JP2005109367A - リントラップのメンテナンス方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】取り付け費用が安く、且つ準備に時間がかからず、安全に効率良くメンテナンス作業を行うことのできるリントラップのメンテナンス方法を提供する。
【解決手段】黄燐の付着した配管やバルブなどを大気中にて取り外す際に、シート類10を用い、シート類の作業箇所の前後の一方における端部10aを可能な限り不活性ガスが漏洩しないように閉じ、シート類のもう一方における端部10bを作業スペースとして開放することにより、作業箇所Pをシート類10で囲い、この囲い11の中に不活性ガス13を流し入れて作業箇所Pを不活性ガス雰囲気中に置く。
【選択図】 図1
【解決手段】黄燐の付着した配管やバルブなどを大気中にて取り外す際に、シート類10を用い、シート類の作業箇所の前後の一方における端部10aを可能な限り不活性ガスが漏洩しないように閉じ、シート類のもう一方における端部10bを作業スペースとして開放することにより、作業箇所Pをシート類10で囲い、この囲い11の中に不活性ガス13を流し入れて作業箇所Pを不活性ガス雰囲気中に置く。
【選択図】 図1
Description
本発明は、リントラップを安全にメンテナンスする方法に関するものである。
化合物半導体のエピタキシャル成長技術として、VPE法(気相エピタキシャル成長方法)やMOCVD法、MBE法(分子線エピタキシャル法)が知られている。このうち、MOCVD法は膜厚制御性が良好で大量生産に適しているため、化合物半導体層のエピタキシャル成長に利用されている。
MOCVD法の気相成長装置は、一般に次のように構成されている(例えば、特許文献1参照)。III族の原料はアルキル化物(TMI、TEG等)としてバブラと呼ばれるステンレス製の容器内に充填され、バブラには水素等のキャリアガスが純化装置およびマスフローコントローラと呼ばれる流量制御装置を介して接続され、III族原料はこのキャリアガスに含ませて配管を介してマニホールドと呼ばれる混合器に供給可能にされる。また、V族の原料水素化物(PH3、AsH3)は、ボンベに充填されており、マスフローコントローラにより流量調整され、配管を通して上記マニホールドに供給可能にされる。
上記マニホールド内には切換え弁が設けられておりこれらの切換え弁を切り換えることで所望の割合で混合された原料ガスが、ガス導入管を介して反応管(成長炉)内に導入され、バレル型や横型のサセプタ上に載置された基板に向かって流下し又は基板面に沿って流れ、高周波コイルによって加熱された基板上で熱分解して基板表面にエピタキシャル層が成長される。上記マニホールドの出力側には上記反応管へのガス導入管とバイパス管とが接続されており、マニホールド内の切換え弁を切り換えることで所望の原料ガスを反応管内へ供給したり反応管を通さずにそのまま廃棄できるように構成されている。さらに、マニホールドへ向かう各配管の途中にも切換え弁が設けられており、これらを制御することにより原料ガスの供給/遮断あるいはキャリアガス(H2)やパージ用ガス(N2)のみを流せるようになっている。
図2は上記装置の排気系を示したもので、成長炉1からの排気は、砒素トラップ2を通り、真空ポンプ3により吸引されて、リントラップ4に入り、リンを除去されてから除害筒5に送られる。なお、7はリントラップ4の配管6に設けたボールバルブである。
反応管1に導入されたPH3、AsH3、有機金属等のガスは、高周波コイルで加熱されたサセプタ上にセットされた基板(ウエハ)上に、InPやGaAs等の単結晶として析出するが、未反応の上記ガスはリントラップ4で冷却されてここに堆積する。原料ガスとしてPH3を用いると、堆積物はリンを含んだリン系堆積物となる。
リントラップとは燐を使用する装置が備えている燐回収器で、燐が溜まると閉塞してしまうので、定期的にリントラップを新しい物と交換しなければならない。しかし、黄燐は酸素と容易に反応し発火する性質を持つため、大気中で交換作業を行うと、その配管6やバルブ7に付着した燐が発火する恐れがあり、非常に危険である。
そこで従来技術では、リントラップ作業を大気中でそのまま行うか、もしくは燐が付着した物をグローブボックス内で取り外すなどしている。図3はグローブボックスを使用する場合を示しており、燐付着配管6a、6bが対峙する作業ポイントPを囲繞するグローブボックス8内に、内部に連通するグローブ9から手を入れて、ボールバルブ7の先の配管部分6を取り外してリントラップ交換作業を行う。燐付着配管6a、6bはグローブボックス8と一体化しており、窒素雰囲気内で作業を行うようになっている。
特開平6−172085号公報
しかしながら、大気中で作業を行う場合は、燐が大気と接触するため発火する危険性が高い。
一方、図3のグローブボックス内で作業を行う場合では、グローブボックスを取り付ける費用が高く、作業性も悪い。また、窒素をグローブボックス内に流し込んでも、燐が発火しないようにするためには酸素濃度が充分低くなるまで作業を行えないので、準備に時間がかかる。
