JP2005167222A - 半導体チップパッケージ及び基板と半導体チップとの連結方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップパッケージ及び基板と半導体チップとの連結方法。
【解決手段】半導体チップ10の中央部領域の線上に配置される信号パッドである第1列のボンディングパッドは一本のボンディングワイヤ12によってボンディングフィンガー11中の一つと電気的に連結され、信号パッドより大きいサイズを有するパワーまたはグラウンドパッドである第2列のボンディングパッドは少なくとも二本のボンディングワイヤによって多数のボンディングフィンガー中の一つと電気的に連結される。または前記第1列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長く、前記第2列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長いか短い。
【選択図】図5
【解決手段】半導体チップ10の中央部領域の線上に配置される信号パッドである第1列のボンディングパッドは一本のボンディングワイヤ12によってボンディングフィンガー11中の一つと電気的に連結され、信号パッドより大きいサイズを有するパワーまたはグラウンドパッドである第2列のボンディングパッドは少なくとも二本のボンディングワイヤによって多数のボンディングフィンガー中の一つと電気的に連結される。または前記第1列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長く、前記第2列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長いか短い。
【選択図】図5
Description
本発明は、半導体チップパッケージ及び基板と半導体チップとの連結方法に係り、特に半導体チップパッケージのボンディングパッドレイアウト及びワイヤボンディングに関する。
最近、半導体メモリ回路などのような半導体装置は、ますます高速化、高容量化されている。このような半導体装置の性能にパッケージ構造が及ぼす影響もますます重要になっている。特に、パッドを効果的に配置してラウティングする技術は、半導体装置の性能に大きな影響を及ぼす。従来に中央部領域のパッド構造を有する半導体チップを高容量化するために、二つ以上のチップを一つのパッケージに積み上げるマルチチップパッケージング方式には二つがある。すなわち、その一つは、各々の中央部領域パッドをPCB(Printed Circuit Board)基板にあるボンディングフィンガーと一対一に長くワイヤボンディングする方式である。他の一つは、再配線して中央部領域パッドをチップ端に移動させ、再配線された各パッドをPCB基板にあるボンディングフィンガーと一対一に短くワイヤボンディングする方式である。このような従来の半導体チップパッケージについては、特許文献1によく記載されている。
図1は、中央部領域パッド15を有する一般的な半導体チップパッケージの平面図である。図2は、図1の半導体チップパッケージの断面図である。図1及び図2を参照すれば、中央部領域パッド構造を有する半導体チップ10を高容量化するため、二つ以上のチップ10を一つのパッケージに積み上げてマルチチップパッケージングする場合に、ボンディングワイヤ12のみを利用して中央部領域パッド15とボンディングフィンガー11とが電気的に相互連結された様子が示されている。このようなパッケージ構造では、中央部領域パッドは、信号パッド、パワー(電源)パッド、またはグラウンド(接地)パッドなどに対する区分なしにボンディングフィンガー11までボンディングワイヤ12のみでラウティングされる。しかし、このようなパッケージ構造で、パワーパッド及びグラウンドパッドとボンディングフィンガー11とを連結する細長いワイヤ12が無視できないインダクタンス成分を有するので、半導体装置の動作性能を低下させる問題点がある。さらに、中央部領域パッドの面積が限定されているので、パワーパッド及びグラウンドパッドでボンディングしうるワイヤ数が、チップ上にあるパワーパッド及びグラウンドパッド個数ほどに制限されるという問題点がある。
図3は、再配線されたパッド16を有する一般的な半導体チップパッケージの平面図である。図4は、図3の半導体チップパッケージの断面図である。図3及び図4を参照すれば、再配線を利用して中央部領域パッドが全てチップ周辺部に移動された再配線パッド16とボンディングフィンガー11とが短く電気的に相互連結された様子が示されている。このようなパッケージ構造では、中央部領域パッドの中でパワーパッド及びグラウンドパッドは、再配線によってパッドサイズが大きくなり、ワイヤも短くなるので、そのインダクタンス成分を小さくしうる。しかし、ボンディングワイヤ12間の空間が生じて、この空間にクロストークなどの防止策に使われるパワーボンディングワイヤやグラウンドボンディングワイヤを追加させられない。さらに、図3のように再配線する場合に、再配線が有する構造的な特性のため、特に信号線において再配線されたパッドと半導体下層との間の薄い絶縁層により、等しい寸法を有するボンディングワイヤに比べて寄生キャパシタンスを増加させる要因になる。このように増加されたキャパシタンスを減らすために単純に再配線パッドの幅を縮めれば、そのインダクタンス成分が大きくなる。従って、図3の構造で、パワー線及びグラウンド線の電気的特性は図1の構造に比べて有利であるが、信号線の電気的特性は図1の構造に比べてむしろ良くない。
米国特許第6,531,784号明細書
本発明が解決しようとする技術的課題は、信号線に対しては中央部領域パッドからワイヤボンディングする技術を適用して再配線が有するインダクタンス及びキャパシタンスの脆弱性を補い、パワー線及びグラウンド線に対しては再配線されたパッドからワイヤボンディングする技術を適用してパワー及びグラウンド線幅とパッド個数とを増大させてインダクタンス成分を低減することで、半導体装置の電気的特性を向上させる半導体チップパッケージを提供することにある。
