JP2005101248A - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005101248A JP2005101248A JP2003332760A JP2003332760A JP2005101248A JP 2005101248 A JP2005101248 A JP 2005101248A JP 2003332760 A JP2003332760 A JP 2003332760A JP 2003332760 A JP2003332760 A JP 2003332760A JP 2005101248 A JP2005101248 A JP 2005101248A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- divided
- semiconductor device
- lands
- wiring
- wirings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体装置は、複数の電極14を有する半導体基板10と、複数のランド20と、複数の電極14と複数のランド20とを電気的に接続する複数の配線30と、複数のランド20に設けられた複数の外部端子と、を含む。複数の配線30は、第1及び第2の配線32,34を含む。複数のランド20は、複数の分割部24からなる分割ランド22を含む。複数の分割部24は、第1の配線32と連続して形成された第1の分割部27と、第1の分割部27から間隔をあけて形成された第2の分割部28と、を含む。第2の配線34は、第1の分割部27と第2の分割部28との間を通過して形成されている。外部端子は、第2の配線34に非接触の状態でオーバーラップして、第1及び第2の分割部27,28の両方に接触して設けられてなる。
【選択図】図1
Description
複数の電極を有する半導体基板と、
複数のランドと、
前記複数の電極と前記複数のランドとを電気的に接続する複数の配線と、
前記複数のランドに設けられた複数の外部端子と、
を含み、
前記複数の配線は、第1及び第2の配線を含み、
前記複数のランドは、複数の分割部からなる分割ランドを含み、
前記複数の分割部は、前記第1の配線と連続して形成された第1の分割部と、前記第1の分割部から間隔をあけて形成された第2の分割部と、を含み、
前記第2の配線は、前記第1の分割部と前記第2の分割部との間を通過して形成され、
前記外部端子は、前記第2の配線に非接触の状態でオーバーラップして、前記第1及び第2の分割部の両方に接触して設けられてなる。本発明によれば、第2の配線が分割ランドを幅方向に貫通するように形成されているので、複数のランドのピッチに制限されることなく、配線形成の自由度を大きくすることができる。
(2)この半導体装置において、
前記複数の配線を覆う絶縁層をさらに含み、
前記外部端子と前記第2の配線との間に前記絶縁層が介在していてもよい。こうすることで、分割ランド上の外部端子と、第2の配線との電気的接続を回避することができる。すなわち、第2の配線を分割ランドとは独立して形成することが可能になる。
(3)この半導体装置において、
前記複数のランドは、分割されていない単一ランドをさらに含み、
前記複数の分割部は、前記単一ランドの平面形状と同じ平面形状の外周に沿って形成されていてもよい。こうすることで、分割ランド上の外部端子と、単一ランド上の外部端子との形状をほぼ同じにすることができる。
(4)この半導体装置において、
前記複数の分割部は、同じ平面形状を有してもよい。
(5)この半導体装置において、
前記第1及び第2の配線は、互いに平行方向に延びていてもよい。
(6)この半導体装置において、
前記第1及び第2の配線は、互いに交差する方向に延びていてもよい。
(7)本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されている。
(8)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
(9)本発明に係る半導体装置の製造方法は、
(a)複数の電極を有する半導体基板に樹脂層を形成すること、
(b)前記樹脂層に、複数のランドと、前記複数の電極と前記複数のランドとを電気的に接続する複数の配線と、を形成すること、
(c)前記複数のランドに複数の外部端子を設けること、
を含み、
前記複数の配線は、第1及び第2の配線を含み、
前記複数のランドは、複数の分割部からなる分割ランドを含み、
前記複数の分割部は、前記第1の配線と連続して形成された第1の分割部と、前記第1の分割部から間隔をあけて形成された第2の分割部と、を含み、
前記第2の配線を、前記第1の分割部と前記第2の分割部との間を通過するように形成し、
前記外部端子を、前記第2の配線に非接触の状態でオーバーラップさせて、前記第1及び第2の分割部の両方に接触させて設ける。本発明によれば、第2の配線を分割ランドを幅方向に貫通するように形成するので、複数のランドのピッチに制限されることなく、配線形成の自由度を大きくすることができる。
20…ランド、 22…分割ランド、 24…分割部、 26…単一ランド、
27…第1の分割部、 28…第2の分割部、 30…配線、 32…第1の配線、
34…第2の配線、 40…絶縁層、 42…外部端子、 50…分割ランド、
52…分割部、 58…第2の配線、 60…分割ランド、 62…分割部、
64…第1の分割部、 72…第2の配線
Claims (9)
- 複数の電極を有する半導体基板と、
複数のランドと、
前記複数の電極と前記複数のランドとを電気的に接続する複数の配線と、
前記複数のランドに設けられた複数の外部端子と、
を含み、
前記複数の配線は、第1及び第2の配線を含み、
前記複数のランドは、複数の分割部からなる分割ランドを含み、
前記複数の分割部は、前記第1の配線と連続して形成された第1の分割部と、前記第1の分割部から間隔をあけて形成された第2の分割部と、を含み、
前記第2の配線は、前記第1の分割部と前記第2の分割部との間を通過して形成され、
前記外部端子は、前記第2の配線に非接触の状態でオーバーラップして、前記第1及び第2の分割部の両方に接触して設けられてなる半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記複数の配線を覆う絶縁層をさらに含み、
前記外部端子と前記第2の配線との間に前記絶縁層が介在してなる半導体装置。 - 請求項1又は請求項2記載の半導体装置において、
前記複数のランドは、分割されていない単一ランドをさらに含み、
前記複数の分割部は、前記単一ランドの平面形状と同じ平面形状の外周に沿って形成されてなる半導体装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記複数の分割部は、同じ平面形状を有する半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第1及び第2の配線は、互いに平行方向に延びてなる半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第1及び第2の配線は、互いに交差する方向に延びてなる半導体装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
- 請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
- (a)複数の電極を有する半導体基板に樹脂層を形成すること、
