JP2005123229A - 光ファイバ増幅装置及びその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光ファイバ増幅装置の出力光レベルが一定になるように増幅用光ファイバへの励起光の強度を制御する際、制御手段に負荷をかけずに、最短時間で出力光レベルを監視し、フィードバック制御の周期を自動的に決定する。
【解決手段】 増幅用光ファイバへの励起光の強度の設定値を設定後、光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を予め計測して記憶し、励起光の強度を変更してから経過した時間を計測し、計測した時間が記憶した時間と一致した時点で、光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、励起光の強度の設定値を再度設定する。複数の励起光の強度の設定値を設定する場合には、各々の励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定する時刻のうち、遅くなる時刻において、いずれかの励起光の強度を再設定する。
【選択図】 図1
【解決手段】 増幅用光ファイバへの励起光の強度の設定値を設定後、光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を予め計測して記憶し、励起光の強度を変更してから経過した時間を計測し、計測した時間が記憶した時間と一致した時点で、光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、励起光の強度の設定値を再度設定する。複数の励起光の強度の設定値を設定する場合には、各々の励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定する時刻のうち、遅くなる時刻において、いずれかの励起光の強度を再設定する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、光ファイバ増幅装置及びその制御方法に関し、特に、エルビウムドープファイバ等の増幅用光ファイバへ注入される励起光の強度を制御して光ファイバ増幅装置の出力光のレベルが一定になるように制御する方法に関する。
従来の光ファイバ増幅装置は、例えば、図2に示すように、光信号を入力する入力端子202と、入力端子202から入力した光信号を増幅するエルビウムドープファイバ(EDF)204と、EDF204に前方から励起光を入力する励起用レーザダイオード(以下、「励起レーザ(LD)」と略称する)208と、励起レーザ208からの励起光をEDF204に注入するためのカプラ203と、励起レーザ208に励起光の出力レベルを設定するD/A209と、EDF204に後方から励起光を入力する励起レーザ210と、励起レーザ210からの励起光をEDF204に注入するためのカプラ205と、励起レーザ210に励起光の出力レベルを設定するD/A211と、増幅された出力光信号を分岐するカプラ206と、カプラ206にて分岐された出力光を監視する受光素子(PD)212と、受光素子212で受光した出力信号をデジタル変換するA/D213と、出力光信号を出力する出力端子207と、前方及び後方励起レーザの出力レベルの設定、及び出力光のレベルモニタ制御を行うCPU214とを備える。
しかし、上記従来の光ファイバ増幅装置201においては、出力光レベルを監視する受光素子212からのモニタ値を読み込み、出力光のレベルが一定になるように、前方励起レーザまたは後方励起レーザに制御値を設定し、出力光レベルモニタの値が変化してから出力光のレベルが安定するまでフィードバック制御のための出力光を監視せず、出力光のレベルが安定するまでの最も遅い時間の周期で主力光を監視し、フィードバック制御を行っていた。そのため、EDF204の種類や励起レーザ208、210の種類によってフィードバック制御の周期を制御ファームウエアの変更によって決定する必要があり、CPU214への負荷が大きくなるとともに、制御に時間がかかるという問題があった。
