JP2005115387A - 薄膜トランジスタ表示板 - Google Patents

Abstract

【課題】開口率を確保し、テクスチャーを最少に抑える。
【解決手段】絶縁基板上に形成され、ゲート電極を有するゲート線１２１、隣接するゲート線の間に位置し、ゲート線と平行な方向にのびている第１維持電極線１３１ａ及び第２維持電極線１３１ｂ、これらを電気的に接続する維持電極１３３ａ、１３３ｂ、ゲート線、維持電極線及び維持電極を覆うゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、半導体層と少なくとも一部が重畳するソース電極を有し、ゲート線との交差部分と接続され、所定角度の屈曲部を有するデータ線１７１、ゲート電極を中心にソース電極と対向し、半導体層と重畳するドレイン電極１７５、半導体層を覆う保護膜、保護膜上に形成され、ドレイン電極と電気的に接続されている画素電極１９０、保護膜上に形成され、ゲート線と交差して互いに隣接する画素の維持電極線を電気的に接続する維持電極接続橋８４を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、薄膜トランジスタ表示板に関し、特に、液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板に関する。

液晶表示装置は、一般に、共通電極とカラーフィルタなどが形成されている上部表示板と薄膜トランジスタと画素電極などが形成されている下部表示板、これらの間に注入されている液晶からなる。そして、画素電極と共通電極に互いに異なる電位を印加することによって電界を形成して液晶分子の配列を変更し、これによって光の透過率を調節することで画像を表現する装置である。
ところが、液晶表示装置は視野角が狭いのが大きな短所である。このような短所を克服し、視野角を広くするための様々な方案が開発されているが、その中でも、液晶分子を上下表示板に対して垂直に配向し、画素電極とその対向電極である共通電極に一定の切開（開口）パターンを形成したり、突起を形成する方法がある。

ところが、突起や切開パターンを形成する方法は、突起や切開パターンのために開口率が低下する。これを補完するために、画素電極を最大に広く形成する超高開口率構造を考案したが、この超高開口率構造は、隣接する画素電極間の距離が非常に近いため、画素電極間に形成される側方向電場（lateral field）が強く形成される。このため、画素電極の周縁に位置する液晶などがこの側方向電場の影響を受けて配向が乱れ、これによってテクスチャーや光漏れが発生して表示特性を低下させる。
本発明の目的は、開口率を確保すると共にテクスチャーを最少化することができる薄膜トランジスタ表示板を提供することにある。

このような課題を解決するために本発明では、次のような薄膜トランジスタ表示板を提供する。
詳細には、絶縁基板、絶縁基板上に形成され、ゲート電極を有するゲート線、隣接するゲート線の間に位置し、ゲート線と平行な方向にのびている第１維持電極線及び第２維持電極線、前記第１及び第２維持電極線を電気的に接続する複数の維持電極、ゲート線、維持電極線及び維持電極を覆うゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、前記半導体層と少なくとも一部が重畳するソース電極を有し、ゲート線と交差する交差部分と、前記交差部分と接続され、所定の角度で曲げられた屈曲部を有するデータ線、ゲート電極を中心にソース電極と対向し、半導体層と少なくとも一部が重畳するドレイン電極、半導体層を覆う保護膜、前記保護膜上に形成され、ドレイン電極と電気的に接続されている画素電極、保護膜上に形成され、ゲート線と交差して互いに隣接する画素の維持電極線を電気的に接続する維持電極接続橋（ブリッジ）を含む。

ここで、半導体層上に形成され、ソース電極とドレイン電極の間のチャンネルを除いて、半導体層と同じ平面パターンを有する抵抗性接触層をさらに含むことができる。この時、データ線及びドレイン電極は、抵抗性接触層と同じ平面パターンを有することが好ましい。
また、維持電極接続橋は、データ線方向に互いに隣接する画素の維持電極線と各々接触する接触部と、ゲート線と交差して接触部を互いに接続する交差部を有し、接触部に隣接した画素電極の境界線は、画素電極の境界線に隣接する接触部の境界線と平行であるのが良い。
この時、接触部に隣接する画素電極は、接触部の二つの境界と平行な第１境界及び第２境界を含む凹部を有し、維持電極線と重なり合う第１境界のうち、の接触部の境界と平行な長さが第２境界と平行な接触部の境界よりも長く形成されることが好ましい。

