JP2005141725A - メモリアクセス回路、そのメモリアクセス回路の動作方法およびそのメモリアクセス回路を用いる表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリと、基準クロック信号を生成するクロック生成回路と、基準クロック信号を遅延して遅延クロック信号を生成するクロック遅延調整回路とを有するメモリアクセス回路を構成する。メモリアクセス回路は、テストデータを生成するテストデータ生成回路と、外部同期信号に応答してメモリ書き込みテストスタート信号を出力するメモリアクセステスト制御回路とを具備する構成である。テストデータ生成回路はテストデータを生成し、基準クロックに同期して前記メモリに書き込むと共に、基準クロックに同期してテストデータに対応する書き込みデータを出力する。メモリアクセステスト制御回路は、メモリからテストデータを読み出し、読み出したテストデータと書き込みデータを比較し、メモリアクセスタイミング調整を実行する。
【選択図】 図2
Description
現在主流のDDR(Double Data Rate) SDRAMは、166MHzで動作している。従って、そのデータサイクルは3nsと、非常に短い時間である。このようなSDRAMは、様々な要因で遅延時間が変化してしまうことがある。遅延が変動する時間は2ns程度であるが、高速で動作するSDRAMにとっては、この遅延変動の影響を考慮することが重要である。遅延時間を変化させる要因は、例えば、SDRAMとメモリアクセス回路のプロセスばらつき、SDRAMとメモリアクセス回路の間を接続するボードの電気定数のばらつき、動作環境温度の変化および電源電圧の変化等である。このような要因で遅延変動が発生するため、メモリアクセス回路の設計時に、外部メモリからのデータ読み出しにかかる遅延時間を詳細に見積もることは困難である。また、メモリの読み出し遅延時間や基板の配線遅延がLSI設計時と変更になった際に、メモリアクセス回路を有するLSIの誤動作や動作マージン不足を引き起こす可能性がある。このためにSDRAMからの読み出しデータを取り込むクロックの遅延を切り替えられる回路構成が用いられている。
そして、前記テストデータ生成回路(5)は、前記メモリテストスタート信号に応答して前記テストデータを生成し、前記テストデータを前記基準クロックに同期して前記メモリ(12)に書き込むと共に、前記基準クロックに同期して前記テストデータに対応する書き込みデータを出力し、前記メモリアクセステスト制御回路(3)は、前記遅延クロック信号(14)に同期して前記メモリ(12)から前記テストデータを読み出し、前記読み出したテストデータと前記書き込みデータを比較し、前記比較に対応してメモリアクセス回路(2)のメモリアクセスタイミング調整を実行する。
前記比較回路(9)は、前記読み出したテストデータの各々と前記書き込みデータとを比較し、前記比較の結果を前記メモリアクセステスト制御回路(3)に通知し、前記メモリアクセステスト制御回路(3)は、前記比較結果に対応してメモリアクセス回路(2)のメモリアクセスタイミング調整を実行する。
ここで、前記テストデータ生成回路(5)は、前記メモリテストスタート信号に応答して前記テストデータを生成し前記メモリ(21)に入力し、前記メモリアクセス制御回路(4)は、前記テストデータに同期して前記入力データ・ストローブ信号(入力DQS)を前記メモリ(21)に入力し、前記メモリアクセステスト制御回路(3)は、前記遅延出力データ・ストローブ信号に同期して前記メモリ(21)から前記テストデータを読み出し、前記テストデータ生成回路(5)で生成された前記テストデータと前記読み出したデータとを比較し、前記比較に対応してメモリアクセスタイミング調整を実行する。
基準クロック(13)を生成するステップと、前記基準クロック信号を遅延して遅延値の異なる複数の遅延クロックを生成するステップと、外部同期信号に応答してメモリテストスタート信号を出力するステップと、前記メモリテストスタート信号に応答して前記テストデータを生成するステップと、前記テストデータを前記基準クロックに同期してメモリに書き込むステップと、前記遅延クロックに同期して前記メモリから前記書き込まれたテストデータを読み出すステップと、前記テストデータとと前記読み出されたデータを比較するステップと、前記比較に対応して前記遅延クロックを選択するステップとを有し、
前記メモリに画像信号を書き込み、前記選択された遅延クロックに同期して、前記メモリから前記画像信号を読み出すことを特徴とするメモリアクセス回路の動作方法であることが好ましい。