そこで、本発明は、上記従来の光ファイバ増幅装置における問題点に鑑みてなされたものであって、出力光のレベルが一定になるようにEDFに励起光の強度を制御する光ファイバ増幅装置において、CPUに負荷をかけることなく、最短時間で出力光のレベルを監視し、フィードバック制御の周期を自動的に決定することのできる光ファイバ増幅装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、光ファイバ増幅装置であって、光信号を入力する入力端子と、該入力端子から入力された光信号を増幅する増幅用光ファイバと、該増幅用光ファイバに励起光を注入する励起光注入手段と、前記増幅用光ファイバによって増幅された光信号を出力する出力端子と、前記増幅用光ファイバによって増幅された光信号を分岐させる分岐手段と、該分岐手段によって分岐された光信号のレベルを監視する監視手段と、該監視手段によって測定された光信号レベルに基づいて、前記励起光注入手段から前記増幅用光ファイバへ注入する励起光の強度を制御する制御手段と、該制御手段が前記励起光の強度の設定値が設定されたことを認識する第1の認識手段と、前記監視手段によって測定される光信号レベルの安定度を認識する第2の認識手段と、前記第1の認識手段が前記励起光の強度の設定値の設定を認識した時刻から、前記第2の認識手段が前記光信号レベルが安定したことを認識した時刻までの時間を計測する計時手段と、該計時手段によって計測された時間を記憶する記憶手段と、前記制御手段による設定値の設定後、前記記憶手段に記憶された時間が経過した時点で、前記制御手段に前記励起光の強度を制御するための割り込み信号を発生させる割り込み信号発生手段とを備えることを特徴とする。
そして、本発明によれば、制御手段によって増幅用光ファイバへ注入する励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を、第1の認識手段、第2の認識手段、計時手段、及び記憶手段によって予め計測して記憶し、計時手段によって前記励起光の強度を変更してから経過した時間を計測し、計測した時間が記憶手段に記憶した時間と一致した時点で、制御手段によって光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、前記励起光の強度の設定値を再度設定することができるため、制御手段が励起光の強度の設定値を設定してから監視手段によって増幅された光信号レベルの測定までのフィードバック制御の制御周期を最短とすることができ、制御手段の負荷を軽減することができる。
上記光ファイバ増幅装置において、前記増幅用光ファイバをエルビウムドープファイバとし、前記励起光注入手段を、該エルビウムドープファイバを前方または後方から励起する励起用レーザダイオードを含むように構成することができる。
また、本発明は、光ファイバ増幅装置の制御方法であって、増幅用光ファイバへ注入する励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を予め計測して記憶し、前記励起光の強度を変更してから経過した時間を計測し、該計測した時間が前記記憶した時間と一致した時点で、前記光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、前記励起光の強度の設定値を再度設定することを特徴とする。これによって、励起光の強度の設定値を設定してから増幅された光信号レベルの測定までのフィードバック制御の制御周期を最短とすることができ、制御手段の負荷を軽減することができる。
上記光ファイバ増幅装置の制御方法において、前記励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を計測するにあたって、該光ファイバ増幅装置の入力端子に外部光源を接続して一定の光を入力することができる。
また、上記光ファイバ増幅装置の制御方法において、前記励起光を、増幅用光ファイバとしてのエルビウムドープファイバを前方または後方から励起する励起用レーザダイオードによる励起光とすることができる。
さらに、本発明は、光ファイバ増幅装置の制御方法であって、第1の励起光の強度の設定値を設定してから該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの第1の時間を予め計測して記憶し、増幅用光ファイバへ注入する第2の励起光の強度の設定値を設定してから該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの第2の時間を予め計測して記憶し、前記第1及び第2の励起光の強度の設定値を設定した時刻と、前記記憶した第1及び第2の時間から算出される該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定する時刻のうち、遅くなる時刻において、該光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、前記第1または/及び第2の励起光の強度の設定値を再度設定することを特徴とする。これによって、複数の励起光を用いる場合、及び増幅用光ファイバを多段構成にした場合等において、複数の励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまで最も長くかかる時間で計時して励起光の強度の設定値を再設定するため、制御周期を最短にすることができ、制御手段の負荷を軽減することができる。