前記の技術的課題を解決するための本発明の一実施例による半導体チップパッケージは、少なくとも一つの半導体チップと、第1領域に配置される第1列のボンディングパッドと、第2領域に配置される第2列のボンディングパッドと、前記少なくとも一つの半導体チップを固定させる基板上に配置される多数のボンディングフィンガーと、前記第1列及び前記第2列のボンディングパッドと前記ボンディングフィンガーとを電気的に連結させる多数のボンディングワイヤと、を具備し、前記第1列のボンディングパッドそれぞれは一本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結され、前記第2列のボンディングパッドそれぞれは少なくとも二本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結されることを特徴とする。
前記の技術的課題を解決するための本発明の他の一実施例による基板と半導体チップとの連結方法は、第1領域に第1列のボンディングパッドを配置し、第2領域に第2列のボンディングパッドを配置する段階と、基板上に多数のボンディングフィンガーを配置する段階と、前記第1列のボンディングパッドそれぞれを一本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させ、前記第2列のボンディングパッドそれぞれを少なくとも二本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させる段階と、を具備することを特徴とする。
ここで、前記第1列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長く、前記第2列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長いか短いことを特徴とする。
前記の技術的課題を解決するための本発明のさらに他の一実施例による半導体チップパッケージは、少なくとも一つの半導体チップと、第1領域に配置される第1列のボンディングパッドと、第2領域に配置される第2列のボンディングパッドと、前記少なくとも一つの半導体チップを固定させる基板上に配置される多数のボンディングフィンガーと、前記第1列及び前記第2列のボンディングパッドと前記ボンディングフィンガーとを電気的に連結させる多数のボンディングワイヤと、を具備し、前記第1列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長く、前記第2列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長いか短いことを特徴とする。
前記の技術的課題を解決するための本発明のさらに他の一実施例による基板と半導体チップとの連結方法は、第1領域に第1列のボンディングパッドを配置し、第2領域に第2列のボンディングパッドを配置する段階と、基板上に多数のボンディングフィンガーを配置する段階と、前記第1列のボンディングパッドそれぞれを長いボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させ、前記第2列のボンディングパッドそれぞれを長いか短いボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させる段階と、を具備することを特徴とする。
ここで、前記第1列のボンディングパッドそれぞれは一本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結され、前記第2列のボンディングパッドそれぞれは少なくとも二本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結されることを特徴とする。
前記第1列のボンディングパッドまたは前記第2列のボンディングパッドは、再配線パッドであるか、再配線パッドに連結されることを特徴とする。前記第2列のボンディングパッドは、前記第1列のボンディングパッドよりも大きいサイズを有することを特徴とする。
前記の技術的課題を解決するための本発明のさらに他の一実施例による多重チップの半導体チップパッケージは、前記のような半導体チップパッケージを少なくとも2個以上含むことを特徴とする。
本発明による半導体チップパッケージは、信号線に対しては、中央部領域パッドからワイヤボンディングする技術を適用して再配線が有するインダクタンス及びキャパシタンスの脆弱性を補う。さらに、パワー線及びグラウンド線に対しては、再配線されたパッドからワイヤボンディングする技術を適用してパワー及びグラウンド線幅とパッド個数とを増大させてインダクタンス成分を低減する。したがって、半導体装置の電気的特性を向上させうる効果がある。
本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を充分に理解するためには、本発明の望ましい実施例を例示する添付図面及び図面に記載した内容を参照しなければならない。
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳しく説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を示す。
半導体装置に具備される半導体チップ上には、多くのボンディングパッドがある。命令入力信号、データリード及びデータライト動作のための信号のような電気的信号は、ボンディングパッドを通じて半導体チップに入力されるかまたは出力される。
