KR100675313B1 - 근접장 레이저 패터닝 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 근접장 레이저 패터닝 장치를 이용하여 이미지 패턴을 형성하는 경우에 이 패턴의 검출이 용이하도록 표시할 수 있는 근접장 레이저 패터닝 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 근접장 레이저 패터닝 방법은, 광원으로부터 발생되는 레이저빔으로 가공물에 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 프로브의 선단에 마련된 개구부를 통해 레이저빔을 가공물에 조사하는 단계와, 상기 프로브의 선단과 가공물을 근접시키는 단계와, 상기 가공물에 이미지 패턴(image pattern)을 형성하는 단계와, 상기 가공물의 이미지 패턴 주변에 마킹 패턴(marking pattern)을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 마킹 패턴을 형성하는 단계는 상기 레이저빔의 세기를 증폭시켜 형성하거나, 상기 레이저빔의 광량을 증폭시켜 형성할 수 있다.
근접장, 레이저, 마킹 패턴, 패터닝

Description

근접장 레이저 패터닝 방법{NEAR-FIELD PATTERNING METHOD USING LASER BEAM}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 근접장 레이저 패터닝 방법을 수행하기 위한 레이저 패터닝 장치를 도시한 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 근접장 레이저 패터닝 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 근접장 레이저 패터닝 방법으로 이미지 패턴과 마킹 패턴을 형성한 가공물을 개략적으로 도시한 모식도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 근접장 레이저 패터닝 방법을 수행하기 위한 레이저 패터닝 장치의 다른 예를 도시한 개략도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10 : 레이저 패터닝 장치 15 : 광도파로
20 : 레이저 광원 40 : 집광렌즈
50 : 프로브 60 : 진동감지기
80 : 미세이동장치 90 : 제1 광검출기
91 : 제2 광검출기 I : 이미지 패턴
M1,M2 : 마킹 패턴
본 발명은 근접장 레이저 패터닝 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 근접장 레이저 패터닝 장치를 이용하여 이미지 패턴을 형성하는 경우에 이 패턴의 검출이 용이하도록 표시하는 방법에 관한 것이다.
레이저 패터닝 장치는 레이저빔을 가공물에 조사하여 패턴을 형성하는 장치이다. 종래의 레이저 패터닝 장치는 원격장(far-field)의 환경에서 패터닝 공정을 수행하므로 근본적으로 광원의 반파장 이하의 물체를 다룰 수 없다는 회절한계(diffraction limit)로 인해 패턴의 정밀도에 한계가 있었다. 또한 종래의 레이저 패터닝 장치는 레이저빔을 고정시키고 가공물을 이동시켜 패터닝 공정을 수행하였으나, 이렇게 가공물이 이동하는 구성은 가공물이 바이오 물질인 경우 적합하지 못한 경우가 있다. 이는 가공물의 이동 중에 생긴 진동에 취약하기 때문이다.
한편, 상기 레이저 패터닝 장치에 의하여 형성한 패턴을 확인하기 위해서는 원자현미경(Atomic Force Microscopy; AFM)나 주사전자현미경(Scanning Electron Microscopy; SEM)과 같은 다른 측정 장비로 옮겨 형상을 측정할 수 있는데, 이 때 패턴의 스케일이 수백 나노미터 이하인 경우에는 패턴 자체가 너무 미세하여 해당 패턴의 위치를 찾기가 용이하지 않는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 그 목적은 빛의 회절한계를 극복하여 보다 정밀한 패턴을 형성할 수 있으며, 이미지 패턴을 형성한 후 별도의 추가공정을 거치지 않고 레이저빔의 세기나 광량을 증폭시킴으로써 마킹패턴을 함께 형성할 수 있는 근접장 레이저 패터닝 방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 근접장 레이저 패터닝 방법은, 광원으로부터 발생되는 레이저빔으로 가공물에 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 프로브의 선단에 마련된 개구부를 통해 레이저빔을 가공물에 조사하는 단계와, 상기 프로브의 선단과 가공물을 근접시키는 단계와, 상기 가공물에 이미지 패턴(image pattern)을 형성하는 단계와, 상기 가공물의 이미지 패턴 주변에 마킹 패턴(marking pattern)을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 마킹 패턴을 형성하는 단계는 상기 레이저빔의 세기를 증폭시켜 형성하거나, 상기 레이저빔의 광량을 증폭시켜 형성할 수 있으며, 이 때, 상기 이미지 패턴을 형성하는 단계와 상기 마킹 패턴을 형성하는 단계에서 동일한 프로브와 동일한 광원을 사용할 수 있다. 상기 마킹 패턴은 원형 또는 다각형의 패턴을 갖거나, 숫자 또는 문자 패턴을 갖도록 형성할 수 있다.
