JP2005149828A - 高周波加熱装置 - Google Patents

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健治 安井
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Abstract

【課題】インピーダンス整合が満たされていない条件であっても高周波インバータの耐圧破壊や熱的損傷を防止すること。
【解決手段】直流電圧源1と、高周波を発生する高周波インバータ9と、高周波インバータ9の出力電力を検出する電力検知回路14と、整合回路15と、平行板電極19とを備え、直流電圧源1はフライバックコンバータ7とフライバックコンバータ制御部22によって構成し、反射電力が大きくインピーダンス整合がとれていない状態の時にはフライバックコンバータ7の出力電圧を低くするべくフライバックコンバータ制御部の発振周波数を高くする構成で、直流電圧源1の出力電圧を低く抑えることができるのでインピーダンス整合が満たされていない条件であっても高周波インバータ9での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は業務用や一般家庭用として使用される高周波による解凍や高周波誘電加熱によって食品などを加熱調理する高周波加熱装置に関するものである。
従来、この種の高周波加熱装置としては、図14に示すようなものあった(例えば、特許文献1)。
図14において、高圧電源100および高周波発振器である高周波電源101によって、加熱室102内の上部電極板103と下部電極板104の間に高周波の高電圧を供給し、両電極板の間に高周波電界を生じさせることによって、両電極板の間に挿入した被加熱物105の誘電加熱を行わせるものであった。そして、このような動作は制御回路106で制御される。
このような高周波加熱装置では、高周波電源101の出力インピーダンス、上部、下部の電極板103、104のインピーダンス及び途中の給電線の特性インピーダンスは、必ずしも一致しないので、高周波電源101から負荷への電力を効率よく伝えるためにはインピーダンス整合回路が必要となる。
図15に示すインピーダンス整合回路は、特許文献1に記載された高周波加熱装置において、従来の技術として示されている共振コンデンサ107、共振用可変コイル108を直列に接続し、この回路を、高周波トランス109を介して高周波電源101に接続した構成である。そして、端子V1、V2にコンデンサと抵抗の直列回路とみなすことができる被加熱物105を接続する。その上で、共振用可変コイル108の損失を低減させつつ、両電極板103、104に電力を供給するという効果をあげるものであった。
しかしながら、このような構成の高周波加熱装置の高周波電源においては、一般に高周波発振回路の出力が微弱であることが考えられる。すなわち、発振回路の高周波出力は微弱であるため、そのまま加熱用電力を得ることはできない。このためいくつかの電力増幅回路を経て、食品の加熱に必要な電力まで増幅する構成にしなければならない。例えば、従来の家庭用電子レンジと同等あるいはそれ以上の解凍能力を得ようとすると上部と下部の電極に与える電力としては200Wないしは300W程度の電力を必要とする。
しかしながら、加熱する負荷となる被加熱物である食品はその形状、種類は多種多様であり、その種類形状によって電極間のインピーダンスは大きく変化する。従って、インピーダンス整合回路を調整せずに食品を電極間に挿入した状態において、主電力増幅器から見た負荷インピーダンスは必ずしも適正な値になっているとは限らない。
この状態で主電力増幅器が200Wないし300Wの電力を出力しようとすると、主電力増幅器に備えられた半導体スイッチ素子に発生する電圧がその素子耐圧を超えてしまう、あるいは、スイッチング損失が非常に大きい状態で動作することが継続し、半導体スイッチ素子の熱破壊を招くという問題点が考えられる。
特開平8−255682号公報
上記背景技術の問題点に鑑み、本発明が解決しようとする課題は、インピーダンス整合が満たされていない条件であっても高周波インバータの耐圧破壊や熱的損傷を防止し、高周波加熱装置の信頼性を向上させることにある。
前記目的を達成するために本発明の高周波加熱装置は、整合回路においてインピーダンス整合が確立していない、あるいは何らかの理由でインピーダンス整合がとれず反射電力が大きい場合には直流電圧源の出力電圧が低くなるように直流電圧源に備えられたフライバックコンバータの発振周波数を高くするように制御する構成にしたものである。