図5は、本発明の一実施例による半導体チップパッケージの平面図である。図5を参照すれば、本発明の一実施例による半導体チップパッケージは、第1列のボンディングパッド(信号パッド)、第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)、多数のボンディングフィンガー11、及び多数のボンディングワイヤ12を具備する。
PCB 14上に具備される前記ボンディングフィンガー11は、中央部領域に配置される第1列のボンディングパッド(信号パッド)の周辺すなわち、左側、右側、上側または下側に配置される。前記ボンディングフィンガー11及び前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)の間に前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)が配置される。
前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)は、半導体チップ10の中央部領域で同じ線上に配置される前記半導体チップ10パッドの中の他の一部パッドである。前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)は、前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)が配置される線とは異なる線上に配置され、それぞれが前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)の中で他よりも大きいサイズを有する前記半導体チップ10パッドの中の他の一部パッドである。
特に、前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)は、前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)の中で一部パッドに電気的に接触させた導電物質で再配線したパッドであり、前記再配線によって前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)と前記ボンディングフィンガー11との間に配置される。
前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)の中の一部パッドを選択して再配線する方法は、周知のように、先ず、半導体チップ10の中央部領域に露出されているパッドの上に酸化膜またはポリマーのような所定の絶縁膜を塗布する。次に、絶縁膜が塗布された状態で1次フォトマスキング工程と絶縁膜食刻工程とを通じて中央部領域に露出されていたパッドを再び露出させる。前記中央部領域パッドが再び露出されれば、前記中央部領域パッドが露出されている前記半導体チップ10上にメタルのような導電物質を塗布する。次に、前記塗布された導電物質に対する2次フォトマスキング工程とメタル食刻工程とを進行し、この時に食刻されていない導電物質は前記中央部領域パッドの中で一部パッドと電気的に接触されるようにする。この時、食刻されずに残っている導電物質が、前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)にあたる。また、前記中央部領域パッドの中で前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)で再配線されない他の一部パッドは、2次フォトマスキング工程とメタル食刻工程とで再び露出され、このパッドは前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)にあたる。このように再配線されてパッドサイズが大きくなった前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)を利用すれば、当該のボンディングフィンガー11と連結されるボンディングワイヤ12の長さを短縮でき、同じパッドに連結されるボンディングワイヤ12の数も増加させうる。
一方、前記ボンディングフィンガー11は前記半導体チップ10を固定させるPCBのような所定基板14上の周辺部に配置され、前記ボンディングフィンガー11のそれぞれはPCB内の導電物質によって外部ピン13(例えば、ソルダボールまたはソルダバンプ)と電気的に連結される。前記ボンディングワイヤ12は、前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)及び前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれと前記ボンディングフィンガー11とを電気的に連結させる。
図5に図示されたように、前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)それぞれは、一本の長いボンディングワイヤによって当該ボンディングフィンガーと電気的に連結される。しかし、前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれは、前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)の中でいずれよりも大きいサイズを有するので、長いか短い二本以上のボンディングワイヤ12それぞれにより、当該のボンディングフィンガーと電気的に何回も連結されうる。すなわち、前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤ12は、一本のボンディングフィンガーに連結されうる。
