JP2005164304A

JP2005164304A - 照射光学系及びこの照射光学系を備えた粒子処理装置

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Publication number: JP2005164304A
Application number: JP2003400923A
Authority: JP
Inventors: Norimasa Yamamoto; 典正山本
Original assignee: Sysmex Corp
Current assignee: Sysmex Corp
Priority date: 2003-11-28
Filing date: 2003-11-28
Publication date: 2005-06-23

Abstract

【課題】
２個あるいはそれ以上の光源を持つ粒子解析装置の光学系が大型化する問題を解決する。
【解決手段】
レーザ光を出射する第１の光源と、第１の光源と波長の異なるレーザ光を出射する第２の光源と、第１の光源の光軸上に配置された第１の反射手段と、第１の光源のレーザ光を反射させ、且つ第２の光源のレーザ光を透過させることによりレーザ光を合成させるための合成手段と、移動する被検粒子が合成手段により合成されたレーザ光により照射されるように配置された第２の反射手段と、集光レンズ及び円形のレーザスポットを楕円形に変形させるレンズよりなる集光手段とを備え、第１の光源が第２の光源に対し、第２の反射手段により反射されたレーザ光の進行方向側に配置されることにより、小型化が可能な粒子解析装置の光学系を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、対象物に光を照射するための照射光学系、及びこの照射光学系を備えた粒子処理装置に関する。

従来、病院等において、血液等の検体中の血球等の粒子を測定、解析するために、種々の粒子解析装置が使用されている。また、工業用微粒子の製造現場等においても、製造した微粒子の品質管理等のために種々の粒子解析装置や粒子像を撮像する粒子撮像装置が使用されている。このような粒子解析装置や粒子撮像装置等の粒子処理装置として、複数のレーザ光源を備える照射光学系を有する粒子処理装置が知られている。
例えば、図５に示すように、レーザ光源４０３から出射されたレーザ光が、ダイクロイックミラー４１４及び結像レンズ４０４を介してフローセル４０１に照射され、且つレーザ光源４１３から出射されたレーザ光が、全反射ミラー４１５、ダイクロイックミラー４１４及び結像レンズ４０４を介してフローセル４０１に照射される照射光学系を備えた粒子解析装置が知られている（特許文献１参照）。
また、図６に示すように、Ｈｅ−Ｃｄレーザ光源５０１から出射されたレーザ光が、反射鏡５０３、ダイクロイックミラー５０４及び集光レンズ５０５を介してフローセル５０７に照射され、且つＨｅ−Ｎｅレーザ光源５０２から出射されたレーザ光が、ダイクロイックミラー５０４及び集光レンズ５０５を介してフローセル５０７に照射される照射光学系を備えた粒子解析装置が知られている（特許文献２参照）。

特公平7-018786号公報（第４頁、第２図）特許2642632号公報（第４頁、第１図）

特許文献１に記載された照射光学系においては、フローセル４０１中の粒子流に対して垂直方向（図５中のＸ方向）に、レーザ光源４０３、ダイクロイックミラー４１４及び結像レンズ４０４が一直線に配置されている。また、特許文献２に記載された照射光学系においては、フローセル５０７中の粒子流に対して垂直方向（図６中のＸ方向）に、反射鏡５０３、ダイクロイックミラー５０４及び集光レンズ５０５が一直線に配置されている。このような構成によって、特許文献１及び特許文献２に記載された照射光学系では、レーザ光を照射対象物（粒子流）に導くために、照射対象物に対向して直線的に配置される光学部材の数が多くなり、その長さが長くなっている。
本発明は、上述した事情を考慮して、照射対象物に対向して配置される光学部材の数を少なくし、それによって小型化された照射光学系を提供することを目的とする。

本発明の照射光学系は、第１のレーザ光を出射する第１の光源と、第１のレーザ光と波長の異なる第２のレーザ光を出射する第２の光源と、第１の光源の光軸上に配置され、第１の方向に第１のレーザ光を反射する第１の反射手段と、第１の反射手段によって第１の方向に反射された第１のレーザ光を反射し、且つ第２の光源から出射された第２のレーザ光を透過することにより第１及び第２のレーザ光を合成させる合成手段と、合成手段により合成されたレーザ光を第２の方向に反射する第２の反射手段と、第２の反射手段によって反射されたレーザ光を集光するための集光手段とを備え、第１の方向と第２の方向とが平行で、且つ逆方向である。