これによって、直流電圧源の出力電圧が低くなるので、この出力を受けて高周波を発生する高周波インバータの出力も併せて低くなる。この結果、高周波インバータに備えられた半導体スイッチ素子での発生損失が少なくなり、インピーダンス整合がとれていない状態でも半導体スイッチ素子にかかる電圧がその素子耐圧を超えることなく、また、半導体スイッチ素子のスイッチング損失の増大を抑制することが可能となる。
本発明の高周波加熱装置は、インピーダンス整合がとれていない等の状態においても高周波インバータの半導体スイッチ素子での発生損失を軽減できるので、半導体スイッチ素子のスイッチング損失が増大し熱的な破壊を招くことを防止し、信頼性の高い高周波加熱装置を実現することが可能になる。
第1の発明は、直流電圧源と、前記直流電圧源の出力電圧を受け、半導体スイッチ素子のオンオフによって高周波を発生する高周波インバータと、前記高周波インバータから出力される電力を検出する電力検知回路と、整合回路と、少なくとも一方が可動する電極とを備え、前記整合回路は前記電力検知回路と前記電極の間に挿入接続されインピーダンス整合をとるように可変インダクタおよび可変コンデンサによって構成され、前記直流電圧源はフライバックコンバータとフライバックコンバータ制御部によって構成し、前記電力検知回路によって検出される反射電力が大きくインピーダンス整合がとれていない状態の時にはフライバックコンバータの出力電圧を低くするべく前記フライバックコンバータ制御部の発信周波数を高くする構成としたものである。
これによって、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータの出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子での発生損失を軽減できるので熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
第2の発明は、特に第1の発明の電力検知回路によって検知される反射電力が所定値より大なるときはフライバックコンバータ制御部の発振周波数を高く切り替えて出力電圧を低くする構成としたものである。これにより、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータの出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
第3の発明は、特に第1の発明の高周波加熱装置において加熱調理開始時にはフライバックコンバータ制御部の発振周波数を所定値より高く設定し、フライバックコンバータの出力電圧を低くするとともに、整合回路によってインピーダンス整合が確立した後に発振周波数を所定の値に切り替えて定常出力を得る構成としたものである。これにより、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータの出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
第4の発明は、特に第1の発明のフライバックコンバータは商用電源を整流する整流回路と、前記整流回路の出力に接続され昇圧トランスと共振コンデンサからなる共振回路と、前記共振回路を励振する半導体スイッチ素子と、昇圧トランスの出力を整流する出力整流回路を備え、電力検知回路によって検出される反射電力が大きくインピーダンス整合がとれていない状態の時は共振コンデンサの容量を大なるように切り替える構成としたものである。
これにより、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータの出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
第5の発明は、特に第4の発明における共振コンデンサの容量切り替えは、リレーにて行う構成としたことにより、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータの出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
第6の発明は、特に第4の発明における共振コンデンサの容量切り替えは、トライアックにて行う構成としたことにより、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータの出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
