JPH11243049A - ウエハとマスクとの位置検出装置及び変形誤差検出方法 - Google Patents
ウエハとマスクとの位置検出装置及び変形誤差検出方法Info
- Publication number
- JPH11243049A JPH11243049A JP10045509A JP4550998A JPH11243049A JP H11243049 A JPH11243049 A JP H11243049A JP 10045509 A JP10045509 A JP 10045509A JP 4550998 A JP4550998 A JP 4550998A JP H11243049 A JPH11243049 A JP H11243049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- mark
- marks
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7038—Alignment for proximity or contact printer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スループットを落とすことなく、露光中も位
置検出が可能な高精度なアライメントを行うことができ
る位置検出装置を提供する。 【解決手段】 ウエハに第１及び第２のウエハマークが
形成され、マスクに第１及び第２のマスクマークが形成
されている。第１及び第２のマスクマークが、それぞれ
第１及び第２のウエハマークに対応し、第１及び第２の
ウエハマークとともに第１及び第２のアライメントマー
ク群を構成する。第１及び第２の照明光学系が、それぞ
れ第１及び第２のアライメントマーク群に照明光を照射
する。第１及び第２の観測光学系が、第１及び第２のア
ライメントマーク群からの散乱光による像を得る。第１
及び第２の観測光学系の光軸は、露光面に対して傾いて
おり、それらを露光面へ垂直投影した像が第１と第２の
ウエハマークを結ぶ直線に直交する。制御手段が、第１
及び第２の観測光学系により得られた像に基づいて、ウ
エハとマスクとの寸法の相違を検出する。
置検出が可能な高精度なアライメントを行うことができ
る位置検出装置を提供する。 【解決手段】 ウエハに第１及び第２のウエハマークが
形成され、マスクに第１及び第２のマスクマークが形成
されている。第１及び第２のマスクマークが、それぞれ
第１及び第２のウエハマークに対応し、第１及び第２の
ウエハマークとともに第１及び第２のアライメントマー
ク群を構成する。第１及び第２の照明光学系が、それぞ
れ第１及び第２のアライメントマーク群に照明光を照射
する。第１及び第２の観測光学系が、第１及び第２のア
ライメントマーク群からの散乱光による像を得る。第１
及び第２の観測光学系の光軸は、露光面に対して傾いて
おり、それらを露光面へ垂直投影した像が第１と第２の
ウエハマークを結ぶ直線に直交する。制御手段が、第１
及び第２の観測光学系により得られた像に基づいて、ウ
エハとマスクとの寸法の相違を検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハとマスクの
アライメントマークを斜方から観測する位置検出装置及
びウエハとマスクの変形誤差検出方法に関し、特に、近
接露光のスループット向上に適した位置検出装置及び変
形誤差検出方法に関する。
アライメントマークを斜方から観測する位置検出装置及
びウエハとマスクの変形誤差検出方法に関し、特に、近
接露光のスループット向上に適した位置検出装置及び変
形誤差検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レンズ系と画像処理系とを組み合わせた
アライメント装置を用いてウエハとマスクとの位置合わ
せを行う方法として、垂直検出法と斜方検出法が知られ
ている。垂直検出法は、アライメントマークをマスク面
に垂直な方向から観測する方法であり、斜方検出法は、
斜めから観測する方法である。
