JP2005134155A - 半導体加速度センサ - Google Patents

半導体加速度センサ Download PDF

Info

Publication number
JP2005134155A
JP2005134155A JP2003367784A JP2003367784A JP2005134155A JP 2005134155 A JP2005134155 A JP 2005134155A JP 2003367784 A JP2003367784 A JP 2003367784A JP 2003367784 A JP2003367784 A JP 2003367784A JP 2005134155 A JP2005134155 A JP 2005134155A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support
acceleration sensor
support portion
semiconductor acceleration
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003367784A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4134881B2 (ja
Inventor
Daisuke Wakabayashi
大介 若林
Kazushi Kataoka
万士 片岡
Hisakazu Miyajima
久和 宮島
Sumio Akai
澄夫 赤井
Hitoshi Yoshida
仁 吉田
Koji Goto
浩嗣 後藤
Makoto Morii
誠 森井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP2003367784A priority Critical patent/JP4134881B2/ja
Publication of JP2005134155A publication Critical patent/JP2005134155A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4134881B2 publication Critical patent/JP4134881B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

【課題】 応力の吸収効率を向上させて温度特性の優れた半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】 第1主面と第2主面とを有する半導体基板からなり、内方を開口した支持部2と、基端部31を支持部2の第1主面側に設けて開口内に延設された弾性を有する梁部3と、梁部3により吊り下げ支持されて遊動自在に可動する錘部4と、梁部3に設けられるとともに作用する加速度に応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗5と、支持部2の第2主面側に少なくとも第2主面を分断するように設けてなり、支持部2の隅角から梁部3の基端部31へ伝達する応力を吸収する緩和手段6とを有してなる半導体加速度センサ。
【選択図】 図1