また、本発明の照射光学系においては、上記第１の光源の光軸が、第２の光源の光軸と平行であることが好ましい。

また、本発明の照射光学系においては、上記第１の光源から集光手段までの第１のレーザ光の光路と、上記第２の光源から集光手段までの第２のレーザ光の光路とが、同一平面上にあることが好ましい。

また、本発明の照射光学系においては、前記第１の光源から集光手段までの第１のレーザ光の光路と、前記第２の光源から集光手段までの第２のレーザ光の光路とが、同一水平面上にあることが好ましい。

また、本発明の照射光学系においては、上記第１の反射手段、合成手段及び第２の反射手段がプリズムから成り、このプリズムが、第１の方向に第１のレーザ光を反射する第１の反射面と、第１のレーザ光を反射し、且つ第２のレーザ光を透過することにより第１及び第２のレーザ光を合成させる合成面と、合成面により合成されたレーザ光を第２の方向に反射する第２の反射面とを備えることが好ましい。

また、本発明の粒子処理装置は、上述した何れかの照射光学系と、水平面に対して垂直方向に粒子を移動させるフローセルと、照射光学系からのレーザ光の照射による粒子からの光を受光する受光手段とを備えることが好ましい。

請求項１記載の発明によれば、照射対象物に対向して配置される光学部材の数を少なくし、それによって小型化された照射光学系を提供することができる。

請求項２記載の発明によれば、上記第１及び第２の光源を無駄なスペースを必要とせず効率的に配置することができる。

請求項３記載の発明によれば、照射光学系の厚みを薄くすることができる。

請求項４記載の発明によれば、照射光学系の、水平面に対して垂直方向の厚みを薄くすることができる。

請求項５記載の発明によれば、照射光学系を構成する光学部材の数を少なくすることができるので、照射光学系を小型化することができる。

請求項６記載の発明によれば、小型化された照射光学系を備えた粒子処理装置を提供することができる。

以下、本発明の照射光学系及びこの照射光学系を備えた粒子処理装置における最良の形態について説明する。なお、これによってこの発明が限定されるものではない。

図１は、本発明の一実施形態の照射光学系を備えた粒子解析装置１の概略構成図であり、粒子解析装置１の水平断面図である。この粒子解析装置１は、照射光学系１００、フローセル１１１、光学検出系１５０、信号処理部３００および表示部４００を備えている。

照射光学系１００は、４０５ｎｍの波長のレーザ光を出射する青色半導体レーザ光源１０１、青色半導体レーザ光源１０１より出射された青色レーザ光を平行光にするコリメータレンズ１０３、６３５ｎｍの波長のレーザ光を出射する赤色半導体レーザ光源１０２、赤色半導体レーザ光源１０２より出射された赤色レーザ光を平行光にするコリメータレンズ１０４、コリメータレンズ１０３からの青色レーザ光を第1の方向（図１中の矢印ａの方向）に反射する第１ミラー１０５、第１ミラー１０５からの青色レーザ光を反射し、且つコリメータレンズ１０４からの赤色レーザ光を透過するダイクロイックミラー１０７、ダイクロイックミラー１０７からのレーザ光を第２の方向（図１中の矢印ｂの方向）に反射する第２ミラー１０６、第２ミラー１０６からのレーザ光を集光するためのコンデンサレンズ系１１０、青色半導体レーザ光源１０１の出力を監視するためのフォトダイオード１０８、及び赤色半導体レーザ光源１０２の出力を監視するためのフォトダイオード１０９を備えている。

第１ミラー１０５は、青色レーザ光の反射率が９０％以上（透過率数％）である。この第１ミラー１０５の反射面は、青色レーザ光源１０１の光軸に対し４５度の角度を成すように配置されている。これにより第１ミラー１０５への入射光の光軸は反射光の光軸と垂直を成す。この第１ミラー１０５により第１方向に反射された青色レーザ光は、ダイクロイックミラー１０７に入射する。フォトダイオード１０８は、青色半導体レーザ光源１０１の光軸上で、且つ第１ミラー１０５の背面側に配置され、第１ミラー１０５を透過した数％の青色レーザ光を受光し、出力を監視する。また、フォトダイオード１０８は、後述する信号処理部３００へ受光光量に応じた電気信号を出力する。この電気信号が予め設定された閾値を下回ると、信号処理部３００は、光量低下による青色レーザ光源１０１劣化の警告を表示部である液晶ディスプレイ表示部４００に表示させる。