(b)前記樹脂層に、複数のランドと、前記複数の電極と前記複数のランドとを電気的に接続する複数の配線と、を形成すること、
(c)前記複数のランドに複数の外部端子を設けること、
を含み、
前記複数の配線は、第1及び第2の配線を含み、
前記複数のランドは、複数の分割部からなる分割ランドを含み、
前記複数の分割部は、前記第1の配線と連続して形成された第1の分割部と、前記第1の分割部から間隔をあけて形成された第2の分割部と、を含み、
前記第2の配線を、前記第1の分割部と前記第2の分割部との間を通過するように形成し、
前記外部端子を、前記第2の配線に非接触の状態でオーバーラップさせて、前記第1及び第2の分割部の両方に接触させて設ける半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003332760A JP2005101248A (ja) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003332760A JP2005101248A (ja) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005101248A true JP2005101248A (ja) | 2005-04-14 |
Family
ID=34460966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003332760A Pending JP2005101248A (ja) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005101248A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7592244B2 (en) | 2005-04-04 | 2009-09-22 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2011129729A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び半導体装置 |
-
2003
- 2003-09-25 JP JP2003332760A patent/JP2005101248A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7592244B2 (en) | 2005-04-04 | 2009-09-22 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2011129729A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7358174B2 (en) | Methods of forming solder bumps on exposed metal pads | |
US7132742B2 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument | |
JP4660643B2 (ja) | プリ半田構造を形成するための半導体パッケージ基板及びプリ半田構造が形成された半導体パッケージ基板、並びにこれらの製法 | |
US6787903B2 (en) | Semiconductor device with under bump metallurgy and method for fabricating the same | |
US6960828B2 (en) | Electronic structures including conductive shunt layers | |
US10600709B2 (en) | Bump-on-trace packaging structure and method for forming the same | |
US20210210450A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US20070170566A1 (en) | Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same, Circuit Board, and Electronic Instrument | |
KR20150016927A (ko) | 반도체 디바이스를 패키징하는 방법 및 장치 | |
US20040157363A1 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument | |
US8294266B2 (en) | Conductor bump method and apparatus | |
CN106856178B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
US9640496B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2005101248A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
KR101185859B1 (ko) | 반도체 패키지용 범프, 상기 범프를 갖는 반도체 패키지 및 적층 반도체 패키지 | |
JP4352263B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP2005150578A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2020213133A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2004349630A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP2008091774A (ja) | 半導体装置 | |
JP7416607B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20230187330A1 (en) | Semiconductor device having conductive patterns with mesh pattern and differential signal wirings | |
JP2009049306A (ja) | 半導体装置 | |
JP2011034988A (ja) | 半導体装置 | |
JP2005026299A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060112 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060627 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20061228 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070718 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070912 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071010 |