アライメント装置を用いてウエハとマスクとの位置合わ
せを行う方法として、垂直検出法と斜方検出法が知られ
ている。垂直検出法は、アライメントマークをマスク面
に垂直な方向から観測する方法であり、斜方検出法は、
斜めから観測する方法である。
【０００３】垂直検出法で用いられる合焦方法として、
色収差二重焦点法が知られている。色収差二重焦点法
は、マスクに形成されたマスクマークとウエハに形成さ
れたウエハマーク（ウエハマークとマスクマークとを総
称してアライメントマークと呼ぶ。）とを異なる波長の
光で観測し、レンズ系の色収差を利用してウエハマーク
とマスクマークの像を同一平面上に結像させる方法であ
る。色収差二重焦点法は、原理的にレンズの光学的な分
解能を高く設定できるため、絶対的な位置検出精度を高
めることができる。
色収差二重焦点法が知られている。色収差二重焦点法
は、マスクに形成されたマスクマークとウエハに形成さ
れたウエハマーク（ウエハマークとマスクマークとを総
称してアライメントマークと呼ぶ。）とを異なる波長の
光で観測し、レンズ系の色収差を利用してウエハマーク
とマスクマークの像を同一平面上に結像させる方法であ
る。色収差二重焦点法は、原理的にレンズの光学的な分
解能を高く設定できるため、絶対的な位置検出精度を高
めることができる。
【０００４】一方、アライメントマークを垂直方向から
観測するために、観測のための光学系が露光領域に入り
込む。このままで露光すると、光学系が露光光を遮るこ
とになるため、露光時には光学系を露光領域から退避さ
せる必要がある。退避させるための移動時間が必要にな
るため、スループットが低下する。また、露光時にアラ
イメントマークを観測できないため位置検出ができなく
なる。これは、露光中のアライメント精度低下の原因に
なる。
観測するために、観測のための光学系が露光領域に入り
込む。このままで露光すると、光学系が露光光を遮るこ
とになるため、露光時には光学系を露光領域から退避さ
せる必要がある。退避させるための移動時間が必要にな
るため、スループットが低下する。また、露光時にアラ
イメントマークを観測できないため位置検出ができなく
なる。これは、露光中のアライメント精度低下の原因に
なる。
【０００５】斜方検出法は、光軸がマスク面に対して斜
めになるように光学系を配置するため、露光光を遮らな
いように配置することができる。このため、露光中に光
学系を退避させる必要がなく、露光中でもアライメント
マークを観測することができる。従って、スループット
を低下させることなく、かつ露光中の位置ずれを防止す
ることができる。
めになるように光学系を配置するため、露光光を遮らな
いように配置することができる。このため、露光中に光
学系を退避させる必要がなく、露光中でもアライメント
マークを観測することができる。従って、スループット
を低下させることなく、かつ露光中の位置ずれを防止す
ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】斜方検出法は、ウエハ
マークとマスクマークを斜方から観測して結像させるた
め、像歪により位置検出の絶対精度が低下する。また、
照明光の光軸と観測光の光軸が一致していないため、照
明光の光軸を観測光の光軸と同軸に配置することができ
ない。従って、照明光軸が理想的な光軸からずれ易くな
る。照明光軸が理想的な光軸からずれると、像が変化し
正確な位置検出を行うことが困難になる。
マークとマスクマークを斜方から観測して結像させるた
め、像歪により位置検出の絶対精度が低下する。また、
照明光の光軸と観測光の光軸が一致していないため、照
明光の光軸を観測光の光軸と同軸に配置することができ
ない。従って、照明光軸が理想的な光軸からずれ易くな
る。照明光軸が理想的な光軸からずれると、像が変化し
正確な位置検出を行うことが困難になる。
【０００７】本発明の目的は、スループットを落とすこ
となく、露光中も位置検出が可能な高精度なアライメン
トを行うことができる位置検出方法及び装置を提供する
ことである。
となく、露光中も位置検出が可能な高精度なアライメン