本発明によれば、維持電極接続橋を形成することによって画素領域全体に均一な保持容量が得られ、テクスチャーの発生を最少に抑えることができる。また、維持電極接続橋によって形成される電界によって液晶配列を容易にすることができる。これにより、表示特性が優れた薄膜トランジスタ表示板を提供することができる。

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例に対して、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。

第１実施例〜第３実施例
図１は本発明の第１実施例による液晶表示装置の配置図であり、図２は図１に示すII-II´線による断面図であり、図３は図１に示すIII-III´線による断面図であり、図４は図１に示すIV-IV´線による断面図であり、図５は本発明の第１実施例による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図６は本発明の第１実施例による液晶表示装置のカラーフィルタ表示板の配置図である。
本発明の第１実施例による液晶表示装置は、図１〜図６に示すように、薄膜トランジスタ表示板１００、これと対向するカラーフィルタ表示板２００、及びこれら二つの表示板１００、２００の間に注入され、それに含まれている液晶分子の長軸がこれらの表示板に対して垂直に配向されている液晶層３からなる。

図１〜図５を参照して本発明の第１実施例による薄膜トランジスタ表示板について説明する。
本発明の第１実施例による薄膜トランジスタ表示板には、透明な絶縁基板１１０上に一方向に長い複数個のゲート線１２１が形成されている。そして、ゲート線１２１の一部または突出した部分は薄膜トランジスタのゲート電極１２４として用いられる。
そして、画素の保持容量を増加させるために、画素領域内に形成され、ゲート線１２１と平行にのびている複数個の維持電極線１３１a、１３１bが形成されている。この時、維持電極線１３１a、１３１bは、画素の開口率減少を最少に抑えるために、画素領域の周縁に配設され、維持電極線１３１bの一部はドレイン電極１７５と重なり合っている。
また、維持電極１３３a、１３３bは、維持電極線１３１a、１３１bに対して一定の角度で傾斜された方向にのびる途中、９０度で曲げられて所定の長さの分のびており、後述するデータ線１７１と平行な形態を有する。保持容量を十分確保するために、ドレイン電極１７５と重なり合う維持電極線１３１bの一部が他の部分よりも広い幅を有することができる。

ゲート線１２１、１２４、維持電極線１３１a、１３１b、維持電極１３３a、１３３bは、アルミニウム（Al）やアルミニウム合金などのアルミニウム系列金属などからなる導電膜を含み、このような導電膜に加えて他の物質、特にITO（indium tin oxide）またはIZO（indium zinc oxide）との物理的、化学的、電気的接触特性が良いクロム（Cr）、チタニウム（Ti）、タンタル（Ta）、モリブデン（Mo）及びこれらの合金（例：モリブデン-タングステン（MoW）合金）などからなる他の導電膜を含む多層膜構を有することもできる。下部膜と上部膜の組み合わせの例として、クロム/アルミニウム-ネオジム（Nd）合金が挙げられる。
ゲート線１２１、維持電極線１３１a、１３１b、維持電極１３３a、１３３bの側面は、テーパ角度を有するように形成され、テーパ形状はこれらの上に形成される層がよく密着できるようにされている。

基板１１０上には、ゲート線１２１、１２４、維持電極線１３１a、１３１b及び維持電極１３３a、１３３bを覆い、窒化ケイ素（SiNx）または酸化ケイ素（SiOx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０の所定領域には、水素化非晶質シリコン（hydrogenated amorphous silicon）などからなる複数の線状半導体層１５１が形成されている。半導体層１５１は、後述するデータ線１７１の下にデータ線１７１に沿ってのびる線状体からなり、ここから後述するドレイン電極１７５の下にまで拡大形成されている複数の突出部１５４を有する。
そして、線状半導体層１５１は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間をはじめとして、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われない部分を有し、線状半導体１５１の幅がデータ線１７１の幅よりも小さい。
半導体層１５１の上部には、シリサイド（silicide）またはn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質で作られた複数の線状及び島状抵抗性接触層（ohmic contact）１６１、１６３、１６５が形成されている。線状抵抗性接触層１６１は複数の突出部１６３を有し、この突出部１６３と島状接触層１６５が対をなして半導体層１５１の突出部１５４上に位置する。

