JP2005116908A - 配線基板の製造方法及び配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁基板に設けた位置決め用の開口部（パーフォレーション孔）の周辺に補強導体を設けた配線基板において、前記開口部内のバリや異物付着を低減する。
【解決手段】テープ状の絶縁基板の表面に導体膜を形成し、前記導体膜をエッチング処理して、導体配線、及び前記絶縁基板の長手方向に沿った補強導体を形成し、前記絶縁基板の、前記補強導体を形成した領域を打ち抜いて、開口部（パーフォレーション孔）を形成する配線基板の製造方法において、前記補強導体は、前記開口部を形成する領域が開口するように形成し、前記補強導体の開口した領域内の絶縁基板を打ち抜いて、前記開口部を形成する配線基板の製造方法である。
【選択図】 図９

Description

本発明は、配線基板の製造方法及び配線基板に関し、特に、ＣＯＦ（Chip On Film）などの半導体装置に用いられる薄型の配線基板に適用して有効な技術に関するものである。

従来、テープキャリアパッケージ（Tape Carrier Package）などの半導体装置に用いられる配線基板（テープキャリア）は、フィルム状の絶縁基板の表面に、所定のパターンの導体配線が設けられている。

前記配線基板は、図１２及び図１３に示すように、ポリイミドテープのような一方向に長尺なテープ状の絶縁基板１を用いており、前記絶縁基板１上に設けられた複数の半導体装置形成領域Ｌ１のそれぞれに、半導体装置を形成するための導体配線２０１が連続的に設けられている。ここで、図１３は図１２のＦ−Ｆ’線での断面図である。

また、前記絶縁基板１は、長手方向の端部に沿って、半導体装置を形成する際の位置決めや搬送ガイドに用いる第２開口部（パーフォレーション孔）１Ａが設けられている。

また、近年では、半導体装置の薄型化にともない、前記配線基板、特に、前記絶縁基板１の薄型化が進んでおり、例えば、液晶ディスプレイの駆動用ドライバＩＣ等のＣＯＦ型の半導体装置に用いられる配線基板では、ポリイミドテープ（絶縁基板１）の厚さが、例えば、２５μｍから４０μｍ程度になってきている。

また、前記絶縁基板１の薄型化が進むと、前記絶縁基板１の強度の低下による第２開口部１Ａの周辺でのテープ切れや、前記絶縁基板１の変形、歪みによる位置精度の低下が起きやすいため、図１２及び図１３に示したように、前記絶縁基板１の長手方向の端部、すなわち、前記第２開口部１Ａが設けられた領域に補強導体２０２を設け、前記絶縁基板１の強度を確保している（例えば、特許文献１）。

また、前記補強導体２０２は、前記絶縁基板１の長手方向の端部に沿って帯状に設けられているため、搬送時や各工程で前記配線基板に生じた静電気を除去する役目もある。

前記補強導体２０２が設けられた配線基板の製造方法を簡単に説明すると、まず、図１４及び図１５に示すように、一方向に長尺なテープ状の絶縁基板１の表面に導体膜２を形成する。このとき、前記絶縁基板１の幅は、前記配線基板として用いるときの幅よりも広く、例えば、半導体装置を形成する工程で前記配線基板として用いるときの幅が３５mmである場合には、幅が４５mm、あるいは７０mmなどの基板を用いる。またこのとき、前記絶縁基板１の、配線基板として用いる領域１０１の外側の領域１０２に、前記絶縁基板１の長手方向に沿って、前記配線基板を形成する工程での位置決めや搬送ガイドに用いる第１開口部（第１パーフォレーション孔）１Ｂを形成しておく。

また、前記導体膜２は、例えば、電解銅箔や圧延銅箔などを接着して形成するが、このとき、前記第１開口部１Ｂを塞がないように、前記絶縁基板１の中央付近の、配線基板として用いる領域１０１全面に形成する。

次に、図１６及び図１７に示すように、前記導体膜２をエッチング処理して、半導体装置形成領域Ｌ１内の導体配線２０１及び前記配線基板として用いる領域１０１の端部に沿った補強導体２０２を形成する。