前記選択された遅延値により、画像信号を書き込むことを特徴とするメモリアクセス回路の動作方法であってもよい。
外部同期信号に応答してメモリテストスタート信号を出力するステップと、前記メモリテストスタート信号に応答してテストデータを生成し、前記メモリに入力するステップと、前記テストデータに同期して、前記入力データ・ストローブ信号を前記メモリに入力するステップと、前記出力データ・ストローブ信号を遅延して遅延値の異なる複数の遅延出力データ・ストローブ信号を生成するステップと、前記遅延出力データ・ストローブ信号に同期して前記メモリに入力した前記データを読み出すステップと、前記テストデータと前記読み出されたデータを比較するステップと、前記比較に対応して前記遅延出力データ・ストローブ信号を選択するステップとを有し、
前記メモリにデータ信号を入力し、前記選択された遅延出力データ・ストローブ信号に同期して、前記メモリから前記データ信号を読み出すことを特徴とするメモリアクセス回路の動作方法であってもよい。
外部同期信号に応答してメモリテストスタート信号を出力するステップと、前記メモリテストスタート信号に応答してテストデータを生成し、前記メモリに入力するステップと、前記テストデータに同期して、前記入力データ・ストローブ信号を前記メモリに入力するステップと、前記入力データ・ストローブ信号を遅延して遅延値の異なる複数の遅延入力データ・ストローブ信号を生成し、前記メモリに入力するステップと、前記遅延出力データ・ストローブ信号に同期して前記メモリに入力した前記データを読み出すステップと、前記テストデータと前記読み出されたデータを比較するステップと、前記比較に対応してメモリアクセスタイミング調整を実行するステップを具備するメモリアクセス回路の動作方法であってもよい。
以下に図面を用いて本発明を実施するための最良の形態について述べる。
図5は本発明の実施の形態における回路の動作を示したフローチャートである。図5を参照すると、本実施の形態に述べるメモリアクセス回路の動作は、メモリアクセステスト制御回路3が外部から入力される同期信号15(以下、外部同期信号と呼ぶ。)を受け取ると開始する。ステップS101において、外部同期信号15を受け取ったメモリアクセステスト制御回路3は、その外部同期信号15に応答して、データセレクタ切替え信号とメモリテストスタート信号を生成する。ステップS102において、メモリアクセステスト制御回路は、そのデータセレクタ切替え信号をデータセレクタ6に送信する。メモリアクセステスト制御回路3からデータセレクタ切替え信号を送信されたデータセレクタ6は、そのデータセレクタ切替え信号に応答して、データセレクタ6を切り替えて、テストデータ生成回路5からの出力をメモリ12に送信する。また、ステップS103において、メモリアクセステスト制御回路3は、その生成したメモリテストスタート信号をメモリアクセス制御回路4とテストデータ生成回路5とに送信する。
本実施の形態では、外部同期信号を受信すると図5のフローチャートに記載したテストデータによるメモリアクセスタイミングの調整を開始する。モニタやテレビのような表示装置の場合、外部同期信号は画像信号の垂直同期信号または水平同期信号に相当する。通常、垂直同期信号や水平同期信号はの同期信号期間には、表示信号、すなわち本明細書で言う本データは含まれない。そのため、その同期信号期間で完了するメモリアクセスタイミング調整を実施すれば、本データの処理に影響を与えることなくメモリアクセスタイミング調整を実行することができる。しかも、定期的にメモリアクセスタイミングを再調整することにより、機器内部の温度上昇や電源電圧の変動等にも迅速に対応することができる。
外部同期信号は、所定数の垂直同期信号毎にまたは所定数の水平同期信号毎に1垂直同期信号または1水平同期信号を入力されるような信号でも良い。また、外部同期信号は、所定時間毎に、例えば3秒毎に水平同期信号と同期をとって入力される信号であっても良い。表示装置以外の装置に本実施の形態のメモリアクセス回路を適用する場合、外部同期信号は、メモリが処理する本データが入力されないブランキング期間に同期して所定時間毎に入力される信号であれば良い。また、外部同期信号は、機器内部の温度上昇や電源電圧の変動等メモリアクセスタイミングが変化し得る環境変化を検出し、その検出されるタイミング毎に入力されるタイミング信号でもよい。いずれの場合も、外部同期信号はメモリが処理する本データが入力されないブランキング期間の範囲に入力されること、その期間でメモリアクセスタイミング調整が完了するように設計することが重要である。複数の外部同期信号の期間にまたがってメモリアクセスタイミング調整を分割して実行することも可能である。以上に記載した表示装置以外の機器のメモリアクセスタイミング調整は表示装置にも適用できることは言うまでもない。