한편, 상기 이미지 패턴을 형성하는 단계 이후에 상기 마킹 패턴을 형성할 수 있으며, 상기 이미지 패턴을 형성하는 단계 이전에 상기 마킹 패턴을 형성하는 것도 가능하다.
상기 프로브의 개구부는 상기 레이저빔의 파장보다 작은 직경을 가지며, 상 기 프로브의 선단과 가공물의 사이 거리는 1 nm 내지 50 nm 의 범위에 속하도록 근접시키는 것이 바람직하다. 그리고 상기 이미지 패턴은 최소선폭이 1 nm 내지 200 nm 의 범위에 속하도록 형성될 수 있다.
상기 이미지 패턴 또는 마킹 패턴은 가공물을 이동시킴으로써 형성할 수 있으며, 상기 프로브를 이동시킴으로써 형성하는 것도 가능하다.
근접장(near-field) 현상이란 파장보다 작은 구멍을 통과한 빛이 구멍의 크기와 비슷한 거리 내에서는 회절이 일어나지 않는 현상을 말한다. 이러한 근접장 현상을 이용하면 기존의 원격장(far-field)에서와는 달리 광원의 반파장 이하의 물체를 다룰 수 있다. 현재 근접장을 이용하여 광원의 파장보다 더 짧은 광분해능을 가지는 현미경인 근접장 주사 광학 현미경(Near-field Scanning Optical Microscope; NSOM)이 사용된다. 본 발명의 실시예에서 설명되는 장치는 이러한 근접장 주사 광학 현미경 장비의 일부 구성을 이용하여 가공물에 보다 정밀한 패턴을 형성하는 장치이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 근접장 레이저 패터닝 방법을 수행하기 위한 레이저 패터닝 장치를 도시한 개략도이다. 레이저 패터닝 장치(10)는 레이저 광원(20)과, 제1 미러(30)와, 렌즈(40)와, 프로브(50)와, 진동감지기(60)와, 가공물 스테이지(70)와, 미세이동장치(80)와, 제1 광검출기(90)와, 제2 광검출기(91)와, 제2 미러(95)를 구비한다.
레이저 광원(20)은 레이저빔을 발생시킨다. 레이저 광원(20)으로서 펨토초 레이저를 사용할 수 있으며, Nd-YAG 레이저와 같은 다른 가공용 레이저가 레이저 광원으로 사용될 수도 있다. 제1 미러(30)는 레이저 광원(20)에서 발생한 레이저빔을 렌즈(40)를 향해 반사한다. 렌즈(40)는 제1 미러(30)로부터 전송된 레이저빔을 집속하여 프로브(50)의 후단 쪽으로 입력시킨다.
프로브(50)는 광도파관으로서 선단이 뾰족하게 테이퍼진 형태이다. 상세히 도시되지는 않았으나, 프로브(50)의 선단에는 레이저빔의 직경보다 작은 미세한 개구부가 형성된다. 프로브(50)의 선단은 가공물(100)에 근접하는데, 가공물(100)과 프로브(50)의 선단 사이의 거리는 1 nm 내지 50nm 의 범위에 속하도록 형성될 수 있다. 프로브(50)는 가공물(100)과 근접한 상태에서 전단력(shear force)을 받는다. 레이저빔은 프로브(50)의 후단으로 들어와서 선단에 형성된 개구부를 통해 가공물(100)로 조사된다. 프로브(50)는 진동감지기(60)에 장착된다. 본 실시예에서는 진동감지기(60)로서 튜닝포크를 사용한다. 튜닝포크는 프로브를 진동시킴과 동시에 그 진폭의 변화를 측정하는 장치로서, 한국공개특허공보 제2001-68003호에 개시된 것과 같은 구성인 것을 사용할 수 있으며 상기 공보에 기재된 사항은 본 명세서의 일부로 참조한다. 가공물 스테이지(70)에는 가공물(100)이 놓여진다. 가공물 스테이지(70)는 미세이동장치(80)에 연결된다.