Description

本発明は、応力を電気信号に変換することにより作用した加速度を検知する半導体加速度センサに関し、特に、温度特性に優れた半導体加速度センサに関するものである。
この種の背景技術として、例えば、特開2000−187040号公報(特許文献1)に提案されているものがあり、これを図3に示す。図3(a)はその全体概略平面図であり、図3(b)はA−A線で切断したときの概略断面図である。
このものは、シリコンからなる半導体基板にて形成されており、支持部110と、撓み部120と、重り部130と、切込み溝140とを備えている。
支持部110は、重り部130を支持するものであり、平面視において略四角形状に形成されている。また、その内方は、それぞれの辺が支持部110の周縁と平行となる略四角形状に開口されており、全体として支持部110は枠体に構成されている。
撓み部120は、支持部110と重り部130との間に介在して重り部130を吊り下げ支持するものであり、平面視において短冊状に形成されており、その厚みは弾性を有するように薄肉状に形成されている。また、このものは、支持部110と一体に形成され、支持部110を構成する4辺の上面から内方にそれぞれ突設しており、支持部110の内方の中央付近で交差して交差部111を構成している。
また、撓み部120表面の交差部111近傍及び支持部110近傍には複数のピエゾ抵抗(図示せず)が形成されている。ここで、支持部110の任意の一辺と平行な方向をX軸とし、そのX軸と90°の角度で交差する他の一辺と平行な方向をY軸、X軸とY軸との両方と90°の角度で交差する方向をZ軸としたとき、これらのピエゾ抵抗は、それぞれの軸方向に作用する加速度を検出するためにX軸、Y軸、Z軸に対応する4つを一組としてホイートストンブリッジを構成している。
重り部130は、作用する加速度の大きさに応じて遊動し、撓み部120の撓み量を変化させるものであり、換言すると、重り部130が受けた加速度をニュートンの運動方程式で導出される力に変換して撓み部120を撓ませるものである。このものは、支持部110の内方の空間に位置して撓み部120により吊り下げ支持されており、その形状は、支持部110の厚み方向において下面(図3(b)の下側)に向かって幅の狭くなる台形状をなし、平面視において略四角形状をなしている。
切込み溝140は、支持部110と上部キャップ(図示せず)及び支持部110と下部キャップ(図示せず)を接合した際に発生する応力を緩和するものであり、その形状は、断面視においてV字形状に形成されている。また、このものは、支持部110のそれぞれの辺に複数形成されており、さらに、それぞれの辺と一体化している撓み部120と平行な方向に形成されている。また、切込み溝140の長手方向の一端は支持部110の周縁に達している。
したがって、上記構成の半導体加速度センサによれば、支持部110と上部キャップ及び支持部110と下部キャップを陽極接合を用いて接合した際に、支持部110と各キャップとの線膨張係数の違いにより生じる応力を切込み溝140により吸収できるので、撓み部120に発生する歪みを低減して温度特性を向上することができるのである。
特開2000−187040号
しかしながら、このような半導体加速度センサは、KOHなどを用いた半導体基板の結晶方位に依存する異方性エッチングで切込み溝140を形成しているため、その深さは半導体加速度センサの大きさや破壊強度などにより限定されてしまう。ゆえに、接合部分で発生する応力、特に、支持部110の隅角で発生する応力が支持部110の内方の周縁を伝達して撓み部120に作用してしまう恐れがあり、高精度な温度特性を要求される状況においては精度的に不十分である場合があった。
本発明は、上記の点に鑑みてなしたものであり、その目的とするところは、応力の吸収効率を向上させて温度特性の優れた半導体加速度センサを提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項1に係る発明の半導体加速度センサは、第1主面と第2主面とを有する半導体基板からなり、内方を開口した支持部と、基端部を支持部の前記第1主面側に設けて開口内に延設された弾性を有する梁部と、梁部により吊り下げ支持されて遊動自在に可動する錘部と、梁部に設けられるとともに作用する加速度に応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗と、支持部の前記第2主面側に少なくとも前記第2主面を分断するように設けてなり、支持部の隅角から梁部の基端部へ伝達する応力を吸収する緩和手段と、を有してなることを特徴とするものである。
このものによれば、支持部の第2主面側を他部材に接合した際に、接合部から伝達される応力、特に、応力の集中する支持部の隅角から伝達してくる応力の伝達経路を緩和手段により分断して応力の吸収効率を向上することができる。
請求項2に係る発明の半導体加速度センサは、請求項1記載の構成において、半導体基板はSOI基板からなるとともに、前記緩衝手段はその深さをSOI基板の絶縁層まで穿設した凹状体であるものとしている。
このものによれば、緩衝手段の深さを支持部の厚み方向におけるほぼ全域まで設けることができ、また、深さの制御手段としてシリコンとエッチングレートの異なる絶縁層がエッチングストッパとなるので、緩衝手段の深さのバラツキを抑制できる。