第7の発明は、特に第1の発明のフライバックコンバータは商用電源を整流する整流回路と、前記整流回路の出力に接続され昇圧トランスと共振コンデンサからなる共振回路と、前記共振回路を励振する半導体スイッチ素子と、昇圧トランスの出力を整流する出力整流回路を備えるとともに、前記昇圧トランスの昇圧比を切り替える昇圧比切り替え手段を有し、電力検知回路によって検出される反射電力が大きくインピーダンス整合がとれていない状態の時は前記昇圧比切り替え手段によって昇圧トランスの昇圧比が低くなるよう切り替える構成としたものである。
これにより、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータの出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
第8の発明は、特に第7の発明における昇圧トランスの出力巻線に中間タップを設け、昇圧比切り替え手段は前記中間タップと出力巻線の一端を接続することで昇圧比を切り替える構成としたことにより、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータの出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
第9の発明は、特に第7の発明における昇圧トランスの入力巻線に中間タップを設け、昇圧比切り替え手段は前記中間タップと入力巻線の一端を接続することで昇圧比を切り替える構成としたことにより、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータの出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
以上のように本発明は、第1の発明から第9の発明を実施の形態の要部とすることにより本発明の目的を達成できるので、各請求項に対応する実施の形態の詳細を、以下に図面を参照しながら説明し、本発明を実施するための最良の形態の説明とする。なお、本発明は本実施の形態により限定されるものではない。また、本各実施の形態の説明において、同一構成並びに作用効果を奏するところには同一符号を付して重複した説明を行わないものとする。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1における高周波加熱装置の電気回路図である。直流電圧源1は商用電源2の交流電圧を整流回路3によって直流電圧に変換する。この直流電圧は、昇圧トランス4と共振コンデンサ5で構成される共振回路と、この共振回路をオンオフ動作によって励振するIGBTとフライホイールダイオードからなる逆導通可能な半導体スイッチ素子6を備えたフライバックコンバータ7によって数十kHzの高周波電圧に変換される。
そして、この高周波電圧は、ダイオードとチョークコイルと平滑コンデンサを備えた出力整流回路8によって直流電圧Voに整流される。この直流電圧Voは、高周波インバータ9に供給される。高周波インバータ9は、氷と水の電力吸収が同等な例えば13.56MHzで発振し、半導体スイッチ素子11を駆動する発振部12と半導体スイッチ素子11のオンオフによって励起されるインダクタおよびコンデンサからなる共振ネットワーク13によって構成され、例えば13.56MHzの高周波電力を発生する。
電力検知回路14は、前記高周波電力を受けて高周波インバータ9から整合回路15に入射する入射電力と整合回路15から高周波インバータ9に反射する反射電力を計測する。整合回路15は、可変インダクタ16と可変コンデンサ17によって構成され、インピーダンス整合をとるべく整合駆動部18によって点線矢印のように適宜可変インダクタ16および可変コンデンサ17の値を調整する。
整合回路15の出力は、加熱室10内に上下に設置された電極である一対の平行板電極19に供給され、平行板電極19の間に挿入された被加熱物である食品20を高周波誘電加熱する。また、平行板電極19は電極駆動部21によって食品20の厚みに応じた位置に制御される。
図2は、直流電圧源1の出力電圧Voと電力検知回路14によって検出される入射電力から反射電力をさし引いた電力、すなわち、高周波インバータ9から整合回路15以降に有効に伝達される電力の関係を示した図ある。この図に示すように出力電圧Voが上昇するとそれに応じて高周波インバータ9の出力電力も増加する。
また、その関係は整合回路15の働きによる整合状態によってもその特性は異なったものとなり、インピーダンスの条件によって2−(1)から2−(3)の状態まで変化する。従って、高周波インバータ9の出力電力を安定させるためには、直流電圧源1の出力電圧Voを帰還制御する必要がある。
