以下、図面を参照して、この発明の第1の実施の形態について説明する。図1は、この発明の第1の実施の形態にかかる露光装置EXの概略構成図である。ここで、この第1の実施の形態においては、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向における互いに異なる向き(逆方向)に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を例にして説明する。また、以下の説明においては、図1中に示すXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸が基板Pに対して平行となるよう設定され、Z軸が基板Pに対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。
図1に示すように、露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。
照明光学系ILは露光用光源を含み、露光用光源から射出された露光光ELは、マスクM上の所定の照明領域を照明する。照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)またはF2レーザ光(波長157nm)等が用いられる。この実施の形態においては、ArFエキシマレーザ光が用いられている。マスクMを通過した光は、投影光学系PLを介して、基板P上の露光領域に所定の投影倍率β(例えば、βは1/4,1/5等)で縮小投影露光する。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。
マスクステージMSTは、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能に構成されている。マスクステージMSTは、制御装置CONTにより制御されているマスクステージ駆動装置(駆動部)MSTDにより駆動される。また、マスクステージMSTは、マスクステージMST上に位置する移動鏡50を用いたレーザ干渉計51により2次元方向の位置及び回転角をリアルタイムに計測され、制御装置CONTにより制御されている。制御装置CONTは、レーザ干渉計51の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動することでマスクステージMSTに支持されているマスクMの位置決めを行う。
基板ステージPSTは、基板Pを基板ホルダを介して保持するZステージ52、Zステージ52を支持するXYステージ53、XYステージ53を支持するベース54を備えている。基板ステージPSTは、制御装置CONTにより制御されている基板ステージ駆動装置PSTDにより駆動される。Zステージ52を駆動することにより、Zステージ52に保持されている基板PのZ軸方向における位置(フォーカス位置)、及びθX、θY方向における位置が制御される。また、XYステージ53を駆動することにより、基板PのXY方向における位置(投影光学系PLの像面と実質的に平行な方向の位置)が制御される。なお、ZステージとXYステージとを一体的に設けてもよい。
また、基板ステージPST(Zステージ52)は、基板ステージPST上に位置する移動鏡55を用いたレーザ干渉計56により2次元方向の位置及び回転角をリアルタイムに計測され、制御装置CONTにより制御されている。制御装置CONTは、レーザ干渉計56の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置PSTDを駆動することで基板ステージPSTに支持されている基板Pの位置決めを行う。
また、この実施の形態にかかる露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板P上に液体1を供給する液体供給機構10と、基板P上の液体1を回収する液体回収機構20とを備えている。この実施の形態において、液体1には純水が用いられる。純水はArFエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)も透過可能である。また、投影光学系PLの基板P側の先端部には、露光光ELが透過可能な光学素子(光学部材)2が設けられており、投影光学系PLを構成している光学素子2を含む複数の光学素子は鏡筒PKで支持されている。
液体供給機構10は、液体1を供給する第1液体供給部11及び第2液体供給部12を備えている。この第1液体供給部11及び第2液体供給部12は、液体1を収容するタンク、加圧ポンプ及び液体1を所定の温度に調整する温度調整装置等を備えている。また、液体供給機構10の第1液体供給部11には、供給管11Aが接続され、この第1液体供給部11から送出された液体1を供給口13Aを有する第1供給部材13から基板P上に供給する。また、液体供給機構10の第2液体供給部12には、供給管12Aが接続され、この第2液体供給部12から送出された液体1を供給口14Aを有する第2供給部材14から基板P上に供給する。第1供給部材13は走査方向一方側(−X側)に設けられ、第2供給部材14は他方側(+X側)に設けられている。
