JP2005139553A - 増着ジグを利用した携帯電話外装ケースのｅｍｉ層真空増着方法および増着ジグ。 - Google Patents

Abstract

【課題】 安全性が高くて不良率が低いだけでなく経済性も高い蒸着ジグを利用した携帯電話外装ケースのＥＭＩ層真空増着方法を提供する。
【解決手段】 携帯電話外装ケースの内部にＥＭＩ層を構成する方法において，上下部にジグを形成する工程と；前記ジグ内に携帯電話外装ケースを入れて真空蒸着方法を実行する工程と；ジグで覆わない部分だけにＥＭＩ層を形成する工程と；を含むことを特徴とする蒸着ジグを利用した携帯電話外装ケースのＥＭＩ層真空蒸着方法を提供する。
【選択図】 図１

Description

本発明は携帯電話において発生する電磁波を遮断するため，携帯電話外装ケースの内部にコーティングされるＥＭＩ層真空増着方法および増着ジグに関する。

従来より，既存の他の電機電子製品と同様に，携帯電話においても発生する電磁波を遮断するため，携帯電話外装ケースの内部にＥＭＩ塗料層を構成して，電磁波の遮断を防ぐ技術が開発されている。これと共に伝導性塗料層を構成し，電磁波を遮断するため，色々な塗布方法が開発されて使われている。

通常，携帯電話外装ケースを固定用受け台またはジグに定着した後，ＥＭＩ塗料を噴射してＥＭＩ塗料層を構成する。

しかし，このような方法は，部分別噴射量が不均一となったり，噴射範囲における精密度も良くないため，生産時の不良率が高いという問題があった。また，ＥＭＩ塗料層の抵抗が一定に維持できないことで伝導効率が落ちるという問題があった。また繰り返し噴射を行うため，固定用受け台を随時交替しなければならず，生産性が落ちるという問題もあった。

そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，携帯電話にＥＭＩ層が構成される部分だけが外側に現れる上下部で構成された増着ジグを提供する。特に上部ジグは，携帯電話を覆うと携帯電話ケースと斜めに角度を形成しながら接触するように構成されており，上部ジグの中に携帯電話外装ケースを定着させた後，真空増着機内部で一般的に使われている伝導性金属材料を真空増着させることで，安全性が高くて不良率が低いだけでなく経済性も高い増着ジグを利用した携帯電話外装ケースのＥＭＩ層真空増着方法を提供する。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，携帯電話外装ケースの内部にＥＭＩ層を構成する方法において、上下部に各々ジグ１０、３０を形成して、その中に携帯電話外装ケースを入れて真空増着方法を実行して、ジグで覆わない部分だけにＥＭＩ層が形成されることを特徴とする増着ジグを利用した携帯電話外装ケースのＥＭＩ層真空増着方法およびジグが提供される。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，携帯電話外装ケースの内部にＥＭＩ層を増着構成に使われるジグにおいて、上下部で構成されたジグは、携帯電話外装ケースが安全に固定される溝ｈを持つ下部ジグ１０と、定着される携帯電話外装ケースの上側に、定着される携帯電話外装ケース５０を覆って接触しながら、ＥＭＩ層が構成されるべき部分だけが、外側に現れるよう、空間が形成される上部ジグ３０で構成されることを特徴とする増着ジグを利用した携帯電話外装ケースのＥＭＩ層真空増着方法および増着ジグ。

また，上部ジグ３０は、内側携帯電話外装ケース５０にＥＭＩ層を構成するための空間の他に、外装ケース５０に直接接する部分は角度ａを形成しながら斜めに覆う構成となっていてもよい。また，上下部ジグ１０、３０は、合成樹脂にガラス（石英成分）が１５−３０％含まれていてもよい。

以上説明したように，本発明によれば，既存のＥＭＩ塗料を利用した塗布方法より低い単価で安全性が高く，抵抗値を所定の値に維持することができる良質のＥＭＩ層を構成することができる。また，不良率を大幅に減らして，近年莫大な量が生産・消費されている携帯電話市場に経済的効率性と製品機能の上昇を同時に達成することが可能となる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１に基づいて，増着ジグを利用した携帯電話外装ケースのＥＭＩ層真空増着方法を説明する。通常携帯電話外装ケースのＥＭＩ処理が必要な部分は，全体でなく外装ケースの内側一部分である。まず，下部ジグに携帯の外装ケースを定着させる。次に，上部ジグを結合する。そして，ＥＭＩ塗料を利用した真空増着を行う。最後に，ジグから携帯の外装ケースを分離する。

既存のＥＭＩ塗料を利用した塗布方法では，必要な範囲内に精密な密度で塗布するには限界があった。また，固定用受け台及びジグと，携帯電話外装ケースの間の接触面の所々に精密に塗布することは困難であった。

また，抵抗値が一定でない不安定なＥＭＩ塗料層が構成されると，不良率を高める問題点と，塗布の部分と塗布されない部分の境界が明確でなく，噴射量と角度の変動により区画の区切りが不明な構成が形成されるなどの問題点があった。

従って，本発明では真空増着を利用してＥＭＩ層を構成するため，携帯電話外装ケースに増着する部分と，増着しない部分を完全に区分できる増着ジグを提供して，真空増着過程を設ける。

