophysics | Accelerometer and its fabrication technique |
US9557346B2 (en) | 2012-09-21 | 2017-01-31 | Chinese Academy of Science Institute of Geology and Geophysics | Accelerometer and its fabrication technique |
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