赤色半導体レーザ光源１０２は、その光軸が第１ミラー１０５からの青色レーザ光の光軸と垂直になるように配置されている。また、ダイクロイックミラー１０７のミラー面は、赤色レーザ光源１０２の光軸に対し４５度の角度をなすように配置され、第１ミラー１０５からの青色レーザ光の光軸とも４５度の角度をなすように配置される。このダイクロイックミラー１０７は、波長４０５ｎｍの光を反射し、波長６３５ｎｍの光を透過する光学特性を有している。このような構成により、ダイクロイックミラー１０７は、第１ミラー１０５により導かれた青色レーザ光を反射し、赤色半導体レーザ光源１０２より出射された赤色レーザ光を透過する。このようにしてダイクロイックミラー１０７は、青色レーザ光と赤色レーザ光を合成する。ここで「青色レーザ光と赤色レーザ光の合成」とは、ダイクロイックミラー１０７から出射する青色レーザ光の光軸と赤色レーザ光の光軸とを一致させることを意味する。以下、ダイクロイックミラー１０７より出射されたレーザ光を合成レーザ光と言う。

ミラー１０６は、ダイクロイックミラー１０７からの合成レーザ光を上記第２の方向に反射し、反射光をコンデンサレンズ系１１０に入射させる。第２ミラー１０６は、赤色レーザ光の反射率が９０％以上（透過率数％）である。また、第２ミラー１０６における青色レーザ光の反射率も９０％以上（透過率数％）である。この第２ミラー１０６の反射面は、ダイクロイックミラー１０７からの合成レーザ光の光軸に対し４５度の角度を成すように配置されている。これにより、第２ミラー１０６への入射光の光軸は反射光の光軸と垂直を成す。第２ミラー１０６による反射光の進行方向（第２の方向）は、第１ミラー１０５による反射光の進行方向（第１の方向）と平行で且つ逆方向である。

フォトダイオード１０９は、第２ミラー１０６に入射する合成レーザ光のうち、赤色レーザ光量を監視するためのものである。フォトダイオード１０９は、第２ミラー１０６に入射する合成レーザ光の光軸上で、且つ第２ミラー１０６の背面側に配置される。フォトダイオード１０９には赤色レーザ光と青色レーザ光とが共に入射されるが、フォトダイオード１０９における赤色レーザ光と青色レーザ光の受光感度比率は互いに異なる。そこで信号処理部３００は、フォトダイオード１０９からの電気信号については、入力された電気信号に対し、受光感度比率に基づいて按分計算を行うことにより赤色レーザ光の電気信号として近似し、出力を監視する。このようにして得られた赤色レーザ光量分の電気信号の近似値が予め設定された閾値を下回ると、信号処理部３００は、光量低下による赤色レーザ光源１０２劣化の警告を液晶ディスプレイ表示部４００に表示させる。

コンデンサレンズ系１１０は、合成レーザ光を粒子に集光して照射するためのものである。このコンデンサレンズ系１１０は、シリンドリカルレンズ１１０ａと、コンデンサレンズ１１０ｂとを備えている。シリンドリカルレンズ１１０ａは、フローセル１１１中の粒子に照射される合成レーザ光のスポット形状を楕円形に変換する。この楕円形はフローセル１１１中の粒子の流れ方向に短径を有し、粒子の流れ方向と垂直を成す方向に長径を有している。このようにすることにより、粒子の流れる位置が変動しても粒子にレーザ光を確実に照射させることができる。コンデンサレンズ１１０ｂは、シリンドリカルレンズ１１０ａで変換された合成レーザ光を被検粒子に集光する。

以上説明したように、本実施形態の照射光学系においては、照射対象物（フローセル１１１中の粒子流）に対向して配置される光学部材が第２ミラー１０６及びコンデンサレンズ系１１０のみとなるので、照射光学系の照射対象物に対向する部分の図１中のＸ方向の長さを短くすることができる。また、照射光学系１００において、青色半導体レーザ光源１０１からコリメータレンズ１０３、第１ミラー１０５、ダイクロイックミラー１０７および第２ミラー１０６を経てコンデンサレンズ系１１０に至る第１の光路と、赤色半導体レーザ光源１０２からダイクロイックミラー１０７および第２ミラー１０６を経てコンデンサレンズ系１１０に至る第２の光路とが、同一水平面上に形成されるように各光学部材が配置されているので、水平面に対して垂直な方向の厚さが薄い照射光学系１００を提供することができる。また、上述した実施形態においては、第１の光路および第２の光路が同一水平面上に形成されるように各光学部材を配置したが、これに限定されるものではなく、第１の光路および第２の光路が同一平面上に形成されるように各光学部材を配置するようにしてもよい。この構成によって、照射光学系１００の粒子解析装置１内における配置の自由度が向上する。

なお、上述した実施形態において用いた第２ミラー１０６の代わりに、青色レーザ光を遮断するフィルタの表面にミラーコートを施したミラー部材を用いても良い。このミラー部材は、青色レーザ光の透過率がほぼ０％であるので、フォトダイオード１０９には実質的に赤色レーザ光のみが入射するようになる。

また、上述した実施形態において、信号処理部３００がフォトダイオード１０９により入力された電気信号（赤色レーザ光と青色レーザ光との受光光量に応じた電気信号）からフォトダイオード１０８により入力された電気信号（青色レーザ光の受光光量に応じた電気信号）を減じることにより赤色レーザ光量を監視するようにしても良い。

フローセル１１１は、細管を有するガラス製の筒であり、この細管を染色された粒子流が通過する。この粒子流に、照射光学系１００からの合成レーザ光が照射される。フローセル中の粒子に合成レーザ光が照射されることにより、粒子から散乱光、蛍光が発せられる。

光学検出系１５０は、フローセル１１１を通過した直接光を遮光するビームストッパ１２４、レーザ光が照射された粒子からの前方散乱光を集光するコンデンサレンズ１１２、コンデンサレンズ１１２からの前方散乱光のうち、青色レーザ光の前方散乱光を遮断し、赤色レーザ光の前方散乱光のみを透過するロングパスフィルター１１４、赤色レーザ光の前方散乱光を受光し、光電変換するフォトダイオード１１５、上記Ｙ方向に発せられる側方散乱光と青色蛍光と赤色蛍光とを集光するコンデンサレンズ１１３、青色蛍光を反射し、赤色レーザ光を透過する光学特性を有するダイクロイックミラー１１６、青色レーザ光の側方散乱光を遮断し、青色蛍光のみを透過するロングパスフィルター１１７、青色蛍光を検出するフォトマルチプライヤー１１８、赤色レーザによる側方散乱光を反射し、赤色蛍光を透過する光学特性を有するダイクロイックミラー１１９、赤色レーザ光の側方散乱光のみを透過するロングパスフィルター１２０、赤色レーザ光の側方散乱光を受光し、光電変換するフォトダイオード１２１、赤色蛍光のみを透過するロングパスフィルター１２２、赤色蛍光を検出するフォトマルチプライヤー１２３を備えている。ビームストッパ１２４は、フローセル１１１を透過した合成レーザ光の光軸上に配置されている。これにより図１中のＸ方向においてビームストッパ１２４よりも後方に配置されているコンデンサレンズ１１２には、前方散乱光のみが照射される。

信号処理部３００は、増幅回路、ＡＤ変換回路、ＣＰＵおよびメモリ（ＲＯＭ、ＲＡＭ、ハードディスク）を備えている。信号処理部３００は、上記フォトダイオード１１５及びフォトダイオード１２１により検出された散乱光データと上記フォトマルチプライヤー１１８及びフォトマルチプライヤー１２３により検出された蛍光データとを解析し、解析結果を液晶ディスプレイ４００に表示させる。また、信号処理部３００は、上記フォトダイオード１０８及びフォトダイオード１０９により出力された信号を受け取り、レーザの出力が一定となるように監視するとともに、レーザ光量低下の警告を液晶ディスプレイ４００に表示させる。

図２は、他の実施形態の照射光学系を備えた粒子解析装置２の概略図であり、照射光学系以外の構成は図１の粒子解析装置１と同じである。なお、図２の粒子解析装置２において、図１の粒子解析装置１と同じ構成の部材については同じ符号を付しており、その詳しい説明は省略している。
照射光学系２００は、青色半導体レーザ光源１０１、コリメータレンズ１０３、赤色半導体レーザ光源１０２、コリメータレンズ１０４、プリズム２０１、プリズム２０１からのレーザ光を集光するためのコンデンサレンズ系１１０、青色半導体レーザ光源１０１の出力を監視するためのフォトダイオード１０８、及び赤色半導体レーザ光源１０２の出力を監視するためのフォトダイオード１０９を備えている。

プリズム２０１は、コリメータレンズ１０３からの青色レーザ光を第１の方向（図２中の矢印ａの方向）に反射する第１反射コーティング部２０２と、第１反射コーティング部２０２からの青色レーザ光を反射し且つコリメータレンズ１０４からの赤色レーザ光を透過する誘電体多層膜蒸着部２０４と、誘電体多層膜蒸着部２０４からのレーザ光を第２の方向（図２中の矢印ｂの方向）に反射する第２反射コーティング部２０３とを備えている。