第1、第2液体供給部11、12の液体供給動作は制御装置CONTにより制御され、制御装置CONTは第1、第2液体供給部11、12による基板P上に対する単位時間あたりの液体供給量をそれぞれ独立して制御可能である。
液体回収機構20は基板P上の液体1を回収するものであって、基板Pの表面に近接して配置された回収口22Aを有する回収部材22と、この回収部材22に流路を有する回収管21Aを介して接続された液体回収部21とを備えている。液体回収部21は、真空ポンプ等の吸引装置、及び回収した液体1を収容するタンク等を備えている。液体回収部21の液体回収動作は制御装置CONTにより制御され、制御装置CONTは液体回収部21による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。
また、液体回収機構20の回収部材22の外側には、液体1を捕捉する所定長さの液体トラップ面31が形成されたトラップ部材(液体保持部材)30が配置されている。
図2は図1に示す露光装置EXのYZ面における部分断面図であり、図3は回収部材22及びトラップ部材30の配置状態を示す平面図、図4は第1、第2液体供給部材13,14及び回収部材22の配置状態を示す斜視図である。なお、図4ではトラップ部材30の図示を省略している。図2〜図4に示すように、露光装置EXは、回収部材22及びトラップ部材30を貫通して取り付けられている窓(第1窓)G1及び窓(第2窓)G2を備えている。窓G1及び窓G2は、窓G1と窓G2とで露光領域を挟むように露光装置EXの走査方向(X方向)と直交する方向に取り付けられている。
また、露光装置EXは、基板Pの表面SのZ軸方向における面位置を検出する面位置検出装置としてのオートフォーカス検出系100を備えている。オートフォーカス検出系(AF検出系)100は、AF検出用の検出光Lを基板Pの表面Sに投射する送光系8と、基板Pの表面Sにより反射された検出光Lの反射光を受光する受光系9とを備えている。送光系8から射出される検出光Lは、窓G1を介して基板Pの表面Sにより反射された後、窓G2を介して受光系9に入射する。ここで、検出光Lは窓G1の射出面に対して略垂直となるように窓G1から射出し、窓G2の入射面に対して略垂直となるように窓G2へ入射する。また、検出光Lの光路は、露光装置EXの走査方向(X方向)を含まない面内であるY方向を含む面内に設定されている。
図3及び図4に示すように、投影光学系PLの投影領域AR1はY軸方向(非走査方向)を長手方向とする矩形状に設定されており、液体1が満たされた液浸領域AR2は投影領域AR1を含むように基板P上の一部に形成されている。そして、液浸領域AR2を形成するための液体供給機構10の第1供給部材13は投影領域AR1に対して走査方向一方側(−X側)に設けられ、第2供給部材14は他方側(+X側)に設けられている。
図3及び図4に示すように、第1、第2供給部材13、14は、第1、第2液体供給部11、12から送出された液体1を流通する内部空間(内部流路)13H、14Hと、内部空間13H、14Hを流通した液体1を基板P上に供給する供給口13A、14Aとをそれぞれ有している。なお、図3には第2液体供給部12は図示されていないが、構造は第1液体供給部11と同じである。
液体回収機構20の回収部材22は二重環状部材であって、基板Pの表面に向くように環状に連続的に形成された回収口22Aと、回収口22Aから回収された液体1を流通する環状の内部空間(内部流路)22Hとを有している。また、回収部材22の内部にはこの内部空間22Hを周方向において複数の上下方向で貫通している空間24に分割する仕切部材23が所定間隔で設けられている。そして、回収部材22のうち、回収口22Aを有する下端部は基板Pの表面に近接され、一方、上端部は複数の分割空間24を空間的に集合する集合空間部であり、回収管21Aの一端部が接続されているマニホールド部となっている。液体回収機構20は、液体回収部21を駆動することにより、回収口22A(回収部材22)及び回収管21Aを介して基板P上の液体1を回収する。
図5は、この実施の形態にかかる露光装置EXに備えられているAF検出系100の構成を示す図である。図5に示すように、AF検出系100の送光部8は、検出光Lを射出する光源60、コンデンサレンズ61、投射スリットプリズム62、集光レンズ63、ミラー64、対物レンズ65により構成されている。AF検出系100の受光部9は、対物レンズ66、振動可能な振動ミラー67、集光レンズ68、受光スリットプリズム69、リレーレンズ70、受光素子71により構成されている。
光源60から射出した検出光Lは、コンデンサレンズ61、投射スリットプリズム62、集光レンズ63を通過し、ミラー64により反射され、対物レンズ65を通過する。対物レンズ65を通過した検出光Lは、露光装置EXの回収部材22及びトラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G1に入射し、窓G1の射出面に対して略垂直となるように射出する。窓G1から射出された検出光Lは、液体1を介した後に基板Pの表面Sにより反射される。基板Pの表面Sにより反射された検出光Lは、露光装置EXの回収部材22及びトラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G2の入射面に対して略垂直に入射し、この窓G2から射出する。窓G2から射出した検出光Lは、対物レンズ66を通過し、振動ミラー67により反射されて、集光レンズ68、受光スリットプリズム69、リレーレンズ70を通過して、受光素子71に入射する。
