JP2005158229A - バイアス補償値測定方法,バイアス補償方法およびハードディスクドライブ - Google Patents
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- Moving Of Head For Track Selection And Changing (AREA)
Abstract
【解決手段】バイアス補償値算出方法は,HDDの探索を行う時,磁気ヘッド712の移動距離によるバイアス補償値を測定する方法において,基準トラックと基準トラックを中心としてディスク110の内周方向及び外周方向に位置する参照トラックとを設定する過程と,磁気ヘッドを基準トラックからそれぞれの参照トラックまで移動させつつ磁気ヘッドに作用するバイアスによる影響を相殺させるためのバイアス補償値を測定する過程と,上記測定されたバイアス補償値を利用して磁気ヘッドの移動距離によるバイアス補償曲線を作成する過程と,を含む。本バイアス補償値算出方法によれば,短い範囲のトラック探索により,正確かつ速かにバイアス補償値を測定できる。
【選択図】図4A
Description
上記長トラック探索に対して,より短い距離のトラックを探索する短トラック探索のためのバイアス補償値を算出し,同算出したバイアス補償値を第2のバイアス補償テーブルに記憶する過程と,
上記短トラック探索あるいは上記長トラック探索のいずれかが要求されるかによって,上記第1のバイアス補償テーブルまたは上記第2のバイアス補償テーブルのいずれかを選択し,同選択されたバイアス補償テーブルに記憶されたバイアス補償値を使用してバイアスを補償する過程と,を含む。
(1)外周方向の探索後に再び外周方向に短く探索する場合(OD after OD(Outer Direction)),
(2)内周方向の探索後に外周方向に短く探索する場合(OD after ID(Inner Direction)),
(3)内周方向の探索後に再び内周方向に短く探索する場合(ID after ID),
(4)外周方向の探索後に内周方向に短く探索する場合(ID after OD),が全て考慮されなければならない。
すなわち,方向転換を伴わない短距離の探索においても,バイアス補償が必要であるにも拘わらず,上記従来の方法には,このような補償について全く開示されていない。
図4A〜図4Dにおいて,左側方向はディスクの外周方向(OD)となり,右側方向はディスクの内周方向(ID)となる。また,各矢印に表記された数字は探索する順序を表す。
(1)外周方向の探索後,再び外周方向に短く探索する場合(OD after OD)
この場合,短い探索は,図4Aに示されたように行われる。2番矢印及び3番矢印によって表されるトラック探索のように,外周方向(2番矢印)に探索した後に再び外周方向(3番矢印)に探索が行われ,3番矢印で表される探索を行う時のバイアス補償値が測定される。すなわち,外周方向の探索後,再び外周方向に短く探索する場合(OD after OD)において,100トラックだけ探索する場合のバイアス補償値が測定される。
この場合,短い探索は,図4Bに示されたように行われる。1番矢印及び2番矢印によって表されるトラック探索のように内周方向(1番矢印)に探索した後に再び外周方向(2番矢印)に探索し,2番矢印で表される探索を行う時のバイアス補償値が測定される。すなわち,内周方向の探索後に外周方向に短く探索する場合(OD after ID)において,1,000トラックだけ探索する場合のバイアス補償値が測定される。
この場合,短い探索は,図4Cに示されたように行われる。2番矢印及び3番矢印によって表されるトラック探索のように内周方向(2番矢印)に探索した後に再び内周方向(3番矢印)に探索し,3番矢印で表される探索を行う時のバイアス補償値が測定される。すなわち,内周方向の探索後,再び内周方向に100トラックだけ探索する場合のバイアス補償値が測定される。
同様に,5番矢印及び6番矢印によって表されるトラック探索では200トラックだけ探索する場合のバイアス補償値が測定され,8番矢印及び9番矢印によって表されるトラック探索動作では300トラックだけ探索する場合のバイアス補償値が測定される。このような過程を短いトラックの範囲,すなわち,1,000だけ探索する場合まで反復する。
短いトラックの範囲内で得られたバイアス補償値,すなわち,100トラック,200トラック,・・・1,000トラックだけ探索する場合についてのバイアス補償値をテーブルに収録して内周方向の探索後,再び内周方向に短く探索する場合(ID after ID)のバイアス補償曲線を得る。これにより,得られるのバイアス補償曲線(ID after ID)が図5のグラフに示されるバイアス補償曲線506である。
この場合,短い探索は,図4Dに示されたように行われる。1番矢印及び2番矢印によって表されるトラック探索のように外周方向(1番矢印)に探索した後に内周方向(2番矢印)に探索し,2番矢印で表される探索を行う時のバイアス補償値が測定される。すなわち,外周方向の探索後に内周方向に1,000トラックだけ探索する場合のバイアス補償値が測定される。
短いトラックの範囲内で得られたバイアス補償値,すなわち,1,000トラック,900トラック,・・・,100トラックだけ探索する場合に対するバイアス補償値をテーブルに収録して外周方向の探索後,内周方向に短く探索する場合(ID after OD)のバイアス補償曲線を得る。これにより得られるのバイアス補償曲線(ID after OD)が図5のグラフに示されるバイアス補償曲線504である。
(1)外周方向の探索後,再び外周方向に短く探索する場合(OD after OD)には図5に示されたバイアス補償曲線502を使用し,
(2)内周方向の探索後に外周方向に短く探索する場合(OD after ID)には図5に示されたバイアス補償曲線508を使用し,
(3)内周方向の探索後,再び内周方向に短く探索する場合(ID after ID)にはバイアス補償曲線506を使用し,
(4)外周方向の探索後に内周方向に短く探索する場合(ID after OD)には図5に示されたバイアス補償曲線504を使用する。
112,712 磁気ヘッド
128,728 サーボ駆動部
124 マイクロコントローラ
132 スピンドルモータ駆動部
Claims (25)
- トラック探索のためのバイアス補償値を算出するバイアス補償値算出方法であって、