このとき、前記導体配線２０１及び前記補強導体２０２は、例えば、図１７に示したように、前記導体膜２上に、半導体装置を形成するための導体配線２０１及び補強導体２０２のパターンに対応したレジスト（エッチングレジスト）３を形成し、前記導体膜２をエッチング処理して形成する。

また、前記導体配線２０１及び前記補強導体２０２を形成した後、図示は省略するが、例えば、前記導体配線２０１上に、はんだ保護膜や端子めっき等を形成する。

次に、図１８及び図１９に示すように、例えば、金型、すなわち、ダイ４とパンチ５を用いて、前記補強導体２０２及び前記絶縁基板１を打ち抜き、第２開口部（第２パーフォレーション孔）１Ａを形成する。

その後、前記絶縁基板を、前記補強導体２０２が設けられた領域の外側、すなわち、前記第１開口部１Ｂが形成された領域１０２を切断して除去し、前記絶縁基板１を所定の幅、例えば３５mmにすることにより、図１２及び図１３に示したような配線基板を得ることができる。

前記図１２及び図１３に示したような配線基板を用いて半導体装置を製造する工程は、例えば、前記配線基板上の各半導体チップ実装領域Ｌ２に半導体チップを実装し、前記半導体チップの外部電極（ボンディングパッド）と前記導体配線の接続部を熱硬化性樹脂で封止し、前記各半導体装置形成領域Ｌ１を切断して個片化する。

このとき、前記各工程は、リールツーリール（reel to reel）方式で行われ、前記配線基板の開口部（第２開口部）１Ａを利用して位置決めを行う。
特開平２−９１９５６号公報

しかしながら、前記従来の技術では、前記導体膜２をエッチング処理して、前記導体配線２０１及び前記補強導体２０２を形成した後、図１８及び図１９に示したように、前記補強導体２０２及び前記絶縁基板１を打ち抜いて前記第２開口部（パーフォレーション孔）１Ａを形成している。そのため、前記補強導体２０２と前記絶縁基板１のせん断応力の違いなどから、図２０に示すように、第２開口部１Ａ内にバリ８や、金属屑（図示しない）等の異物付着が生じやすいという問題があった。

また、前記バリ８や異物付着による前記第２開口部１Ａの形状不良は、前記配線基板を用いて半導体装置を形成する際の位置決めの精度を低下させる原因、あるいは異物が混入して半導体装置の信頼性が低下する原因となるため、その配線基板は不良品となり、配線基板の製造歩留まりが低下し、配線基板の製造コストが上昇するという問題があった。

また、前記バリや異物付着により前記第２開口部の形状が粗いと、前記配線基板を用いて半導体装置を形成する際の位置決めの精度が低下するため、半導体装置の製造歩留まりが低下するという問題があった。

本発明の目的は、絶縁基板に設けた位置決め用の開口部（パーフォレーション孔）の周辺に補強導体を設けた配線基板において、前記開口部内のバリや異物付着を低減することが可能な技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、絶縁基板に設けた位置決め用の開口部（パーフォレーション孔）の周辺に補強導体を設けた配線基板の製造歩留まりを向上させ、前記配線基板の製造コストを低減することが可能な技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、絶縁基板に設けた位置決め用の開口部の周辺に補強導体を設けた配線基板を用いて形成する半導体装置の製造歩留まりの低下を防ぐことが可能な技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。

本願において開示される発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。

（１）テープ状の絶縁基板の表面に導体膜を形成し、前記導体膜をエッチング処理して、導体配線及び前記絶縁基板の長手方向に沿った補強導体を形成し、前記絶縁基板の、前記補強導体を形成した領域を打ち抜いて、開口部（パーフォレーション孔）を形成する配線基板の製造方法において、前記補強導体は、前記開口部を形成する領域が開口するように形成し、前記補強導体の開口した領域内の絶縁基板を打ち抜いて、前記開口部を形成する配線基板の製造方法である。

前記（１）の手段によれば、前記補強導体を形成する際に、前記開口部（パーフォレーション孔）を形成する部分を開口しておくことにより、前記絶縁基板のみを打ち抜いて前記開口部を形成することができる。そのため、従来のように、前記絶縁基板及び前記補強導体を打ち抜く場合に比べ、前記開口部内にバリ（残留物）が発生しにくい。また、前記絶縁基板のみを打ち抜くことにより、前記補強導体のバリ、金属屑の発生を防ぐことができる。