本発明の半導体加速度センサによれば、緩衝手段により支持部の第2主面側から伝達される応力の伝達経路を緩和手段により分断して応力の吸収効率を向上することができるので、線膨張係数の違いにより温度変化で生じる応力に対しても撓み部の受ける影響を低減して温度特性を向上することができる。
また、半導体基板としてSOI基板を用いることにより、緩衝手段として深さを支持部の厚み方向におけるほぼ全域まで設けた凹状体を形成することができ、また、凹状体の深さの制御を絶縁層で行えるので、緩衝手段の深さのバラツキを抑制でき、結果的に、温度特性を向上させ、かつ温度特性のバラツキを抑制することができる。
[第1の実施形態]
第1の実施形態に係る半導体加速度センサについて図1に基づき説明する。図1(a)はその概略斜視図、図1(b)はその概略下面図である。
この実施形態の半導体加速度センサは、例えば、シリコン(Si)からなる支持層11上に、例えば、二酸化シリコン(SiO)からなる絶縁層12を介してシリコンからなる活性層13を積層したSOI基板1を加工することにより形成しており、その主要構成要素として、支持部2と、梁部3と、錘部4と、ピエゾ抵抗5と、緩和手段6とを備えている。
このうち、支持部2は、半導体加速度センサの基体となるものであり、梁部3を介して錘部4を支持するものである。このものは、SOI基板1の内方を穿設した枠体であり、平面視において略四角形状に形成している。また、この支持部2は、支持層11、絶縁層12、活性層13の3層で構成しており、その支持層11の表面にはピエゾ抵抗5と接続した、例えば、アルミニウム(Al)からなる電極(図示せず)を形成している。
梁部3は、作用する加速度に応じて錘部4が遊動自在に動くように吊り下げ支持するものである。このものは、SOI基板1の活性層13にて構成しており、支持部2の各辺の略中央付近を基端部31として内方に向かって突設し、支持部2の中央付近で交差部21を介して互いに一体化している。また、この梁部3は、平面視において短冊状であり、かつその厚みを活性層13と略同等に形成している。本実施形態では活性層13の厚みを5μm程度としており、このような厚みにおいては、梁部3は作用する加速度に応じて可撓する弾性体として機能する。
錘部4は、作用する加速度の大きさに応じて誘導して梁部3の撓み量を変化させるものである。このものは、SOI基板1の支持層11にて構成しており、主錘部41と4つの補助錘部42とからなる。
このうち、主錘部41は、交差部21の下面に絶縁層12を介して結合している。その形状は平面視において略四角形状であり、その厚みは支持部2の支持層11の厚みと略同等であり、主錘部41の下面が支持部2の下面と同一平面を構成している。
一方、補助錘部42は、主錘部41の4つの隅角にそれぞれ一体化して形成しており、加速度が作用していない状態でSOI基板1の活性層13側から見たときに、隣り合う梁部3とその梁部3を支持する支持部2の辺とで囲まれた領域に位置するように形成している。その形状は、平面視において略四角形状であり、その厚みは主錘部41と略同等の厚みを有している。
ピエゾ抵抗5は、応力により梁部3が変形した際の撓み量を電気信号に変換するものである。このものは、梁部3の表面に形成しており、詳細には梁部3と支持部2との結合部分近傍及び梁部3と交差部21との結合部分近傍に配置している。このうち、交差部21の近傍にあるピエゾ抵抗5は、支持部2の辺と平行な方向のベクトル成分を持つ加速度に対して応答し、例えば、支持部2の任意の一辺と平行な方向をX軸と規定し、X軸と直交してかつ支持部2の辺と平行な方向をY軸と規定すると、X軸と平行な支持部2上にある4つのピエゾ抵抗5で1組のホイートストンブリッジを構成し、また、Y軸と平行な支持部2上にある4つのピエゾ抵抗で1組のホイートストンブリッジを構成している。さらに、支持部2の近傍にあるピエゾ抵抗5は、X軸及びY軸に直交する方向のベクトル成分を持つ加速度に対して応答し、例えば、この方向をZ軸と規定すると、梁部3上にある4つのピエゾ抵抗5で1組のホイートストンブリッジを構成している。
緩和手段6は、支持部2を台座(図示せず)やパッケージ(図示せず)などと接合したときに線膨張係数の違いにより発生する応力を緩和するものであり、一端が支持部2の外周縁に連結し、他端が支持部2の内周縁に連結する凹状体である。このものは、支持部2の下面に形成しており、その位置は、支持部2の隅角と梁部3との間の略中央付近に支持部2の辺の長手方向と直交するように配置している。また、緩和手段6は、凹状体の深さを支持部2の支持層11と略同等に形成し、その支持部2の辺の長手方向と平行な幅を10μm程度に形成しており、支持部2の各辺を支持部2の隅角と梁部3との間で分断している。これにより、支持部2を構成する活性層13は、略四角状の連続した環状体に構成され、絶縁層12及び支持層11は、緩和手段6により分割されて8つの塊体で構成されることとなる。
次に、その製造方法について説明する。
まず、それぞれの層厚が、例えば、支持層11が400μm程度、絶縁層12が0.5μm程度、活性層13が5μm程度のSOI基板1を用い、その表面に、例えば、パイロジェニック酸化法により二酸化シリコン(SiO)からなる酸化膜を形成する。
