JP2005109379A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体基板上にDRAM部とロジック部とが混載された半導体装置について、DRAM部とロジック部との境界部での段差発生を解消した製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板1上のDRAM部に位置する第1層間絶縁膜21にトレンチ型のストレージノード電極6を形成する工程と、DRAM部における第1層間絶縁膜21を略セルプレート電極11の厚さに相当する深さ分だけエッチングする工程と、エッチング後にDRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用の導体膜10を形成する工程と、CMPによりDRAM部およびロジック部における容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用の導体膜10を共に削除してセルプレート電極11を形成する工程とを含む。
【選択図】 図1.5
【解決手段】 半導体基板1上のDRAM部に位置する第1層間絶縁膜21にトレンチ型のストレージノード電極6を形成する工程と、DRAM部における第1層間絶縁膜21を略セルプレート電極11の厚さに相当する深さ分だけエッチングする工程と、エッチング後にDRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用の導体膜10を形成する工程と、CMPによりDRAM部およびロジック部における容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用の導体膜10を共に削除してセルプレート電極11を形成する工程とを含む。
【選択図】 図1.5
Description
本発明は、DRAM混載ロジックデバイス等の半導体装置に係り、特には、DRAM部とロジック部との境界部に段差を生じないようにするための技術に関するものである。
一般に、グラフィックスLSIやASIC等の半導体装置においては、多機能化が容易で、かつ高速動作を行わせる上で、DRAM部とロジック部とを同一基板上に混載したDRAM混載ロジックデバイスが提供されている。かかるDRAM混載ロジックデバイスにおいては、近年、DRAM部の大容量化とゲート数の増加が要請されている。
このようなDRAM混載ロジックデバイスを製造する場合の従来方法、特にここではDRAM部のメモリセルを形成する場合に着目して、図7.1〜図7.4および図8.1〜図8.4を参照して説明する。
図7.1〜図7.4は、DRAM部のメモリセルとしてトレンチ型キャパシタを形成する場合の従来方法の一例を示す工程断面図である。
予め半導体基板1上に第1の層間絶縁膜21を形成するとともに、半導体基板1にはMOSトランジスタのソースやドレインとなる図示しないウェルを形成し、また、第1層間絶縁膜21にはゲート電極3、および後述のストレージノード電極6とウェルとを電気的に接続するためのポリシリコン等からなるコンタクトプラグ4をそれぞれ形成しておく。そして、DRAM部に位置する第1層間絶縁膜21を局部的にシリンダ形状にエッチングしてその内面にポリシリコン等からなるトレンチ型のストレージノード電極6を形成する(図7.1)。
次に、DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜(図示せず)ならびに導体膜10を形成する(図7.2)。この場合、容量絶縁膜は、例えばTa2O5を成膜した後にこれを酸化することにより形成される。また、導体膜10は、例えばTi/TiNを成膜することにより形成される。
次いで、DRAM部をレジスト8で覆い、ロジック部の上に形成されている容量絶縁膜ならびに導体膜10をエッチングにより除去する(図7.3)。これにより、DRAM部に位置する導体膜10がトレンチ型キャパシタTCを構成するセルプレート電極11となる。
引き続いて、DRAM部およびロジック部の上に第2の層間絶縁膜22を形成する(図7.4)。その際、DRAM部の各トレンチ型キャパシタTCはそのセルプレート電極11の厚さ分がそのまま第1層間絶縁膜21の上面よりも上方に突出しているため、第2の層間絶縁膜22には、DRAM部とロジック部との境界部分で段差が生じる(図7.4の二点鎖線)。
そこで、従来は、CMP(化学的機械的研磨)により第2の層間絶縁膜22を研磨しているが(図7.4の実線)、DRAM部とロジック部との境界部での段差を十分に除くことができず、依然として段差が残ってしまう。これは、CMPを行う場合、局部的な凹凸は効果的に削除できるが、広い面積にわたって厚さがなだらかに変化するような場合には平坦化が難しいためである。
図8.1〜図8.4は、DRAM部のメモリセルとしてスタック型キャパシタを形成する場合の従来方法の一例を示す工程断面図である。
