JP2005134155A - 半導体加速度センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1主面と第2主面とを有する半導体基板からなり、内方を開口した支持部2と、基端部31を支持部2の第1主面側に設けて開口内に延設された弾性を有する梁部3と、梁部3により吊り下げ支持されて遊動自在に可動する錘部4と、梁部3に設けられるとともに作用する加速度に応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗5と、支持部2の第2主面側に少なくとも第2主面を分断するように設けてなり、支持部2の隅角から梁部3の基端部31へ伝達する応力を吸収する緩和手段6とを有してなる半導体加速度センサ。
【選択図】 図1
Description
第1の実施形態に係る半導体加速度センサについて図1に基づき説明する。図1(a)はその概略斜視図、図1(b)はその概略下面図である。
第2の実施形態に係る半導体加速度センサを図2に基づいて説明する。図2(a)は、その概略斜視図であり、図2(b)はその概略下面図である。
12 絶縁層
2 支持部
22 開口部
3 梁部
31 基端部
4 錘部
5 ピエゾ抵抗
6 緩和手段
Claims (2)
- 第1主面と第2主面とを有する半導体基板からなり、
内方を開口した支持部と、
基端部を支持部の前記第1主面側に設けて開口内に延設された弾性を有する梁部と、
梁部により吊り下げ支持されて遊動自在に可動する錘部と、
梁部に設けられるとともに作用する加速度に応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗と、
支持部の前記第2主面側に少なくとも前記第2主面を分断するように設けてなり、支持部の隅角から梁部の基端部へ伝達する応力を吸収する緩和手段と、を有してなることを特徴とする半導体加速度センサ。 - 前記半導体基板はSOI基板からなるとともに、前記緩衝手段はその深さをSOI基板の絶縁層まで穿設した凹状体である請求項1記載の半導体加速度センサ。
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