미세이동장치(80)는 가공물 스테이지(70)를 미세하게 공간이동 시키는 장치 로서, 예를 들면 이스라엘의 나노닉스 이머징사의 3D Flatscanner를 사용할 수 있다. 프로브(50)로부터 조사되는 레이저빔의 방향을 z축 방향이라 하고, z축과 수직을 이루는 평면상에 놓이며 서로 직각을 이루는 두 축을 각각 x축, y축으로 할 때, 미세이동장치(80)는 가공물(100)을 x-y 평면방향으로 이동시킴과 동시에 가공물(100)을 z축 방향을 따라 직선이동 시킨다. 이하, x-y 평면방향으로 이동시키는 부분을 스캐너부라 하고, z축 방향을 따라 직선이동 시키는 부분을 거리유지부라 한다. 미세이동장치(80)의 거리유지부는 진동감지기(60)로부터 측정된 프로브(50)의 진동상태를 이용하여 가공물(100)이 프로브(50)의 선단과 1 nm 내지 50 nm 범위 내를 유지하도록 가공물 스테이지(70)를 적절히 z축 방향으로 미세하게 이동시킨다.
제1 광검출기(90)와 제2 광검출기(91)는 각각 가공물 스테이지(70)를 사이에 두고 양쪽에 배치된다. 제1 광검출기(90)는 가공물(100)이 놓여지는 면을 바라도록 배치되고, 제2 광검출기(91)는 가공물(100)이 놓여지는 면의 반대편에 배치된다. 제1 광검출기(90)는 가공물(100)로부터 반사된 레이저빔(점선으로 도시)을 검출한다. 제2 광검출기(91)는 가공물(100)을 통과한 레이저빔(점선으로 도시)을 검출한다. 제1 광검출기(90)와 제2 광검출기(91)에 의해 가공물(100)의 표면지형 정보가 추출된다. 본 실시예에서는 제1 광검출기(90)와 제2 광검출기(91)로서 아발란체 포토 다이오드를 사용한다. 제2 광검출기(91)는 가공물(100)이 바이오 물질과 같은 투광성 재료일 때 이용된다.
제2 미러(95)는 가공물(100)로부터 반사되어 제1 광검출기(90)로 향하는 레이저빔의 일부를 반사하여 접안부(99)로 전송한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 근접장 레이저 패터닝 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이고, 도 3은 이미지 패턴과 마킹 패턴이 형성된 가공물을 개략적으로 도시한 모식도이다.
도 2를 참조하면, 패터닝 장치(10)는 먼저 프로브(50)의 선단에 마련된 개구부(도시되지 않음)를 통해 레이저빔을 가공물(100)에 조사한다.(S1) 이 단계는 다음과 같이 수행된다.
레이저 광원(20)으로부터 발생한 레이저빔은 제1 미러(30)에 의해 반사되어 렌즈(40)로 전송된다. 렌즈(40)로 전송된 레이저빔은 렌즈(40)에 의해 집광되어 프로브(50)의 후단으로 전송된다. 프로브(50)의 후단에서 집광된 레이저빔은 광도파관인 프로브(50)의 선단으로 전송된다. 레이저빔은 프로브(50)의 선단에 마련된 레이저빔의 파장보다 작은 직경의 개구부(도시되지 않음)를 통해 가공물(100)로 조사된다.
다음에는 프로브(50)의 선단과 가공물(100) 사이의 거리가 1 nm 내지 50 nm의 범위 내에 속하도록 근접시킨다.(S2) 이 단계는 다음과 같이 수행된다.
미세이동장치(80)의 거리유지부는 가공물 스테이지(70)를 z축 방향을 따라 이동시켜 가공물(100)이 프로브(50)의 선단에 가까워지도록 한다. 이 때, 진동감지기(60)로서 작용하는 튜닝포크는 프로브(50)를 미세하게 진동시킨다. 프로브(50)의 선단이 가공물(100)에 가까워짐에 따라 가공물(100)에 가해지는 전단력이 변하여 프로브(50)의 진동상태가 변하게 된다. 튜닝포크는 프로브(50)의 진동상태를 측정한다. 이 측정값을 이용하여 미세이동장치(80)의 거리유지부는 프로브(50)의 선단 과 가공물(100)의 거리가 1 nm 내지 50 nm 의 범위 내에 속하도록 가공물 스테이지(70)를 z축 방향을 따라 미세하게 이동시킨다. 도시되지는 않았으나, 진동감지기(60)로부터 측정된 값으로부터 미세이동장치(80)의 동작을 제어하는 제어부가 구비됨을 당업자라면 이해할 수 있을 것이다.