予め半導体基板1上に第1層間絶縁膜21を形成するとともに、半導体基板1にはMOSトランジスタのソースやドレインとなる図示しないウェルを形成し、また、第1層間絶縁膜21にはゲート電極3、および後述のストレージノード電極7とウェルとを電気的に接続するためのポリシリコン等からなるコンタクトプラグ4をそれぞれ形成しておく。そして、DRAM部に位置する第1層間絶縁膜21の上にスタック型のストレージノード電極7を形成する(図8.1)。このストレージノード電極7は、例えば第1層間絶縁膜21の上にポリシリコン等の導体膜を形成した後、この導体膜を選択的にエッチングすることにより形成される。
次に、DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜(図示せず)ならびにセルプレート電極形成用の導体膜24を形成する(図8.2)。この場合、容量絶縁膜は、例えばTa2O5を成膜した後にこれを酸化することにより形成される。また、導体膜24は、例えばTi/TiNを成膜することにより形成される。
次いで、DRAM部の領域をレジスト8で覆い、ロジック部の上に形成されている容量絶縁膜ならびに導体膜24をエッチングにより除去する(図8.3)。これにより、DRAM部に位置する導体膜24がスタック型キャパシタSCを構成するセルプレート電極26となる。
引き続いて、DRAM部およびロジック部の上に第2層間絶縁膜22を形成する(図8.4)。その際、DRAM部の各スタック型キャパシタSCはそのストレージノード電極7およびセルプレート電極26の厚さ分がそのまま第1層間絶縁膜21の上面よりも上方に突出しているため、第2層間絶縁膜22には、DRAM部とロジック部との境界部分で段差が生じる(図8.4の二点鎖線)。
そこで、従来は、CMPにより第2層間絶縁膜22を研磨しているが(図8.4の実線)、DRAM部とロジック部との境界での段差を十分に除くことができず、依然として段差が残ってしまう。
一方、DRAM混載ロジックデバイス等の半導体装置において、DRAM部とロジック部との境界部に段差を生じないようにするために、従来技術では、トレンチ型キャパシタのストレージノード電極をコンタクトプラグを用いて形成することにより、トレンチ型キャパシタが下層の層間絶縁膜内に完全に埋め込み形成されるようにして、それよりも上層の層間絶縁膜に段差が生じないようにした製造方法も提供されている(例えば、特許文献1等参照)。
特開2001−53252号公報(第4頁、図2,図3)
DRAM混載ロジックデバイス等の半導体装置において、従来、メモリセルとしてトレンチ型キャパシタ、あるいはスタック型キャパシタを形成する場合、図7.1〜図7.4および図8.1〜図8.4に示したように、DRAM部とロジック部との境界部に生じる段差を十分に低減することが難しい。そして、DRAM部とロジック部との境界部にこのような段差が生じていると、その後の処理工程において、精確なリソグラフィが行われなかったり、配線に断線が生じるなどの弊害が発生する。
図8.1〜図8.4に示したスタック型キャパシタを形成する場合のDRAM部とロジック部との間で生じる段差低減のために、従来技術では、第2層間絶縁膜22の形成後に、ロジック部をレジストで覆ってDRAM部にある第2層間絶縁膜22のみをエッチングし、その後、DRAM部とロジック部との境界部分に残った突起をCMPにより除くことで平坦化を図ることも試みられている。しかし、このようにすると、平坦化のためにレジスト形成やエッチング等の余分な工程が増加してしまう。
また、特許文献1に記載されている製造方法では、DRAM部とロジック部との段差発生を解消できるものの、トレンチ型キャパシタを構成する各セルプレート電極はエッチバックあるいはCMPで形成されていて下層の層間絶縁膜に完全に埋設された構成となるために、各セルプレート電極は独立しており、電位を共通化して固定することが難しい。
さらに、特許文献1の製造方法の場合、コンタクトプラグによってストレージノード電極を形成しているため、キャパシタ面積が小さく、大きなセル容量値を確保することが難しい。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、DRAM部を構成するメモリセルのセル容量値を十分に確保しつつ、簡単な工程によってDRAM部とロジック部との境界部での段差を可及的に低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、請求項1記載に係る発明は、半導体基板上にDRAM部とロジック部とが混載され、上記DRAM部のメモリセルはトレンチ型キャパシタを備えている半導体装置の製造方法であって、上記半導体基板上のDRAM部に位置する第1層間絶縁膜にトレンチ型のストレージノード電極を形成する工程と、上記DRAM部における上記第1層間絶縁膜を略セルプレート電極の厚さに相当する深さ分だけエッチングする工程と、このエッチング後に上記DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用導体膜を形成する工程と、CMPにより上記DRAM部およびロジック部における上記容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用導体膜を共に削除してセルプレート電極を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