AF検出系100は、基板Pの表面Sにより反射され、受光素子71に到達した検出光Lの検出信号に基づいて、基板Pの表面の面位置を検出する。また、基板Pの表面における複数の位置での各面位置を検出することにより、AF検出系100は基板Pの傾斜方向の姿勢を検出することができる。AF検出系100の検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTはAF検出系100の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDにより基板ステージPSTを駆動させ、投影光学系PLの結像面と基板P表面との位置関係を調整する。
この第1の実施の形態にかかる露光装置によれば、窓G1と窓G2を有するトラップ部材30備えているため、液浸法を用いた露光装置においても基板Pの表面の面位置を精度良く検出することができ、微細なパターンを良好に露光することができる。
また、AF検出系100から射出される検出光が窓G1を通過する際に窓G1の射出面に対して略垂直に射出され、窓G2を通過する際に窓G2の入射面に対して略垂直に入射するため、温度変化等により液体1の屈折率が変化した場合においても、検出光の屈折を最小限に抑えることができ、基板表面の面位置を精度良く検出することができる。
次に、図面を参照して、第2の実施の形態にかかる露光装置について説明する。この第2の実施の形態にかかる露光装置の構成は、第1の実施の形態にかかる露光装置EXのAF検出系100をAF検出系102に変更したものである。従って、第2の実施の形態の説明においては、第1の実施の形態にかかる露光装置の構成と同一の構成の詳細な説明は省略し、第1の実施の形態にかかる露光装置と同一の構成については同一の符号を用いて説明を行う。
図6は、この第2の実施の形態にかかる露光装置EXに備えられているAF検出系102の構成を示す図である。図6に示すように、AF検出系102の送光部8は、検出光Lを射出する光源60、コンデンサレンズ61、投射スリットプリズム62、集光レンズ63、ミラー64、対物レンズ65、菱形プリズム(第1の光路偏向部材)72により構成されている。なお、露光装置EXの回収部材22及びトラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G1と、AF検出系102を構成する菱形プリズム72とは、別々に保持されている。従って、基板ステージPSTが投影光学系PLに対して移動することにより窓G1が振動してしまった場合においても、菱形プリズム72がその振動に影響されることはない。
また、図6に示すように、AF検出系102の受光部9は、菱形プリズム(第2の光路偏向部材)73、対物レンズ66、振動可能な振動ミラー67、集光レンズ68、受光スリットプリズム69、リレーレンズ70、受光素子71により構成されている。なお、露光装置EXの回収部材22及びトラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G2と、AF検出系102を構成する菱形プリズム73とは、別々に保持されている。従って、基板ステージPSTが投影光学系PLに対して移動することにより窓G2が振動してしまった場合においても、菱形プリズム73がその振動に影響されることはない。
また、AF検出系102から射出さえる検出光Lの光路は、露光装置EXの走査方向(X方向)を含まない面内であるY方向を含む面内に設定されている。
光源60から射出した検出光Lは、コンデンサレンズ61、投射スリットプリズム62、集光レンズ63を通過し、ミラー64により反射され、対物レンズ65を通過する。対物レンズ65を通過し、菱形プリズム72の各反射面により反射された検出光Lは、露光装置EXの回収部材22及びトラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G1に入射し、窓G1の射出面に対して略垂直となるように射出する。窓G1から射出された検出光Lは、液体1を介した後に基板Pの表面Sにより反射される。基板Pの表面Sにより反射された検出光Lは、露光装置EXの回収部材22及びトラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G2の入射面に対して略垂直に入射し、この窓G2から射出する。窓G2から射出した検出光Lは、菱形プリズム73の各反射面により反射され、対物レンズ66を通過し、振動ミラー67により反射されて、集光レンズ68、受光スリットプリズム69、リレーレンズ70を通過して、受光素子71に入射する。