以上説明したように、本発明によれば、出力光のレベルが一定になるようにEDF等の増幅用光ファイバへの励起光の強度を制御する光ファイバ増幅装置において、CPU等の制御手段に負荷をかけることなく、最短時間で出力光のレベルを監視し、フィードバック制御の周期を自動的に決定することができる。
図1は、本発明にかかる光ファイバ増幅装置の一実施の形態を示し、この光ファイバ増幅装置101は、光信号を入力する入力端子102と、入力端子102から入力した光信号を増幅する増幅用光ファイバとしてのエルビウムドープファイバ(EDF)104と、EDF104に前方から励起光を入力する励起レーザ(励起光注入手段)108と、励起レーザ108からの励起光をEDF104に注入するためのカプラ(分岐手段)103と、励起レーザ108に励起光の出力レベルを設定するD/A109と、EDF104に後方から励起光を入力する励起レーザ110と、励起レーザ110からの励起光をEDF104に注入するためのカプラ105と、励起レーザ110に励起光の出力レベルを設定するD/A111と、増幅された出力光信号を分岐するカプラ106と、カプラ106にて分岐された出力光を監視する受光素子112と、受光素子112で受光された出力信号をデジタル変換するA/D113と、出力光信号を出力する出力端子107と、前方及び後方励起レーザの出力レベル設定、及び出力光のレベルモニタ制御を行うCPU114とを備える。
この光ファイバ増幅装置101には、さらに、CPU114から前方励起レーザ108に設定するD/A109と、後方励起レーザ110に設定するD/A111とに設定を書き込んだことを認識する手段(第1の認識手段)と、出力光のレベル監視用受光素子112の受光レベルをデジタルデータ化したA/D113の出力情報の安定度を認識する手段(第2の認識手段)と、D/A109またはD/A111にCPU114からの書き込みをトリガとして一定時間のカウント動作を行う手段(計時手段)と、カウント値を記憶しておく不揮発性メモリ(記憶手段)と、一定時間終了時にCPU114に対して割り込み信号を発生させる手段とを有する制御部115を備える。
次に、上記構成を有する光ファイバ増幅装置の動作について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1において、光ファイバ増幅装置101は、実動作の前段階の動作として、入力端子102に外部光源を接続し、一定の光を入力する。CPU114は、前方励起レーザ108のD/A109に規定の設定値を書き込む。制御部115は、CPU114からD/A109に対して設定値が書き込まれたことを認識し、内部のカウンタをスタートさせる。制御部115は、A/D113のデータが変化してから安定するまで監視する手段を有し、A/D113のデータが安定するまでカウンタ動作を続ける。
制御部115がA/D113のデータが安定化したことを認識すると、カウント動作を停止し、カウント結果を制御部115内の不揮発性メモリに書き込む。同様に、D/A111側のカウント動作を行い、カウント結果を制御部115内の不揮発性メモリに書き込む。
次に、光ファイバ増幅装置101の実動作について説明する。CPU114は、出力光監視用受光素子112にて受信した出力光レベルをA/D113にてデジタル処理したデータを読み出す。読み出された出力光レベルが予め設定された値になるように、前方励起レーザ108のD/A109または後方励起レーザ110のD/A111に設定を行う。ここで、前方励起レーザ側のD/A109に設定値を書き込んだ場合には、制御部115は、書き込みと同時にカウンタをスタートさせる。カウンタの値が不揮発性メモリに書き込まれた前方励起レーザ側のカウント値と一致すると、カウンタ値をクリアし、CPU114に対して割り込み信号を発生させる。
CPU114は、割り込み信号を受けると、出力光監視用受光素子112にて受信された出力光レベルをA/D113にてデジタル処理されたデータを読み出し、出力光レベルが設定された値になっているか否かを確認し、設定値に達していない場合には、次の設定制御を行う。CPU114は、D/A109に対して設定が行われなかった場合には、常に最短の周期で出力光を監視する。
次に、制御部115の動作について、図3を参照しならがら詳細に説明する。尚、同図では、制御対象のD/Aの数を任意の整数nとしている。この実施の形態では、n=2として説明する。