図２〜４に示したように，本実施形態にかかる増着ジグは，携帯電話外装ケースが安全に固定できる溝ｈを持つ下部ジグ１０と，定着した携帯電話外装ケースの上側から，携帯電話外装ケース５０を覆って接触しながら，ＥＭＩ層を構成すべき部分だけが外側に現れるように空間構成される上部ジグ３０で形成される。

以上のような構成において，増着ジグ１０および３０は内部に定着した携帯電話外装ケース５０を完全に覆っているが，ＥＭＩ層の構成が必要な部分だけは，外側に現れるようにして，伝導性物質を真空増着時に外側に現れる部分だけ増着できるようにする。

また，上部ジグ３０の構成において，内側携帯電話外装ケース５０にＥＭＩ層を構成するための空間は，所定の角度ａを形成しながら斜めに構成し，接触面においてもきれいに増着されるようになる。

増着ジグ１０，３０の材質は，合成樹脂にガラス（石英成分）が１５〜３０％含まれている物を使用するので，これは真空増着時の温度と圧力による変形を防止でき，耐熱性を維持することができる。

上記のような増着ジグを利用した携帯電話外装ケース真空増着方法を詳細に説明すると，図１〜図５に示すように，携帯電話外装ケースを増着ジグ１０，３０と結合し，真空増着のため，通常の構成で形成される真空チャンバー内部に増着ジグ１０，３０を入れて真空増着する。

真空増着のためのチャンバーは，既に通常使われている技術を利用でき，一般的な真空増着方法において，タングステンフィラメントを利用した増着を例として説明する。まずチャンバー内部にジグを配列して，両電極間のタングステンフィラメントに増着に使われる金属である銀，銅を固定させた後，チャンバーの門を閉めて駆動する。

そして，チャンバー低真空バルブが開いて低真空が始まって−１０^５になるまで空気を排出し始める。そうすると低真空測定ゲージの信号により，中真空ポンプが動作され，また他の低真空信号により，低真空が完了しバルブが閉められる。次に，高真空補助バルブおよび高真空バルブが開いて高真空が始まり，高真空ゲージ信号により，増発元であるタングステンフィラメントに電圧が加えられて銀，銅等が徐々に溶け始めて２次電源が加えられることによって溶けた銀，銅が蒸発され始める。そして，増着ジグ１０，３０の一側および増着ジグの外部に現れている携帯電話外装ケース部５１に増着が行われる。この時，チャンバー内部の増着ジグ１０，３０を回転できる駆動体を連結構成すると，より増着効率を高めることができる。

以上のように増着が完了すると，開かれた高真空バルブが閉められてチャンバー内部に空気が注入されてチャンバーが開放される。最後に，増着ジグ１０，３０から携帯電話外装ケース５０を取り出して，ＥＭＩ層が構成された製品が出来上がる。

上記のような増着ジグ１０，３０を用いた方法を通して生産された製品群と，既存の塗布方法で作った製品群を各１００個ずつ５回テストした結果を比較した表を下記に示す。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明は，携帯電話において発生する電磁波を遮断するため，携帯電話外装ケースの内部一部にコーティングされるＥＭＩ層真空増着方法および増着ジグに適用可能である。

本発明の実施形態にかかる工程図である。 本発明の上部ジグと携帯電話外装ケースの結合を示す斜視図である。 本発明の上下部ジグと携帯電話外装ケースの結合順序を示す断面図である。 本発明の上部ジグが携帯電話外装ケースと角度を形成しながら斜めに接触する様子を示す斜視図である。 本発明によって真空増着された様子を示す斜視図である。

符号の説明

１０ 上部ジグ
３０ 下部ジグ
５０ 携帯電話外装ケース

Claims (4)

1. 携帯電話外装ケースの内部にＥＭＩ層を構成する方法において，：
   上下部にジグを形成する工程と；
   前記ジグ内に携帯電話外装ケースを入れて真空増着方法を実行する工程と；
   ジグで覆わない部分だけにＥＭＩ層を形成する工程と；を含むことを特徴とする増着ジグを利用した携帯電話外装ケースのＥＭＩ層真空増着方法。
2. 携帯電話外装ケース内部のＥＭＩ層の増着構成に使われる増着ジグであって：
   上下部で構成されたジグは，
   携帯電話外装ケースが安全に固定される溝を持つ下部ジグと；
   定着される携帯電話外装ケースの上側に，定着される携帯電話外装ケースを覆って接触しながら，ＥＭＩ層が構成されるべき部分だけが，外側に現れるよう，空間が形成される上部ジグと；を含んで構成されることを特徴とする，携帯電話外装ケース内部のＥＭＩ層の増着構成に使われる増着ジグ。
3. 前記上部ジグは，内側携帯電話外装ケースにＥＭＩ層を構成するための空間を備え，前記携帯電話外装ケースに直接接する部分は所定の角度を形成して斜めに覆う構成となっていることを特徴とする，請求項２に記載の携帯電話外装ケース内部のＥＭＩ層の増着構成に使われる増着ジグ。
4. 前記上部ジグおよび前記下部ジグは，合成樹脂に石英ガラスが１５〜３０％含まれていることを特徴とする，請求項２または３のいずれかに記載の携帯電話外装ケース内部のＥＭＩ層の増着構成に使われる増着ジグ。
   

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