前記バイアス補償値を算出するために磁気ヘッドを移動させる基準となるトラックを基準トラックとして設定し,前記基準トラックと最内周トラックとの間および/または前記基準トラックと最外周トラックとの間に位置する1又は2以上のトラックを参照トラックとして設定する設定過程と,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記最外周トラック側と前記最内周トラック側との少なくともいずれかに位置する参照トラックに移動させ,さらに,前記磁気ヘッドを前記最外周トラック側と前記最内周トラック側とのいずれかに位置する参照トラックまたは基準トラックのいずれかに移動させながら前記さらに移動させた際に前記磁気ヘッドに作用するバイアスを補償するために使用されるバイアス補償値を算出する算出過程と、
を含むバイアス補償値算出方法。 - 前記バイアス補償値算出方法は,
前記算出されたバイアス補償値を使用して前記磁気ヘッドの移動距離に応じたバイアス補償曲線を作成する過程を含む請求項1に記載のバイアス補償値算出方法。 - 前記設定過程は,
前記参照トラックを複数設定し,隣接した前記複数の参照トラック間の距離が均一であることを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載のバイアス補償値算出方法。 - 前記参照トラックは,
前記基準トラックから1,000トラック以内に存在することを特徴とする請求項1,2又は請求項3のいずれかに記載のバイアス補償値算出方法。 - 前記算出過程は,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記内周方向に移動させた後,再び,前記内周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記外周方向に移動させた後,再び,前記外周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,
を含むことを特徴とする請求項1,2,3又は請求項4のいずれかに記載のバイアス補償値算出方法。 - 前記算出過程は,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記内周方向に移動させた後,再び,前記内周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記外周方向に移動させた後,再び,前記外周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記内周方向に移動させた後,再び,前記外周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記外周方向に移動させた後,再び,前記内周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,
を含むことを特徴とする請求項1,2,3又は請求項4のいずれかに記載のバイアス補償値算出方法。 - 前記バイアス補償値を算出する際の移動方向における磁気ヘッドの移動距離と前記バイアス補償値を算出する直前の移動方向における磁気ヘッドの移動距離とは,略同一距離であることを特徴とする請求項5又は請求項6のいずれかに記載のバイアス補償値算出方法。
- 前記トラック探索は,
ハードディスクドライブにて磁気ヘッドの移動距離を利用して行われることを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6又は請求項7のいずれかに記載のバイアス補償値算出方法。 - 前記基準トラックは,
前記最内周トラックと前記最外周トラックとの間にあることを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6,7又は請求項8のいずれかに記載のバイアス補償値算出方法 - 前記探索される参照トラックは,
前記基準トラックから所定の距離だけ離隔された位置に存在することを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6,7,8又は請求項9に記載のバイアス補償値算出方法。 - 前記所定の距離は,100トラックであることを特徴とする請求項10に記載のバイアス補償値算出方法。
- 前記算出過程は,
トラック探索に応じて反復されることを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6,7,8,9,10又は請求項11に記載のバイアス補償値算出方法。 - 前記トラック探索に応じて反復して前記磁気ヘッドが探索する参照トラックの数は,
短トラック探索を行うために十分な数であることを特徴とする請求項12に記載のバイアス補償値算出方法。 - 前記探索される参照トラックの数は,20個であることを特徴とする請求項13に記載のバイアス補償値算出方法。
- 前記探索される参照トラックのうち10個は基準トラックより内周方向の探索トラックであり,他の10個は基準トラックより外周方向の探索トラックであることを特徴とする請求項13に記載のバイアス補償値算出方法。
- ハードディスクドライブの探索を行うとき,磁気ヘッドの移動距離によるバイアスを補償するバイアス補償方法であって,
前記バイアス補償値を算出するために磁気ヘッドを移動させる基準となるトラックを基準トラックとして設定し,前記基準トラックを中心としてハードディスクの内周方向及び外周方向へ向けて所定の範囲内に位置するトラックを参照トラックとして設定する設定過程と,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックからそれぞれの参照トラックまで移動させながら前記移動させた際に前記磁気ヘッドに作用するバイアスによる影響を相殺させるためのバイアス補償値を算出する算出過程と,
前記磁気ヘッドを移動させて目標となる参照トラックを探索するとき,探索距離が前記所定の範囲内であるか否かを判断する判断過程と,
前記判断過程により前記探索距離が前記所定の範囲内であると判断されたとき,前記算出されたバイアス補償値を使用して前記磁気ヘッドに作用するバイアスを補償する補償過程と,
を含むバイアス補償方法。 - 前記バイアス補償方法は,
前記算出されたバイアス補償値を使用して前記磁気ヘッドの移動距離に応じたバイアス補償曲線を作成する作成過程を含み,
前記補償過程は,
前記判断過程により前記探索距離が前記所定の範囲内であると判断されたとき,前記作成されたバイアス補償曲線を使用してバイアスを補償することを特徴とする請求項16に記載のバイアス補償方法。 - トラック探索のためのバイアス補償値を算出するハードディスクドライブであって,
前記バイアス補償値を算出するために磁気ヘッドを移動させる基準となるトラックを基準トラックとして設定し,前記基準トラックと最内周トラックとの間の1トラックから前記基準トラックと最外周トラックとの間の1トラックまでの内の所定の範囲内に分布されるトラックを参照トラックとして設定する設定過程と,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記最外周トラック側と前記最内周トラック側との少なくともいずれかに位置する参照トラックに移動させ,さらに,前記磁気ヘッドを前記最外周トラック側と前記最内周トラック側とのいずれかに位置する参照トラックまたは基準トラックに移動させながら前記さらに移動させた際に前記磁気ヘッドに作用するバイアスを補償するために使用されるバイアス補償値を算出する算出過程と、
前記算出されたバイアス補償値を使用して前記磁気ヘッドの移動距離に応じたバイアス補償曲線を作成する作成過程と,
前記磁気ヘッドを移動させることによって前記トラック探索を行う際の前記磁気ヘッドの移動距離が前記所定の範囲内にあるか否かを判断する判断過程と,
前記判断過程により前記磁気ヘッドの移動距離が前記所定の範囲内にあると判断されたとき,前記作成されたバイアス補償曲線を使用して前記磁気ヘッドに作用するバイアスを補償する補償過程と,
を実行するコントローラを含むハードディスクドライブ。 - 前記設定過程は,
前記参照トラックを複数設定し,隣接した前記複数の参照トラック間の距離が均一であることを特徴とする請求項18に記載のハードディスクドライブ。 - 前記参照トラックは,
前記基準トラックから1,000トラック以内に存在することを特徴とする請求項18又は請求項19のいずれかに記載のハードディスクドライブ。 - 前記コントローラは,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記内周方向に移動させた後,再び,前記内周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記外周方向に移動させた後,再び,前記外周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,を通じてバイアスを求めることを特徴とする請求項18,19又は請求項20のいずれかに記載のハードディスクドライブ。 - 前記コントローラは,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記内周方向に移動させた後,再び,前記外周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記外周方向に移動させた後,再び,前記内周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,を通じて前記バイアスを求めることを特徴とする請求項18,19又は請求項20のいずれかに記載のハードディスクドライブ。 - 前記コントローラは,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記内周方向に移動させた後,再び,前記内周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記外周方向に移動させた後,再び,前記外周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記内周方向に移動させた後,再び,前記外周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックから前記外周方向に移動させた後,再び,前記内周方向に移動させながら前記バイアス補償値を算出する過程と,を通じて前記バイアスを求めることを特徴とする請求項18,19又は請求項20のいずれかに記載のハードディスクドライブ。 - トラック探索を行う際,磁気ヘッドの移動距離によるバイアスを補償するハードディスクドライブであって,
前記バイアス補償値を算出するために磁気ヘッドを移動させる基準となるトラックを基準トラックとして設定し,前記基準トラックを中心としてハードディスクの内周方向及び外周方向へ向けて所定の範囲内に位置するトラックを参照トラックとして設定する設定過程と,
前記磁気ヘッドを前記基準トラックからそれぞれの参照トラックまで移動させながら前記移動させた際に前記磁気ヘッドに作用するバイアスによる影響を相殺させるためのバイアス補償値を算出する算出過程と,
前記磁気ヘッドを移動させて目標となる参照トラックを探索するとき,探索距離が前記所定の範囲内であるか否かを判断する判断過程と,
前記判断過程により前記探索距離が前記所定の範囲内であると判断されたとき,前記算出されたバイアス補償値を使用して前記磁気ヘッドに作用するバイアスを補償する補償過程と,
を実行するコントローラを含むハードディスクドライブ。 - トラック探索のためのバイアス補償方法であって,
長トラック探索のためのバイアス補償値を算出し,同算出したバイアス補償値を第1のバイアス補償テーブルに記憶する過程と,
前記長トラック探索に対して,より短い距離のトラックを探索する短トラック探索のためのバイアス補償値を算出し,同算出したバイアス補償値を第2のバイアス補償テーブルに記憶する過程と,
前記短トラック探索あるいは前記長トラック探索のいずれかが要求されるかによって,前記第1のバイアス補償テーブルまたは前記第2のバイアス補償テーブルのいずれかを選択し,同選択されたバイアス補償テーブルに記憶されたバイアス補償値を使用してバイアスを補償する過程と,
を含むバイアス補償方法。
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080304 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080604 |
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A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080609 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080701 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080805 |