다음에는 가공물(100)에 이미지 패턴(I)을 형성한다.(S3) 이 단계는 미세이동장치(80)의 스캐너부가 가공물(100)을 x-y 평면상에서 이동시킴으로써 수행된다.
가공물(100)이 x-y 평면을 이동할 때 가공물(100)과 프로브(50)의 선단 사이의 거리는 진동감지기(60)와 미세이동장치(80)의 거리유지부에 의해 수십nm의 범위 내에서 계속 유지된다. 이 때, 가공물(100)로부터 반사된 레이저빔은 점선으로 도시된 바와 같이 제1 광검출기(90)를 통해 검출된다. 만일 가공물(100)이 바이오물질과 같이 투과성인 경우 가공물을 통과한 레이저빔이 제2 광검출기(91)를 통해 검출된다. 제1 광검출기(90) 또는 제2 광검출기(91)를 통해 레이저빔에 의해 패터닝 공정이 수행됨과 동시에 가공물의 지형 정보가 추출된다.
다음에는 가공물(100)의 이미지 패턴(I) 주변에 마킹 패턴(M1, M2)을 형성한다.(S4) 여기서 이미지 패턴(I)은 가공물(100)에 목적한 바에 따른 소정의 형상으로 그 최소선폭이 1 nm 내지 200 nm 범위에 속하도록 형성되는 나노 스케일의 패턴이며, 마킹 패턴(M1, M2)은 다른 측정장비로 가공물(100)을 옮겨 이미지 패턴(I)의 형상을 측정하고자 하는 경우에 미세한 이미지 패턴(I)의 위치를 찾기 위한 위치 확인용 패턴이다.
마킹 패턴(M1, M2)을 형성하기 위해서는 상기 이미지 패턴(I)을 형성할 때보 다 레이저빔의 세기를 증폭시키거나 광량을 증폭시켜 가공물(100)에 조사한다. 또한 이미지 패턴(I)을 형성하는 때와 마킹 패턴(M1, M2)을 형성하는 때에는 동일한 프로브와 동일한 광원을 사용함으로써 별도의 추가공정이나 추가 장비 없이 마킹 패턴(M1, M2)을 형성할 수 있다.
한편, 마킹 패턴(M1, M2)은 적어도 일반적인 광학 현미경으로 확인할 수 있을 정도의 크기로 형성하는 것이 바람직하며, 이를 위해 그 직경을 1 ㎛ 내지 5 ㎛의 범위에 속하도록 형성할 수 있다. 그리고 상기 마킹 패턴(M1, M2)은 도 3에 도시한 바와 같이, 원형 또는 다각형의 패턴을 갖도록 형성할 수 있으며, 숫자 또는 문자 등의 패턴을 갖도록 형성할 수도 있다.
상기 실시예에서는 프로브(50)의 선단과 가공물(100) 사이의 거리가 일정하게 유지되도록 하는 거리유지부가 가공물(100)을 평면이동 시키는 스캐너부와 함께 일체로 형성되는 것으로 설명하였다. 그러나 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 거리유지부는 프로브(50)를 z축 방향을 따라 이동시키도록 구성될 수도 있음을 당업자라면 이해할 수 있을 것이다.
또한 상기 실시예에서는 이미지 패턴(I)을 형성하는 단계 이후에 마킹 패턴(M1, M2)을 형성하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 상기 이미지 패턴(I)을 형성하는 단계 이전에 마킹 패턴(M1, M2)을 형성하는 것도 가능하다. 이 때에도 각 단계에서의 레이저빔의 세기 또는 광량을 다르게 하여 조사함으로써 구분하여 형성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 근접장 레이저 패터닝 방법을 수행하기 위 한 레이저 패터닝 장치의 다른 예를 도시한 개략도이다.