また、前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤ12は、相異なるボンディングフィンガーに連結されうる。このように、前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)を二本以上のボンディングワイヤ12によって並列にボンディングフィンガー11と連結させれば、パワーまたはグラウンドを伝達するボンディングワイヤ12のインダクタンス成分が減り、これによって安定的にパワーまたはグラウンドが伝達されうる。
また、図5のように、前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)は、その中の2個以上のパッドが前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)と前記ボンディングフィンガー11との間に配置されることが望ましい。例えば、図5で、前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)の中で、パワーパッドとグラウンドパッドとが一つずつ前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)と前記ボンディングフィンガー11との間に配置されれば、前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)と連結されるボンディングワイヤ12の間でパワー及びグラウンドパッドと連結されるボンディングワイヤ12が全て存在するだけでなく、この時にボンディングワイヤ12の下方にパワー及びグラウンド面が形成されるので、前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)と連結されるボンディングワイヤ12によって伝達される信号のクロストークのような電気的特性を改善しうる。
図5で、前記第2列のボンディングパッドのサイズは2次元的に前記第1列のボンディングパッドよりも大きいが、ただ1次元的にのみ大きいものでもありうる。例えば、前記第2列のボンディングパッドの横または縦の幅が、前記第1列のボンディングパッドとほぼ同じでありうる。
また、図5には図示されていないが、前記第1列のボンディングパッドまたは前記第2列のボンディングパッドの中でいずれか一列のパッドまたはすべての列に属するパッドが、再配線したパッドであるか、再配線したパッドに連結されうる。
本発明による半導体チップパッケージは、図6のように、2個の半導体チップ10をパッケージングしたマルチチップパッケージに適用するのが望ましい。その他にも、3個以上の半導体チップをパッケージングしたマルチチップパッケージにも適用されうる。この時、パッド数が多くてさらに多いボンディングワイヤ12が存在するので、信号パッドと連結されるボンディングワイヤ12によって伝達される信号のクロストークと、パワーまたはグラウンドを伝達するボンディングワイヤ12のインダクタンス成分とを画期的に減らせうるからである。
図6のように、2個の半導体チップ10をパッケージングしたマルチチップパッケージ構造で、半導体チップ10それぞれを第1及び第2半導体チップであるとし、半導体チップ10それぞれのパッドを図5のように配置するとする。この時、上述したように、前記第1半導体チップは、そのパッドの中で同じ線上に配置される一部第1列のボンディングパッド(信号パッド)、及び前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)が配置される線とは異なる線上に配置され、各々が前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)の中のいずれよりも大きいサイズを有する他の一部第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)を具備する。同様に、前記第2半導体チップは、そのパッドの中で同じ線上に配置される一部第3列のボンディングパッド(信号パッド)、及び前記第3列のボンディングパッド(信号パッド)が配置される線とは異なる線上に配置され、各々が前記第3列のボンディングパッド(信号パッド)の中のいずれよりも大きいサイズを有する他の一部第4列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)を具備する。前記第1列及び前記第3列のボンディングパッド(信号パッド)は図5の第1列のボンディングパッド(信号パッド)と同じく信号パッドであり、前記第2列及び前記第4列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)は図5の第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)と同じくパワーまたはグラウンドパッドである。また、前記第2列及び前記第4列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれは、前記第1列及び前記第3列のボンディングパッド(信号パッド)の中で一部パッドに各々電気的に接触させた導電物質で再配線したパッドである。