また、前記開口部内に、前記バリや金属屑が生じることや、開口部の形状不良による配線基板の製造歩留まりの低下を防げ、配線基板の製造コストを低減することができる。

またこのとき、前記絶縁基板は、長手方向の端部に沿って第１開口部（第１パーフォレーション孔）が形成されており、前記第１開口部が形成された領域の内側に、前記導体膜を形成し、前記導体膜をエッチング処理して前記導体配線及び前記補強導体を形成し、前記補強導体を形成した領域を打ち抜いて第２開口部（第２パーフォレーション孔）を形成した後、前記絶縁基板の、前記第２開口部を形成した領域の外側を切断除去する。

（２）テープ状の絶縁基板の長手方向に沿って開口部（パーフォレーション孔）が設けられ、前記絶縁基板の表面に導体配線が設けられ、前記絶縁基板の前記開口部の周辺に、前記開口部上が開口した補強導体が設けられている配線基板において、前記補強導体の開口部の面積は、前記絶縁基板の開口部の面積よりも広く、前記絶縁基板の開口部は、前記補強導体の開口部の内部領域に設けられている配線基板である。

前記（２）の手段によれば、前記絶縁基板の開口部が、前記補強導体の開口部の内部領域に設けられていることにより、前記開口部（パーフォレーション孔）の内部にバリや金属屑が残りにくく、開口部の形状不良が少ないため、前記配線基板を用いて半導体装置を製造する際の、位置決めの精度の低下を防ぐことができる。そのため、前記半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。

また、前記開口部の内部に金属屑などの異物が残りにくいため、前記配線基板を用いて半導体装置を製造する際に、異物の混入による装置の信頼性の低下を防げる。

以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。

なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰り返しの説明は省略する。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

（１）絶縁基板に設けた位置決め用の開口部（パーフォレーション孔）の周辺に補強導体を設けた配線基板において、前記開口部内のバリや異物付着を低減することができる。

（２）絶縁基板に設けた位置決め用の開口部（パーフォレーション孔）の周辺に補強導体を設けた配線基板の製造歩留まりを向上させ、前記配線基板の製造コストを低減することができる。

（３）絶縁基板に設けた位置決め用の開口部の周辺に補強導体を設けた配線基板を用いて形成する半導体装置の製造歩留まりの低下を防ぐことができる。

（実施例）
図１乃至図３は、本発明による一実施例の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図１は配線基板の平面図、図２は図１に示した配線基板のＡ−Ａ’線での断面図、図３（ａ）は図１に示した配線基板の領域Ｌ３の拡大平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。

図１乃至図３において、１は絶縁基板、１Ａは第２開口部（パーフォレーション孔）、２０１は導体配線、２０２は補強導体、２０２Ａは補強導体の開口部、Ｌ１は半導体装置形成領域、Ｌ２は半導体チップ実装領域、Ｗ１は開口部１Ａの一辺の長さ、Ｗ２は補強導体の開口部２０２Ａの一辺の長さ、Ｗ３は段差幅である。

本実施例の配線基板は、図１及び図２に示したように、テープ状の絶縁基板１の長手方向に沿って第２開口部（パーフォレーション孔）１Ａを設け、前記絶縁基板１の表面に導体配線２０１を設け、前記絶縁基板１の前記第２開口部１Ａの周辺に、前記第２開口部１Ａ上が開口した補強導体２０２を設けた配線基板である。

このとき、前記絶縁基板１は、一方向に長尺なテープ状で、前記導体配線２０１及び前記補強導体２０２は、リールツーリール（reel to reel）方式で形成されており、前記絶縁基板１上に設けられている多数個の半導体装置形成領域Ｌ１のそれぞれに、図１に示したように、同種のパターンの導体配線２０１が設けられている。

また、前記配線基板は、例えば、液晶ディスプレイのドライバＩＣなどに用いられるＣＯＦ（Chip On Film）型の半導体装置のように、小型、薄型の半導体装置に用いられる配線基板であり、前記絶縁基板１には、例えば、厚さが２５μｍから４０μｍ程度の薄いポリイミドテープを用いている。そのため、搬送中の変形やテープ切れを防ぐために、前記第２開口部（パーフォレーション孔）１Ａの周辺、すなわち、前記絶縁基板１の長手方向の端部に沿って補強導体２０２を設けている。