図1においてフライバックコンバータ制御部22は、点線矢印で示すように電力検知回路14の検出する反射電力の情報によってフライバックコンバータ7の動作周波数を決定するように働き、その結果、直流電圧源1の出力電圧を制御する。一方、高周波インバータ9の出力電力と半導体スイッチ素子11に印加する電圧VDSの関係は図3に示すごとくなる。
整合回路15が適切な状態で整合条件が満たされているときは、3−(1)の関係であるので定格出力状態においても半導体スイッチ素子11に印加される電圧はその素子耐圧を超える電圧とはならないが、整合条件が整っていない状態ではその関係が3−(2)あるいは3−(3)のようになる。高周波インバータ9の出力電力Poにおける半導体スイッチ素子11の印加電圧VDSを図4に示す。
図4中の(A)から(C)の半導体スイッチ素子11の印加電圧VDSは図3中の(A)から(C)の条件に相当する。整合状態である(A)の条件では半導体スイッチ素子11に印加する電圧VDSはその素子耐圧を越えることなく、また、ターンオンの時点もVDSが残った状態でターンオンすることなく良好な動作波形を示している。しかしながら、整合条件が崩れ(B)の動作条件となったときはVDSが上昇し、その素子耐圧に近い電圧が印加され、これ以上インピーダンス整合の条件が悪くなると素子耐圧を越えてしまう懸念がある。
さらにまた、(C)の動作条件となったときは半導体スイッチ素子11の印加電圧VDSのピーク電圧自体は低くなっているので素子耐圧を越える可能性はないが、ターンオン時に電圧がかかった状態でターンオン動作している。このため、ターンオン時に半導体スイッチ素子11に急峻なピークを持つ短絡電流が流れスイッチング損失が非常に増大し、この状態で動作を継続すると熱的な損傷を受ける懸念がある。
そこで、本実施の形態においてはこのような条件を電力検知回路14の点線矢印で示す反射電力の情報によってフライバックコンバータ制御部22が判断し、直流電圧源1の動作周波数を高くすることによってその出力電圧Voを低めにし、高周波インバータ9の出力を絞っている。この結果、半導体スイッチ素子11に印加される電圧は、整合条件が崩れた状態であっても図3に示す(B)’、(C)’という状態なので半導体スイッチ素子11の素子耐圧を越えたり、スイッチング損失の大幅な増加による熱的損傷を防ぐことができるようになる。
図5は、本実施の形態におけるフライバックコンバータ制御部22の内部回路図を示したものである。発振回路24は三角波状の電圧を発生するために発振用コンデンサ27および抵抗28、29によってCR発振回路を構成している。スイッチ38は、このCR発振回路を発振させる素子であり、そのオンオフのタイミングはR−Sフリップフロップ回路33によって決定される。
R−Sフリップフロップ回路33が信号を出力するタイミングは、CR発振回路の三角波電圧の最小値トリガ回路37と半導体スイッチ素子6の印加電圧が略零となったことを検出する零電圧トリガ回路35および三角波電圧の最大値トリガ回路36と前記両回路の出力を入力するOR回路34によって決定される。
発振回路24で形成された三角波は比較手段25に出力され、基準電圧発生手段23の電圧と比較してその状態に応じたパルス波形を駆動部26に送り、駆動部26はこの駆動パルスによってフライバックコンバータ7の半導体スイッチ素子6を駆動する。また、発振回路24のCR発振器にはコンデンサ30とスイッチ31が発振用コンデンサ27に並列に接続されており、切り替え手段32によってオンオフするようになっている。
このように構成されたフライバックコンバータ制御部22の動作および作用について以下に説明する。
図6は、フライバックコンバータ制御部22の各部の電圧を示したものであり、それぞれの電圧は図5中の信号線の添字を付した信号線の電圧波形に相当する。発振回路24は三角波状の電圧波形VCOを出力し、比較手段25で基準電圧発生手段23の電圧VREFと比較され、VREF>VCOとなっているときに、駆動部26に駆動パルスVPを伝達する。この駆動パルスVPによって駆動部26は、半導体スイッチ素子6に駆動信号VGを送りフライバックコンバータ7の出力電圧Voを制御する。