도 4를 참조하면, 레이저 패터닝 장치(10a)는 레이저 광원(20a)과 프로브(50a)의 후단을 연결하는 광도파로(15a)와, 진동감지기(60a)에 연결되어 프로브(50a)를 z축 방향으로 이동시키는 거리유지부와 프로브(50a)를 x-y 평면상에서 이동시키는 스캐너부를 구비하는 미세이동장치(80a)를 구비한다. 레이저 광원(20a)은 펨토초 레이저를 제외한 적외선, 가시광선, 자외선 영역의 일반적인 레이저를 사용하는 것이 바람직하다. 광도파로(15a)는 광섬유와 같은 소재로서 유연하며 레이저 광원(20a)으로부터 생성된 레이저빔을 프로브(50a)의 후단으로 전송한다. 미세이동장치(80a)는 도 1에 도시된 미세이동장치(80)와 동일한 구성이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 그 외의 구성은 도1의 예와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상기와 같은 레이저 패터닝 장치(10a)를 이용하여서도 도 2를 참조하여 상기에 설명한 바와 같은 순서에 따라 이미지 패턴(I)을 형성하고, 마킹 패턴(M1, M2)을 형성할 수 있다.
상기 패터닝 장치(10a)는 먼저 프로브(50a)의 선단에 마련된 개구부(도시되지 않음)를 통해 레이저빔을 가공물(100a)에 조사한다.(S1) 이 단계는 레이저 광원(20a)으로부터 발생한 레이저빔이 유연한 광도파로(15a)를 따라 프로브(50a)의 후단으로 전송되고, 레이저빔은 프로브(50a)의 선단에 마련된 레이저빔의 파장보다 작은 직경의 개구부(도시되지 않음)를 통해 가공물(100a)로 조사된다.
다음에는 프로브(50a)의 선단과 가공물(100a) 사이의 거리가 1 nm 내지 50 nm의 범위에 속하도록 근접시킨다.(S2) 이 단계는 다음과 같이 수행된다.
미세이동장치(80a)의 거리유지부는 프로브(50a)가 장착된 진동감지기(60a)를 z축 방향을 따라 이동시켜 프로브(50a)의 선단이 가공물(100a)에 가까워지도록 한다. 이때, 진동감지기(60a)는 프로브(50a)의 진동상태를 측정한다. 이 측정값을 이용하여 미세이동장치(80a)의 거리유지부는 프로브(50)의 선단과 가공물(100)의 거리가 수십nm가 되도록 프로브(50a)를 z축 방향을 따라 미세하게 이동시킨다.
다음에는 가공물(100)에 패턴을 형성한다.(S3) 이 단계는 미세이동장치(80a)의 스캐너부가 프로브(50a)를 x-y 평면상에서 이동시킴으로써 수행된다. 프로브(50a)가 x-y 평면을 이동할 때 가공물(100a)과 프로브(50a)의 선단 사이의 거리는 진동감지기(60a)와 미세이동장치(80a)의 거리유지부에 의해 수 nm 또는 수십nm를 계속 유지된다. 이 때, 가공물(100a)로부터 반사된 레이저빔은 점선으로 도시된 바와 같이 제1 광검출기(90a)를 통해 검출된다. 만일 가공물(100a)이 바이오물질과 같이 투과성인 경우 가공물을 통과한 레이저빔이 제2 광검출기(91a)를 통해 검출된다. 제1 광검출기(90a) 또는 제2 광검출기(91a)를 통해 레이저빔에 의해 패터닝 공정이 수행됨과 동시에 가공물의 지형 정보가 추출된다.
다음에는 가공물(100)의 이미지 패턴(I) 주변에 마킹 패턴(M1, M2)을 형성한다.(S4)
마킹 패턴(M1, M2)을 형성하기 위해서는 상기 이미지 패턴(I)을 형성할 때보다 레이저빔의 세기를 증폭시키거나 광량을 증폭시켜 가공물(100)에 조사한다. 또한 이미지 패턴(I)을 형성하는 때와 마킹 패턴(M1, M2)을 형성하는 때에는 동일한 프로브와 동일한 광원을 사용함으로써 별도의 추가공정이나 추가 장비 없이 마킹 패턴(M1, M2)을 형성할 수 있다.