また、前記補強導体の開口部２０２Ａの面積は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示したように、前記絶縁基板の第２開口部１Ａの面積よりも広く、前記絶縁基板の第２開口部１Ａは、前記補強導体の開口部２０２Ａの内部領域に設けられている。このとき、前記絶縁基板の第２開口部１Ａの形状が、図３（ａ）に示したように、矩形状であり、前記第２開口部（パーフォレーション孔）１Ａの一辺の長さＷ１は、例えば、１．９８１mm、あるいは１．４２０mm程度であるため、前記補強導体の開口部２０２Ａの一辺の長さＷ２は、前記第２開口部１Ａの一辺の長さＷ１よりも若干長くなるように形成し、前記絶縁基板の第２開口部１Ａの内壁と前記補強導体の内壁２０２Ａに段差ができるようにしている。またこのとき、前記段差の幅Ｗ３は、４辺とも均等になるのが好ましく、それぞれ、０．１mm程度になるように設ける。

図４乃至図９は、本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図４は絶縁基板の表面に導体膜を形成する工程の平面図、図５は図４のＣ−Ｃ’線での断面図、図６は導体配線及び補強導体を形成する工程の平面図、図７は図６のＤ−Ｄ’線での断面図、図８は第２開口部（第２パーフォレーション孔）を形成する工程の平面図、図９は図８のＥ−Ｅ’線での断面図である。

以下、図４乃至図９に沿って、本実施例の配線基板の製造方法について説明する。

まず、図４及び図５に示すように、一方向に長尺なテープ状の絶縁基板１の表面に導体膜２を形成する。このとき、前記絶縁基板１の幅は、前記配線基板として用いるときの幅よりも広く、例えば、半導体装置を形成する工程で前記配線基板として用いるときの幅が３５mmである場合には、幅が４５mm、あるいは７０mmなどの基板を用いる。またこのとき、前記絶縁基板１の、配線基板として用いる領域１０１の外側の領域１０２には、前記絶縁基板１の長手方向に沿って、前記配線基板を形成する際の位置決めに用いる第１開口部（第１パーフォレーション孔）１Ｂを形成しておく。

また、前記導体膜２は、例えば、電解銅箔や圧延銅箔などを接着して形成するが、このとき、前記第１開口部１Ｂを塞がないように、前記絶縁基板１の中央付近の、配線基板として用いる領域１０１の全面に形成する。

次に、図６及び図７に示すように、前記導体膜２をエッチング処理して、半導体装置形成領域Ｌ１内の導体配線２０１及び前記配線基板として用いる領域１０１の端部に沿った補強導体２０２を形成する。

このとき、前記導体配線２０１及び前記補強導体２０２は、例えば、図７に示したように、前記導体膜２上に、半導体装置を形成するための導体配線２０１及び補強導体２０２のパターンに対応したレジスト（エッチングレジスト）３を形成し、前記導体膜２をエッチング処理して形成する。

またこのとき、前記補強導体２０２は、後の工程で開口部（第２開口部）１Ａを形成する領域に、前記第２開口部１Ａの面積よりも広い開口部２０２Ａを形成するため、前記補強導体２０２上のエッチングレジスト３には、開口部３Ａを設ける。

また、前記導体配線２０１及び前記補強導体２０２を形成した後、図示は省略するが、例えば、前記導体配線２０１上に、はんだ保護膜や端子めっき等を形成する。

次に、図８及び図９に示すように、例えば、金型、すなわち、ダイ４とパンチ５を用いて、前記補強導体の開口部２０２Ａ内の絶縁基板１を打ち抜き、第２開口部（第２パーフォレーション孔）１Ａを形成する。

このとき、前記ダイ４の開口部４Ａ及びパンチ５の面積は、前記補強導体の開口部２０２Ａの面積よりも狭くしておき、前記絶縁基板１のみを打ち抜く。そのため、従来の、銅箔及び絶縁基板を打ち抜く場合に比べ、第２開口部１Ａの内部にバリや金属屑が生じにくく、前記第２開口部１Ａの内部の形状不良を低減することができる。