基準電圧発生手段23は、電力検知回路14から図1および図5の点線矢印で示すように反射電力の情報および入射電力の情報を得ることで、それに応じたVREFを出力し、駆動パルスVPのパルス幅を変化させ、それに応じて発振回路24はその発振周波数が変化する。この結果、フライバックコンバータ7はその出力電圧Voが制御される。また、切り替え手段32は電力検知回路14から図5の点線矢印で示すように反射電力の情報を得て、その情報に基づいてスイッチ31をオンあるいはオフする。
これによって、発振回路24に備えられたCR発振器の発振周波数を切り替えることができるので、フライバックコンバータ7の出力電圧の制御が容易になる。図7は、切り替え手段32によってCR発振器の発振周波数を切り替えたとき(7−a)と切り替える前(7−b)のVCOの波形を示したものである。インピーダンス整合の条件が満たされて安定しているときはスイッチ31を閉じた状態とすることでフライバックコンバータ制御部22の発振周波数を定常の状態とし、フライバックコンバータ7の出力電圧を定常出力に制御することができる。
この結果、高周波インバータ9は定常出力で動作するとができる。一方、反射電力が大きいときはスイッチ31をオフすることによってフライバックコンバータ制御部22の発振回路24の電圧波形VCOの最高発振周波数を所定値より高く設定する。これによって、フライバックコンバータ7の出力電圧を低くし、高周波インバータ9の出力電力を低く抑えることができるようになる。
特に、調理開始の時においては平行板電極19間に載置される食品20の特性を特定できないので必ずしも整合条件が満たされているとは限らない。この状態でいきなり定常出力で動作させると非常に大きい反射電力を生じ、特に高周波インバータ9の半導体スイッチ素子11の耐圧破壊や熱的な損傷を招いてしまう。
然るに本実施の形態では、反射電力が大きいときは直流電圧源1の出力電圧を低くするべくその発振周波数を高め、高周波インバータ9の出力電力を制限するので、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータ9の出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子11での発生損失を軽減できるので熱的な破壊を招くことを防止し、信頼性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
(実施の形態2)
図8は、本発明の実施の形態2における高周波加熱装置の電気回路図である。本実施の形態は、実施の形態1と同様にインピーダンス整合の条件が満たされない状態での高周波インバータの耐圧破壊や熱的損傷を防止するために、直流電圧源の出力電圧を低く制御するためにフライバックコンバータに第2の共振コンデンサと共振コンデンサ切り替え手段を備えた構成の点で実施の形態1と異なり、それ以外の同一の構成並びに作用効果を奏するところには、同一符号を付して詳細な説明を省略し、異なるところを中心に説明する。
本実施の形態では、実施の形態1と同様にインピーダンス整合の条件が満たされない状態での高周波インバータ9の耐圧破壊や熱的損傷を防止するために、直流電圧源1の出力電圧を低く制御するためにフライバックコンバータ7において、共振コンデンサ5と並列に接続し、第2の共振コンデンサ39とリレー等の共振コンデンサ切り替え手段40の直列回路を備え、電力検知回路14からの点線矢印で示す反射電力情報を得たフライバックコンバータ制御部22の切り替え制御手段22aにより、共振コンデンサ切り替え手段40を切り替え、フライバックコンバータ7の動作周波数を切り替えるように構成している。
図9(A)、(B)と図10を用いて共振コンデンサ切り替え手段40によって直流電圧源1の出力電圧を低く制御する動作について説明する。図9(A)、(B)は、フライバックコンバータ7の半導体スイッチ素子6の電圧波形VCEおよび電流波形ICを共振コンデンサ切り替え手段40の作動前、作動後について比較した図である。図9(A)は、共振コンデンサ切り替え手段40が作動前の動作波形であり、同(B)は共振コンデンサ切り替え手段40の作動後の動作波形である。
この図では、同じ動作周波数で波形を記載しているが、同じ動作周波数であっても共振コンデンサ切り替え手段40を作動させて共振コンデンサ容量を大きくすることによって共振コンデンサ5の発生電圧を低くすることができる。このため、昇圧トランス4の1次巻線に印加する電圧が低くなり、その結果、直流電圧源1の出力電圧Voを低くすることができる。
図10は、共振コンデンサ5の容量を切り替えた時と切り替えていないときの動作周波数に対する出力電圧の関係を示した図である。このように共振コンデンサ切り替え手段40によって共振コンデンサ5に第2の共振コンデンサ39を付加して共振周波数を下げることによってある動作周波数に対する出力電圧Voは低くなる。