トを行うことができる位置検出方法及び装置を提供する
ことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、入射光を散乱させる位置合わせ用の第１及び第２の
ウエハマークが形成された露光面を有するウエハと、入
射光を散乱させる位置合わせ用の第１及び第２のマスク
マークが形成されたマスク面を有するマスクであって、
該マスク面が前記露光面に対してある間隙を隔てて配置
されたとき、前記第１及び第２のマスクマークが、それ
ぞれ前記第１及び第２のウエハマークに対応し、前記第
１及び第２のウエハマークとともに第１及び第２のアラ
イメントマーク群を構成するように配置された前記マス
クとを、前記マスク面が前記露光面に対向するように配
置して保持する保持手段と、前記保持手段に保持された
前記ウエハ及びマスクの前記第１及び第２のアライメン
トマーク群に、それぞれ前記露光面に対して斜めの光軸
に沿って照明光を照射する第１及び第２の照明光学系
と、前記第１及び第２のアライメントマーク群からの散
乱光をそれぞれ結像させる受光面を有する第１及び第２
の観測光学系であって、該第１及び第２の観測光学系の
光軸が、前記ウエハの露光面に対して傾いており、かつ
それらを前記露光面へ垂直投影した像が共に前記第１の
ウエハマークと第２のウエハマークとを結ぶ第１の仮想
直線に直交する前記第１及び第２の観測光学系と、前記
第１及び第２の観測光学系により得られた前記第１及び
第２のアライメントマーク群からの散乱光による像に基
づいて、前記ウエハとマスクとの前記第１の仮想直線方
向に関する寸法の相違を検出する制御手段とを有する位
置検出装置が提供される。
と、入射光を散乱させる位置合わせ用の第１及び第２の
ウエハマークが形成された露光面を有するウエハと、入
射光を散乱させる位置合わせ用の第１及び第２のマスク
マークが形成されたマスク面を有するマスクであって、
該マスク面が前記露光面に対してある間隙を隔てて配置
されたとき、前記第１及び第２のマスクマークが、それ
ぞれ前記第１及び第２のウエハマークに対応し、前記第
１及び第２のウエハマークとともに第１及び第２のアラ
イメントマーク群を構成するように配置された前記マス
クとを、前記マスク面が前記露光面に対向するように配
置して保持する保持手段と、前記保持手段に保持された
前記ウエハ及びマスクの前記第１及び第２のアライメン
トマーク群に、それぞれ前記露光面に対して斜めの光軸
に沿って照明光を照射する第１及び第２の照明光学系
と、前記第１及び第２のアライメントマーク群からの散
乱光をそれぞれ結像させる受光面を有する第１及び第２
の観測光学系であって、該第１及び第２の観測光学系の
光軸が、前記ウエハの露光面に対して傾いており、かつ
それらを前記露光面へ垂直投影した像が共に前記第１の
ウエハマークと第２のウエハマークとを結ぶ第１の仮想
直線に直交する前記第１及び第２の観測光学系と、前記
第１及び第２の観測光学系により得られた前記第１及び
第２のアライメントマーク群からの散乱光による像に基
づいて、前記ウエハとマスクとの前記第１の仮想直線方
向に関する寸法の相違を検出する制御手段とを有する位
置検出装置が提供される。
【０００９】第１の観測光学系により得られた像から、
第１の仮想直線方向に関し、第１のウエハマークと第１
のマスクマークとの相対位置を検出することができる。
検出された相対位置情報から、ウエハとマスクとを第１
の仮想直線方向に関して位置合わせすることができる。
第２の観測光学系により得られた像から、第１の仮想直
線方向に関し、第２のウエハマークと第２のマスクマー
クとの相対位置を検出することができる。第１及び第２
の観測光学系により測定された２つの相対位置から、ウ
エハとマスクの第１の仮想直線方向に関する変形量の差
を求めることができる。
第１の仮想直線方向に関し、第１のウエハマークと第１
のマスクマークとの相対位置を検出することができる。
検出された相対位置情報から、ウエハとマスクとを第１
の仮想直線方向に関して位置合わせすることができる。
第２の観測光学系により得られた像から、第１の仮想直