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、取り付け費用が安く、且つ準備に時間がかからず、安全に効率良くメンテナンス作業を行うことのできるリントラップのメンテナンス方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
請求項1の発明に係るリントラップのメンテナンス方法は、黄燐の付着した配管やバルブなどを大気中にて取り外す際に、シート類を用い、シート類の作業箇所の前後の一方における端部を可能な限り不活性ガスが漏洩しないように閉じ、シート類のもう一方における端部を作業スペースとして開放することにより、作業箇所をシート類で囲い、この囲いの中に不活性ガスを流し入れて作業箇所を不活性ガス雰囲気中に置くことを特徴とする。
本発明において、シート類とは、箱又はシート等の腰のある包囲体を形成できる材料を意味する。
請求項2の発明は、請求項1記載のリントラップのメンテナンス方法において上記囲いを形成するシート類に不燃性の材質のものを用いることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1又は2記載のリントラップのメンテナンス方法において、上記不活性ガスとして、囲いの上部を開放する時は比重が大気よりも大きな不活性ガスを使用し、下部を開放する時は比重が大気よりも小さな不活性ガスを使用し、また水平方向を開放する時は、大気と比べ比重が大きな不活性ガスと比重が小さな不活性ガスを併用して使用することを特徴とする。
本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
請求項1に記載の発明によれば、作業箇所をシート類で囲い、この囲いの中に不活性ガスを流し入れて作業箇所を不活性ガス雰囲気中に置くことから、大気(酸素)との接触を絶つことが出来る。従って、作業を行う場合に、燐が大気と接触して発火する危険性を無くすことができる。
また、作業箇所の囲いは、作業箇所の前後の一方におけるシート類の端部を可能な限り不活性ガスが漏洩しないように閉じ、シート類のもう一方における端部を作業スペースとして開放することで囲いを形成しているので、従来のグローブボックスを取り付ける場合に較べ、取り付けが容易で、費用が易く、作業性も良い。さらに、この囲いの中に不活性ガスを流し入れる作業も短時間で行えるので、従来のように窒素をグローブボックス内に流し込んだ後、燐が発火しない酸素濃度まで比較的長い時間待つ必要がない。
請求項2に記載の発明によれば、メンテナンス作業箇所を不燃性材料で囲っているので、万が一、発火した場合にも不燃性の囲いで燐の飛散領域を最小限に留めることが出来る。
請求項3に記載の発明によれば、囲いの上部を開放する時は比重が大気よりも小さな不活性ガスを使用し、下部を開放する時は比重が大気よりも大きな不活性ガスを使用し、また水平方向を開放する時は、大気と比べ比重が大きな不活性ガスと比重が小さな不活性ガスを併用して使用するので、任意の形態のリントラップのメンテナンスを行うことができる。
<発明の要点>
用いる不活性ガスは入手し易いことと人体に無害であることから下記の2種類のガスが望ましい。また、囲いに使用する不燃性材料は柔軟性を有するシート状の物が望ましい。
用いる不活性ガスは入手し易いことと人体に無害であることから下記の2種類のガスが望ましい。また、囲いに使用する不燃性材料は柔軟性を有するシート状の物が望ましい。
(a)シートの上部開放時は、大気よりも比重の大きなアルゴンガス(比重1.38)を用いることで酸素と黄燐の接触を絶つことが出来る。
(b)シートの下部開放時は、大気よりも比重の小さなヘリウムガス(比重0.14)を用いることで酸素と黄燐の接触を絶つことが出来る。
(c)水平方向を開放する時は、アルゴンとヘリウムの両方を併用することで酸素と黄燐の接触を絶つことが出来る。
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。
ホスフィン(PH3)を使用するIII−V族化合物半導体成長装置のリントラップでは、成長に寄与しなかった燐が配管やバルブなどにも付着する。そこでリントラップ交換作業を行う際に、黄燐が付着した配管やバルブを不燃性のシートで囲い、不活性ガスを流し込み、酸素と遮断した状態で、配管やバルブなどを取り外す作業を行う。
図1では、リントラップ交換作業において、図2のボールバルブ7の先の配管部分6を取り外す場合を示す。
まず、燐付着配管6a、6bが上下に対峙している作業ポイントP、つまり作業箇所をシート類で囲む。ここでシート類は、箱又はシート等の腰のある包囲体を形成できる材料であればよく、ここでは柔らかく、且つ有る程度腰のある不燃性のシート類(不燃性シート)10を用いる。
この不燃性シート10の、作業ポイントPの前後の一方における端部10aを燐付着配管6aに巻き付けて、可能な限り不活性ガスが漏洩しないように閉じる。そして、不燃性シート10のもう一方における端部10bを大きく開いて、内部を作業スペースとして開放する。これにより、燐付着配管6a、6bが上下に対峙している作業ポイントPを不燃性シート10で囲い、上に開いたアサガオ状の囲い11を形成して作業空間を確保する。