そして、ここからさらにフライバックコンバータ7の動作周波数をフライバックコンバータ制御部22によって高くすることでさらに出力電圧を絞り、整合回路14で整合条件が満たされていない状態においては高周波インバータ9に与える直流電圧を低くして、高周波インバータ9が出力する高周波電力を抑えるように動作する。このように動作することによって、特に、調理開始の時においては平行板電極19間に載置される食品20の特性を特定できないので必ずしも整合条件が満たされているとは限らない。この状態で、いきなり定常出力で動作させると非常に大きい反射電力を生じ、特に高周波インバータ9の耐圧破壊や熱的な損傷を招いてしまう。
然るに本実施の形態では、反射電力が大きいときは直流電圧源1の出力電圧を低くするべくその発振周波数を高め、高周波インバータ9の出力電力を制限するので、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータ9の出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子11での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
なお、本実施の形態では、共振コンデンサ切り替え手段40を切り替えるのに、電力検知回路14からの点線矢印で示す反射電力情報を得たフライバックコンバータ制御部22の切り替え制御手段22aにより行う構成にしたが、電力検知回路14からの点線矢印で示す反射電力情報を直接に利用して共振コンデンサ切り替え手段40を切り替えるようにしてもよいものである。
(実施の形態3)
図11は、本発明の実施の形態3における高周波加熱装置の電気回路図である。本実施の形態は、前述の実施の形態2と同様に実施の形態1と異なり、さらに実施の形態2とはフライバックコンバータ7に備えられた共振コンデンサ切り替え手段40をトライアックにて構成した点で異なるものである。従って、実施の形態1、2と同一の構成並びに作用効果を奏するところには、同一符号を付して詳細な説明を省略し、異なるところを中心に説明する。
本実施の形態は、コンデンサ切り替え手段40をトライアックにて構成することによって、その駆動信号をオフするとその後でトライアック40を流れる電流が負になると自己消弧し共振コンデンサ5の容量を切り替えることができる。
そして、共振コンデンサ切り替え手段40に例えばリレーなどの機械接点を用いた場合と異なり、接点がごく短時間で接触、解放を繰り返すチャタリングの起こることがないので、フライバックコンバータ7を一旦停止することなく連続動作にて共振コンデンサ5の容量を切り替えることが可能となる。また、前述の実施の形態2と同様以下の効果も発揮することができる。
特に、調理開始の時においては平行板電極19間に載置される食品20の特性を特定できないので必ずしもインピーダンス整合の条件が満たされているとは限らない。この状態でいきなり定常出力で動作させると非常に大きい反射電力を生じ、特に高周波インバータ9の耐圧破壊や熱的な損傷を招いてしまう。
然るに本実施の形態では、反射電力が大きいときは直流電圧源1の出力電圧を低くするべくその発振周波数を高め、高周波インバータ9の出力電力を制限するので、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータ9の出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子11での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
(実施の形態4)
図12は、本発明の実施の形態4における高周波加熱装置の電気回路図である。本実施の形態は、実施の形態1および2と同様にインピーダンス整合の条件が満たされない状態での高周波インバータの耐圧破壊や熱的損傷を防止するために、フライバックコンバータにおける昇圧トランスの出力巻線の昇圧比を切り替える構成にした点で実施の形態1および2と異なり、それ以外の同一の構成並びに作用効果を奏するところには、同一符号を付して詳細な説明を省略し、異なるところを中心に説明する。