請求項2記載に係る発明は、半導体基板上にDRAM部とロジック部とが混載され、上記DRAM部のメモリセルはトレンチ型キャパシタを備えている半導体装置の製造方法であって、上記半導体基板上のDRAM部に位置する第1層間絶縁膜にトレンチ型のストレージノード電極を形成する工程と、上記DRAM部における上記第1層間絶縁膜を略セルプレート電極の厚さに相当する深さ分だけエッチングする工程と、このエッチング後に上記DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用導体膜を形成する工程と、上記ロジック部における上記容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用導体膜をエッチングで除去する工程と、このエッチング後に上記DRAM部およびロジック部の上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、CMPにより上記第2層間絶縁膜を平坦化する工程と、を含むことを特徴としている。
請求項3記載に係る発明は、半導体基板上にDRAM部とロジック部とが混載され、前記DRAM部のメモリセルがトレンチ型キャパシタを備えている半導体装置の製造方法であって、上記半導体基板上の第1層間絶縁膜に予めコンタクトプラグを形成する工程と、上記DRAM部に位置する上記第1層間絶縁膜にトレンチ型のストレージノード電極を形成する工程と、上記ストレージノード電極の形成箇所、および上記ロジック部に位置するコンタクトプラグの形成箇所にそれぞれ対応した層間絶縁膜を所定の深さ分だけエッチングする工程と、このエッチング後に上記DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用の導体膜を形成する工程と、上記コンタクトプラグの形成箇所に位置する上記容量絶縁膜ならびに導体膜をエッチングで除去する工程と、このエッチング後に上記DRAM部およびロジック部の上に配線層形成用の導体膜を形成する工程と、CMPにより上記DRAM部およびロジック部における上記セルプレート電極形成用と配線層形成用の各導体膜を共に削除してセルプレート電極および配線層を同時に形成する工程と、を含むことを特徴としている。
請求項4記載に係る発明は、半導体基板上にDRAM部とロジック部とが混載され、上記DRAM部のメモリセルがスタック型キャパシタを備えている半導体装置の製造方法であって、上記半導体基板上のDRAM部に位置する第1層間絶縁膜の上にスタック型のストレージノード電極を形成する工程と、上記DRAM部およびロジック部の上に上記ストレージノード電極の厚さ分以上の厚さをもつ第2層間絶縁膜を形成する工程と、上記DRAM部における第2層間絶縁膜をエッチングで除去して上記ストレージノード電極を露出させる工程と、このエッチング後に上記DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用導体膜を形成する工程と、CMPにより上記DRAM部およびロジック部における容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用導体膜を共に削除してセルプレート電極を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
請求項1ないし請求項4記載の発明に係る半導体装置の製造方法によれば、DRAM部を構成するメモリセルのセル容量値を十分に確保しつつ、簡単な工程によってDRAM部とロジック部との境界部における段差を可及的に低減することができる。
その結果、その後の処理工程において、精確なリソグラフィを行うことができ、配線に断線が生じるなどの弊害を有効に防止することができ、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能になる。
特に、請求項1ないし請求項3記載の発明に係る半導体装置の製造方法によれば、DRAM部のメモリセルをトレンチ型キャパシタとして形成する場合でも、従来は難しかった境界部での段差発生を無くすことができる。また、請求項4記載の発明に係る半導体装置の製造方法によれば、DRAM部のメモリセルをスタック型キャパシタとして形成する場合において、第2層間絶縁膜の形成後に平坦化のためにレジスト形成やエッチング等の余分な処理を行うのを省略することができる。
さらに、本発明では、トレンチ型あるいはスタック型のストレージノード電極を形成しているため、従来のコンタクトプラグによってストレージノード電極を形成する場合よりもキャパシタ面積を大きくでき、メモリセルのセル容量値を十分に確保することができる。
以下、本発明の半導体装置の製造方法について、実施の形態1〜実施の形態4についてそれぞれ詳しく説明する。
実施の形態1.