抵抗性接触層１６１、１６３、１６５は、その下部の半導体層１５１、１５４とその上部のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする役割をする。
抵抗性接触層１６１、１６３、１６５は、半導体層１５４の所定領域を除いて、半導体層１５１、１５４と同じ平面パターンを有する。半導体層１５４の所定領域は、薄膜トランジスタのチャンネルを形成するチャンネル部である。
ゲート絶縁膜１４０及び抵抗性接触層１６１、１６３、１６５上には、ゲート線１２１と交差して画素領域を画定するデータ線１７１が形成されている。データ線１７１は、分岐状に形成され、半導体層１５１と重なり合うソース電極１７３を有する。ここでデータ線１７１は、画素の長さを周期として、反復的に屈曲部と縦にのびた部分が現れる形成されている。
この時、データ線１７１は屈曲部の両側にある二つの直線部からなり、これら二つの直線部分のうちの一つはゲート線１２１に対して４５度をなし、もう一つはゲート線１２１に対して-４５度をなす。データ線１７１の縦にのびた部分には、ソース電極１７３が接続されており、この部分がゲート線１２１及び維持電極線１３１a、１３１bと交差する。したがって、ゲート線１２１とデータ線１７１が交差して形成される画素領域は折れ曲がった帯状である。

データ線１７１の一端部は、データ駆動回路（図示せず）から信号伝達を受けるためにデータ線１７１の幅よりも広くても良い。
そして、島状抵抗性接触層１６５上には、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と一定距離離れて対向しており、半導体層１５４と一部が重畳するドレイン電極１７５が形成されている。この時、データ線１７１及びソース電極１７３は、抵抗性接触層の線状部１６１と接しており、ドレイン電極１７５は島状部１６５と接する。
ここでドレイン電極１７５は、画素電極１９０と接続される部分が維持電極線１３１a、１３１bと重畳している。維持電極線１３１a、１３１bには、一定の電圧が印加され、維持電極線１３１a、１３１b及び維持電極１３３a、１３３bとドレイン電極１７５の間に維持容量（保持容量）を形成する。
そして基板１１０上には、データ線１７１、１７３及びドレイン電極１７５で覆われない半導体層１５４を覆うように保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、平坦化特性が優れて感光性（photosensitivity）を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法で形成されるa-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質、または無機物質である窒化ケイ素などで形成することができる。

保護膜１８０を誘電率が４．０以下の低誘電率有機物質で形成することができ、その時は、無機物質で形成する時よりも保護膜１８０の膜厚が厚く形成されるので、画素電極１９０とデータ線１７１の間のカップリング現象が発生しない。したがって、後述される画素電極１９０の周縁をデータ線１７１と重畳させて画素の開口率を最大にすることができる。これについて第４実施例で示す。
このような保護膜１８０には、ドレイン電極１７５を露出する接触孔１８５、データ線１７１の一端部を露出する接触孔１８２、及び維持電極線１３１a、１３１bを各々露出する接触孔１８６、１８７が形成されている。
保護膜１８０上には、ITO（Indium tin oxide）またはIZO（Indium zinc oxide）などの透明な物質で形成された画素電極１９０、接触補助部材８２、維持電極接続橋（ブリッジ）８４が形成されている。

接触補助部材８２は、外部との接着性を補完するためのものであって、特に、チップ状で基板１１０または可溶性回路基板（図示せず）上に搭載される場合に必要なもので、駆動回路が基板１１０上に直接薄膜トランジスタなどで作られる場合には、接触孔１８２及び接触補助部材８２を必要としない。
画素電極１９０は折れ曲がった帯状に形成されており、接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続され、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９０は、他の表示板の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、二つの電極間の液晶分子を再配列させる。
そして維持電極接続橋８４は、接触孔１８６、１８７を通じて維持電極線１３１a、１３１bと物理的、電気的に接続されている。即ち、ゲート線１２１を隔てて維持電極線１３１a、１３１bを接続することによって、薄膜トランジスタ表示板の全ての維持電極線１３１a、１３１bと維持電極１３３a、１３３bを電気的に接続する役割をする。