前述の各実施の形態と同様にインピーダンス整合の条件が満たされない状態での高周波インバータ9の耐圧破壊や熱的損傷を防止するために、本実施の形態では直流電圧源1の出力電圧を低く制御するためにフライバックコンバータ7の昇圧トランス4の出力巻線に中間タップ41を設けている。そして、この中間タップ41と出力巻線の一端を短絡するように、昇圧比切り替え手段としてのスイッチ42を設け、電力検知回路14からの点線矢印で示す反射電力情報を得たフライバックコンバータ制御部22の切り替え制御手段22aによりスイッチ42を切り替えて昇圧トランス4の出力巻線の昇圧比を切り替える構成にしている。
上記実施の形態において、整合回路14によってインピーダンス整合の条件が満たされていない状態ではスイッチ42をオンすることによって、フライバックコンバータ7の昇圧トランス4の出力巻線の巻数を見かけ上小さくし、フライバックコンバータ7の出力を低くしている。
このように動作させることによって、特に、調理開始の時においては平行板電極19間に載置される食品20の特性を特定できないので必ずしも整合条件が満たされているとは限らない。この状態でいきなり定常出力で動作させると非常に大きい反射電力を生じ、特に高周波インバータ9の耐圧破壊や熱的な損傷を招いてしまう。
然るに本実施の形態では、反射電力が大きいときは直流電圧源1の出力電圧を低くするべくその発振周波数を高め、高周波インバータ9の出力電力を制限するので、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータ9の出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子11での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、安全性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
(実施の形態5)
図13は、本発明の実施の形態5における高周波加熱装置の電気回路図である。本実施の形態は、実施の形態1と同様にインピーダンス整合の条件が満たされない状態での高周波インバータの耐圧破壊や熱的損傷を防止するために、フライバックコンバータにおける昇圧トランスの入力巻線の昇圧比を切り替える構成にした点で実施の形態1と異なり、それ以外の同一の構成並びに作用効果を奏するところには、同一符号を付して詳細な説明を省略し、異なるところを中心に説明する。
本実施の形態は、前述の各実施の形態と同様にインピーダンス整合の条件が満たされない状態での高周波インバータ9の耐圧破壊や熱的損傷を防止するために、直流電圧源1の出力電圧を低く制御するため、フライバックコンバータ7の昇圧トランス4の入力巻線に中間タップ43を設けている。そして、この中間タップ43と入力巻線の一端を短絡するように、昇圧比切り替え手段としてのスイッチ44を設け、電力検知回路14からの点線矢印で示す反射電力情報を得たフライバックコンバータ制御部22の切り替え制御手段22aによりスイッチ44を切り替えて昇圧トランス4の入力巻線の昇圧比を切り替える構成にしている。
上記実施の形態において、整合回路14によってインピーダンス整合の条件が満たされていない状態ではスイッチ44をオフすることによって出力巻線の巻数を見かけ上小さくし、フライバックコンバータ7の出力を低くしている。このように動作させることによって、特に、調理開始の時においては平行板電極19間に載置される食品20の特性を特定できないので必ずしも整合条件が満たされているとは限らない。この状態でいきなり定常出力で動作させると非常に大きい反射電力を生じ、特に高周波インバータ9の耐圧破壊や熱的な損傷を招いてしまう。
然るに本実施の形態では、反射電力が大きいときは直流電圧源1の出力電圧を低くするべくその発振周波数を高め、高周波インバータ9の出力電力を制限するので、インピーダンス整合がとれていない状態の時に高周波インバータ9の出力を低く抑えることができるので、半導体スイッチ素子11での発生損失を軽減できて熱的な破壊を招くことを防止し、信頼性の高い高周波加熱装置を実現することができる。
以上のように本発明の高周波加熱装置は、インピーダンス整合が満たされていない状態では高周波インバータの出力を低減することによってインピーダンス整合条件が満たされていない状態であっても高周波インバータの耐圧破壊や熱的な損傷を防止することを可能としているので、様々な形状の加熱が想定される高周波誘電加熱を応用した食品や木材の乾燥等の用途にも適用することができる。