AF検出系102は、基板Pの表面Sにより反射され、受光素子71に到達した検出光Lの検出信号に基づいて、基板P表面の面位置を検出する。また、基板P表面における複数の位置での各面位置を検出することにより、AF検出系102は基板Pの傾斜方向の姿勢を検出することができる。AF検出系102の検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTはAF検出系102の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDにより基板ステージPSTを駆動させ、投影光学系PLの結像面と基板P表面との位置関係を調整する。
この第2の実施の形態にかかる露光装置によれば、AF検出系102から射出される検出光が窓G1を通過する際に窓G1の射出面に対して略垂直に射出され、窓G2を通過する際に窓G2の入射面に対して略垂直に入射するため、温度変化等によりトラップ部材30により保持されている液体の屈折率が変化した場合においても、検出光の屈折を最小限に抑えることができ、基板Pの表面Sの面位置を精度良く検出することができ、微細なパターンを良好に露光することができる。
また、この第2の実施の形態にかかる露光装置によれば、菱形プリズム72及び菱形プリズム73を備えているため、AF検出系102の光源60から射出される検出光の光路及び基板Pの表面Sにより反射された検出光の光路を基板Pの表面Sから離れた位置に設定することができ、AF検出系102を構成している光学部材の配置自由度を大きくすることができる。
次に、図面を参照して、第3の実施の形態にかかる露光装置について説明する。この第3の実施の形態にかかる露光装置の構成は、第2の実施の形態にかかる露光装置EXの窓G1及びG2を窓G3,G4,G5,G6に変更したものである。従って、第3の実施の形態にかかる露光装置の説明においては、第2の実施の形態にかかる露光装置の構成と同一の構成の詳細な説明は省略し、第2の実施の形態にかかる露光装置と同一の構成については同一の符号を用いて説明を行う。
図7は、この実施の形態にかかる露光装置EX及び露光装置EXに備えられているAF検出系102の構成を示す図である。図7に示すように、この第3の実施の形態にかかる露光装置EXは、回収部材22を貫通して取り付けれている窓G3及び窓G4、トラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G5及び窓G6を備えている。窓G3及び窓G4は、窓G3と窓G4とで露光領域を挟むように露光装置EXの走査方向(X方向)と直交する方向に取り付けられている。また、窓G5は露光領域に対して窓G3の外側、窓G6は露光領域に対して窓G4の外側にそれぞれ取り付けられている。ここで、窓G3及び窓G4の間には、回収した液体1を流通するための内部空間(内部流路)が形成されており、窓G5及び窓G6の間には、回収した液体1を流通するための内部空間(内部流路)が形成されている。
また、露光装置EXの液体1を捕捉するトラップ面31はトラップ部材30の下面に断面コ字状の凹部形状が形成されており、トラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G5及び窓G6の下面はトラップ面31と同一の断面コ字状の凹部形状が形成されている。
図7に示すように、AF検出系102の送光部8は、検出光Lを射出する光源60、コンデンサレンズ61、投射スリットプリズム62、集光レンズ63、ミラー64、対物レンズ65、菱形プリズム72により構成されている。なお、菱形プリズム72と液体排出口74とは、別々に保持されている。従って、基板ステージPSTが投影光学系PLに対して移動することにより窓G1が振動してしまった場合においても、菱形プリズム72がその振動に影響されることはない。
また、図7に示すように、AF検出系102の受光部9は、菱形レンズ73、対物レンズ66、振動可能な振動ミラー67、集光レンズ68、受光スリットプリズム69、リレーレンズ70、受光素子71により構成されている。なお、菱形プリズム73と液体排出口74とは、別々に保持されている。従って、基板ステージPSTが投影光学系PLに対して移動することにより窓G2が振動してしまった場合においても、菱形プリズム72がその振動に影響されることはない。
また、AF検出系102から射出される検出光Lの光路は、露光装置EXの走査方向(X方向)を含まない面内であるY方向を含む面内に設定されている。
光源60から射出した検出光Lは、コンデンサレンズ61、投射スリットプリズム62、集光レンズ63を通過し、ミラー64により反射され、対物レンズ65を通過する。対物レンズ65を通過した検出光Lは、菱形プリズム72の各反射面により反射された後、露光装置EXのトラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G5に入射し、窓G5の射出面に対して略垂直となるように射出する。窓G5を通過した検出光Lは、露光装置EXの回収部材22を貫通して取り付けられている窓G3の入射面に対して略垂直に入射し、窓G3の射出面より窓G3の射出面に対して略垂直となるように射出される。窓G3からの検出光Lは、液体1を介して基板Pの表面Sにより反射される。
