JP2005144186A - 指紋認識センサーおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1ドーパントでドーピングされた基板21に形成されたCMOS構造体と、前記CMOS構造体上に形成された絶縁層25aと、前記絶縁層25a上の中央領域に形成された下部電極31と、前記下部電極31上に形成された圧電領域32と、前記圧電領32域上に形成された上部電極33と、前記下部電極31が形成されない領域上部と前記下部電極31、圧電領域32および前記上部電極33を覆うように形成された指紋接触層34とを含む指紋認識センサーを製造する。
【選択図】 図2
Description
140 超音波変換器
154 アクチュエータ
156 ミラー
160 モーター
21 n型基板
22a n型ソース
22b n型ドレーン
23 p型ドーピング領域
24a p型ソース
24b p型ドレーン
25a 第1絶縁層
25b 第2絶縁層
26a 第1電極
26b 第2電極
27a 第1ゲート
27b 第2ゲート
28a 第1ビアホール
28b 第2ビアホール
31 下部電極
32 圧電領域
33 上部電極
Claims (12)
- 超音波を利用した指紋認識センサーにおいて、
第1ドーパントでドーピングされた基板に形成されたCMOS構造体と、
前記CMOS構造体上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上の中央領域に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された圧電領域と、
前記圧電領域上に形成された上部電極と、
前記絶縁層の前記下部電極が形成されていない領域の上部と、前記下部電極、前記圧電領域および前記上部電極とを覆うように形成された指紋接触層と、
を含むことを特徴とする指紋認識センサー。 - 前記CMOS構造体は、
前記第1ドーパントでドーピングされた基板の表面の一部位に形成された第2ドーパントでドーピングされた領域と、
前記第2ドーパントでドーピングされた領域の表面に形成された、前記第1ドーパントでドーピングされたソースおよびドレーンと、
前記第1ドーパントでドーピングされた基板の前記表面の他部位に前記第2ドーパントでドーピングされたソースおよびドレーンと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の指紋認識センサー。 - 前記下部電極は、前記第1ドーパントでドーピングされたドレーンおよび前記第2ドーパントでドーピングされたソースと電気的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の指紋認識センサー。
- 前記下部電極は、前記第1ドーパントでドーピングされたドレーンおよび前記第2ドーパントでドーピングされたソースと、前記絶縁層を貫いて導電性物質が充填されたビアホールによって電気的に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の指紋認識センサー。
- 前記圧電領域は、
PZT、PST、Quartz、(Pb、Sm)TiO3、PMN(Pb(MgNb)O3)−PT(PbTiO3)、PVDF、PVDF−TrFeの中の少なくともいずれか一つを含んで形成されたことを特徴とする請求項1に記載の指紋認識センサー。 - 前記指紋接触層は、
人体の指紋を構成する肌組職とアコースティックインピーダンス値が近い物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の指紋認識センサー。 - 前記指紋接触層は、ポリウレタン、ポリスチレン、ラバーを含むポリマー材料の内少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項6に記載の指紋認識センサー。
- 単位素子の集合体であるマトリックス構造のアレイ形態になっていることを特徴とする請求項1に記載の指紋認識センサー。
- 超音波を利用した指紋認識センサーの製造方法において、
(イ)第1ドーパントでドーピングされた基板にCMOS構造体を形成する段階と、
(ロ)前記第1ドーパントでドーピングされた基板の前記CMOS構造体上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に下部電極、圧電領域および上部電極を順次に形成する段階と、
(ハ)前記絶縁層上に形成された前記下部電極、圧電領域および上部電極の両側部を除去する段階と、
(ニ)前記絶縁層の上部と前記下部電極、圧電領域および上部電極の表面に指紋接触層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする指紋認識センサーの製造方法。 - 前記(ロ)段階は、
前記第1ドーパントでドーピングされた基板の前記CMOS構造体上に前記絶縁層を形成する段階と、
前記CMOS構造体内の第1極性を有するドレーン領域および第2極性を有するソース領域に対応する絶縁層領域に第1ビアホールおよび第2ビアホールを形成し、前記第1ビアホールおよび第2ビアホールに導電性物質を充填する段階と、
前記絶縁層、前記第1ビアホールおよび前記第2ビアホールの上部に、前記下部電極、前記圧電領域および前記上部電極を順次に形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項9に記載の指紋認識センサーの製造方法。 - 前記(ロ)段階の前記圧電領域は、
PZT、PST、Quartz、(Pb、Sm)TiO3、PMN(Pb(MgNb)O3)−PT(PbTiO3)、PVDFまたはPVDF−TrFeの中で少なくともいずれか一つを含んで形成することを特徴とする請求項9に記載の指紋認識センサーの製造方法。 - 前記(ニ)段階の前記指紋接触層は、
人体の指紋を構成する肌組職とアコースティックインピーダンス値が近いポリウレタン、ポリスチレン、ラバーを含むポリマー材料の内少なくともいずれか一つを含んで形成することを特徴とする請求項9に記載の指紋認識センサーの製造方法。
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