次いで、活性層13にピエゾ抵抗5、拡散配線(図示せず)、金属配線(図示せず)及び電極(図示せず)を形成する。このうち、ピエゾ抵抗5及び拡散配線の形成は、まず、梁部3及び支持部2の所定の位置の酸化膜を除去し、例えば、活性層がn型の導電型を有する場合、導電型がp型となる不純物、例えば、ボロン(B)をイオン注入法又はデポジット拡散法等を用いて支持層11に注入する。続いて、1100℃程度に昇温した水蒸気と酸素との混合気体中で30分程度不純物を熱拡散して処理を終える。
一方、金属配線及び電極の形成は、拡散配線上の所定の位置の酸化膜を除去してコンタクトホール(図示せず)を形成し、活性層13の酸化膜上に、例えば、アルミニウム(Al)をスパッタ法を用いて積層する。続いて、フォトレジスト(図示せず)を塗布後、所定形状にパターニングして処理を終える。
次いで、支持層11にフォトレジストを塗布し、支持部2と錘部4との境界となる部位及び緩和手段6となる部位のフォトレジストを除去し、誘導結合型プラズマエッチング(ICP)を用いて支持層11を絶縁層12に至るまでエッチング除去して支持部2と錘部4及び緩和手段6を構成する凹状体を形成する。このとき、ICPには、例えば、六フッ化硫黄(SF)を用いている。
次いで、活性層13にフォトレジストを塗布し、隣り合う梁部3と支持部2とに囲まれた領域のフォトレジストを除去し、ICPを用いて活性層13をエッチングして開口部22を形成する。
最後に、例えば、フッ化水素酸(HF)の溶液を霧状にして噴霧し、支持部2の支持層11と当接する絶縁層12及び錘部4の主錘部41と当接する絶縁層12を除いた他の領域の絶縁層12をエッチングして錘部4を遊動自在にし、半導体加速度センサを完成する。
このあと、半導体加速度センサを台座やパッケージなどに接合して外部と電気的に接続することにより、加速度センサ装置として使用可能になる。
ここにおいて、例えば、半導体加速度センサをガラスからなる台座に接合した場合、半導体加速度センサを構成するシリコン(Si)の線膨張係数は2.6×10−6/K程度、台座の線膨張係数は2.8×10−6/K程度であるため、環境温度の変化に伴い、この線膨張係数の差が影響して応力を発生させてしまう。しかしながら、本実施形態の半導体加速度センサによれば、この応力を支持部2に緩和手段6として形成した凹状体によりその伝達経路を分断しているため、特に応力の集中する支持部の隅角から伝達してくる応力を効率的に吸収することができ、梁部3の受ける影響を低減して温度特性を向上することができる。また、SOI基板1を用いて半導体加速度センサを実現しているので、凹状体の深さを支持層11の厚みと同等に設けることができ、さらに、絶縁層12をエッチングストッパとして利用できるので、凹状体の深さのバラツキを抑制でき、結果的に半導体加速度センサの温度特性のバラツキを抑制することができる。
なお、緩和手段6は、支持部2の辺の長手方向に対して直交するように設けたものに限定されるものではなく、例えば、斜めに交わるように設けてもよく、支持部2の辺を分断可能であれば、その交わる角度は適宜設計変更が可能なものである。また、その形成位置は、支持部2の各辺の隅角と梁部3との間の略中央付近に限定されるものではなく、任意に選択できるものである。また、支持部2の各辺の隅角と梁部3との間を分断できれば、緩和手段6はその間に複数個存在してもかまわない。
[第2の実施形態]
第2の実施形態に係る半導体加速度センサを図2に基づいて説明する。図2(a)は、その概略斜視図であり、図2(b)はその概略下面図である。
本実施形態の半導体加速度センサは、支持部7の所定の部分が第1の実施形態と異なるものであり、他の構成要素は第1の実施形態と実質的に同一であるので、同一部材には同一の番号を付して説明を省略する。
本実施形態の支持部7は、支持層11側からの平面視において、緩和手段6で挟まれ、かつ梁部3の基端部31を包含する部位71が第1の実施形態と異なっている。この部位71は、その外縁側をエッチングにより除去して支持部7の隅角近傍の幅よりも薄く形成しており、錘部4の自重や作用した加速度によって支持層11が撓むことのない程度に設定している。
したがって、本実施形態の半導体加速度センサによれば、この応力を支持部7に緩和手段6として形成した凹状体によりその伝達経路を分断しているため、特に応力の集中する支持部の隅角から伝達してくる応力を効率的に吸収することができ、また、支持部2における梁部3の基端部31を包含する部位71が直接受ける応力をも減少することができ、温度特性をより向上することができる。
本発明の第1の実施形態に係る半導体加速度センサを示すものであり、(a)はその概略斜視図、(b)は支持層から見た概略下面図である。 本発明の第2の実施形態に係る半導体加速度センサを示すものであり、(a)はその概略斜視図、(b)は支持層から見た概略下面図である。 従来の半導体加速度センサを示すものであり、(a)はその概略平面図、(b)はA−A線で切断したときの概略断面図である。
符号の説明
1 SOI基板
12 絶縁層
2 支持部
22 開口部
3 梁部
31 基端部
4 錘部
5 ピエゾ抵抗
6 緩和手段