基板Pの表面Sにより反射された検出光Lは、露光装置EXの回収部材22を貫通して取り付けられている窓G4に、窓G4の入射面に対して略垂直となるように入射し、窓G4から窓G4の射出面に対して略垂直に射出する。窓G4から射出した検出光Lは、露光装置EXのトラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G6の入射面に略垂直となるように入射し、窓G6から窓G6の射出面に対して略垂直に射出する。窓G6から射出した検出光Lは、菱形プリズム73の各反射面により反射されて、対物レンズ66を通過し、振動ミラー67により反射されて、集光レンズ68、受光スリットプリズム69、リレーレンズ70を通過して、受光素子71に入射する。
AF検出系102は、基板Pの表面Sにより反射され、受光素子71に到達した検出光Lの検出信号に基づいて、基板P表面の面位置を検出する。また、基板P表面における複数の位置での各面位置を検出することにより、AF検出系102は基板Pの傾斜方向の姿勢を検出することができる。AF検出系102の検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTはAF検出系102の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDにより基板ステージPSTを駆動させ、投影光学系PLの結像面と基板P表面との位置関係を調整する。
この第3の実施の形態にかかる露光装置によれば、AF検出系102から射出される検出光Lが窓G3の入射出面及び窓G5の射出面に対して略垂直に通過し、窓G4の入射出面及び窓G6の入射面に対して略垂直に通過するため、温度変化等によりトラップ部材30により保持されている液体の屈折率が変化した場合においても、検出光Lの屈折を最小限に抑えることができ、基板Pの表面Sの面位置を精度良く検出することができ、微細なパターンを良好に露光することができる。
また、この第3の実施の形態にかかる露光装置によれば、菱形プリズム72及び菱形プリズム73を備えているため、AF検出系102の光源60から射出される検出光の光路及び基板Pの表面Sから反射される反射光を基板Pの表面Sから離れた位置に設定することができ、AF検出系102を構成している光学部材の配置自由度を大きくすることができる。
次に、図面を参照して、この発明の第4の実施の形態にかかる露光装置の説明をする。この第4の実施の形態にかかる露光装置の構成は、第1の実施の形態にかかる露光装置EXの窓G1及びG2を窓G10,G11,G12,G13に変更したものである。従って、第4の実施の形態にかかる露光装置の説明においては、第1の実施の形態にかかる露光装置の構成と同一の構成の詳細な説明は省略し、第1の実施の形態にかかる露光装置と同一の構成については同一の符号を用いて説明を行う。
図8は、この実施の形態にかかる露光装置EX及び露光装置EXに備えられているAF検出系100の構成を示す図である。図8に示すように、この第4の実施の形態にかかる露光装置EXは、回収部材22を貫通して取り付けれている窓G10及び窓G11を備えている。窓G10及び窓G11は、窓G10と窓G11とで露光領域を挟むように露光装置EXの走査方向(X方向)と直交する方向に取り付けられている。
また、露光装置EXは、トラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G12及び窓G13を備えている。窓G12は露光領域に対して窓G10の外側、窓G13は露光領域に対して窓G11の外側にそれぞれ取り付けられている。窓G12及び窓G13は、光が入射した際に菱形プリズムと同一の作用、即ち、光が入射し、窓G12及び窓G13内において光が2回反射され、窓G12及び窓G13から射出されるように構成されている。また、露光装置EXの液体1を捕捉するトラップ面31はトラップ部材30の下面に断面台形状の凹部形状が形成されており、トラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G12及び窓G13の下面はトラップ面31と同一の断面台形状の凹部形状が形成されている。
また、AF検出系100から射出される検出光Lの光路は、露光装置EXの走査方向(X方向)を含まない面内であるY方向を含む面内に設定されている。
光源60から射出した検出光Lは、コンデンサレンズ61、投射スリットプリズム62、集光レンズ63を通過し、ミラー64により反射され、対物レンズ65を通過する。対物レンズ65を通過した検出光Lは、露光装置EXのトラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G12に入射し、窓G12内の各反射面により反射された後、窓G12の射出面から窓G12の射出面に対して略垂直となるように射出する。窓G12より射出された検出光Lは、露光装置の回収部材22を貫通して取り付けられている窓G10に窓G10の入射面に対して略垂直に入射し、窓G10の射出面より窓G10の射出面に対して略垂直に射出する。窓G10から射出した検出光Lは、液体1を介して、基板Pの表面Sにより反射される。基板Pの表面Sにより反射された検出光Lは、露光装置EXの回収部材を貫通して取り付けられている窓G11に対して略垂直に入射し、窓G11から窓G11の射出面に対して略垂直に射出する。窓G11から射出された検出光Lは、露光装置EXのトラップ部材30を貫通して取り付けられている窓G13の入射面に対して略垂直に入射し、窓G13内の各反射面により反射された後に、窓G13の射出面から射出する。窓G13を射出した検出光Lは、対物レンズ66を通過し、振動ミラー67により反射されて、集光レンズ68、受光スリットプリズム69、リレーレンズ70を通過して、受光素子71に入射する。