상기 실시예에서는 프로브(50a)의 선단과 가공물(100a) 사이의 거리가 일정하게 유지되도록 하는 거리유지부가 프로브(50a)를 평면이동시키는 스캐너부와 함께 일체로 형성되는 것으로 설명하였다. 그러나 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 거리유지부는 가공물(100a)을 z축 방향을 따라 이동시키도록 구성될 수도 있음을 당업자라면 이해할 수 있을 것이다.
상기 실시예에서는 프로브의 진동감지기로서 튜닝포크를 사용하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 가공물과 프로브 선단의 거리에 따라 프로브에 작용하는 힘을 변화를 측정할 수 있는 것이라면 모두 사용될 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 근접장 레이저 패터닝 방법에 의하면, 근접장의 환경 하에서 패터닝 공정이 이루어지므로 종래의 원격장을 이용하는 패터닝보다 정밀한 패터닝이 가능하며, 이러한 미세한 패턴 제작이 가능하게 됨으로써 고밀도 광기록 기술의 개발이 실현될 수 있다. 또한 가공물을 이동시키며 패 턴을 형성하는 경우에 팸토초 레이저를 사용할 수 있으므로 열영향 확대부를 최소화할 수 있고, 고정밀도의 패터닝을 수행할 수 있다. 그리고 가공물은 고정된 상태에서 프로브가 이동하며 패터닝이 수행될 수 있으므로 바이오물질과 같이 진동에 취약한 물질에 대한 공정에 적합하다. 또한 정밀한 패터닝 공정을 수행함과 동시에 패턴이 형성되는 가공물의 지형 정보를 함께 추출할 수 있다.
아울러 이미지 패턴을 형성한 후 별도의 추가공정을 거치거나 추가장비를 필요로 하지 않고 동일 프로브와 동일 광원을 사용하면서 레이저빔의 세기나 광량을 증폭시킴으로써 이미지 패턴의 위치 확인을 위한 마킹패턴을 함께 형성할 수 있다.

Claims (14)

  1. 광원으로부터 발생되는 레이저빔으로 가공물에 패턴을 형성하는 방법에 있어서,
    프로브의 선단에 마련된 개구부를 통해 레이저빔을 가공물에 조사하는 단계;
    상기 프로브의 선단과 가공물을 근접시키는 단계;
    상기 가공물에 이미지 패턴(image pattern)을 형성하는 단계;
    상기 가공물의 이미지 패턴 주변에 마킹 패턴(marking pattern)을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 이미지 패턴 및 상기 마킹 패턴을 형성하는 단계에서는 상기 프로브의 선단과 가공물의 사이 거리가 1 nm 내지 50 nm 의 범위로 근접된 상태에서 상기 가공물 또는 상기 프로브를 평면방향으로 이동시키면서 상기 이미지 패턴 및 상기 마킹 패턴을 각각 형성하는 근접장 레이저 패터닝 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 마킹 패턴을 형성하는 단계는 상기 레이저빔의 세기를 증폭시켜 형성하는 근접장 레이저 패터닝 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 마킹 패턴을 형성하는 단계는 상기 레이저빔의 광량을 증폭시켜 형성하는 근접장 레이저 패터닝 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 이미지 패턴을 형성하는 단계와 상기 마킹 패턴을 형성하는 단계에서 동일한 프로브와 동일한 광원을 사용하는 근접장 레이저 패터닝 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 마킹 패턴은 직경이 1 ㎛ 내지 5㎛ 의 범위에 속하도록 형성되는 근접장 레이저 패터닝 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 마킹 패턴은 원형 또는 다각형의 패턴을 갖도록 형성되는 근접장 레이저 패터닝 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 마킹 패턴은 숫자 또는 문자 패턴을 갖도록 형성되는 근접장 레이저 패터닝 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이미지 패턴을 형성하는 단계 이후에 상기 마킹 패턴을 형성하는 근접장 레이저 패터닝 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이미지 패턴을 형성하는 단계 이전에 상기 마킹 패턴을 형성하는 근접장 레이저 패터닝 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로브의 개구부는 상기 레이저빔의 파장보다 작은 직경을 갖는 근접장 레이저 패터닝 방법.
  11. 삭제
  12. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이미지 패턴은 최소선폭이 1 nm 내지 200 nm 의 범위에 속하도록 형성되는 근접장 레이저 패터닝 방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
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