JP2005085984A - 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 荷電粒子ビームを発生・照射する荷電粒子ビーム源部1と、試料表面の高さを、荷電粒ビームの照射位置とは異なる位置で測定する高さセンサ部4と、荷電粒子ビームを試料の表面の高さに収束する収束レンズ部2と、荷電粒子ビームを偏向させる偏向部3と、試料を保持・移動するステージ部5とからなる荷電粒子ビーム描画装置において、ステージ部5は、荷電粒子ビームの進行方向に平行ではない方向を軸として試料を回転させる回転駆動部5Aと、荷電粒子ビームの透過を検出する透過ビーム検出部5Bとを有し、収束レンズ部2は、高さセンサ部4に制御され、偏向部3は、透過ビーム検出部5Bに制御される。
【選択図】 図1
Description
請求項2の発明は、請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置において、前記試料の表面の高さを、前記荷電粒子ビームを照射する位置と同じ位置で測定する第2の高さセンサ部を有し、前記収束レンズ部は、前記第1および第2の高さセンサ部により制御されることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1または2記載の荷電粒子ビーム描画装置において、前記試料の表面の高さを、前記荷電粒子ビームを照射する位置とは異なる位置で測定する前記第1の高さセンサ部は、前記試料と第1のステージ部が有する回転駆動部とを装着可能な第2のステージ部を有することを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム描画装置を用いた荷電粒子ビーム描画方法において、前記荷電粒子ビームを前記試料付近で前記偏向部によって偏向させ、その際の前記透過ビーム検出部から出力される信号波形に従って、前記偏向部の偏向量を変化させることにより、前記試料の所望の位置に前記荷電粒子ビームを照射することを特徴とする。
[実施形態1]
図1は、本発明の実施形態を示す荷電粒子ビーム描画装置の模式図である。図1の荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビーム源部1、収束レンズ部2、偏向部3、高さセンサ部4、およびステージ部5を備えている。また、ステージ部5は、回転駆動部5Aおよび透過ビーム検出部5Bを備えている。
本実施形態による荷電粒子ビーム描画装置を図4に示す。図4の荷電粒子ビーム描画装置は、電子ビーム源部21、収束レンズ部22、偏向部23、第1の高さセンサ部24、第2の高さセンサ部25、ステージ部26、およびホルダ部27を備えている。電子ビーム21Aを収束させる収束レンズ部22、および、電子ビーム21Aを偏向させる偏向部23の主な動作は前記の実施の形態と同じである。
1A 荷電粒子ビーム
2 収束レンズ部
3 偏向部
4 高さセンサ部
5 ステージ部
5A 回転駆動部
5A1 保持部分
5B 透過ビーム検出部
10 試料
21 電子ビーム源部
21A 電子ビーム
22 収束レンズ部
23 偏向部
24 第1の高さセンサ部
24A ステージ
24B 共焦点レーザ顕微鏡
25 第2の高さセンサ部
26 ステージ部
26A ステージ
26B 透過電子検出部
27 ホルダ部
27A 試料ホルダ
27B 回転駆動部
27C 保持部分
27D 高さマーク
101 荷電粒子ビーム源部
101A 荷電粒子ビーム
102 収束レンズ部
103 偏向部
104 ステージ部
105 高さセンサ部
105A 出力部
105B 検出部
106 反射電子検出部
110 試料
110A マーク
111 光
Claims (4)
- 荷電粒子ビームを発生・照射する荷電粒子ビーム源部(1)と、
前記荷電粒子ビームを照射する対象である試料の表面の高さを、前記荷電粒ビームを照射する位置とは異なる位置で測定する第1の高さセンサ部(4)と、
前記荷電粒子ビームを前記試料の表面の高さに収束する収束レンズ部(2)と、
前記荷電粒子ビームを偏向させる偏向部(3)と、
前記試料を保持・移動するステージ部(5)と、
からなる荷電粒子ビーム描画装置において、
前記ステージ部(5)は、前記荷電粒子ビームの進行方向に平行ではない方向を軸として前記試料を回転させる回転駆動部(5A)と、前記荷電粒子ビームの透過を検出する透過ビーム検出部(5B)とを有し、
前記収束レンズ部(2)は、前記第1の高さセンサ部(4)により制御され、
前記偏向部(3)は、前記透過ビーム検出部(5B)により制御される
ことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置において、
前記試料の表面の高さを、前記荷電粒子ビームを照射する位置と同じ位置で測定する第2の高さセンサ部(24)を有し、
前記収束レンズ部は、前記第1および第2の高さセンサ部(24、25)により制御される
ことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 請求項1または2記載の荷電粒子ビーム描画装置において、
前記試料の表面の高さを、前記荷電粒子ビームを照射する位置とは異なる位置で測定する前記第1の高さセンサ部(24)は、前記試料と第1のステージ部(26)が有する回転駆動部(27B)とを装着可能な第2のステージ部を有する
ことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム描画装置を用いた荷電粒子ビーム描画方法において、
前記荷電粒子ビームを前記試料付近で前記偏向部(3、23)によって偏向させ、
その際の前記透過ビーム検出部(5B、26B)から出力される信号波形に従って、前記偏向部(3、23)の偏向量を変化させることにより、前記試料の所望の位置に前記荷電粒子ビームを照射すること
を特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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JP2003316569A JP2005085984A (ja) | 2003-09-09 | 2003-09-09 | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2005085984A true JP2005085984A (ja) | 2005-03-31 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088165A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Nuflare Technology Inc | フォトマスク高さ測定方法及び高さ測定装置を有する電子線描画装置 |
KR101915658B1 (ko) | 2014-04-16 | 2018-11-06 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 전자빔 묘화 장치, 및 전자빔의 수렴 반각 조정 방법 |
-
2003
- 2003-09-09 JP JP2003316569A patent/JP2005085984A/ja active Pending
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