制御部301は、制御対象であるD/Aへの書込みパルスをトリガとしてカウンタ303を動作させる。先に説明した実動作の前段階では、1番目のD/Aに対する書込みパルスを認識し、カウンタ303のカウントを動作させる。安定度検出部302は、A/D読込みデータをカウント動作と同期して監視し、A/Dの読み値の変化量がある一定の値以下になった場合に安定したと認識する。安定度検出部302がA/D値のデータ安定を検出すると、カウンタ303に対して安定検出信号を送り、カウンタ303は、カウント動作を停止すると同時に、不揮発性メモリ304に1番目のD/Aのカウント値として書き込みを行う。同様に、2番目のD/Aに対しても、カウント、安定度の検出を実施し、不揮発性メモリ304に書込みを行う。
次に、実動作時では、1番目のD/Aまたは2番目のD/Aに書込みが行われると、カウンタ303は、カウント動作を開始する。以下、1番目のD/Aに対して書込みを行った場合について説明する。CPU305が、1番目のD/Aに対して書込みを行うと、1番目のD/Aへの書込みパルスをトリガとして、カウンタ303はカウント動作を開始する。カウンタ303は、1番目のD/Aのカウント値を不揮発性メモリ304から読み出し、現在実行中のカウント値が不揮発性メモリ304から読み出したカウント値に達すると、割込み信号をCPU305に対して発出する。
ここで、カウンタ303及び安定検出部302へは、CPU305から現在の動作が実動作であるのか実動作前状態であるのかを識別するための信号が出力され、実動作時の安定検出回路停止、実動作前状態での割込み信号発出停止を行う。
次に、本発明にかかる光ファイバ増幅装置のもう一つの実施の形態について、図4を参照しながら説明する。尚、本実施の形態は、EDFの多段接続、及びVOA(Variable Optical Attenuator)による制御機能を追加した構成になっている。
この光ファイバ増幅装置401は、光信号を入力する入力端子402と、入力端子402から入力した光信号を増幅する第1段目のエルビウムドープファイバ(EDF)404と、1段目のEDF404に前方から励起光を入力する励起レーザ412と、励起レーザ412からの励起光を1段目のEDF404に注入するためのカプラ403と、励起レーザ412に励起光の出力レベルを設定するD/A413と、1段目のEDF404に後方から励起光を入力する励起レーザ414と、励起レーザ414からの励起光を1段目のEDF404に注入するためのカプラ405と、励起レーザ414に励起光の出力レベルを設定するD/A415と、利得平坦度制御用のVOA406と、VOA406を制御するためのD/A416と、第2段目のエルビウムドープファイバ408と、2段目のEDF408に前方から励起光を入力する励起レーザ417と、励起レーザ417からの励起光を2段目のEDF408に注入するためのカプラ407と、励起レーザ417に励起光の出力レベルを設定するD/A418と、2段目のEDF408に後方から励起光を入力する励起レーザ419と、励起レーザ419からの励起光を2段目のEDF408に注入するためのカプラ409と、励起レーザ419に励起光の出力レベルを設定するD/A420と、増幅された出力光信号を分岐するカプラ410と、カプラ410にて分岐された出力光を監視する受光素子421と、受光素子421で受光された出力信号をデジタル変換するA/D422と、出力光信号を出力する出力端子411と、1段目のEDF404の前方及び後方励起レーザの出力レベルの設定、2段目のEDF408の前方及び後方励起レーザの出力レベルの設定、VOA406の設定、及び出力光のレベルモニタ制御を行うCPU424と、CPU424から励起レーザに設定するD/Aに設定を書き込んだことを認識する手段と、出力光のレベル監視用受光素子421の受光レベルをデジタルデータ化したA/D422の出力情報を読み取り、安定度を認識する手段と、励起レーザのD/AまたはVOAのD/AにCPU424からの書き込みをトリガとして一定時間のカウント動作を行う手段と、カウント値を記憶しておく不揮発性メモリと、一定時間終了時にCPU424に対して割り込み信号を発生させる手段を有する制御部423を有する。
次に、上記構成を有する光ファイバ増幅装置401の動作について説明する。光ファイバ増幅装置401は、前述と同様に、実動作の前段階の動作として、入力端子402に外部光源を接続して一定の光を入力する。CPU424は、励起レーザ412のD/A413に設定値を書き込む。制御部423は、CPU424からD/A413に対しての書込みを認識すると、カウンタを動作させる。制御部423は、A/D422のデータが変化してから安定するまで監視する手段を有し、安定するまでカウンタの動作を続ける。制御部423がA/D422のデータが安定化したことを認識すると、カウント動作を停止し、カウント結果を制御部423内の不揮発性メモリに書き込む。同様に、D/A415、D/A416、D/A418、D/A420を順に制御し、カウント動作を行い、カウント結果を制御部423内の不揮発性メモリに書き込む。