線方向に関し、第２のウエハマークと第２のマスクマー
クとの相対位置を検出することができる。第１及び第２
の観測光学系により測定された２つの相対位置から、ウ
エハとマスクの第１の仮想直線方向に関する変形量の差
を求めることができる。
【００１０】本発明の他の観点によると、入射光を散乱
させる位置合わせ用の第１及び第２のウエハマークが形
成された露光面を有するウエハと、入射光を散乱させる
位置合わせ用の第１及び第２のマスクマークが形成され
たマスク面を有するマスクであって、該マスク面が前記
露光面に対してある間隙を隔てて配置されたとき、前記
第１及び第２のマスクマークが、それぞれ前記第１及び
第２のウエハマークに対応し、前記第１及び第２のウエ
ハマークとともに第１及び第２のアライメントマーク群
を構成するように配置された前記マスクとを、前記マス
ク面が前記露光面に対向し、前記第１及び第２のウエハ
マークがそれぞれ前記第１及び第２のマスクマークに対
応するように配置する工程と、前記保持手段に保持され
た前記ウエハ及びマスクの前記第１及び第２のアライメ
ントマーク群に、それぞれ前記露光面に対して斜めの光
軸に沿って照明光を照射する工程と、前記第１及び第２
のアライメントマーク群からの散乱光をそれぞれ結像さ
せる第１及び第２の受光面を有する第１及び第２の観測
光学系であって、該第１及び第２の観測光学系の光軸
が、共に前記露光面に対して傾き、かつ第１のウエハマ
ークと第２のウエハマークとを結ぶ第１の仮想直線に直
交する前記第１及び第２の観測光学系を用いて、前記第
１及び第２のアライメントマーク群からの散乱光をそれ
ぞれ前記第１及び第２の受光面上に結像させる工程と、
前記結像させる工程で得られた前記第１及び第２のアラ
イメントマーク群からの散乱光による像に基づいて、前
記ウエハとマスクとの前記第１の仮想直線方向に関する
変形量の相違を検出する工程とを有する変形誤差検出方
法が提供される。
させる位置合わせ用の第１及び第２のウエハマークが形
成された露光面を有するウエハと、入射光を散乱させる
位置合わせ用の第１及び第２のマスクマークが形成され
たマスク面を有するマスクであって、該マスク面が前記
露光面に対してある間隙を隔てて配置されたとき、前記
第１及び第２のマスクマークが、それぞれ前記第１及び
第２のウエハマークに対応し、前記第１及び第２のウエ
ハマークとともに第１及び第２のアライメントマーク群
を構成するように配置された前記マスクとを、前記マス
ク面が前記露光面に対向し、前記第１及び第２のウエハ
マークがそれぞれ前記第１及び第２のマスクマークに対
応するように配置する工程と、前記保持手段に保持され
た前記ウエハ及びマスクの前記第１及び第２のアライメ
ントマーク群に、それぞれ前記露光面に対して斜めの光
軸に沿って照明光を照射する工程と、前記第１及び第２
のアライメントマーク群からの散乱光をそれぞれ結像さ
せる第１及び第２の受光面を有する第１及び第２の観測
光学系であって、該第１及び第２の観測光学系の光軸
が、共に前記露光面に対して傾き、かつ第１のウエハマ
ークと第２のウエハマークとを結ぶ第１の仮想直線に直
交する前記第１及び第２の観測光学系を用いて、前記第
１及び第２のアライメントマーク群からの散乱光をそれ
ぞれ前記第１及び第２の受光面上に結像させる工程と、
前記結像させる工程で得られた前記第１及び第２のアラ
イメントマーク群からの散乱光による像に基づいて、前
記ウエハとマスクとの前記第１の仮想直線方向に関する
変形量の相違を検出する工程とを有する変形誤差検出方
法が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を説明する前に、
実施例に関連する本願発明者の先の提案について説明す
る。
実施例に関連する本願発明者の先の提案について説明す
る。
【００１２】図１は、本発明の実施例及び先の提案によ
る位置検出装置の概略図を示す。先の提案による位置検
出装置はウエハ／マスク保持部１０、光学系２０、及び
制御装置３０を含んで構成されている。