Claims (2)

  1. 第1主面と第2主面とを有する半導体基板からなり、
    内方を開口した支持部と、
    基端部を支持部の前記第1主面側に設けて開口内に延設された弾性を有する梁部と、
    梁部により吊り下げ支持されて遊動自在に可動する錘部と、
    梁部に設けられるとともに作用する加速度に応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗と、
    支持部の前記第2主面側に少なくとも前記第2主面を分断するように設けてなり、支持部の隅角から梁部の基端部へ伝達する応力を吸収する緩和手段と、を有してなることを特徴とする半導体加速度センサ。
  2. 前記半導体基板はSOI基板からなるとともに、前記緩衝手段はその深さをSOI基板の絶縁層まで穿設した凹状体である請求項1記載の半導体加速度センサ。
JP2003367784A 2003-10-28 2003-10-28 半導体加速度センサ Expired - Fee Related JP4134881B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003367784A JP4134881B2 (ja) 2003-10-28 2003-10-28 半導体加速度センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003367784A JP4134881B2 (ja) 2003-10-28 2003-10-28 半導体加速度センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005134155A true JP2005134155A (ja) 2005-05-26
JP4134881B2 JP4134881B2 (ja) 2008-08-20

Family

ID=34645689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003367784A Expired - Fee Related JP4134881B2 (ja) 2003-10-28 2003-10-28 半導体加速度センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4134881B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103941041A (zh) * 2014-03-28 2014-07-23 武汉瑞芯科微电子技术有限公司 一种三框架结构的单质量块三轴mems加速度计
JP2015206746A (ja) * 2014-04-23 2015-11-19 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、物理量センサー、電子機器および移動体
US10167187B2 (en) 2013-07-09 2019-01-01 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor having an elongated groove, and manufacturing method thereof

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06350244A (ja) * 1993-06-04 1994-12-22 Fujitsu Ten Ltd プリント配線基板保護用の筐体及び電子部品のハンダ付け方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10167187B2 (en) 2013-07-09 2019-01-01 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor having an elongated groove, and manufacturing method thereof
CN103941041A (zh) * 2014-03-28 2014-07-23 武汉瑞芯科微电子技术有限公司 一种三框架结构的单质量块三轴mems加速度计
JP2015206746A (ja) * 2014-04-23 2015-11-19 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、物理量センサー、電子機器および移動体

Also Published As

Publication number Publication date
JP4134881B2 (ja) 2008-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7107847B2 (en) Semiconductor acceleration sensor and method of manufacturing the same
KR101113011B1 (ko) 가속도 센서
KR101012248B1 (ko) 정전용량식 센서
KR100301097B1 (ko) 가속도센서용소자및그제조방법
KR100715644B1 (ko) 가속도 센서
JP2006029827A (ja) 慣性センサ
JP2005283393A (ja) 慣性センサ
JP4784641B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20100162823A1 (en) Mems sensor and mems sensor manufacture method
JP4847686B2 (ja) 半導体加速度センサ
JP4134881B2 (ja) 半導体加速度センサ
JP2011106822A (ja) 加速度センサ
JP2006208272A (ja) 半導体多軸加速度センサ
JP4179070B2 (ja) 半導体加速度センサおよびその製造方法
JP2010048700A (ja) Memsおよびmems製造方法
JP2010032389A (ja) 物理量センサ及びその製造方法
JP2005134367A (ja) 半導体加速度センサ
JP2005172808A (ja) 半導体加速度センサ
JP2000065854A (ja) 半導体加速度センサ素子及びその製造方法
JP5929645B2 (ja) 物理量センサ
JP2006064532A (ja) 半導体加速度センサ
KR20160125770A (ko) 센서 소자 및 그 제조 방법
JP2005069946A (ja) 半導体加速度センサ
JPH07273351A (ja) 半導体センサ
JP2000275271A (ja) 半導体加速度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080122

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080220

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080507

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080520

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees