JP2005150625A - 半導体レーザ、半導体レーザの駆動方法および波長変換素子 - Google Patents
半導体レーザ、半導体レーザの駆動方法および波長変換素子 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 本発明の半導体レーザでは、前方DFB領域101の回折格子5が一部に位相シフト部分を有し、前方DFB領域101と後方DFB領域103との各々に電流を注入することによって生じる前方DFB領域101のストップバンド内のレーザ発振波長と前方DFB領域101のストップバンド端部のレーザ発振波長との両方が、後方DFB領域103により生じるストップバンド内の高反射率部に位置するように、後方DFB領域103の回折格子5が調整されている。
【選択図】 図2
Description
図1は、本発明の実施の形態1における半導体レーザの構成を示す概観図である。
図7は、本発明の実施の形態2における半導体レーザの構成を示す概略断面図である。
図8は、本発明の実施の形態3における半導体レーザの構成を示す概略断面図である。
図9は、本発明の実施の形態4における半導体レーザの共振器方向の構成を示す概略断面図である。
図10は、本発明の実施の形態5における半導体レーザの構成を示す概略断面図である。
Claims (12)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1導電型クラッド層と、
前記第1導電型クラッド層に形成された光導波層と、
前記光導波層を一部に含みレーザ光出射方向に対して前方に位置し前記光導波層面に近接した回折格子を具備する前方DFB領域と、
前記光導波層を一部に含み前記レーザ光出射方向に対して後方に位置し前記光導波層面に近接した回折格子を具備し、前記前方DFB領域とは電気的に分離された後方DFBあるいはDBR領域と、
前記回折格子を埋め込むように形成された第2導電型クラッド層と、を備え、
前記前方DFB領域の回折格子が一部に位相シフト部分を有し、
前記前方DFB領域と前記後方DFBあるいはDBR領域との各々に電流を注入することによって生じる前記前方DFB領域のストップバンド内のレーザ発振波長と前記前方DFB領域の前記ストップバンド端部のレーザ発振波長との両方が、前記後方DFBあるいはDBR領域により生じるストップバンド内の高反射率部に位置するように、前記後方DFBあるいはDBR領域の前記回折格子が調整されていることを特徴とする、半導体レーザ。 - 前記前方DFB領域の前記ストップバンド内の前記レーザ発振波長が、前記前方DFB領域の前記ストップバンドの端部波長に対して0.3nm以上5.5nm以下の所望の波長間隔となるように前記位相シフト部分の大きさが調整されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記後方DFBまたはDBR領域の前記回折格子が位相シフト部分を有していることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体レーザ。
- 前記前方DFB領域が2箇所のDFB領域と前方DFB用位相制御領域とにより構成されており、前記前方DFB用位相制御領域は前記2箇所のDFB領域の間に設けられ、かつ前記2箇所のDFB領域の各々から電気的に分離されていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体レーザ。
- 前記前方DFB領域と前記後方DFBあるいはDBR領域との間に位置し、かつ前記前方DFB領域と前記後方DFBあるいはDBR領域との各々から電気的に分離された前方−後方間位相制御領域をさらに備えたことを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体レーザ。
- 前記後方DFBあるいはDBR領域が後方DBR領域で構成されており、前記前方−後方間位相制御領域および前記後方DBR領域における前記光導波層を構成する結晶のバンドギャップエネルギーが、前記前方DFB領域における光導波層を構成する結晶のバンドギャップエネルギーより大きいことを特徴とする、請求項5に記載の半導体レーザ。
- 前記前方DFB領域の回折格子の周期と前記後方DFBあるいはDBR領域の回折格子の周期が異なることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体レーザ。
- 前記光導波層の両側面に形成された電流閉じ込め層をさらに備えたことを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の半導体レーザ。
- 前記電流閉じ込め層が埋め込み結晶成長によって形成されたものであることを特徴とする、請求項8に記載の半導体レーザ。
- 前記前方DFB領域の前部または前記後方DFBあるいはDBR領域の後部に隣接して集積された半導体光増幅器をさらに備えたことを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の半導体レーザ。
- 請求項10に記載の半導体レーザをセルフパルセーティング動作を行う多電極構造のレーザとして用いる駆動方法であって、入力信号光とレーザ発振波長の連続光とを前記半導体光増幅器に入射させてクロック再生動作させることを特徴とする、半導体レーザの駆動方法。
- 請求項10に記載の半導体レーザを備えた波長変換素子であって、
一端から信号光が入射される入射側光導波路と、
前記半導体レーザの発振波長に一致した波長で発振する注入同期用半導体レーザとを備え、
前記入射側光導波路を伝搬した前記信号光と前記注入同期用半導体レーザの出力光とを前記半導体レーザの前記半導体光増幅器に入射できるように前記入射側光導波路と前記注入同期用半導体レーザとが配置されていることを特徴とする、波長変換素子。
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