る位置検出装置の概略図を示す。先の提案による位置検
出装置はウエハ／マスク保持部１０、光学系２０、及び
制御装置３０を含んで構成されている。
【００１３】ウエハ／マスク保持部１０は、ウエハ保持
台１５、マスク保持台１６、駆動機構１７及び１８を含
んで構成されている。位置合わせ時には、ウエハ保持台
１５の上面にウエハ１１を保持し、マスク保持台１６の
下面にマスク１２を保持する。ウエハ１１とマスク１２
とは、ウエハ１１の露光面とマスク１２のウエハ側の面
（マスク面）との間に一定の間隙が形成されるようにほ
ぼ平行に配置される。ウエハ１１の露光面には、位置合
わせ用のウエハマークが形成され、マスク１２のマスク
面には位置合わせ用のマスクマークが形成されている。
台１５、マスク保持台１６、駆動機構１７及び１８を含
んで構成されている。位置合わせ時には、ウエハ保持台
１５の上面にウエハ１１を保持し、マスク保持台１６の
下面にマスク１２を保持する。ウエハ１１とマスク１２
とは、ウエハ１１の露光面とマスク１２のウエハ側の面
（マスク面）との間に一定の間隙が形成されるようにほ
ぼ平行に配置される。ウエハ１１の露光面には、位置合
わせ用のウエハマークが形成され、マスク１２のマスク
面には位置合わせ用のマスクマークが形成されている。
【００１４】駆動機構１７は、ウエハ１１とマスク１２
との露光面内に関する相対位置が変化するように、ウエ
ハ保持台１５若しくはマスク保持台１６を移動させるこ
とができる。駆動機構１８は、ウエハ１１の露光面とマ
スク１２のマスク面との間隔が変化するように、ウエハ
保持台１５を移動させることができる。図の左から右に
Ｘ軸、紙面に垂直な方向に表面から裏面に向かってＹ
軸、露光面の法線方向にＺ軸をとると、駆動機構１７
は、ウエハ１１とマスク１２の、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、
Ｚ軸の回りの回転方向（θZ 方向）に関する相対位置を
調整し、駆動機構１８は、Ｚ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸の回
りの回転（あおり）方向（θX 及びθY 方向）の相対位
置を調整する。
との露光面内に関する相対位置が変化するように、ウエ
ハ保持台１５若しくはマスク保持台１６を移動させるこ
とができる。駆動機構１８は、ウエハ１１の露光面とマ
スク１２のマスク面との間隔が変化するように、ウエハ
保持台１５を移動させることができる。図の左から右に
Ｘ軸、紙面に垂直な方向に表面から裏面に向かってＹ
軸、露光面の法線方向にＺ軸をとると、駆動機構１７
は、ウエハ１１とマスク１２の、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、
Ｚ軸の回りの回転方向（θZ 方向）に関する相対位置を
調整し、駆動機構１８は、Ｚ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸の回
りの回転（あおり）方向（θX 及びθY 方向）の相対位
置を調整する。
【００１５】光学系２０は、像検出装置２１Ａ、２１
Ｂ、レンズ２２、２８、ハーフミラー２３、２６Ａ、光
ファイバ２４、ミラー２６Ｂを含んで構成される。光学
系２０の光軸２５は、ＸＺ面に平行であり、かつ露光面
に対して斜めになるように配置されている。
Ｂ、レンズ２２、２８、ハーフミラー２３、２６Ａ、光
ファイバ２４、ミラー２６Ｂを含んで構成される。光学
系２０の光軸２５は、ＸＺ面に平行であり、かつ露光面
に対して斜めになるように配置されている。
【００１６】光ファイバ２４から放射された照明光はハ
ーフミラー２３で反射して光軸２５に沿った光線束とさ
れ、レンズ２２を通して露光面に斜入射される。レンズ
２２を透過した照明光は平行光線束もしくは収束光線束
になる。
ーフミラー２３で反射して光軸２５に沿った光線束とさ
れ、レンズ２２を通して露光面に斜入射される。レンズ
２２を透過した照明光は平行光線束もしくは収束光線束
になる。
【００１７】ウエハ１１及びマスク１２に設けられたウ