維持電極接続橋８４について図７を参照してより詳細に説明する。図７は図５のA部分を拡大したものである。図５及び図７に示すように、維持電極接続橋８４は、接触孔１８６、１８７を通じて維持電極線１３１a、１３１bと直接接触する接触部８４a、ゲート線１２１を隔てて接触部８４aを接続する交差部８４bからなる。
接触部８４aに隣接する画素電極の境界線は、画素電極１９０の境界線に隣接する接触部８４aの境界線と平行である。この時、接触部８４aに隣接する画素電極１９０は、接触部８４aの二つの境界と平行な第１境界及び第２境界からなる凹部（点線表示）を有し、維持電極線１３１aと重畳する画素電極１９０の第１境界のうちの接触部８４aの境界と平行な長さL１が、第２境界と平行な接触部８４aの境界の長さL２よりも長く形成されている。
そして画素電極１９０上には配向膜１１が形成されている。

次に、図１〜図４及び図６を参照してカラーフィルタを含む上部表示板について説明する。
ガラスなどの透明な絶縁物質からなる上部基板２１０上に、光漏れを防ぐためのブラックマトリクス２２０が形成されている。ここで、ブラックマトリクス２２０は、ゲート線、データ線及び薄膜トランジスタ部分と対応して形成されている。
そして、ブラックマトリクス２２０上には、赤、緑、青のカラーフィルタ２３０R、２３０G、２３０Bが形成されている。カラーフィルタ２３０R、２３０G、２３０Bは、外部回路と接合するデータ線及びゲート線の端部を除いて、データ線１７１によって区分される画素列に沿って縦に長く形成されている。そして、画素の模様に沿って周期的に曲げられており、隣接するカラーフィルタ２３０R、２３０G、２３０Bは、データ線１７１と対応する部分で重なり合いデータ線１７１周囲の光漏れを防ぐ。

カラーフィルタ２３０R、２３０G、２３０B上には、有機物質からなるオーバーコート膜２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は、カラーフィルタ２３０R、２３０B、２３０Gから共通電極２７０を保護し、基板を平坦化するためのものであって必要に応じて省略できる。
オーバーコート膜２５０の上には、ITOまたはIZOなどの透明な導電物質からなる共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は複数のドメイン分割手段を有することができる。これについて第４実施例で詳細に説明する。
そして、共通電極２７０上には、配向膜２１が形成されている。

前記のような構造の薄膜トランジスタ表示板１００とカラーフィルタ表示板２００を結合し、その間に液晶３を注入して液晶層を形成すれば、本発明の第１実施例による液晶表示装置が構成される。この時、画素電極１９０がカラーフィルタ２３０R、２３０G、２３０Bと正確に重なり合うように整列する。
液晶層３に含まれている液晶分子は、画素電極１９０と共通電極２７０の間に電界が印加されない状態で、その方向子が表示板に対して垂直をなすように配向されている。
液晶表示装置は、このような基本表示板の両側に偏光板（図示せず）、バックライト（図示せず）、補償板（図示せず）などの要素を配置して構成される。この時、偏光板は基本パネルの両側に各々一つずつ配置され、その透過軸はゲート線１２１に対して平行であるか、垂直をなすように配置する。

以上のような構造で液晶表示装置を形成すれば、液晶に電界が印加された時に、各ドメイン内の液晶がドメインの長辺に対して垂直をなす方向に傾く。ところがこの方向は、データ線１７１に対して垂直をなす方向であるため、データ線１７１を介在して隣接する二つの画素電極１９０の間に形成される側方向電界によって液晶が傾く方向と一致しており、側方向電界が各ドメインの液晶配向を手伝うことになる。
維持電極線１３１a、１３１b及び維持電極１３３a、１３３bが全て電気的に接続されていて維持電極線及び維持電極の所定領域にオープン不良が発生しても、画素領域内では同一の電位を維持しているために均一な保持（維持）容量が得られる。したがって、表示特性が低下することを防ぐことができる。
また、維持電極線１３１aと重畳する画素電極１９０の第１境界のうちの接触部８４aの境界と平行な長さL１が、もう一つの境界と平行な接触部８４の長さL２よりも長く形成されることで、液晶が異常配列する部分を最少化し、テクスチャーの発生を最少化することができる。