この囲い11の中に、囲い11の壁に接続したガス管路12より、大気よりも比重の大きな不活性ガス13を流し入れて、作業ポイントPを不活性ガス雰囲気で満たし、酸素と黄燐の接触を絶つ。この実施形態の囲い11は上部開放型であるので、不活性ガス13としては、大気よりも比重の大きなアルゴンガス(比重1.38)を用いる。
上記のように作業ポイントPを囲い11内の不活性ガス13中に置き、黄燐の付着したボールバルブ7やその先の配管部分6を取り外すことにより、発火の危険なしに安全に、定期的に実施しなければならない交換作業を行うことができる。なおボールバルブ7を閉じることでリントラップ4内部に大気が入り込むことはない。
上記図1では、囲いの上部を開放する形態でアルゴンガス(比重1.38)を用いる場合について述べたが、燐付着配管等の形態によっては、囲い11を下部が開放された形とし、囲い11内に大気よりも比重の小さなヘリウムガス(比重0.14)を充満させる。これにより同様に酸素と黄燐の接触を絶つことが出来る。また、水平方向を開放する時は、アルゴンとヘリウムの両方を併用することで酸素と黄燐の接触を絶つことが出来る。
上記実施形態によれば、メンテナンス作業箇所を不燃性材料で囲い、その囲いの中を不活性ガスで満たすので、燐の周囲は不活性ガス雰囲気となり、大気(酸素)との接触を絶つことが出来るため安全性が増す。万が一、発火した場合にも不燃性の囲いで囲っているので燐の飛散領域を最小限に留めることが出来る。
また柔軟で適度に腰のあるシートを使用して囲い11を形成するだけでよく、特別なスペースを必要としない。さらにまた、従来のグローブボックス内で行う場合に比べ作業性を損なうことなく配管等を取り外し、安価に安全にリントラップのメンテナンス作業を行うことが出来る。
本発明は、リントラップ以外にも燐使用装置のメンテナンスで使用することができる。また、黄燐以外にも大気に曝した時に発火性、爆発性などを示す化学物質に関しても使用できる。
1 成長炉
4 リントラップ
5 除害筒
6 配管
6a、6b 燐付着配管
7 ボールバルブ
10 不燃性シート
10a 一方における端部
10b もう一方における端部
11 囲い
13 不活性ガス
4 リントラップ
5 除害筒
6 配管
6a、6b 燐付着配管
7 ボールバルブ
10 不燃性シート
10a 一方における端部
10b もう一方における端部
11 囲い
13 不活性ガス
Claims (3)
- 黄燐の付着した配管やバルブなどを大気中にて取り外す際に、シート類を用い、シート類の作業箇所の前後の一方における端部を可能な限り不活性ガスが漏洩しないように閉じ、シート類のもう一方における端部を作業スペースとして開放することにより、作業箇所をシート類で囲い、この囲いの中に不活性ガスを流し入れて作業箇所を不活性ガス雰囲気中に置くことを特徴とするリントラップのメンテナンス方法。
- 請求項1記載のリントラップのメンテナンス方法において
上記囲いを形成するシート類に不燃性の材質のものを用いることを特徴とするリントラップのメンテナンス方法。 - 請求項1又は2記載のリントラップのメンテナンス方法において
上記不活性ガスとして、囲いの上部を開放する時は比重が大気よりも大きな不活性ガスを使用し、下部を開放する時は比重が大気よりも小さな不活性ガスを使用し、また水平方向を開放する時は、大気と比べ比重が大きな不活性ガスと比重が小さな不活性ガスを併用して使用することを特徴とするリントラップのメンテナンス方法。
Priority Applications (1)
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JP2003343934A JP2005109367A (ja) | 2003-10-02 | 2003-10-02 | リントラップのメンテナンス方法 |
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JP (1) | JP2005109367A (ja) |
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JP2007088295A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Toshiba Corp | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
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2003
- 2003-10-02 JP JP2003343934A patent/JP2005109367A/ja active Pending
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