JP2005126275A - セラミック焼結体及びその撥水処理方法並びに回路基板及びセラミックパッケージ - Google Patents
セラミック焼結体及びその撥水処理方法並びに回路基板及びセラミックパッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005126275A JP2005126275A JP2003362983A JP2003362983A JP2005126275A JP 2005126275 A JP2005126275 A JP 2005126275A JP 2003362983 A JP2003362983 A JP 2003362983A JP 2003362983 A JP2003362983 A JP 2003362983A JP 2005126275 A JP2005126275 A JP 2005126275A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- ceramic
- surfactant
- insulating substrate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
【解決手段】酸化物セラミックスを主結晶相とする焼結体の表面に、疎水性の界面活性剤が吸着されてなり、該焼結体の表面が撥水性を示すことを特徴とし、温度85℃、湿度85%の大気中で150MPaの応力を100時間加えても破壊しないこと、また、前記主結晶相がアルミナ、ムライト、YAG、フォルステライト、コージェライトの少なくとも1種、前記界面活性剤がノニオン性界面活性剤であることが好ましい。
【選択図】図1
Description
1a・・・基板底部
1b・・・基板堤部
2・・・導体層
2a・・・表面導体層
2b・・・内部導体層
2c・・・裏面導体層
3a・・・メタライズ層
3b・・・メッキ層
4・・・電子素子
4a・・・電子部品
4b・・・半導体素子
5a・・・導電性接着剤
5b・・・ワイヤボンディング
6・・・ロウ材
8・・・蓋体
9・・・背面部
d・・・基板堤部の幅
D・・・基板底部の厚み
T・・・パッケージの高さ
Claims (7)
- 酸化物セラミックスを主結晶相とする焼結体と、該焼結体の表面に吸着した疎水性の界面活性剤とを具備し、該焼結体の表面が撥水性を示すことを特徴とするセラミック焼結体。
- 温度85℃、湿度85%の大気中で150MPaの応力を100時間加えても破壊しないことを特徴とする請求項1記載のセラミック焼結体。
- 前記主結晶相がアルミナ、ムライト、YAG、フォルステライト、コージェライトの少なくとも1種、前記界面活性剤がノニオン性界面活性剤であることを特徴とする請求項1又は2記載のセラミック焼結体。
- 酸化物セラミックスを主結晶相とする焼結体の表面を、疎水基と親水基とを具備する界面活性剤を含有する水溶液に浸漬し、前記酸化物セラミックスの表面に前記界面活性剤を吸着させることを特徴とするセラミック焼結体の撥水処理方法。
- 前記界面活性剤がポリオキシアルキレングリコールのモノアルキルエーテル及び/又はモノアルケニルエーテルであることを特徴とする請求項4記載のセラミック焼結体の撥水処理方法。
- 酸化物セラミック焼結体からなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面及び/又は内部に設けられた導体層と、前記絶縁基板の表面に吸着した疎水性の界面活性剤とを具備し、前記絶縁基板の表面が撥水性を示すことを特徴とする回路基板。
- 電気素子を表面に実装するための基板底部及び該基板底部の外周に一体的に設けられた基板堤部からなる絶縁基板と、該絶縁基板の内部及び/又は表面に設けられた導体層と、前記基板堤部の少なくとも一部に、蓋体を接合するために設けられた金属接合層とを具備し、最小高さが0.5mm以下、前記堤部の幅が0.1〜0.3mm、前記基板底部の厚みが0.1〜0.3mmであるとともに、前記絶縁基板の表面に疎水性の界面活性剤が吸着し、該絶縁基板の表面が撥水性を示すことを特徴とするセラミックパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003362983A JP2005126275A (ja) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | セラミック焼結体及びその撥水処理方法並びに回路基板及びセラミックパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003362983A JP2005126275A (ja) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | セラミック焼結体及びその撥水処理方法並びに回路基板及びセラミックパッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005126275A true JP2005126275A (ja) | 2005-05-19 |
Family
ID=34642435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003362983A Pending JP2005126275A (ja) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | セラミック焼結体及びその撥水処理方法並びに回路基板及びセラミックパッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005126275A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180304A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | パターンの形成方法、及び液滴吐出ヘッド |
CN108538999A (zh) * | 2012-09-25 | 2018-09-14 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装 |
-
2003
- 2003-10-23 JP JP2003362983A patent/JP2005126275A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180304A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | パターンの形成方法、及び液滴吐出ヘッド |
CN108538999A (zh) * | 2012-09-25 | 2018-09-14 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6799479B2 (ja) | 金属−セラミックス回路基板の製造方法 | |
EP2124254B1 (en) | Method for hermetical sealing of piezoelectric element | |
JP5065718B2 (ja) | 圧電素子の気密封止方法、及び、圧電デバイスの製造方法 | |
WO2014002306A1 (ja) | アルミナ質セラミックスおよびそれを用いたセラミック配線基板ならびにセラミックパッケージ | |
JP2001332854A (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP2005126275A (ja) | セラミック焼結体及びその撥水処理方法並びに回路基板及びセラミックパッケージ | |
TWI538268B (zh) | 用來連接一第一電子元件及一第二元件之方法 | |
JPH0794633A (ja) | 金属部材を接合したセラミック基板 | |
Gao et al. | Highly reliable package using Cu particles sinter paste for next generation power devices | |
JP6777065B2 (ja) | 積層電子部品 | |
JP4220869B2 (ja) | セラミックパッケージの製造方法 | |
JP4330757B2 (ja) | 半導体実装型モジュール用セラミック回路基板およびその製造方法 | |
JP4557354B2 (ja) | セラミックス銅回路基板の製造方法 | |
JP4143961B2 (ja) | 積層電子部品 | |
JP2007294795A (ja) | 配線基板 | |
JP2000340716A (ja) | 配線基板 | |
EP3951854A1 (en) | Silicon nitride circuit board, and electronic component module | |
JP5050070B2 (ja) | セラミックス銅回路基板および半導体装置 | |
JP2002334943A (ja) | 電子部品 | |
JP2001342081A (ja) | セラミック部材と金属部材との接合構造および静電チャック並びに半導体素子収納用パッケージ | |
WO2024090143A1 (ja) | 装置、電気装置および基板 | |
JP4514318B2 (ja) | 半導体素子収納基板 | |
JP2004356394A (ja) | 電子部品収納用容器 | |
JP2005101467A (ja) | セラミックパッケージ | |
JP2007043106A (ja) | 気密封止用リッド材およびその製造方法ならびに電子部品用パッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090331 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090825 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091026 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100126 |