以下に、図面を使用して本発明の第2の実施形態について説明を行う。図8は、第2の実施形態の構成を示すブロック図である。第2の実施形態におけるメモリアクセス回路は、第1の実施形態に示されているメモリアクセス回路に、さらに、データ遅延回路18を備えて構成されている。図8に示されているように、データ遅延回路18は、データセレクタ6とI/Oバッファ7との間に接続されている。データ遅延回路18には、データセレクタ6からメモリ書き込みデータが供給され、テストデータ生成回路5から書込みテストデータが供給されている。データ遅延回路18は、メモリアクセステスト制御回路3から供給される書き込みテストスタート信号に応答して、データ書込みテストを実行している。データ遅延回路18は、その書込みテストの結果に基づいて、メモリ書き込みデータを遅延させてメモリ12に書きこんでいる。なお、第2の実施形態において、本データの書き込み/読み出しは、メモリ制御信号によりメモリアクセス制御回路4を制御することによって行われている。すなわち、書き込み/読み出しアドレスデータ(図ではアドレス線は省略)の出力はメモリアクセス制御回路4が行っている。
図11は、本発明の第3の実施形態の構成を示すブロック図である。図11に示されているように、第3の実施形態のメモリアクセス回路は、DDR SDRAM21と、第1遅延調整回路22と、第2遅延調整回路23と、I/Oバッファ7aとを含んで構成されている。DDR SDRAM21は、外部クロックの2倍の周期でデータのやり取りをすることが可能なSDRAMである。DDR SDRAM21は、高速データ転送を実現するためにDQS(データ・ストローブ信号)を採用している。DDR SDRAMD21にデータを書き込むとき、外部のメモリアクセス回路は書き込みデータおよび書き込みアドレスデータをDDR SDRAM21に入力するのと同期して入力DQSをDQS端子に入力する。一方、DDR SDRAM21からデータを読み出すとき、外部のメモリアクセス回路が読み出したアドレスデータをDDR SDRAM21に入力すると、DDR SDRAM21は、読み出しデータを出力するとともに、読み出しデータに同期して出力DQSをDQS端子に出力する。このように、DR SDRAM21は、DQSを使用してレシーバにデータを転送するタイミングを知らせている。DQSは、双方向ストローブ信号であり、データの読み出し/書込み動作時にデータ入出力の動作基準クロックとして機能している。第3の実施形態のメモリアクセス回路は、回路の動作中に、周囲の温度変化や電源電圧の変動によりDQSが所望の遅延値からずれるような場合に、そのずれに対応してデータの読み出し/書込みを行うことが可能である。
なお、図11において、本データの書き込み/読み出しは、メモリ制御信号によりメモリアクセス制御回路4を制御することによって行われている。すなわち、書き込み/読み出しアドレスデータ(図ではアドレス線は省略)、入力DQS(第2遅延調整回路23で遅延させる前の入力DQS)の出力はメモリアクセス制御回路4が行っている。
以下に、本発明の第4の実施形態について説明を行う。第4の実施形態は、メモリアクセス回路がテストデータの書込みを行うときに、そのテストデータを基準クロックの周波数(本データの書込みに使用される周波数)に比較して十分に速度の遅い周波数のクロックで書き込む場合の実施形態である。
上述の第1の実施形態から第3の実施形態のメモリアクセス回路は、メモリに対してテストデータの書込み/読み出しを行う場合、同じ基準クロック周波数を使用してその書込み/読み出しを行っている。つまり、メモリアクセス回路は、所定の周波数の基準クロックに同期してメモリにテストデータの書込みを行い、その書込まれたテストデータを同じ周波数の基準クロックに同期して読み出し、その書込んだテストデータと読み出したテストデータとを比較している。
以下に、本発明の第5の実施形態について説明を行う。第5の実施形態におけるメモリアクセス回路はブロック図としては図8に示されている回路と同様である。第5の実施形態におけるメモリアクセス回路は、その動作が以下の点で第2の実施形態と異なっている。すなわち、第5の実施形態は、メモリアクセス回路がテストデータの読み出しを行うときに、基準クロックの周波数に比較して十分に速度の遅い周波数のクロックで読み出しを行う場合の実施形態である。第5の実施形態におけるメモリアクセス回路は、所定の周波数の基準クロックを遅延させて複数の遅延クロックを生成する。そのメモリアクセス回路は、複数の遅延クロックに各々に同期してテストデータをメモリに書き込む。そのメモリアクセス回路は、書込まれた読み出す場合に、上記の基準クロックに比較して十分に速度の遅いクロックを使用して、メモリからテストデータを読み出す。これによって、書込みテストデータが適切に所定のアドレスに書き込まれたかどうかを正確に認識することが可能になる。
以下に、本発明の第6の実施形態について説明を行う。第6の実施形態におけるメモリアクセス回路はブロック図としては図11に示されている回路と同様である。第6の実施形態におけるメモリアクセス回路は、その動作が以下の点で第3の実施形態と異なっている。すなわち、第6の実施形態は、メモリにDDR SDRAM21を使用する場合において、基準クロックの周波数に比較して十分に速度の遅い周波数のクロックでテストデータの書込みを行う場合の実施形態である。すなわち、第4の実施形態と同様に、テストデータを書き込む場合に、基準クロックに比較して十分に速度の遅いクロックを使用して書込みを行っている。これによって、書込みテストデータを適切に所定のアドレスに書き込むことが可能になる。また、そのDDR SDRAM21にテストデータを書き込むための専用アドレスを設ける構成にすることも可能である。
このとき、所定のアドレスから本データの読み出しに使用される基準クロックに同期してテストデータを読み出し、そのテストデータの読み出しタイミングを、出力データ・ストローブ信号を第1遅延調整回路で調整する。これにより、DDR SDRAM21からのデータ読み出しタイミングを調整することが可能になる。このときに調整された遅延量を第1遅延調整回路に設定して本データの読み出しを実行することで、適切なメモリアクセスタイミングでデータの読み出しをすることが可能になる。
以下に、本発明の第7の実施形態について説明を行う。第7の実施形態におけるメモリアクセス回路はブロック図としては図11に示されている回路と同様である。第7の実施形態におけるメモリアクセス回路は、その動作が以下の点で第3の実施形態と異なっている。すなわち、第7の実施形態は、メモリにDDR SDRAM21を使用する場合において、基準クロックの周波数に比較して十分に速度の遅い周波数のクロックでテストデータの読み出しを行う場合の実施形態である。第7の実施形態において、テストデータをDDR SDRAM21に書き込むときは、本データの書込みに使用される周波数の基準クロックに同期して書込みを行う。このとき、第2遅延調整回路は、テストデータに同期した入力データ・ストローブ信号を遅延させた複数の遅延入力データ・ストローブ信号を生成する。DDR SDRAM21には、その各々の遅延入力データ・ストローブ信号に同期してテストデータが書込まれる。その書込まれたテストデータを読み出す場合に、基準クロックの周波数に比較して十分に速度の遅い周波数のクロックでテストデータの読み出しを行う。このようにしてDDR SDRAM21の所定のアドレスに入力されたテストデータと、遅延入力データ・ストローブ信号に同期して書込まれたテストデータとを比較する。これによってDDR SDRAM21にデータを書き込む場合のタイミング適切に調整することが可能になる。このときに調整された遅延量を第2遅延調整回路に設定して本データの書込みを実行することで、適切なメモリアクセスタイミングでデータの書込みをすることが可能になる。
2…メモリアクセス回路
3…メモリアクセステスト制御回路
4…メモリアクセス制御回路
5…テストデータ生成回路
6…データセレクタ
7…I/Oバッファ
8…データ読み出し回路
9…データ比較回路
10…クロック生成回路
11…クロック遅延調整回路
12…メモリ
13…基準クロック信号
14…遅延クロック信号
15…外部同期信号
16…TAP位置シフトレジスタMIN
17…TAP位置シフトレジスタMAX
18…データ遅延調整回路
7a…I/Oバッファ
21…DDR SDRAM
22…第1遅延調整回路
23…第2遅延調整回路
30…判定テーブル
31…読み出し判定領域
32…書込み判定領域
Claims (28)
- メモリと、
基準クロック信号を生成するクロック生成回路と、
前記基準クロック信号を遅延して遅延クロック信号を生成するクロック遅延調整回路と、前記クロック遅延調整回路は遅延値の異なる複数の遅延クロック信号を生成し、
テストデータを生成するテストデータ生成回路と、