次に、光ファイバ増幅装置401の実動作では、CPU424は、出力光監視用受光素子421にて受信された出力光レベルをA/D422にてデジタル処理されたデータを読み出す。CPU424は、制御方針に従って、読み出された出力光レベルが予め設定された値になるように、1段目のEDF404の前方励起レーザ412のD/A413または後方励起レーザ414のD/A415への設定、あるいは、2段目のEDF408の前方励起レーザ417のD/A418または後方励起レーザ419のD/A420への設定、あるいは、VOA406の制御値の設定を実施する。一例として、1段目のEDF404の前方励起レーザのD/A413に設定値が書き込まれた場合には、制御部423は、D/A413への書き込み信号をトリガとしてカウンタを動作させる。カウンタの値が不揮発性メモリに書き込まれた前方励起レーザ側のカウント値と一致すると、カウンタ値をクリアし、CPU424に対して割り込み信号を発生させる。CPU424は、割り込み信号を受けると、出力光監視用受光素子421にて受信された出力光レベルをA/D422にてデジタル処理したデータを読み出し、出力光レベルが設定された値になっているか否かを確認し、設定値に達していない場合には、次の設定制御を行う。CPU423は、D/Aに対して設定が行われなかった場合には、常に最短の周期で出力光の監視する。
別の動作時の一例として、1回の制御周期内で複数の制御デバイスに対して制御をかけた場合の動作について説明する。ここで、1回の制御周期内で1段目のEDF404の前方励起レーザ412のD/A413とVOA406のD/A416に設定値が書き込まれた場合には、制御部423は、最初に書き込まれたデバイスのD/Aへの書き込み信号をトリガとしてカウンタをスタートさせる。最初に書き込まれたデバイスが1段目のEDF404の前方励起レーザ412のD/A413の場合には、D/A413への書き込み信号をトリガにカウンタをスタートさせる。カウンタの値が不揮発性メモリに書き込まれた1段目のEDF404の前方励起レーザ側のカウント値と一致する前に、別のデバイスVOA416のD/A416の書き込み信号を検出した場合には、制御部423では、D/A416への書き込みから再カウントさせ、不揮発性メモリ内のVOA406のカウント値に達するまでの時間と、現在のカウント動作を継続し、1段目の不揮発性メモリ内のEDF404の前方励起レーザ412のD/A413のカウント値と一致するまでの時間を比較し、長い方の時間のカウント制御に切り替える。カウント値が不揮発性メモリ内のカウント値と一致すると、制御部423からCPU424へ割込み信号を発生させる。
図5に、上記カウント動作からCPU割り込み発生までの概略図を示す。複数制御時の実動作(1)では、最初のデバイスに対する書き込みからカウンタをスタートさせ、不揮発性メモリ内のカウント値と一致するまでの時間と、次のデバイスに対する書き込みからカウンタをスタートさせて不揮発性メモリ内のカウント値と一致するまでの時間を比較する。ここでは、最初のデバイスに対する書き込みからのカウント時間の方が長いため、最初のデバイスに対しての書き込みからのカウント値が不揮発性メモリ内のカウント値と一致した条件でCPUに対する割り込みが発生する。
複数制御時の実動作(2)の場合では、最初のデバイスに対する書き込みからのカウント時間よりも、次のデバイスに対する書き込みからのカウント時間の方が長いため、2番目のデバイスに対しての書き込みからのカウント値が不揮発性メモリ内のカウント値と一致した条件でCPUに対する割り込みを発生する。
101 光ファイバ増幅装置
102 入力端子
103 カプラ
104 EDF
105 カプラ
106 カプラ
107 出力端子
108 励起レーザ
109 D/A
110 励起レーザ
111 D/A
112 受光素子
113 A/D
114 CPU
115 制御部
201 光ファイバ増幅装置
202 入力端子
203 カプラ
204 EDF
205 カプラ
206 カプラ
207 出力端子
208 励起レーザ
209 D/A
210 励起レーザ
211 D/A
212 受光素子
213 A/D
214 CPU
301 制御部
302 安定度検出部
303 カウンタ
304 不揮発性メモリ
305 CPU
401 光ファイバ増幅装置
402 入力端子
403 カプラ
404 EDF
405 カプラ
406 VOA
407 カプラ
408 EDF
409 カプラ
410 カプラ
411 出力端子
412 励起レーザ
413 D/A
414 励起レーザ
415 D/A
416 D/A
417 励起レーザ
418 D/A
419 励起レーザ
420 D/A
421 受光素子
422 A/D
423 制御部
424 CPU
102 入力端子
103 カプラ
104 EDF
105 カプラ
106 カプラ
107 出力端子
108 励起レーザ