AF検出系100は、基板Pの表面Sにより反射され、受光素子71に到達した検出光Lの検出信号に基づいて、基板P表面の面位置を検出する。また、基板P表面における複数の位置での各面位置を検出することにより、AF検出系100は基板Pの傾斜方向の姿勢を検出することができる。AF検出系100の検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTはAF検出系100の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDにより基板ステージPSTを駆動させ、投影光学系PLの結像面と基板P表面との位置関係を調整する。
この第4の実施の形態にかかる露光装置によれば、AF検出系100から射出される検出光が窓G12の射出面及び窓G10の入射出面に対して略垂直に通過し、窓G11の入射出面及び窓G13の入射面に対して略垂直に通過するため、温度変化等によりトラップ部材30により保持されている液体の屈折率が変化した場合においても、検出光の屈折を最小限に抑えることができ、基板Pの表面Sの面位置を精度良く検出することができ、微細なパターンを良好に露光することができる。
また、この第4の実施の形態にかかる露光装置によれば、菱形プリズム機能を併せ持つ窓G12及び窓G13を備えているため、AF検出系100の光源60から射出される検出光の光路及び基板Pの表面Sにより反射された反射光を基板Pの表面Sから離れた位置に設定することができ、AF検出系100を構成している光学部材の配置自由度を大きくすることができる。
また、上述の各実施の形態かかる露光装置によれば、AF検出系から射出される検出光Lの光路が走査方向(X方向)を含まない面内であるY方向を含む面内に設定されているため、液浸法を用いた露光装置においても検出光Lの光路と液体の供給及び排出を行う部材との干渉を回避することができる。
なお、上述の各実施の形態にかかる露光装置においては、2つの窓を有する回収部材22または2つの窓を有するトラップ部材30を備えているが、回収部材22及びトラップ部材30の少なくとも一方の全体がガラスで構成されているようにしてもよい。また、露光装置が1つの窓及び1つの反射面を有する回収部材22及びトラップ部材30を備えるようにしてもよい。この場合においては、窓から入射させ、基板Pの表面を経由し、1つの反射面により反射させることにより検出光Lを折り返す折り返し型AF検出系に適用可能である。このような折り返しAF検出系は、例えば特開平7−332929号公報に開示されている。
また、上述の各実施の形態にかかる露光装置においては、液体1として純水を使用しているが、他の溶媒等の液体を使用してもよい。また、上述の各実施の形態にかかる露光装置においては、投影光学系PLの最も基板P側の光学素子2の基板P側の表面と、基板Pの表面との距離(ワーキングディスタンス)は、短く設定したほうがよい。具体的には、ワーキングディスタンスを2mm程度に設定することが望ましい。
また、上述の各実施の形態にかかる露光装置においては、図9(a)に示すように、AF検出系の検出光Lが露光領域AR1の長手方向に進行するように設定されているが、図9(b)に示すように、検出光Lが露光領域AR1の長手方向と直交する方向に進行するように設定してもよい。この場合においては、検出光Lの照射領域が広くなるため、検出光Lのビーム径を大きくする必要があるが、検出光Lの光路を短くすることができるため、ワーキングディスタンスをより短く設定することができる。また、AF検出系の検出光Lの進行方向は、露光領域AR1の長手方向に平行または直交する方向に限らず、いずれの方向に設定してもよい。例えば、長方形状の露光領域AR1に対して斜め45°の方向からAF検出系の検出光Lを進行させてもよい。
また、上述の各実施の形態にかかる露光装置に備えられているAF検出系においては、露光領域AR1内の面位置を検出しているが、図10に示すように、基板ステージPSTの走査方向(X方向)に対して光路が垂直となるように検出光Lを入射させ、さらに露光領域AR1よりも走査方向(X方向)の上流にあたる点(図10においては点a)を計測するようにしてもよい。水の屈折率をn、温度をTとしたとき、水の屈折率の温度依存性dn/dTが空気と比較して大きいため、露光中の水の温度分布により検出光が曲げられて誤差が発生する。上記の誤差を小さくするための構成として、流体シミュレーションの結果より以下の事が判明した。
図10において、検出光を基板ステージPSTの走査方向(X方向)に対して垂直方向から検出光を入射させる。この構成でAF検出系の計測点が露光領域AR1内の点bや露光領域AR1の走査での下流の点cを計測する場合には、露光光で暖められた水が検出光の光路にあるため誤差が大きいが、走査において露光領域AR1の上流にあたる点aでは検出光の光路での水の温度変化が小さく、AF検出系の計測誤差も小さくなるため測定上有利である。