図1.1〜図1.6は、本発明の実施の形態1におけるトレンチ型キャパシタを備えたDRAM混載ロジックデバイスの製造方法を示す工程断面図である。
図1.1〜図1.6は、本発明の実施の形態1におけるトレンチ型キャパシタを備えたDRAM混載ロジックデバイスの製造方法を示す工程断面図である。
この実施の形態1においては、予め半導体基板1上に酸化シリコンやPSGなどの第1層間絶縁膜21を形成するとともに、半導体基板1にはMOSトランジスタのソースやドレインとなるウェル(図示せず)を形成し、また、第1層間絶縁膜21にはゲート電極3を形成する。さらに、第1層間絶縁膜21には、後述のストレージノード電極6とウェルとを電気的に接続するためのポリシリコン等からなるコンタクトプラグ4をそれぞれ形成しておく。そして、DRAM部に位置する第1層間絶縁膜21を局部的にシリンダ形状にエッチングしてその内面にポリシリコン等からなるトレンチ型のストレージノード電極6を形成する(図1.1)。
次に、セルプレート電極パターンをレジスト8で形成してロジック部の領域を覆い(図1.2)、DRAM部における第1層間絶縁膜21を後述する略セルプレート電極11の膜厚に相当する深さd分だけエッチングする(図1.3)。
続いて、DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜(図示せず)ならびにセルプレート電極形成用の導体膜10を形成する。この場合の容量絶縁膜は、例えばTa2O5を成膜した後にこれを酸化することにより形成される。また、導体膜10は、例えばTi/TiNを成膜することにより形成される(図1.4)。なお、容量絶縁膜としてはBST膜を適用することもできる。
引き続いて、CMP(化学的機械的研磨)によりDRAM部およびロジック部における容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用の導体膜10を共に削除する(図1.5)。これにより、DRAM部にはセルプレート電極11が形成されてトレンチ型キャパシタTCが構成されると同時に、DRAM部とロジック部との境界部には段差が生じることなく平坦化される。したがって、次にその上に第2層間絶縁膜22を形成した場合にもDRAM部とロジック部との境界部に段差を生じることはない(図1.6)。
以上のように、この実施の形態1の製造方法によれば、DRAM部のメモリセルをトレンチ型キャパシタTCとして形成する場合において、セルプレート電極11を形成する前に第1層間絶縁膜21を略セルプレート電極11の膜厚に相当する深さd分だけエッチングしておくので(図1.3)、第2層間絶縁膜22を形成した際にDRAM部とロジック部との境界部で段差が生じないようにすることができる。したがって、その後の処理工程において、精確なリソグラフィを行うことができ、配線に断線が生じるなどの弊害を有効に防止することができ、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能になる。
実施の形態2.
図2.1〜図2.3は、本発明の実施の形態2におけるトレンチ型キャパシタを備えたDRAM混載ロジックデバイスの製造方法を示す工程断面図である。
図2.1〜図2.3は、本発明の実施の形態2におけるトレンチ型キャパシタを備えたDRAM混載ロジックデバイスの製造方法を示す工程断面図である。
この実施の形態2における製造方法は、上記の実施の形態1で示した図1.1〜図1.4までの工程、すなわちDRAM部に位置する第1層間絶縁膜21にトレンチ型のストレージノード電極6を形成してから、DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用の導体膜10を形成するまでの工程は同じである。
この実施の形態2では、引き続いて、DRAM部のセルプレート電極パターンをレジスト12で形成して、ロジック部を覆っている容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用の導体膜10をエッチングして除く(図2.1)。これにより、DRAM部にはセルプレート電極11が形成される。
次に、DRAM部およびロジック部の上に第2層間絶縁膜22を形成する(図2.2)。その際、DRAM部における第2層間絶縁膜22の表面は、トレンチ型キャパシタTCのセルプレート電極11の形状に沿って局部的な凹凸となるので、次に、CMPを行って局部的な凹凸を削除する。その結果、DRAM部とロジック部との境界部には段差が生じることなく第2層間絶縁膜22全体が平坦化される(図2.3)。
以上のように、この実施の形態2の製造方法によれば、DRAM部のメモリセルをトレンチ型キャパシタTCとして形成する場合において、DRAM部とロジック部との境界部で生じる段差を可及的に低減することができる。したがって、その後の処理工程において、精確なリソグラフィを行うことができ、配線に断線が生じるなどの弊害を有効に防止することができ、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能になる。
実施の形態3.
