JP2005093903A - 光起電力装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1の絶縁層2を表面に有する基板1上に、第1の電極層、薄膜半導体からなる光電変換層、第2の電極層と、からなる複数の光電変換素子を形成し、これら複数の光電変換素子を基板上で直列に接続してなる光起電力装置において、隣接する光電変換素子の間の領域において、第1の絶縁層2の基板1と反対側の表面が除去された領域と、その領域に隣接して第1の絶縁層2と第1の電極との間に前記光電変換層より厚い膜厚の第1の導電層3を配置する。第1の導電層3の基板1と反対側の表面が除去された領域と、第1の絶縁層2の表面が除去された領域に配置された第2の絶縁層5と、第2の絶縁層5の上を含んで、第1の導電層3の表面除去領域から第2の絶縁層5を挟んで隣接する光電変換素子の第2の電極層上に延在する第2の導電層6が設けられている。
【選択図】 図1
Description
2 第1の絶縁層
3 第1の導電層
4 光電変換層を含む積層膜
5 第2の絶縁層
6 第2の導電層
Claims (7)
- 第1の絶縁層を表面に有する基板上に、第1の電極層、薄膜半導体からなる光電変換層、第2の電極層と、からなる複数の光電変換素子を形成し、これら複数の光電変換素子を基板上で直列に接続してなる光起電力装置において、隣接する光電変換素子の間の領域において、第1の絶縁層の基板と反対側の表面が除去された領域と、その領域に隣接して第1の絶縁層と第1の電極との間に前記光電変換層より厚い膜厚の第1の導電層を配置し、この第1の導電層の基板と反対側の表面が除去された領域と、第1の絶縁層の表面が除去された領域に配置された第2の絶縁層と、この第2の絶縁層の上を含んで、前記第1の導電層の表面除去領域から第2の絶縁層を挟んで隣接する光電変換素子の第2の電極層上に延在する第2の導電層が設けられていることを特徴とする光起電力装置。
- 前記第1の導電層が、前記第1の絶縁層の表面除去領域を除く光電変換素子領域の全域に配置されることを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。
- 前記第1の導電層が、第1の絶縁層の表面除去領域に沿って線状に配置されることを特徴とする請求項13に記載の光起電力装置。
- 前記第1の導電層が、第1の絶縁層の表面除去領域に沿って点状に配置されることを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。
- 前記第1の導電層が、第1の絶縁層の表面除去領域に沿った領域を含んで光電変換素子領域に延在することを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。
- 第1の絶縁層を表面に有する基板上に、第1の電極層、薄膜半導体からなる光電変換層、第2の電極層と、からなる複数の光電変換素子を形成し、これら複数の光電変換素子を基板上で直列に接続してなる光起電力装置の製造方法であって、少なくとも隣接する光電変換素子を分割する領域を除いて、第1の絶縁層上に前記光電変換層より厚い膜厚の第1の導電層を配置し、この第1の導電層を含む基板表面のほぼ全域に第1の電極層、薄膜半導体からなる光電変換層、第2の電極層と、順次形成し、前記第1の導電層を配列した領域と配置していない領域との境界領域を含んで、第2の電極層側から膜除去加工を施し、第2の電極層、光電変換層、第1の電極層を除去することにより光電変換素子を複数に分割するとともに、前記第1の導電層を露出させ、膜除去加工を施した領域で、少なくとも第1の導電層の一部の表面を除く領域に、第2の絶縁層を配置し、当該第2の絶縁層の上を含んで、前記第1の導電層の表面領域から第2の絶縁層を挟んで隣接する光電変換素子の第2の電極層上に延在する第2の導電層を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
- 前記膜除去加工が、液体もしくは粉末状固体もしくはこれらの混合体を吹き付けて行うことを特徴とする請求項6に記載の光起電力装置の製造方法。
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