その後、前記絶縁基板を、前記補強導体２０２が設けられた領域の外側で切断して、前記第１開口部１Ｂが形成された領域１０２を除去し、前記絶縁基板１を所定の幅、例えば３５mmにすることにより、図１及び図２に示したような配線基板を得ることができる。

また、前記配線基板は、半導体装置を製造する前に、例えば、前記導体配線２０１の導通検査や電気的特性の検査とともに、前記第２開口部１Ａの形状不良に関する検査も行われる。このとき、前記第２開口部１Ａの形状不良が多いと、半導体装置を製造する際の位置決めの精度が低下し、半導体装置の製造歩留まりが低下する。そのため、前記開口部１Ａの形状不良が所定の個数（条件）よりも多いと、その配線基板は不良品となり、配線基板の製造歩留まりが低下し、配線基板の製造コストが上昇するが、本実施例の配線基板のように、あらかじめ補強導体２０２を開口しておき、その開口部２０２Ａ内の絶縁基板１のみを打ち抜いて前記第２開口部１Ａを形成することにより、前記第２開口部１Ａの形状不良を低減できるため、配線基板の製造歩留まりを向上させることができる。

前記図１及び図２に示したような配線基板を用いて半導体装置を製造する工程は、従来の半導体装置の製造方法と同様で、例えば、前記配線基板上の各半導体チップ実装領域Ｌ２に半導体チップを実装し、前記半導体チップの外部電極（ボンディングパッド）と前記導体配線の接続部を熱硬化性樹脂で封止し、前記各半導体装置形成領域Ｌ１を切断して個片化する。

このとき、前記各工程は、リールツーリール方式で行われ、前記配線基板の開口部（第２開口部）１Ａを利用して位置決めを行うため、本実施例の配線基板のように、前記第２開口部１Ａ内にバリや金属屑が生じにくく、形状不良の少ない配線基板を用いることにより、前記第２開口部１Ａを用いた位置決めの精度を向上させ、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。

以上説明したように、本実施例の配線基板によれば、あらかじめ前記補強導体２の所定領域に開口部２０２Ａを設けておき、前記補強導体の開口部２０２Ａの内部の前記絶縁基板１のみを金型で打ち抜くため、従来の、銅箔及び絶縁基板を打ち抜く場合に比べ、バリや金属屑が生じにくく、前記絶縁基板１の開口部（第２開口部）１Ａの内部の形状不良を低減することができる。

また、前記第２開口部１Ａの内部の形状不良を低減することができるため、配線基板の製造歩留まりを向上することができ、前記配線基板の製造コストを低減することができる。

また、前記配線基板の、前記第２開口部１Ａの形状不良を低減することができるため、前記配線基板を用いて半導体装置を形成する際に、前記第２開口部１Ａを用いた位置決めの精度を向上させることができ、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。

また、前記第２開口部１Ａ内に、金属屑などの異物が生じないため、前記配線基板を用いて半導体装置を形成する際に、異物の混入により装置の信頼性が低下することを防げる。

また、前記実施例では、図３に示したように、矩形状（正方形状）の第２開口部１Ａを設けた配線基板を例にあげて説明しているが、前記第２開口部１Ａの形状は、これに限らず、円形や長円形、あるいは長方形状など、種々の形状のであってもよいことは言うまでもない。

図１０は、前記実施例の配線基板の他の製造方法を説明するための模式図であり、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）はそれぞれ、前記導体配線及び前記補強導体を形成する工程の断面図である。なお、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）はそれぞれ、図６のＤ−Ｄ’線での断面に相当する断面図である。

前記実施例の配線基板の製造方法では、図７に示したように、前記導体配線２０１及び前記補強導体２０２を形成する領域にレジスト（エッチングレジスト）３を形成して前記導体膜２をエッチング処理したが、これに限らず、例えば、アディティブ法を用いて、図１０（ａ）に示すように、前記導体配線２０１及び前記補強導体２０２を形成する領域が開口するようなレジスト（めっきレジスト）６を形成して、前記導体膜２上に銅めっき膜７を形成した後、前記めっきレジスト６を除去し、前記銅めっき膜７をマスクとして前記導体膜２をエッチング処理してもよい。

