JP2005123647A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005123647A5 JP2005123647A5 JP2004370063A JP2004370063A JP2005123647A5 JP 2005123647 A5 JP2005123647 A5 JP 2005123647A5 JP 2004370063 A JP2004370063 A JP 2004370063A JP 2004370063 A JP2004370063 A JP 2004370063A JP 2005123647 A5 JP2005123647 A5 JP 2005123647A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- tox
- gate electrode
- semiconductor substrate
- gate insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
Claims (5)
- 第一導電型の半導体基板と、
該半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜でなるゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、
該半導体基板のゲート電極直下に位置するチャネル形成領域の両側に形成された第二導電型のソース／ドレイン領域とを備えたＭＯＳ型半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜の厚さが２．０ｎｍ以下、前記ゲート電極のゲート長が０．３μｍ以下で、前記ゲート電極のチャネル方向の長さ（Ｌｇ）と前記ゲート絶縁膜の厚さ（Ｔox）の関係が以下の関係
Ｌg ≦１０(Tox-2.02) このときＬg の単位は（μｍ）
Ｔoxの単位は（ｎｍ）
を満足することを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート電極のチャネル方向の長さ（Ｌｇ）と前記ゲート絶縁膜の厚さ（Ｔox）の関係が以下の関係
Ｌg ≦１０(Tox-2.３2) このときＬg の単位は（μｍ）
Ｔoxの単位は（ｎｍ）
を満足することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 第一導電型の半導体基板と、
該半導体基板上に形成されたシリコン窒化膜でなるゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、
該半導体基板のゲート電極直下に位置するチャネル形成領域の両側に形成された第二導電型のソース／ドレイン領域とを備えたＭＯＳ型半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜の厚さが５ｎｍ未満、前記ゲート電極のゲート長が０．３μｍ以下で、前記ゲート電極のチャネル方向の長さ（Ｌｇ）と前記ゲート絶縁膜のシリコン酸化膜換算厚さ（Ｔox）の関係が以下の関係
Ｌg ≦１０(Tox-2.02) このときＬg の単位は（μｍ）
Ｔoxの単位は（ｎｍ）
を満足することを特徴とする半導体装置。 - 第一導電型の半導体基板と、
該半導体基板上に形成されたシリコン酸化窒化膜、またはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の積層膜でなるゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、
該半導体基板のゲート電極直下に位置するチャネル形成領域の両側に形成された第二導電型のソース／ドレイン領域とを備えたＭＯＳ型半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜の厚さがシリコン酸化膜換算で２．５ｎｍ未満、前記ゲート電極のゲート長が０．３μｍ以下で、前記ゲート電極のチャネル方向の長さ（Ｌｇ）と前記ゲート絶縁膜のシリコン酸化膜換算厚さ（Ｔox）の関係が以下の関係
Ｌg ≦１０(Tox-2.02) このときＬg の単位は（μｍ）
Ｔoxの単位は（ｎｍ）
を満足することを特徴とする半導体装置。 - 一部に請求項１ないし４のいずれかの半導体装置を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004370063A JP2005123647A (ja) | 1994-09-13 | 2004-12-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21893994 | 1994-09-13 | ||
| JP2004370063A JP2005123647A (ja) | 1994-09-13 | 2004-12-21 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7258132A Division JPH08139327A (ja) | 1994-09-13 | 1995-09-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005123647A JP2005123647A (ja) | 2005-05-12 |
| JP2005123647A5 true JP2005123647A5 (ja) | 2007-02-01 |
Family
ID=34621717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004370063A Pending JP2005123647A (ja) | 1994-09-13 | 2004-12-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005123647A (ja) |
-
2004
- 2004-12-21 JP JP2004370063A patent/JP2005123647A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007500952A5 (ja) | ||
| JP4384988B2 (ja) | 歪みＦｉｎＦＥＴＣＭＯＳデバイス構造 | |
| JP2002118241A5 (ja) | ||
| JP2000196037A5 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2005086157A5 (ja) | ||
| JP2005536047A5 (ja) | ||
| JP2005531136A5 (ja) | ||
| CN101207086B (zh) | 半导体结构的形成方法 | |
| JP2006516820A5 (ja) | ||
| JP2007511071A5 (ja) | ||
| JP2004343118A5 (ja) | ||
| JP2004158593A5 (ja) | ||
| JP2003204063A5 (ja) | ||
| TW200715562A (en) | Thin film transistor substrate and fabrication thereof | |
| JP2008103737A5 (ja) | ||
| JP2000223714A5 (ja) | ||
| WO2007110507A3 (fr) | Procede de realisation d'un transistor a effet de champ a grilles auto-alignees | |
| WO2004095525A3 (en) | Gate electrode for mos transistors | |
| JP2004134687A5 (ja) | ||
| JP2004111479A5 (ja) | ||
| TWI323489B (en) | Fabricating process and structure of trench power semiconductor device | |
| JP2006245167A5 (ja) | ||
| JP2007059881A5 (ja) | ||
| CN115812232A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| JP3425603B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 |