JP2005161463A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板1上のプレート500にヒンジ310を介して矩形のプレート510が連結され、プレート510にヒンジ320を介して矩形のプレート520が連結され、プレート520にヒンジ330を介して矩形のプレート530が連結されている。プレート500上に矩形の静電板222が設けられ、プレート530上に矩形の静電板122が設けられている。ヒンジ310,320,330は谷状に折曲される。静電板122と静電板222との間に電圧が印加されると、静電板122と静電板222との間に静電力が作用し、プレート530がプレート500に対して平行移動する。
【選択図】 図1
Description
ここで、aはGaAsの格子定数であり、5.6533Åである。また、ΔaはInX Ga1-X Asの格子定数とGaAsの格子定数との差である。In0.2 Ga0.8 Asの格子定数は5.7343Åである。
2 バッファ層
3 犠牲層
4 歪層
5 構成要素層
11 分離溝
21,22,23 谷折溝
24 山折溝
41a 第1のInGaAs層
41b 第2のInGaAs層
42 GaAs層
100,100a 半導体装置
120,220 電極パッド
121,221 配線層
122,222 静電板
310,320,330,340,350 ヒンジ
500,510,520,530,540 プレート
Claims (7)
- 隣接する第1の領域および第2の領域を有する基板と、
前記基板上に設けられた積層構造とを備え、
前記積層構造は、第1の層、第2の層および第3の層を順に含み、
前記第2の層は、異なる格子定数を有する複数の半導体層を含み、
前記第1の領域と前記第2の領域との境界部に第1の折線が形成され、前記第2の領域に複数の折線が形成され、
前記第1の領域および前記第2の領域にそれぞれ第1および第2の対向電極が設けられ、
前記第1の折線を除く部分で前記第2の領域を取り囲むように前記第3の層、前記第2の層および前記第1の層が除去され、前記第2の領域における前記第1の層が選択的に除去されることにより、前記第2の領域における前記第2の層および前記第3の層の部分が前記基板から離間し、
前記第2の層に起因する歪により前記第2の層が前記第1の折線および前記複数の第2の折線で谷状または山状に折曲され、前記第1の対向電極と前記第2の対向電極とが平行移動可能に対向することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の折線と前記複数の第2の折線とは互いに略平行に設けられ、前記第1の対向電極と前記第2の対向電極とが前記第1の折線および前記複数の第2の折線に対して略垂直な方向に平行移動可能に設けられたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記複数の第2の折線のうち少なくとも1つは、前記第1の折線に対して略垂直に設けられ、
前記第2の領域の一部は前記基板に対して略垂直に起立し、前記第2の対向電極は、前記基板に対して略垂直な軸を中心とする円周方向に回動可能かつ前記第1の対向電極に対して平行移動可能に設けられたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1の折線および前記複数の第2の折線において少なくとも前記第3の層が除去されることにより前記第2の層が前記第1の折線および前記複数の第2の折線で谷状または山状に折曲されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第2の層は、第1の格子定数を有する第1の半導体層と、前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有する第2の半導体層とを含み、
前記第1の折線および前記複数の第2の折線で前記第2の層が谷状に折曲されるように前記第1の折線および前記複数の第2の折線の前記第3の層が除去されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第2の層は、第1の格子定数を有する第1の半導体層と、前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有する第2の半導体層と、前記第2の格子定数よりも大きい第3の格子定数を有する第3の半導体層とを含み、
前記複数の第2の折線のうち少なくとも1つの第2の折線で前記第2の層が山状に折曲されるように前記少なくとも1つの第2の折線の前記第3の層が除去され、前記第1の折線および前記複数の第2の折線のうち他の第2の折線で前記第2の層が谷状に折曲されるように前記第1の折線および前記他の第2の折線の前記第3の層および前記第3の半導体層が除去されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。 - 隣接する第1の領域および第2の領域を有する基板上に第1の層を形成するステップと、
前記第1の層上に、異なる格子定数を有する複数の半導体層を含む第2の層を形成するステップと、
前記第2の層上に第3の層を形成するステップと、
前記第1の領域と前記第2の領域との境界部に第1の折線を形成し、前記第2の領域に複数の折線を形成するステップと、
前記第1の領域および前記第2の領域にそれぞれ第1および第2の対向電極を設けるステップと、
前記第1の折線を除く部分で前記第2の領域を取り囲むように前記第3の層、前記第2の層および前記第1の層を除去するステップと、
前記第2の領域における前記第1の層を選択的に除去することにより、前記第2の領域における前記第2の層および前記第3の層の部分を前記基板から離間させ、前記第2の層に起因する歪により前記第2の層を前記第1の折線および前記複数の第2の折線で谷状または山状に折曲し、前記第1の対向電極と前記第2の対向電極とを平行移動可能に対向させるステップとを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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