すなわち、図6のように、上下に配置された第1及び第2半導体チップの各々のパッドが図5のように配置される時、PCB14上に具備される前記ボンディングフィンガー11は前記第1列または前記第3列のボンディングパッド(信号パッド)の左側、右側、上側、及び下側に配置され、前記ボンディングフィンガー11と前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)との間、及び前記ボンディングフィンガー11と前記第3列のボンディングパッド(信号パッド)との間それぞれに前記第2列及び第4列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)が配置される。特に、前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)の中で2個以上のパッドが前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)と前記ボンディングフィンガー11との間に配置され、前記第4列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)の中で2個以上のパッドが前記第3列のボンディングパッド(信号パッド)と前記ボンディングフィンガー11との間に配置されうる。前記第1列のボンディングパッド(信号パッド)それぞれは一本のボンディングワイヤによって当該のボンディングフィンガーと電気的に連結され、前記第2列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれは二本以上のボンディングワイヤ12それぞれによって当該のボンディングフィンガーと電気的に連結されうる。同じく、前記第3列のボンディングパッド(信号パッド)それぞれは一本のボンディングワイヤによって当該のボンディングフィンガーと電気的に連結され、前記第4列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれは二本以上のボンディングワイヤ12それぞれによって当該のボンディングフィンガーと電気的に連結されうる。この時、前記第2列及び前記第4列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤ12は、一本のボンディングフィンガーに何回も連結されうる。または、前記第2列及び前記第4列のボンディングパッド(パワーまたはグラウンドパッド)それぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤ12は、相異なるボンディングフィンガーに連結されうる。
上述したように、本発明による半導体チップパッケージで、信号パッドは、中央部領域のような線上に配置されてボンディングされるので、再配線の短所を補える。さらに、パワーまたはグラウンドパッドは、前記信号パッドよりも大きいサイズを有して前記信号パッドが配置される線とは異なる線上に配置されるように再配線された後にボンディングされるので、ワイヤボンディング数を増加でき、電気的特性を改善しうる。
以上のように図面と明細書とで最適実施例が開示された。ここで特定の用語が使われたが、これはただ本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求範囲に記載した本発明の範囲を制限するために使われたものではない。本技術分野の当業者ならこれから多様な変形及び均等な他の実施例が可能であることを理解するだろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求範囲の技術的思想によって決まらなければならない。
本発明による半導体チップパッケージ及び基板と半導体チップとの連結方法は、メモリ集積回路などからなる半導体チップのパッケージングに利用できる。
10 半導体チップ
11 ボンディングフィンガー
12 ボンディングワイヤ
14 PCB
11 ボンディングフィンガー
12 ボンディングワイヤ
14 PCB
Claims (26)
- 少なくとも一つの半導体チップと、
第1領域に配置される第1列のボンディングパッドと、
第2領域に配置される第2列のボンディングパッドと、
前記少なくとも一つの半導体チップを固定させる基板上に配置される多数のボンディングフィンガーと、
前記第1列及び前記第2列のボンディングパッドと前記ボンディングフィンガーとを電気的に連結させる多数のボンディングワイヤと、を具備し、
前記第1列のボンディングパッドそれぞれは一本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーのうちの一つと電気的に連結され、前記第2列のボンディングパッドそれぞれは少なくとも二本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーのうちの一つと電気的に連結されることを特徴とする半導体チップパッケージ。 - 前記第2列のボンディングパッドは、
前記多数のボンディングフィンガーと前記第1列のボンディングパッドとの間に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記第1列のボンディングパッドは、
信号パッドであることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記第2列のボンディングパッドは、
パワーまたはグラウンドパッドであることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記第1列のボンディングパッドまたは前記第2列のボンディングパッドは、
再配線パッドであるか、再配線パッドに連結されることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記第2列のボンディングパッドは、
前記第1列のボンディングパッドよりも大きいサイズを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記第2列のボンディングパッドは、
その中で2個以上のパッドが、前記第1列のボンディングパッドと前記多数のボンディングフィンガーとの間に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記第1列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長く、前記第2列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長いか短いことを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。