また、上述の各実施の形態にかかる露光装置においては、AF検出系から1つの検出光を検出させることにより基板の表面の面位置の検出を行ったが、AF検出系から2つの入射角の異なる検出光を射出させて、基板の表面の面位置の検出を行ってもよい。
上述の実施の形態にかかる露光装置では、照明光学系1によってレチクルRを照明し(照明工程)、投影光学系を用いてレチクルRに形成された転写用のパターンを感光性基板(ウエハ)Wに露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて感光性基板としてのプレート等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図11のフローチャートを参照して説明する。
先ず、図11のステップ301において、1ロットのプレート上に金属膜が蒸着される。次のステップ302において、その1ロットのプレート上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、上述の実施の形態にかかる露光装置に備えられている面位置検出装置によりプレートP表面の面位置を検出し、調整が行われる。次に、ステップ303において、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて、レチクル(マスク)上のパターンの像がその投影光学系を介して、その1ロットのプレート上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ304において、その1ロットのプレート上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ305において、その1ロットのプレート上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各プレート上の各ショット領域に形成される。
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、面位置検出装置により正確に基板の面位置を検出された液浸法による露光装置を用いて露光を行なっているため、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。なお、ステップ301〜ステップ305では、プレート上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、プレート上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
また、上述の実施の形態にかかる露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図12のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。まず、上述の実施の形態にかかる露光装置に備えられている面位置検出装置によりプレート表面の面位置を検出し、調整する。次に、図12において、パターン形成工程401では、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程402へ移行する。
次に、カラーフィルタ形成工程402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程402の後に、セル組み立て工程403が実行される。セル組み立て工程403では、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程402にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。セル組み立て工程403では、例えば、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程402にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。
その後、モジュール組み立て工程404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、面位置検出装置により正確に基板の面位置を検出された液浸法による露光装置を用いて露光しているため、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
1…液体、8…送光系、9…受光系、10…液体供給機構、11…第1液体供給部、12…第2液体供給部、13…第1供給部材、13A…供給口、14…第2供給部材、14A…供給口、20…液体回収機構、21…液体回収部、22…回収部材、22A…回収口、23…仕切部材(仕切り)、30…トラップ部材、31…トラップ面、72,73…菱形プリズム、100,102…AF検出系、AR1…投影領域、AR2…液浸領域、CONT…制御装置、EX…露光装置、G1〜G6、G10〜G13…窓、M…マスク、P…基板、PL…投影光学系。