本発明の実施の形態1における高周波加熱装置の電気回路図 同実施形態1における直流電圧源1の出力電圧Voと高周波インバータ9の出力電力の関係を示すグラフ 同実施形態1の高周波インバータ9の出力電力と半導体スイッチ素子11の印加電圧VDSの関係を示すグラフ 同実施形態1の半導体スイッチ素子11の印加電圧波形図 同実施形態1のフライバックコンバータ制御部22の詳細な電気回路図 同実施形態1におけるフライバックコンバータ制御部22の各部の動作波形図 同実施形態1の発振回路24の出力波形を示す図 本発明の実施形態2における高周波加熱装置の電気回路図 (A)同実施形態2における共振コンデンサ切り替え手段の作動前のフライバックコンバータ7の動作波形図(B)共振コンデンサ切り替え手段の作動後のフライバックコンバータ7の動作波形図 同実施形態2におけるフライバックコンバータ7の動作周波数と出力電圧の関係を示す図 本発明の実施形態3における高周波加熱装置の電気回路図 本発明の実施形態4における高周波加熱装置の電気回路図 本発明の実施形態5における高周波加熱装置の電気回路図 従来の高周波加熱装置を示すブロック図 従来の高周波加熱装置における整合回路を示す図
符号の説明
1 直流電圧源
2 商用電源
3 整流回路
4 昇圧トランス
5 共振コンデンサ
7 フライバックコンバータ
8 出力整流回路
9 高周波インバータ
11 半導体スイッチ素子
14 電力検知回路
15 整合回路
16 可変インダクタ
17 可変コンデンサ
19 平行板電極(電極)
22 フライバックコンバータ制御部
40 共振コンデンサ切り替え手段(リレー、トライアック)
41、43 中間タップ
42、44 スイッチ(昇圧比切り替え手段)

Claims (9)

  1. 直流電圧源と、前記直流電圧源の出力電圧を受け、半導体スイッチ素子のオンオフによって高周波を発生する高周波インバータと、前記高周波インバータから出力される電力を検出する電力検知回路と、整合回路と、少なくとも一方が可動する電極とを備え、前記整合回路は前記電力検知回路と前記電極の間に挿入接続されインピーダンス整合をとるように可変インダクタおよび可変コンデンサによって構成され、前記直流電圧源はフライバックコンバータとフライバックコンバータ制御部によって構成し、前記電力検知回路によって検出される反射電力が大きくインピーダンス整合がとれていない状態の時にはフライバックコンバータの出力電圧を低くするべくフライバックコンバータ制御部の発振周波数を高くする構成とした高周波加熱装置。
  2. 電力検知回路によって検知される反射電力が所定値より大なるときはフライバックコンバータ制御部の発振周波数を高く切り替えて出力電圧を低くする構成とした請求項1記載の高周波加熱装置。
  3. 加熱調理開始時にはフライバックコンバータ制御部の発振周波数を所定値より高く設定しフライバックコンバータの出力電圧を低くするとともに、整合回路によってインピーダンス整合が確立した後に発振周波数を所定の値に切り替えて定常出力を得る構成とした請求項1記載の高周波加熱装置。
  4. フライバックコンバータは商用電源を整流する整流回路と、前記整流回路の出力に接続され昇圧トランスと共振コンデンサからなる共振回路と、前記共振回路を励振する半導体スイッチ素子と、昇圧トランスの出力を整流する出力整流回路を備え、電力検知回路によって検出される反射電力が大きくインピーダンス整合がとれていない状態の時は共振コンデンサの容量を大なるように切り替える構成とした請求項1記載の高周波加熱装置。
  5. 共振コンデンサの容量切り替えはリレーにて行う構成とした請求項4記載の高周波加熱装置。
  6. 共振コンデンサの容量切り替えはトライアックにて行う構成とした請求項4記載の高周波加熱装置。
  7. フライバックコンバータは商用電源を整流する整流回路と、前記整流回路の出力に接続され昇圧トランスと共振コンデンサからなる共振回路と、前記共振回路を励振する半導体スイッチ素子と、昇圧トランスの出力を整流する出力整流回路を備えるとともに、前記昇圧トランスの昇圧比を切り替える昇圧比切り替え手段を有し、電力検知回路によって検出される反射電力が大きくインピーダンス整合がとれていない状態の時は前記昇圧比切り替え手段によって昇圧トランスの昇圧比が低くなるよう切り替える構成とした請求項1記載の高周波加熱装置。
  8. 昇圧トランスの出力巻線に中間タップを設け、昇圧比切り替え手段は前記中間タップと出力巻線の一端を接続することで昇圧比を切り替える構成とした請求項7記載の高周波加熱装置。
  9. 昇圧トランスの入力巻線に中間タップを設け、昇圧比切り替え手段は前記中間タップと入力巻線の一端を接続することで昇圧比を切り替える構成とした請求項7記載の高周波加熱装置。
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