図3.1〜図3.9は、本発明の実施の形態3におけるトレンチ型キャパシタを備えたDRAM混載ロジックデバイスの製造方法を示す工程断面図である。
図3.1〜図3.9は、本発明の実施の形態3におけるトレンチ型キャパシタを備えたDRAM混載ロジックデバイスの製造方法を示す工程断面図である。
この実施の形態3においては、予め半導体基板1上に第1の層間絶縁膜21を形成するとともに、半導体基板1にはMOSトランジスタのソースやドレインとなるウェル(図示せず)を形成し、また、第1層間絶縁膜22にはゲート電極3を形成する。さらに、第1層間絶縁膜には、MOSトランジスタと電気的に接続するためのW(タングステン)からなるコンタクトプラグ14を形成する(図3.1)。なお、コンタクトプラグ14としては、Wに代えてポリシリコンやCu、Al等を用いることもできる。
次に、実施の形態1,2の場合と同様に、ストレージノード電極6とウェルとを電気的に接続するためのポリシリコン等からなるコンタクトプラグ4を形成した後、DRAM部に位置する第1層間絶縁膜21を局部的にシリンダ形状にエッチングしてその内面にポリシリコン等からなるトレンチ型のストレージノード電極6を形成する(図3.2)。
次いで、セルプレート電極パターンおよび配線パターンをレジスト15で形成し(図3.3)、ストレージノード電極6の形成箇所、およびロジック部に位置するコンタクトプラグ14の形成箇所にそれぞれ対応した第1層間絶縁膜21を所定の深さ分だけ選択的にエッチングする(図3.4)。
続いて、DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜(図示せず)ならびにセルプレート電極形成用の導体膜10を形成する(図3.5)。この場合、容量絶縁膜は、例えばTa2O5を成膜した後にこれを酸化することにより形成される。また、導体膜10は、例えばTi/TiNを成膜することにより形成される。なお、容量絶縁膜としてはBST膜を適用することもできる。
次に、コンタクトプラグ14の形成箇所のみが開口するようにレジスト16を形成し(図3.6)、コンタクトプラグ14の形成箇所に位置する容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用の導体膜10をエッチングで除去して各コンタクトプラグ14の上面が第1層間絶縁膜21から露出するようにする(図3.7)。
続いて、DRAM部およびロジック部の上に配線層形成用の導体膜17を形成する。この配線層形成用の導体膜17は、例えばCuメッキを行うことにより形成される(図3.8)。
引き続いて、CMPによりDRAM部およびロジック部におけるセルプレート電極形成用と配線層形成用の各導体膜10,17を共に削除する(図3.9)。これにより、セルプレート電極11とともに、コンタクトプラグ14に接続された配線層18が同時に形成される。しかも、その際、DRAM部とロジック部との境界部は段差を生じることなく平坦化されている。したがって、次にその上に第2層間絶縁膜22を形成した場合にもDRAM部とロジック部との境界部に段差を生じることはない(図3.10)。
以上のように、この実施の形態3では、DRAM部とロジック部との境界部は段差を生じることなく平坦化されるとともに、トレンチ型キャパシタTCのセルプレート電極11を形成するのと同時に配線層18を形成することができるため、配線層18を別個に形成する場合に比べて処理工程を大幅に削減することができる。
なお、図4に示すように、DRAM部において、第1層間絶縁膜21の上に形成された第2層間絶縁膜22にスルーホール19を形成する際に、このスルーホール19を直接にコンタクトプラグ14と接続する構成とすれば、第1層間絶縁膜21の上に配線層を形成する必要がなくなるためにメモリセル相互間の間隔を狭くすることができ、さらに一層DRAM部の集積度を高めることが可能になる。
実施の形態4.