データ線は、次のように形成することもできる。図８は本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図９は本発明の第３実施例による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
図８のように、データ線１７１を第１実施例と逆方向に屈曲させて形成すれば、維持電極接続橋８４がテクスチャーの発生には影響を及ぼさない。却ってこの部分での画素電極１９０の電界を強化させて液晶配列を支援する。
そして、図９に示す実施例では、データ線１７１の左右にそれぞれの薄膜トランジスタが形成されており、それぞれの薄膜トランジスタと接続されるそれぞれの画素電極１９０が形成されている。したがって、維持電極接続橋８４によるテクスチャー減少効果及び液晶配列を支援する効果などを同時に得ることができる。

第４実施例
図１０は本発明の第４の実施例による液晶表示装置の配置図であり、図１１は図１０に示すXI-XI´線による断面図である。
図１０及び図１１に示すように、第４実施例では第１実施例とは異なって、保護膜１８０が４．０以下の低誘電率を有する有機物質で形成されている。保護膜１８０を除いて第１実施例と同じ単層構造である。
有機物質で形成する場合には、保護膜１８０を厚く形成することでデータ線１７１と画素電極１９０のカップリング現象を防ぐことができるので、後に形成される画素電極１９０をデータ線１７１上部までに拡大形成して画素領域の開口率を最大化することができる。

共通電極２７０はドメイン分割手段２７１を有する。本実施例では、共通電極２７０のドメイン分割手段２７１が切開部で形成されているが、突起で形成されることもできる。ドメイン分割手段２７１は、画素の模様に沿って折れ曲がり、画素領域を左右に両分する第１部分２７１a、第１部分２７１aと接続され、データ線１７１の屈曲部と対応し画素領域を上下に両分する第２部分２７１b、及び第１部分２７１aの両端部と各々接続され、画素電極１９０の周縁と重なるように、曲げられて形成されている第３部分２７１cを有する。
ドメイン分割手段２７１a、２７１b、２７１cに突起を用いる場合には、共通電極２７０上に、絶縁物質からなり傾斜角を有するテーパ構造の薄膜を利用する。
このようにすれば、画素領域は上部表示板２００のドメイン分割手段２７１a、２７１b、２７１cによって複数のドメインに分割される。この時、画素領域は、第１分割部２７１aによって左右に２分割されたり、画素の折れ曲がった部分を中心に上下の液晶配向方向が互いに異なって４つのドメインに分割される。

第５実施例
図１２は本発明の第５実施例に対する薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図１３は図１２に示すXIII-XIII´線による断面図であり、図１４は図１２に示すXIV-XIV´線による断面図である。
第５実施例による薄膜トランジスタ表示板の単層構造は、第１〜第４実施例と同様である。即ち、絶縁基板１１０上にゲート線１２１が形成されており、ゲート線１２１を覆うようにゲート絶縁膜１４０が形成されており、ゲート絶縁膜１４０上に半導体層１５１、抵抗性接触層１６１、１６５が形成されており、抵抗性接触層１６１、１６５上にデータ線１７１及びドレイン電極１７５が形成されており、これら１７１、１７５を覆うように保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０上にドレイン電極１７５と接続される画素電極１９０が形成されている。
ところが、第１〜第４実施例とは異なって第５実施例では、データ線１７１、１７３及びドレイン電極１７５の下にこれと実質的に同一のパターンで抵抗性接触層１６１、１６５が形成されており、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間のチャンネル部が接続されていることを除いて、半導体層１５１、１５４もデータ線１７１、１７３及びドレイン電極１７５と実質的に同じ平面パターンを有する。

第６実施例
図１５及び図１６は、本発明の第６実施例による液晶表示装置の断面図であって、図１５は図１に示すII-II´線と同じ位置で切断した断面図であり、図１６は図１に示すIII-III´線と同じ位置で切断した断面図である。
図示したように、第６実施例では、第１〜第５実施例とは異なって、赤、緑、青のカラーフィルタ２３０R、２３０G、２３０Bが薄膜トランジスタと共に薄膜トランジスタ表示板１００に形成されている。そして、カラーフィルタ２３０R、２３０G、２３０Bの顔料が画素電極１９０に伝達されることを防止し、カラーフィルタを保護するために、カラーフィルタ２３０R、２３０G、２３０Bと画素電極１９０の間に層間絶縁膜（図示せず）がさらに形成されても良い。
カラーフィルタ２３０R、２３０G、２３０Bの境界線は、データ線１７１の上部に位置するように形成し、隣接するカラーフィルタ２３０R、２３０G、２３０Bの境界線は重なるように形成する。このように、カラーフィルタ２３０R、２３０G、２３０Bを重なるように形成する場合には、データ線１７１と対応する部分に、ブラックマトリクス２２０を形成しなくても、十分データ線１７１周囲の光漏れを防ぐことができる。