外部同期信号に応答してメモリテストスタート信号を出力するメモリアクセステスト制御回路と
を具備し、
前記テストデータ生成回路は、前記メモリテストスタート信号に応答して前記テストデータを生成し、前記テストデータを前記基準クロックに同期して前記メモリに書き込むと共に、前記基準クロックに同期して前記テストデータに対応する書き込みデータを出力し、
前記メモリアクセステスト制御回路は、前記遅延クロック信号に同期して前記メモリから前記テストデータを読み出し、前記読み出したテストデータと前記書き込みデータを比較し、前記比較に対応してメモリアクセスタイミング調整を実行する
メモリアクセス回路。 - 請求項1に記載のメモリアクセス回路において、さらに、
前記複数の遅延クロック信号の各々に同期して前記メモリに書き込まれたテストデータを読み出すデータ読み出し回路と、
前記読み出したテストデータと前記書き込みデータを比較する比較回路を備え、
前記データ読み出し回路は、前記複数の遅延クロック信号の各々に同期して前記テストデータを読み出し、
前記比較回路は、前記読み出したテストデータの各々と前記書き込みデータとを比較し、前記比較の結果を前記メモリアクセステスト制御回路に通知し、
前記メモリアクセステスト制御回路は、前記比較結果に対応して前記メモリアクセスタイミング調整を実行する
メモリアクセス回路。 - 請求項2に記載のメモリアクセス回路において、さらに、
データ遅延調整回路を備え、
前記テストデータ生成回路は、メモリテストスタート信号に応答してテストデータを生成し、前記テストデータを前記基準クロックに同期して前記データ遅延調整回路に供給し、
前記データ遅延調整回路は、前記テストデータと前記読み出したテストデータとの比較に基づいて、前記メモリへの書込みタイミングを調整する
メモリアクセス回路。 - 入力データ・ストローブ信号に対応してデータの入力タイミングを特定し、出力データ・ストローブ信号に対応してデータの出力タイミングを特定するメモリと、
前記出力データ・ストローブ信号を遅延して遅延出力データ・ストローブ信号を生成する第1遅延調整回路と、前記第1遅延調整回路は遅延値の異なる複数の遅延出力データ・ストローブ信号を生成し、
テストデータを生成するテストデータ生成回路と、
アドレスデータ、入力データ・ストローブ信号を作成するメモリアクセス制御回路と、
外部同期信号に応答してメモリテストスタート信号を出力するメモリアクセステスト制御回路と
を具備し、
前記テストデータ生成回路は、前記メモリテストスタート信号に応答して前記テストデータを生成し前記メモリに入力し、
前記メモリアクセス制御回路は、前記テストデータに同期して前記入力データ・ストローブ信号を前記メモリに入力し、
前記メモリアクセステスト制御回路は、前記遅延出力データ・ストローブ信号に同期して前記メモリから前記テストデータを読み出し、前記テストデータ生成回路で生成された前記テストデータと前記読み出したデータとを比較し、前記比較に対応してメモリアクセスタイミング調整を実行する
メモリアクセス回路。 - 請求項4に記載のメモリアクセス回路において、
メモリアクセスタイミング調整は、前記第1遅延調整回路の生成する遅延値の異なる複数の遅延出力データ・ストローブ信号に対応して前記テストデータ生成回路で作成された前記テストデータと前記読み出したテストデータとを比較し、前記比較結果が同一になる前記遅延出力データ・ストローブ信号を選択することにより実行されることを特徴とするメモリアクセス回路。 - 請求項4に記載のメモリアクセス回路において、さらに、
前記入力データ・ストローブ信号を遅延して遅延入力データ・ストローブ信号を生成する第2遅延調整回路を備え、
前記第2遅延調整回路は、遅延値の異なる複数の遅延入力データ・ストローブ信号を生成し、前記メモリに入力し、
前記メモリアクセステスト制御回路は、前記遅延出力データ・ストローブに同期して前記メモリから前記テストデータを読み出し、前記テストデータ生成回路で生成された前記テストデータと前記読み出したテストデータとを比較し、前記比較に対応してメモリアクセスタイミング調整を実行する
メモリアクセス回路。 - 請求項6に記載のメモリアクセス回路において、
メモリアクセスタイミング調整は、前記第1遅延調整回路の生成する遅延値の異なる複数の遅延出力データ・ストローブ信号と、前記第2遅延調整回路の生成する遅延値の異なる複数の遅延入力データ・ストローブ信号の組合せに対応して前記テストデータ生成回路で作成された前記テストデータと、前記読み出したテストデータとを比較し、前記比較結果が同一になる前記遅延出力データ・ストローブ信号と前記遅延入力データ・ストローブ信号との組合せを選択することにより実行されることを特徴とする