図5.1〜図5.7は、本発明の実施の形態4におけるスタック型キャパシタを備えたDRAM混載ロジックデバイスの製造方法を示す工程断面図である。
図5.1〜図5.7は、本発明の実施の形態4におけるスタック型キャパシタを備えたDRAM混載ロジックデバイスの製造方法を示す工程断面図である。
この実施の形態4においては、予め半導体基板1上に第1層間絶縁膜21を形成するとともに、半導体基板1にはMOSトランジスタのソースやドレインとなるウェル(図示せず)を形成し、また、第1層間絶縁膜21にはゲート電極3を形成する。さらに、第1層間絶縁膜21には、後述のストレージノード電極7とウェルとを電気的に接続するためのポリシリコン等からなるコンタクトプラグ4をそれぞれ形成しておく。そして、DRAM部に位置する第1層間絶縁膜21の上にスタック型のストレージノード電極7を形成する(図5.1)。このストレージノード電極7は、従来と同様、例えば第1層間絶縁膜21の上にポリシリコン等の導体膜を形成した後、この導体膜を選択的にエッチングすることにより形成される。
次に、DRAM部およびロジック部の上にストレージノード電極7の厚さt1分以上の膜厚t2となるように第2層間絶縁膜22を形成する(図5.2)。続いて、セルプレート電極パターンをレジスト23で形成し(図5.3)、DRAM部における第2層間絶縁膜22をエッチングで除きストレージノード電極7を露出させる(図5.4)。
次いで、DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜(図示せず)ならびにセルプレート電極形成用の導体膜24を形成する(図5.5)。この場合の容量絶縁膜は、例えばTa2O5を成膜した後にこれを酸化することにより形成される。また、導体膜24は、例えばTi/TiNを成膜することにより形成される。なお、容量絶縁膜としてはBST膜を適用することもできる。
引き続いて、DRAM部およびロジック部の上にさらにセルプレート電極形成用の導体膜25を形成する。この場合の導体膜25はCuをメッキすることにより形成される(図5.6)。このCuメッキによってストレージノード電極7間の凹凸が埋められてDRAM部とロジック部との高低差がなくなる。
次に、CMPによりDRAM部およびロジック部における容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用の導体膜(CuおよびTi/TiN)24,25を共に削除してセルプレート電極26を形成する(図5.7)。その際、ロジック部における第2層間絶縁膜22の膜厚t2は、DRAM部のストレージノード電極7の厚さt1よりも若干大きいため、スタック型キャパシタSCは何ら影響を受けることなく、DRAM部とロジック部とが平坦化される。
以上のように、この実施の形態4の製造方法によれば、DRAM部のメモリセルをスタック型キャパシタSCとして形成する場合において、セルプレート電極26を形成する前に第2層間絶縁膜2の膜厚t2をストレージノード電極7の膜厚t1以上に形成しておくので(図5.2)、セルプレート電極26を形成した際にDRAM部とロジック部との境界部で段差が生じないようにすることができる。したがって、その後の処理工程において、精確なリソグラフィを行うことができ、配線に断線が生じるなどの弊害を有効に防止することができ、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能になる。
なお、上記の実施の形態4においては、セルプレート電極形成用の導体膜としてTi/TiN膜24とCuメッキ膜25の双方により構成したが、Ti/TiNの成膜処理のみでストレージノード電極間の隙間が埋まるときにはCuメッキ処理を省略することも可能である。
さらに、上記の実施の形態4において、DRAM部における第1層間絶縁膜21上にスタック型のストレージノード電極7を形成するに先立って、図6に示すように、予め第1層間絶縁膜21の上に窒化膜28を形成しておくこともできる。このようにすれば、DRAM部における第2層間絶縁膜22をエッチングで除いてストレージノード電極7を露出させる際に(図5.4参照)、オーバーエッチになるのを有効に抑制できるので都合がよい。
TC トレンチ型キャパシタ
SC スタック型キャパシタ
1 半導体基板
21 第1層間絶縁膜
22 第2層間絶縁膜
6,7 ストレージノード電極
10,17,24,25 導体膜
11,26 セルプレート電極
14 コンタクトプラグ
18 配線層
28 窒化膜
SC スタック型キャパシタ
1 半導体基板
21 第1層間絶縁膜
22 第2層間絶縁膜
6,7 ストレージノード電極
10,17,24,25 導体膜
11,26 セルプレート電極
14 コンタクトプラグ
18 配線層
28 窒化膜
Claims (6)
- 半導体基板上にDRAM部とロジック部とが混載され、上記DRAM部のメモリセルはトレンチ型キャパシタを備えている半導体装置の製造方法であって、