109 D/A
110 励起レーザ
111 D/A
112 受光素子
113 A/D
114 CPU
115 制御部
201 光ファイバ増幅装置
202 入力端子
203 カプラ
204 EDF
205 カプラ
206 カプラ
207 出力端子
208 励起レーザ
209 D/A
210 励起レーザ
211 D/A
212 受光素子
213 A/D
214 CPU
301 制御部
302 安定度検出部
303 カウンタ
304 不揮発性メモリ
305 CPU
401 光ファイバ増幅装置
402 入力端子
403 カプラ
404 EDF
405 カプラ
406 VOA
407 カプラ
408 EDF
409 カプラ
410 カプラ
411 出力端子
412 励起レーザ
413 D/A
414 励起レーザ
415 D/A
416 D/A
417 励起レーザ
418 D/A
419 励起レーザ
420 D/A
421 受光素子
422 A/D
423 制御部
424 CPU
Claims (6)
- 光信号を入力する入力端子と、
該入力端子から入力された光信号を増幅する増幅用光ファイバと、
該増幅用光ファイバに励起光を注入する励起光注入手段と、
前記増幅用光ファイバによって増幅された光信号を出力する出力端子と、
前記増幅用光ファイバによって増幅された光信号を分岐させる分岐手段と、
該分岐手段によって分岐された光信号のレベルを監視する監視手段と、
該監視手段によって測定された光信号レベルに基づいて、前記励起光注入手段から前記増幅用光ファイバへ注入する励起光の強度を制御する制御手段と、
該制御手段が前記励起光の強度の設定値が設定されたことを認識する第1の認識手段と、
前記監視手段によって測定される光信号レベルの安定度を認識する第2の認識手段と、
前記第1の認識手段が前記励起光の強度の設定値の設定を認識した時刻から、前記第2の認識手段が前記光信号レベルが安定したことを認識した時刻までの時間を計測する計時手段と、
該計時手段によって計測された時間を記憶する記憶手段と、
前記制御手段による設定値の設定後、前記記憶手段に記憶された時間が経過した時点で、前記制御手段に前記励起光の強度を制御するための割り込み信号を発生させる割り込み信号発生手段とを備えることを特徴とする光ファイバ増幅装置。 - 前記増幅用光ファイバは、エルビウムドープファイバであって、前記励起光注入手段は、該エルビウムドープファイバを前方または後方から励起する励起用レーザダイオードを含むことを特徴とする請求項1記載の光ファイバ増幅装置。
- 増幅用光ファイバへ注入する励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を予め計測して記憶し、
前記励起光の強度を変更してから経過した時間を計測し、
該計測した時間が前記記憶した時間と一致した時点で、前記光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、前記励起光の強度の設定値を再度設定することを特徴とする光ファイバ増幅装置の制御方法。 - 前記励起光の強度の設定値を設定してから該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を計測するにあたって、該光ファイバ増幅装置の入力端子に外部光源を接続して一定の光を入力することを特徴とする請求項3に記載の光ファイバ増幅装置の制御方法。
- 前記励起光は、増幅用光ファイバとしてのエルビウムドープファイバを前方または後方から励起する励起用レーザダイオードによる励起光であることを特徴とする請求項3または4記載の光ファイバ増幅装置の制御方法。
- 光ファイバ増幅装置の第1の励起光の強度の設定値を設定してから該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの第1の時間を予め計測して記憶し、
該光ファイバ増幅装置の第2の励起光の強度の設定値を設定してから該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの第2の時間を予め計測して記憶し、
前記第1及び第2の励起光の強度の設定値を設定した時刻と、前記記憶した第1及び第2の時間から算出される該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定する時刻のうち、遅くなる時刻において、該光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、前記第1または/及び第2の励起光の強度の設定値を再度設定することを特徴とする光ファイバ増幅装置の制御方法。
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