メモリアクセス回路。 - 請求項4から7の何れか1項に記載のメモリアクセス回路において、
本データのメモリアクセスは、前記メモリアクセスタイミング調整されたタイミングにより実行されることを特徴とする
メモリアクセス回路。 - 請求項1から8の何れか1項に記載のメモリアクセス回路において、
前記メモリアクセステスト制御回路は、前記外部同期信号のフロントポーチと前記外部同期信号のバックポーチとの間で前記メモリアクセスタイミング調整を実行する
メモリアクセス回路。 - 請求項1から9の何れか1項に記載のメモリアクセス回路において、
前記外部同期信号は、第1信号と第2信号とを含み、
前記第第1信号と前記第2信号の中間に、データ信号を含まないブランキング期間を有し、
前記メモリアクセステスト制御回路は、前記ブランキング期間中に前記メモリアクセスタイミング調整を実行する
メモリアクセス回路。 - 請求項1から10の何れか1項に記載のメモリアクセス回路と
外部表示信号を表示する表示部と
を具備し、
前記メモリアクセス回路は、前記外部同期信号の水平同期信号または垂直同期信号の期間、または前記水平同期信号または前記垂直同期信号から一定時間経過後の所定の期間に前記メモリアクセスタイミング調整を実行する
表示装置。 - 請求項11に記載の表示装置において、
前記メモリアクセス回路は、所定数の前記水平同期信号または垂直同期信号毎に、若しくは所定時間毎に前記メモリアクセスタイミング調整を実行する
表示装置。 - 基準クロックを生成するステップと、
前記基準クロック信号を遅延して遅延値の異なる複数の遅延クロックを生成するステップと、
外部同期信号に応答してメモリテストスタート信号を出力するステップと、
前記メモリテストスタート信号に応答して前記テストデータを生成するステップと、
前記テストデータを前記基準クロックに同期してメモリに書き込むステップと、
前記遅延クロックに同期して前記メモリから前記書き込まれたテストデータを読み出すステップと、
前記テストデータとと前記読み出されたデータを比較するステップと、
前記比較に対応して前記遅延クロックを選択するステップと
を有し、
前記メモリに画像信号を書き込み、前記選択された遅延クロックに同期して、前記メモリから前記画像信号を読み出すことを特徴とする
メモリアクセス回路の動作方法。 - 基準クロックを生成するステップと、
外部同期信号に応答してメモリテストスタート信号を出力するステップと、
前記メモリテストスタート信号に応答して前記テストデータを生成するステップと、
前記テストデータを遅延して遅延値の異なる複数の遅延テストデータを生成するステップと、
前記遅延テストデータを前記基準クロックに同期してメモリに書き込むステップと、
前記メモリから前記書込まれたデータを読み出すステップと、
前記テストデータと前記読み出されたデータを比較するステップと、
前記比較に対応して前記遅延値を選択するステップと
を有し、
前記選択された遅延値により、画像信号を書き込むことを特徴とする
メモリアクセス回路の動作方法。 - 入力データ・ストローブ信号に対応して入力データの入力タイミングを特定し、出力データ・ストローブ信号に対応して出力データの出力タイミングを特定するメモリの、メモリアクセス回路の動作方法であって、
外部同期信号に応答してメモリテストスタート信号を出力するステップと、
前記メモリテストスタート信号に応答してテストデータを生成し、前記メモリに入力するステップと、
前記テストデータに同期して、前記入力データ・ストローブ信号を前記メモリに入力するステップと、
前記出力データ・ストローブ信号を遅延して遅延値の異なる複数の遅延出力データ・ストローブ信号を生成するステップと、
前記遅延出力データ・ストローブ信号に同期して前記メモリに入力した前記データを読み出すステップと、
前記テストデータと前記読み出されたデータを比較するステップと、
前記比較に対応して前記遅延出力データ・ストローブ信号を選択するステップと
を有し、
前記メモリにデータ信号を入力し、前記選択された遅延出力データ・ストローブ信号に同期して、前記メモリから前記データ信号を読み出すことを特徴とする
メモリアクセス回路の動作方法。 - 入力データ・ストローブ信号に対応して入力データの入力タイミングを特定し、出力データ・ストローブ信号に対応して出力データの出力タイミングを特定するメモリの、メモリアクセス回路の動作方法であって、
