JP2005150258A - プラズマcvd装置のクリーニング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によるプラズマCVD装置のクリーニング方法は、真空容器1と、真空容器1内に設置された放電電極3とを備えるプラズマCVD装置のクリーニングを行う方法である。そのクリーニング方法は、真空容器1にフッ素系ガスを供給するステップAと、真空容器1へのフッ素系ガスの供給を止めるステップBとを備える。ステップAとステップBは交互に実行される。
【選択図】 図1
Description
図2は、本発明の第一の実施の形態に係るプラズマCVD装置のクリーニング方法を示すタイミング図である。具体的には、図2中の(A)は、放電電極3に高周波電源15により高周波(RF;Radio Frequency)電力を供給するタイミングを示す。また、図2中の(B)は、クリーニングガス導入管8から真空容器1にクリーニングガスを供給するタイミングを示す。横軸は時間を示し、縦軸はそれぞれの物理量を任意単位で示す。
図4は、本発明の第ニの実施の形態に係るプラズマCVD装置のクリーニング方法を示すタイミング図である。具体的には、図4中の(A)は、放電電極3に高周波電源15によりRF電力を供給するタイミングを示す。また、図4中の(B)は、クリーニングガス導入管8から真空容器1にクリーニングガス及び不活性ガスを供給するタイミングを示す。横軸は時間を示し、縦軸はそれぞれの物理量を任意単位で示す。また、図4における時刻や期間の定義は、図2における定義と同一とする。
図6は、本発明の第三の実施の形態に係るプラズマCVD装置のクリーニング方法を示すタイミング図である。具体的には、図6中の(A)は、放電電極3に高周波電源15によりRF電力を供給するタイミングを示す。また、図6中の(B)は、不要なシリコン系膜をエッチングする速度の時間変化を示す。横軸は時間を示し、縦軸はそれぞれの物理量を任意単位で示す。クリーニングは時刻t1に始まり、時刻t4に終了する。そのクリーニングの継続時間はTallである。図6において、クリーニングの開始時刻t1から時刻t2を期間Taとする。時刻t3からクリーニングの終了時刻t4を、期間Tdとする。期間Taに続く期間を期間Tbとする。期間Tdは、期間Tcに続くとする。
2 ヒータカバー
3 放電電極
4 基板
5 ヒータ
6 電極カバー
7 材料ガス導入管
8 クリーニングガス導入管
9 ガス排気管
10 真空ポンプ
11 クリーニングガス供給部
12 制御器
13 高周波同軸ケーブル
14 インピーダンス整合器
15 高周波電源
16 圧力調整弁
Claims (17)
- 真空容器と、
前記真空容器内に設置された放電電極とを具備する
プラズマCVD装置のクリーニングを行う方法であって、
(a)前記真空容器にフッ素系ガスを供給するステップと、
(b)前記真空容器への前記フッ素系ガスの供給を止めるステップとを具備し、
前記(a)供給するステップと、前記(b)止めるステップが交互に実行される
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 請求項1において、
(c)前記真空容器に不活性ガスを供給するステップを更に具備し、
前記(c)供給するステップは、前記(b)止めるステップと同時に実行される
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 請求項2において、
前記真空容器に供給される前記フッ素系ガスの単位時間あたりの供給量と、前記真空容器に供給される前記不活性ガスの単位時間あたりの供給量は略等しい
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 請求項2又は3において、
前記不活性ガスはアルゴンである
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 請求項2又は3において
前記不活性ガスは窒素である
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 請求項1において、
前記(a)供給するステップと略同時に、高周波電力が前記放電電極に供給される
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 請求項2乃至5のいずれかにおいて、
高周波電力が前記放電電極に継続的に供給される
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 請求項6又は7において、
前記クリーニングが行われる期間は、第一期間と、前記第一期間に続く第二期間を含み、
前記クリーニングは、前記第一期間に始まり、
前記第一期間において前記放電電極に供給される高周波電力は、前記第二期間において前記放電電極に供給される高周波電力と略等しい、または小さい
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 請求項6乃至8のいずれかにおいて、
前記クリーニングが行われる期間は、第三期間と、前記第三期間に続く第四期間を含み、
前記クリーニングは、前記第四期間に終了し、
前記第四期間において前記放電電極に供給される高周波電力は、前記第三期間において前記放電電極に供給される高周波電力よりも小さい
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 請求項1乃至9のいずれかにおいて、
前記フッ素系ガスは三フッ化窒素である
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 請求項1乃至10のいずれかにおいて、
前記(b)止めるステップの1回の継続時間は、前記クリーニングが行われる時間の0.5%〜3%である
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 請求項1乃至11のいずれかにおいて、
前記(a)供給するステップの1回の継続時間は、前記クリーニングが行われる時間の10%〜30%である
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 真空容器と、
前記真空容器内に設置された放電電極とを具備する
プラズマCVD装置のクリーニングを行う方法であって、
前記クリーニングが行われる期間は、第一期間と、前記第一期間に続く第二期間を含み、
前記クリーニングは、前記第一期間に開始し、
前記第一期間において前記放電電極に供給される高周波電力は、前記第二期間において前記放電電極に供給される高周波電力と略等しい、または小さい
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 請求項13において、
前記クリーニングが行われる期間は、第三期間と、前記第三期間に続く第四期間を含み、
前記クリーニングは、前記第四期間に終了し、
前記第四期間において前記放電電極に供給される高周波電力は、前記第三期間において前記放電電極に供給される高周波電力よりも小さい
プラズマCVD装置のクリーニング方法。 - 真空容器と、
前記真空容器にフッ素系ガスを供給するガス供給部と、
前記真空容器内に設置された放電電極と、
前記放電電極に接続された高周波電源と、
前記ガス供給部と前記高周波電源に接続される制御器とを具備し、
前記制御器は、前記フッ素系ガスが前記真空容器に間欠的に供給されるように前記ガス供給部を制御し、又、前記フッ素系ガスの供給に同期して高周波電力が前記放電電極に供給されるように前記高周波電源を制御する
プラズマCVD装置。 - 真空容器と、
前記真空容器にガスを供給するガス供給部と、
前記ガス供給部に接続される制御器とを具備し、
前記制御器は、フッ素系ガスと不活性ガスが前記真空容器に交互に供給されるように、前記ガス供給部を制御する
プラズマCVD装置。 - 請求項15又は16において、
前記制御器は、前記フッ素系ガスの供給が停止する時間が数分になるように、前記ガス供給部を制御する
プラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003382996A JP4467954B2 (ja) | 2003-11-12 | 2003-11-12 | プラズマcvd装置のクリーニング方法及びプラズマcvd装置 |
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JP4467954B2 JP4467954B2 (ja) | 2010-05-26 |
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WO2019163295A1 (ja) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム |
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