図１１は、前記実施例の配線基板の応用例を示す模式平面図である。

前記実施例の配線基板では、図４に示したように、配線基板として用いる領域１０１が１本（１条）の場合を示したが、これに限らず、さらに幅の広い絶縁基板を用いて、配線基板として用いる領域１０１が２本（２条）、または図１１に示すように、３本（３条）の場合、あるいはそれ以上の場合でも、前記手順に沿ってそれぞれの領域１０１に前記導体配線２０１及び補強導体２０２を形成し、最後に、前記絶縁基板１を切断線で切断して複数の配線基板に分割してもよいことは言うまでもない。

以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることはもちろんである。

本発明による一実施例の配線基板の概略構成を示す模式平面図である。 本実施例の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図１に示した配線基板のＡ−Ａ’線での断面図である。 本実施例の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図３（ａ）は図１に示した配線基板の領域Ｌ３の拡大平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。 本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、絶縁基板の表面に導体膜を形成する工程の平面図である。 本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図４のＣ−Ｃ’線での断面図である。 本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、導体配線及び補強導体を形成する工程の平面図である。 本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図６のＤ−Ｄ’線での断面図である。 本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、第２開口部を形成する工程の平面図である。 本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図８のＥ−Ｅ’線での断面図である。 前記実施例の配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式図であり、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）はそれぞれ、導体配線及び補強導体を形成する工程の断面図である。 前記実施例の配線基板の応用例を示す模式平面図である。 従来の配線基板の概略構成を示す模式平面図である。 従来の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図１２に示した配線基板のＦ−Ｆ’線での断面図である。 従来の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、絶縁基板の表面に導体膜を形成する工程の平面図である。 従来の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図１４のＧ−Ｇ’線での断面図である。 従来の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、導体配線及び補強導体を形成する工程の平面図である。 従来の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図１６のＨ−Ｈ’線での断面図である。 従来の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、第２開口部を形成する工程の平面図である。 従来の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図１８のＩ−Ｉ’線での断面図である。 従来の配線基板の課題を説明するための模式断面図である。

符号の説明

１ 絶縁基板
１Ａ 開口部（第２開口部）
１Ｂ 第１開口部
１０１ 配線基板として用いる領域
１０２ 第１開口部を形成する領域
２ 導体膜
２０１ 導体配線
２０２ 補強導体
２０２Ａ 補強導体の開口部
３ レジスト（エッチングレジスト）
４ 金型（ダイ）
５ 金型（パンチ）
６ レジスト（めっきレジスト）
７ 電解銅めっき膜
８ バリ

Claims (3)

1. テープ状の絶縁基板の表面に導体膜を形成し、
   前記導体膜をエッチング処理して、導体配線及び前記絶縁基板の長手方向に沿った補強導体を形成し、
   前記絶縁基板の、前記補強導体を形成した領域を打ち抜いて、開口部（パーフォレーション孔）を形成する配線基板の製造方法において、
   前記補強導体は、前記開口部を形成する領域が開口するように形成し、
   前記補強導体の開口した領域内の絶縁基板を打ち抜いて、前記開口部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記絶縁基板は、長手方向の端部に沿って第１開口部（第１パーフォレーション孔）が形成されており、
   前記第１開口部が形成された領域の内側に、前記導体膜を形成し、
   前記導体膜をエッチング処理して前記導体配線及び前記補強導体を形成し、
   前記補強導体を形成した領域を打ち抜いて第２開口部（第２パーフォレーション孔）を形成した後、
   前記絶縁基板の、前記第１開口部が形成された領域を切断除去することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. テープ状の絶縁基板の長手方向に沿って開口部（パーフォレーション孔）が設けられ、前記絶縁基板の表面に導体配線が設けられ、前記絶縁基板の前記開口部の周辺に、前記開口部上が開口した補強導体が設けられた配線基板において、
   前記補強導体の開口部の面積は、前記絶縁基板の開口部の面積よりも広く、
   前記絶縁基板の開口部は、前記補強導体の開口部の内部領域に設けられていることを特徴とする配線基板。

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