外部同期信号に応答してメモリテストスタート信号を出力するステップと、
前記メモリテストスタート信号に応答してテストデータを生成し、前記メモリに入力するステップと、
前記テストデータに同期して、前記入力データ・ストローブ信号を前記メモリに入力するステップと、
前記入力データ・ストローブ信号を遅延して遅延値の異なる複数の遅延入力データ・ストローブ信号を生成し、前記メモリに入力するステップと、
前記遅延出力データ・ストローブ信号に同期して前記メモリに入力した前記データを読み出すステップと、
前記テストデータと前記読み出されたデータを比較するステップと、
前記比較に対応してメモリアクセスタイミング調整を実行するステップ
を具備するメモリアクセス回路の動作方法。 - 請求項13から16の何れか1項に記載の動作方法において、さらに
前記外部同期信号のフロントポーチと前記外部同期信号のバックポーチとの間で前記メモリアクセスタイミング調整を実行するステップと
を具備するメモリアクセス回路の動作方法。 - 請求項13から17の何れか1項に記載の動作方法において、さらに
前記外部同期信号は、第1信号と第2信号とを含み、
前記第第1信号と前記第2信号の中間に、データ信号を含まないブランキング期間を有し、
前記ブランキング期間中に前記メモリアクセスタイミング調整を実行するステップと
を具備するメモリアクセス回路の動作方法。 - 請求項13から18の何れか1項に記載の動作方法において、さらに
前記外部同期信号が垂直同期信号または水平同期信号である
メモリアクセス回路の動作方法。 - メモリと、
基準クロックを遅延させて前記メモリから本データを読み出すときに用いる遅延クロックを生成するクロック遅延調整回路、または前記基準クロックに同期して供給される本データを遅延させて前記メモリに入力させるためのデータ遅延調整回路と
を具備し、
所定時間毎に前記データ信号が入力されないブランキング期間を検出し、または所定時間毎に前記ブランキング期間を指定する同期信号を受け、
前記ブランキング期間に前記クロック遅延調整回路または前記データ遅延調整回路に異なる複数の遅延量を設定し、
前記複数の遅延量によりテストデータを前記メモリからのデータの読み出し、または前記メモリへの前記テストデータの書込みを実行し、
オリジナルのテストデータと前記読み出したテストデータまたは前記書込まれたテストデータとを比較し、前記比較に対応して前記メモリから前記本データを読み出すときの前記クロック遅延調整回路の遅延量、または本データを前記メモリに書き込むときの前記データ遅延調整回路の遅延量の調整を実行することを特徴とする
メモリアクセス回路。 - 本データが記憶された前記メモリのアドレスを指定するアドレスデータを前記基準クロックに同期して前記メモリに入力し、前記遅延クロックに同期して前記メモリから前記本データを読み出す請求項20に記載のメモリアクセス回路であって、
前記オリジナルテストデータが記憶された前記メモリのアドレスを指定するアドレスデータを前記基準クロックに同期して前記メモリに入力し、前記異なる複数の遅延量を有する前記遅延クロックに同期して前記メモリから前記テストデータを読み出し、
前記オリジナルテストデータと前記読み出したテストデータとを比較し、前記比較に対応して前記メモリから前記本データを読み出すときの前記遅延クロックの遅延量の調整を実行することを特徴とするメモリアクセス回路。 - 前記基準クロックに同期して前記メモリに書き込む本データを前記遅延調整回路に入力し、前記基準クロックに同期して前記メモリの書込みアドレスを指定するアドレスデータを前記メモリに入力し、前記データ遅延調整回路で遅延された遅延本データを前記メモリに入力する請求項20に記載のメモリアクセス回路であって、
前記基準クロックに同期して前記メモリに書き込むテストデータを前記データ遅延調整回路に入力し、前記基準クロックに同期して前記メモリに書込みアドレスを指定するアドレスデータを前記メモリに入力し、
前記データ遅延調整回路は前記異なる複数の遅延量を有する遅延テストデータを前記メモリに入力し、前記メモリに入力された前記遅延テストデータと前記メモリの書込みアドレスに書込まれたデータとを比較し、前記比較に対応して前記データ遅延回路の遅延量の調整を実行することを特徴とする
メモリアクセス回路。 - 入力データ・ストローブ信号に対応してデータの入力タイミングを特定する、または出力データ・ストローブ信号に対応してデータの出力タイミングを特定するメモリと、