第１反射コーティング部２０２は、青色レーザ光の反射率が９０％以上（透過率数％）である。この第１反射コーティング部２０２は、青色レーザ光源１０１の光軸に対し４５度の角度を成すように配置されている。これにより第１反射コーティング部２０２への入射光の光軸は反射光の光軸と垂直を成す。この第１反射コーティング部２０２により第１方向に反射された青色レーザ光は、誘電体多層膜蒸着部２０４に入射する。

また、誘電体多層膜蒸着部２０４は、赤色レーザ光源１０２の光軸に対し４５度の角度をなすように配置され、第１反射コーティング部２０２からの青色レーザ光の光軸とも４５度の角度をなすように配置される。この誘電体多層膜蒸着部２０４は、波長４０５ｎｍの光を反射し、波長６３５ｎｍの光を透過する光学特性を有している。このような構成により、誘電体多層膜蒸着部２０４は、第１反射コーティング部２０２により導かれた青色レーザ光を反射し、赤色半導体レーザ光源１０２より出射された赤色レーザ光を透過する。このようにして誘電体多層膜蒸着部２０４は、青色レーザ光と赤色レーザ光を合成する。

第２反射コーティング部２０３は、誘電体多層膜蒸着部２０４からの合成レーザ光を上記第２の方向に反射し、反射光をコンデンサレンズ系１１０に入射させる。第２反射コーティング部２０３は、赤色レーザ光の反射率が９０％以上（透過率数％）である。また、第２反射コーティング部２０３における青色レーザ光の反射率も９０％以上（透過率数％）である。この第２反射コーティング部２０３は、誘電体多層膜蒸着部２０４からの合成レーザ光の光軸に対し４５度の角度を成すように配置されている。これにより、第２反射コーティング部２０３への入射光の光軸は反射光の光軸と垂直を成す。第２反射コーティング部２０３による反射光の進行方向すなわち上記第２の方向は、上述した第１反射コーティング部２０２による反射光の進行方向（第１の方向）と平行で且つ逆方向である。

この実施形態においては、プリズム２０１を用いることにより、照射光学系を構成する光学部材の数を少なくすることができ、照射光学系をより小型化することができる。

本発明の他の実施形態の照射光学系２５０を、図３を用いて説明する。照射光学系２５０は、図２に示されたプリズム２０１の代わりにプリズム２０５を備えること以外は、図２で説明した照射光学系２００と同様の構成である。照射光学系２５０は、青色半導体レーザ光源１０１、コリメータレンズ１０３、赤色半導体レーザ光源１０２、コリメータレンズ１０４、プリズム２０５、プリズム２０５からのレーザ光を集光するためのコンデンサレンズ系１１０を備えている。

プリズム２０５は、斜面に誘電体多層膜蒸着部２０６が施された９０度二等辺直角プリズム２０５ａと、プリズム２０５ｂからなる。プリズム２０５ｂは、図２に示されたプリズム２０１において、誘電体多層膜蒸着部２０４を有していないこと以外は同じ構成を有している。プリズム２０５は、９０度二等辺直角プリズム２０５ａの誘電体多層膜蒸着部２０６が施された斜面とプリズム２０５ｂとを接合したものである。

この実施形態においては、赤色レーザ光が誘電体多層膜蒸着部２０４に入射する際の屈折の影響が出にくいため、赤色レーザ光と青色レーザ光とを容易に合成することができる。

本発明の他の実施形態の照射光学系６００を、図４を用いて説明する。照射光学系６００は、３つの半導体レーザ光源、および２つの合成手段（ダイクロイックミラー）を備えること以外は、図１で説明した照射光学系１００と同様の構成である。照射光学系６００は、第１の波長のレーザ光を出射する第１半導体レーザ光源６０１、第１半導体レーザ光源６０１より出射された第１レーザ光を平行光にするコリメータレンズ、このコリメータレンズからの第１レーザ光を第１の方向に反射する第１ミラー６０４、第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を出射する第２半導体レーザ光源６０２、第２半導体レーザ光源６０２より出射された第２レーザ光を平行光にするコリメータレンズ、第１の波長および第２の波長とは異なる第３の波長のレーザ光を出射する第３半導体レーザ光源６０３、第３半導体レーザ光源６０３より出射された第３レーザ光を平行光にするコリメータレンズ、このコリメータレンズからの第３レーザ光を反射し、且つ第１ミラー６０４からの第１レーザ光を透過する光学特性を有するダイクロイックミラー６０６、コリメータレンズからの第２レーザ光を透過し、且つダイクロイックミラー６０６で合成された第１および第２レーザ光を反射する光学特性を有するダイクロイックミラー６０５、ダイクロイックミラー６０５で合成された第１〜第３レーザ光を反射する第２ミラー１０６、シリンドリカルレンズ１１０ａおよびコンデンサレンズ１１０ｂを備え、ダイクロイックミラー６０５からの合成レーザ光をフローセル１１１に集光するためのコンデンサレンズ系１１０を備えている。