上記半導体基板上のDRAM部に位置する第1層間絶縁膜にトレンチ型のストレージノード電極を形成する工程と、
上記DRAM部における上記第1層間絶縁膜を略セルプレート電極の厚さに相当する深さ分だけエッチングする工程と、
このエッチング後に上記DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用導体膜を形成する工程と、
CMPにより上記DRAM部およびロジック部における上記容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用導体膜を共に削除してセルプレート電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上にDRAM部とロジック部とが混載され、上記DRAM部のメモリセルはトレンチ型キャパシタを備えている半導体装置の製造方法であって、
上記半導体基板上のDRAM部に位置する第1層間絶縁膜にトレンチ型のストレージノード電極を形成する工程と、
上記DRAM部における上記第1層間絶縁膜を略セルプレート電極の厚さに相当する深さ分だけエッチングする工程と、
このエッチング後に上記DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用導体膜を形成する工程と、
上記ロジック部における上記容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用導体膜をエッチングで除去する工程と、
このエッチング後に上記DRAM部およびロジック部の上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
CMPにより上記第2層間絶縁膜を平坦化する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上にDRAM部とロジック部とが混載され、前記DRAM部のメモリセルがトレンチ型キャパシタを備えている半導体装置の製造方法であって、
上記半導体基板上の第1層間絶縁膜に予めコンタクトプラグを形成する工程と、
上記DRAM部に位置する上記第1層間絶縁膜にトレンチ型のストレージノード電極を形成する工程と、
上記ストレージノード電極の形成箇所、および上記ロジック部に位置するコンタクトプラグの形成箇所にそれぞれ対応した層間絶縁膜を所定の深さ分だけエッチングする工程と、
このエッチング後に上記DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用の導体膜を形成する工程と、
上記コンタクトプラグの形成箇所に位置する上記容量絶縁膜ならびに導体膜をエッチングで除去する工程と、
このエッチング後に上記DRAM部およびロジック部の上に配線層形成用の導体膜を形成する工程と、
CMPにより上記DRAM部およびロジック部における上記セルプレート電極形成用と配線層形成用の各導体膜を共に削除してセルプレート電極および配線層を同時に形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上にDRAM部とロジック部とが混載され、上記DRAM部のメモリセルがスタック型キャパシタを備えている半導体装置の製造方法であって、
上記半導体基板上のDRAM部に位置する第1層間絶縁膜の上にスタック型のストレージノード電極を形成する工程と、
上記DRAM部およびロジック部の上に上記ストレージノード電極の厚さ分以上の厚さをもつ第2層間絶縁膜を形成する工程と、
上記DRAM部における第2層間絶縁膜をエッチングで除去して上記ストレージノード電極を露出させる工程と、
このエッチング後に上記DRAM部およびロジック部の上に容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用導体膜を形成する工程と、
CMPにより上記DRAM部およびロジック部における容量絶縁膜ならびにセルプレート電極形成用導体膜を共に削除してセルプレート電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - CMPに先立つセルプレート電極形成用導体膜の形成時において、スタック型キャパシタ間が埋まりきらない場合には、Cuメッキを行うことを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- DRAM部における第1層間絶縁膜の上にスタック型のストレージノード電極を形成するに先立って、上記第1層間絶縁膜の上に予め窒化膜を形成しておくことを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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