前記出力データ・ストローブ信号を遅延して遅延出力データ・ストローブ信号を生成する第1遅延調整回路、または基準クロックに同期して供給された本データに同期して供給される入力データ・ストローブ信号を遅延して遅延入力データ・ストローブ信号を生成する第2遅延調整回路と
を具備し、
本データが記憶された前記メモリのアドレスを指定するアドレスデータを基準クロックに同期して前記メモリに入力し、前記遅延出力データ・ストローブ信号に同期して前記メモリから前記本データを読み出す、または本データを前記基準クロックに同期して前記メモリに入力するとともに、前記第2遅延調整回路により遅延された前記遅延入力データ・ストローブ信号を前記メモリに入力
することを特徴とする
メモリアクセス回路。 - 所定時間毎に前記データ信号が入力されないブランキング期間を検出し、または所定時間毎に前記ブランキング期間を指定する同期信号を受け、
前記ブランキング期間に前記第1遅延調整回路は遅延量の異なる複数の遅延出力データ・ストローブ信号を生成しテストデータが記憶された前記メモリのアドレスを指定するアドレスデータを前記基準クロックに同期して前記メモリに入力し、
前記複数の遅延出力データ・ストローブ信号に同期して前記メモリから前記テストデータを読み出し、前記メモリに記憶されたテストデータと前記読み出したテストデータとを比較し、前記比較に対応して前記メモリから前記本データを読み出すときの前記第1データ遅延調整回路の遅延量の調整を実行することを特徴とする
請求項23に記載のメモリアクセス回路。 - 前記本データとともに前記本データを書き込む前記メモリのアドレスを指定するアドレスデータを前記基準クロックに同期して前記メモリに入力することを特徴とする
請求項23に記載のメモリアクセス回路。 - 所定時間毎に前記データ信号が入力されないブランキング期間を検出し、または所定時間毎に前記ブランキング期間を指定する同期信号を受け、
前記ブランキング期間に前記第2遅延調整回路は、遅延量の異なる複数の遅延入力データ・ストローブ信号を生成しテストデータを前記基準クロックに同期して前記メモリに入力し、
前記複数の遅延入力データ・ストローブ信号を前記メモリに入力し、前記メモリに入力した前記テストデータと前記メモリの前記アドレスに書込まれたテストデータとを比較し、前記比較に対応して前記メモリに前記本データを書き込むときの前記第2遅延調整回路の遅延量の調整を実行することを特徴とする
請求項23に記載のメモリアクセス回路。 - 前記テストデータとともに前記テストデータを書き込む前記メモリのアドレスを指定するアドレスデータを前記基準クロックに同期して前記メモリに入力することを特徴とする
請求項26に記載のメモリアクセス回路。 - 請求項20から27の何れか1項に記載のメモリアクセス回路と、
前記本データを表示する表示部と、
を具備することを特徴とする
表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004269514A JP2005141725A (ja) | 2003-10-16 | 2004-09-16 | メモリアクセス回路、そのメモリアクセス回路の動作方法およびそのメモリアクセス回路を用いる表示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003355771 | 2003-10-16 | ||
JP2004269514A JP2005141725A (ja) | 2003-10-16 | 2004-09-16 | メモリアクセス回路、そのメモリアクセス回路の動作方法およびそのメモリアクセス回路を用いる表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005141725A true JP2005141725A (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=34702891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004269514A Pending JP2005141725A (ja) | 2003-10-16 | 2004-09-16 | メモリアクセス回路、そのメモリアクセス回路の動作方法およびそのメモリアクセス回路を用いる表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005141725A (ja) |
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