- 前記第2列のボンディングパッドそれぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤは、一本のボンディングフィンガーに全て連結されることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。
- 前記第2列のボンディングパッドそれぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤは、相異なるボンディングフィンガーに分けられて連結されることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。
- 少なくとも一つの半導体チップと、
第1領域に配置される第1列のボンディングパッドと、
第2領域に配置される第2列のボンディングパッドと、
前記少なくとも一つの半導体チップを固定させる基板上に配置される多数のボンディングフィンガーと、
前記第1列及び前記第2列のボンディングパッドと前記ボンディングフィンガーとを電気的に連結させる多数のボンディングワイヤと、を具備し、
前記第1列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長く、前記第2列のボンディングパッドを電気的に連結させる前記多数のボンディングワイヤは長いか短いことを特徴とする半導体チップパッケージ。 - 前記第2列のボンディングパッドは、
前記多数のボンディングフィンガーと前記第1列のボンディングパッドとの間に配置されることを特徴とする請求項11に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記第1列のボンディングパッドは、
信号パッドであることを特徴とする請求項11に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記第2列のボンディングパッドは、
パワーまたはグラウンドパッドであることを特徴とする請求項11に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記第1列のボンディングパッドまたは前記第2列のボンディングパッドは、
再配線パッドであるか、再配線パッドに連結されることを特徴とする請求項11に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記第2列のボンディングパッドは、
前記第1列のボンディングパッドよりも大きいサイズを有することを特徴とする請求項11に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記第2列のボンディングパッドは、
その中で2個以上のパッドが、前記第1列のボンディングパッドと前記多数のボンディングフィンガーとの間に配置されることを特徴とする請求項11に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記第1列のボンディングパッドそれぞれは一本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結され、前記第2列のボンディングパッドそれぞれは少なくとも二本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結されることを特徴とする請求項11に記載の半導体チップパッケージ。
- 前記第2列のボンディングパッドそれぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤは、一本のボンディングフィンガーに全て連結されることを特徴とする請求項11に記載の半導体チップパッケージ。
- 前記第2列のボンディングパッドそれぞれを連結させる二本以上のボンディングワイヤは、相異なるボンディングフィンガーに分けられて連結されることを特徴とする請求項11に記載の半導体チップパッケージ。
- 請求項1に記載の半導体チップパッケージを少なくとも2個以上含むことを特徴とする多重チップの半導体チップパッケージ。
- 請求項11に記載の半導体チップパッケージを少なくとも2個以上含むことを特徴とする多重チップの半導体チップパッケージ。
- 第1領域に第1列のボンディングパッドを配置し、第2領域に第2列のボンディングパッドを配置する段階と、
基板上に多数のボンディングフィンガーを配置する段階と、
前記第1列のボンディングパッドそれぞれを一本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させ、前記第2列のボンディングパッドそれぞれを少なくとも二本のボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させる段階と、
を具備することを特徴とする基板と半導体チップとの連結方法。 - 第1領域に第1列のボンディングパッドを配置し、第2領域に第2列のボンディングパッドを配置する段階と、
基板上に多数のボンディングフィンガーを配置する段階と、
前記第1列のボンディングパッドそれぞれを長いボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させ、前記第2列のボンディングパッドそれぞれを長いか短いボンディングワイヤによって前記多数のボンディングフィンガーの中の一つと電気的に連結させる段階と、
を具備することを特徴とする基板と半導体チップとの連結方法。 - 請求項23に記載の方法によって製造される半導体チップパッケージ。
- 請求項24に記載の方法によって製造される半導体チップパッケージ。
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