この実施形態においては、このように３つの波長の異なるレーザ光源を用いる場合でも、フローセルに対向して配置される光学部材の数を少なくすることができる。

また、上述した各実施形態においては、集光手段としてシリンドリカルレンズ１１０ａおよびコンデンサレンズ１１０ｂからなるコンデンサレンズ系１１０を用いたが、コンデンサレンズのみとしても良い。

また、上述した各実施形態においては、照射光学系を粒子解析装置に適用したが、これに限定されず、例えば、撮像素子を用いて粒子像を撮像する粒子撮像装置や、撮像素子を用いて粒子像を撮像し、撮像された粒子画像を解析する粒子画像解析装置等の粒子処理装置に適用することができる。

本発明の一実施形態の照射光学系を備えた粒子解析装置を示す図である。本発明の他の実施形態の照射光学系を備えた粒子解析装置を示す図である。本発明の他の実施形態の照射光学系を示す図である。本発明の他の実施形態の照射光学系を示す図である。従来の照射光学系を備えた粒子解析装置を示す図である。従来の照射光学系を備えた粒子解析装置を示す図である。

符号の説明

１粒子解析装置
２粒子解析装置
１００照射光学系
１５０光学検出系
１０１青色半導体レーザ
１０２赤色半導体レーザ
１０３コリメータレンズ
１０４コリメータレンズ
１０５第１ミラー
１０６第２ミラー
１０７ダイクロイックミラー
１０８フォトダイオード
１０９フォトダイオード
１１０コンデンサレンズ系
１１０ａシリンドリカルレンズ
１１０ｂコンデンサレンズ
１１１フローセル
２００照射光学系
２０１プリズム
２０２反射コーティング部
２０３反射コーティング部
２０４誘電体多層膜蒸着部
２０５プリズム
２５０照射光学系
３００信号処理部
４００表示部（液晶ディスプレイ）

Claims

第１のレーザ光を出射する第１の光源と、
第１のレーザ光と波長の異なる第２のレーザ光を出射する第２の光源と、
第１の光源の光軸上に配置され、第１の方向に第１のレーザ光を反射する第１の反射手段と、
第１の反射手段によって第１の方向に反射された第１のレーザ光を反射し、且つ第２の光源から出射された第２のレーザ光を透過することにより第１及び第２のレーザ光を合成させる合成手段と、
合成手段により合成されたレーザ光を第２の方向に反射する第２の反射手段と、
第２の反射手段によって反射されたレーザ光を集光するための集光手段と
を備え、
第１の方向と第２の方向とが平行で、且つ逆方向であること
を特徴とする照射光学系。
前記第１の光源の光軸が、第２の光源の光軸と平行であることを特徴とする請求項１記載の照射光学系。
前記第１の光源から集光手段までの第１のレーザ光の光路と、前記第２の光源から集光手段までの第２のレーザ光の光路とが、同一平面上にあることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の照射光学系。
前記第１の光源から集光手段までの第１のレーザ光の光路と、前記第２の光源から集光手段までの第２のレーザ光の光路とが、同一水平面上にあることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の照射光学系。
前記第１の反射手段、合成手段および第２の反射手段がプリズムからなり、このプリズムが、第１の方向に第１のレーザ光を反射する第１の反射面と、第１のレーザ光を反射し、且つ第２のレーザ光を透過することにより第１及び第２のレーザ光を合成させる合成面と、合成面により合成されたレーザ光を第２の方向に反射する第２の反射面とを備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の照射光学系。
請求項１〜５の何れか１項に記載された照射光学系と、水平面に対して垂直方向に粒子を移動させるフローセルと、照射光学系からのレーザ光の照射により粒子から発生する光を受光する受光手段とを備えたことを特徴とする粒子処理装置。