このため、上部表示板２００にブラックマトリクス２２０が薄膜トランジスタ部分にのみ形成されている。しかし、光漏れの有無によってゲート線１２１と対応する部分にも形成できる。したがって、上部表示板２００には、絶縁基板２１０上にブラックマトリクス２２０と共通電極２７０だけが形成されている。
前記したカラーフィルタ２３０R、２３０B、２３０Gを除いて、第１実施例と同様の構造で形成されている。勿論、第２〜第５実施例のような構造に形成することもできる。

以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

本発明の第１実施例による液晶表示装置の配置図である。 図１に示すII-II´線による断面図である。 図１に示すIII-III´線による断面図である。 図１に示すIV-IV´線による断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置のカラーフィルタ表示板の配置図である。 図５のＡ部分の拡大図である。 本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 本発明の第３実施例による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 本発明の第４実施例による液晶表示装置の配置図である。 図１０に示すXI-XI´線による断面図である。 本発明の第５実施例に対する薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図１２に示すXIII-XIII´線による断面図である。 図１２に示すXIV-XIV´線による断面図である。 本発明の第６実施例による液晶表示装置の断面図であって、第１実施例に示すII-II´線と同じ位置で切断したものである。 本発明の第６実施例による液晶表示装置の断面図であって、第１実施例に示すIII-III´線と同じ位置で切断したものである。

符号の説明

８４ 維持電極接続橋
１１０、２１０ 絶縁基板
１２１ ゲート線
１３１a、１３１b 維持電極線
１３３a、１３３b 維持電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５１ 半導体層
１６１、１６３、１６５ 抵抗性接触層
１７１、１７３ データ線
１７５ ドレイン電極
１９０ 画素電極
２３０R、２３０G、２３０B 赤、緑、青のカラーフィルタ
２７０ 共通電極

Claims (7)

1. 絶縁基板、
   前記絶縁基板上に形成され、ゲート電極を有するゲート線、
   隣接する前記ゲート線の間に位置し、前記ゲート線と平行な方向にのびている第１維持電極線及び第２維持電極線、
   前記第１及び第２維持電極線を電気的に接続する複数の維持電極、
   前記ゲート線、維持電極線及び維持電極を覆うゲート絶縁膜、
   前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、
   前記半導体層と少なくとも一部が重畳するソース電極を有し、前記ゲート線と交差する交差部分と、前記交差部分と接続され、所定の角度で曲げられた屈曲部を有するデータ線、
   前記ゲート電極を中心に前記ソース電極と対向し、前記半導体層と少なくとも一部が重畳するドレイン電極、
   前記半導体層を覆う保護膜、
   前記保護膜上に形成され、前記ドレイン電極と電気的に接続されている画素電極、
   前記保護膜上に形成され、前記ゲート線と交差して互いに隣接する画素の前記維持電極線を電気的に接続する維持電極接続橋
   を含む薄膜トランジスタ表示板。
2. 前記半導体層上に形成され、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間のチャンネルを除いて、前記半導体層と同じ平面パターンを有する抵抗性接触層をさらに含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
3. 前記データ線及びドレイン電極は、前記抵抗性接触層と同じ平面パターンを有する、請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
4. 前記維持電極接続橋は、前記データ線方向に互いに隣接する画素の前記維持電極線と各々接触する接触部と、前記ゲート線と交差して前記接触部を互いに接続する交差部を有し、
   前記接触部に隣接する前記画素電極の境界線は、前記画素電極の境界線に隣接する前記接触部の境界線と平行である、
   請求項１または請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
5. 前記接触部に隣接する前記画素電極は、前記接触部の二つの境界と平行な第１境界及び第２境界を含む凹部を有し、前記維持電極線と重畳する前記第１境界のうちの前記接触部の境界と平行な長さが、前記第２境界と平行な前記接触部の境界よりも長く形成されている、請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
6. 前記保護膜は有機物質で形成されている、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
7. 前記維持電極は、前記データ線の屈曲部と平行に形成されている、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。

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