エハマーク及びマスクマークがエッジ若しくは頂点を有
する場合には、エッジ若しくは頂点で照明光が散乱され
る。散乱光のうちレンズ２２に入射する光はレンズ２２
で収束され、その一部がハーフミラー２３と２６Ａを透
過して像検出装置２１Ａの受光面２９Ａ上に結像する。
受光面２９Ａ上への結像倍率は、例えば２０倍である。
散乱光のうちハーフミラー２６Ａで反射した光は、ミラ
ー２６Ｂで反射し、リレーレンズ２８で収束されて像検
出装置２１Ｂの受光面２９Ｂ上に結像する。受光面２９
Ｂ上への結像倍率は、例えば８０〜１００倍である。こ
のように、相互に倍率の異なる２つの観測光学系が配置
されている。
エハマーク及びマスクマークがエッジ若しくは頂点を有
する場合には、エッジ若しくは頂点で照明光が散乱され
る。散乱光のうちレンズ２２に入射する光はレンズ２２
で収束され、その一部がハーフミラー２３と２６Ａを透
過して像検出装置２１Ａの受光面２９Ａ上に結像する。
受光面２９Ａ上への結像倍率は、例えば２０倍である。
散乱光のうちハーフミラー２６Ａで反射した光は、ミラ
ー２６Ｂで反射し、リレーレンズ２８で収束されて像検
出装置２１Ｂの受光面２９Ｂ上に結像する。受光面２９
Ｂ上への結像倍率は、例えば８０〜１００倍である。こ
のように、相互に倍率の異なる２つの観測光学系が配置
されている。
【００１８】像検出装置２１Ａ及び２１Ｂは、それぞれ
受光面２９Ａ及び２９Ｂ上に結像したウエハ１１及びマ
スク１２からの散乱光による像を光電変換し画像信号を
得る。これらの画像信号は制御装置３０に入力される。
受光面２９Ａ及び２９Ｂ上に結像したウエハ１１及びマ
スク１２からの散乱光による像を光電変換し画像信号を
得る。これらの画像信号は制御装置３０に入力される。
【００１９】制御装置３０は、像検出装置２１Ａ及び２
１Ｂから入力された画像信号を処理して、ウエハ１１と
マスク１２との相対位置を検出する。さらに、ウエハ１
１とマスク１２が所定の相対位置関係になるように、駆
動機構１７及び１８に対して制御信号を送出する。駆動
機構１７は、この制御信号に基づいてマスク保持台１６
をＸＹ面内で平行移動させ、Ｚ軸の回りに回転させる。
駆動機構１８は、この制御信号に基づいてウエハ保持台
１５をＺ軸方向に平行移動させ、Ｘ軸とＹ軸の回りに微
小回転させる。
１Ｂから入力された画像信号を処理して、ウエハ１１と
マスク１２との相対位置を検出する。さらに、ウエハ１
１とマスク１２が所定の相対位置関係になるように、駆
動機構１７及び１８に対して制御信号を送出する。駆動
機構１７は、この制御信号に基づいてマスク保持台１６
をＸＹ面内で平行移動させ、Ｚ軸の回りに回転させる。
駆動機構１８は、この制御信号に基づいてウエハ保持台
１５をＺ軸方向に平行移動させ、Ｘ軸とＹ軸の回りに微
小回転させる。
【００２０】図２（Ａ）は、図１のウエハ１１及びマス
ク１２に形成された位置合わせ用のウエハマーク１３
Ａ、１３Ｂ、及びマスクマーク１４の相対位置関係を示
す平面図である。長方形パターンをＹ軸方向に３個、Ｘ
軸方向に１４個、行列状に配列して各ウエハマーク１３
Ａ及び１３Ｂが形成されている。同様の長方形パターン
をＹ軸方向に３個、Ｘ軸方向に５個、行列状に配置して
１つのマスクマーク１４が形成されている。位置合わせ
が完了した状態では、マスクマーク１４は、Ｙ軸方向に
関してウエハマーク１３Ａと１３Ｂとのほぼ中央に配置
される。
ク１２に形成された位置合わせ用のウエハマーク１３
Ａ、１３Ｂ、及びマスクマーク１４の相対位置関係を示
す平面図である。長方形パターンをＹ軸方向に３個、Ｘ
軸方向に１４個、行列状に配列して各ウエハマーク１３
Ａ及び１３Ｂが形成されている。同様の長方形パターン
をＹ軸方向に３個、Ｘ軸方向に５個、行列状に配置して
１つのマスクマーク１４が形成されている。位置合わせ
が完了した状態では、マスクマーク１４は、Ｙ軸方向に
関してウエハマーク１３Ａと１３Ｂとのほぼ中央に配置
される。
【００２１】ウエハマーク１３Ａ、１３Ｂ、及びマスク
マーク１４の各長方形パターンの長辺はＸ軸と平行にさ
れ、短辺はＹ軸と平行にされている。各長方形パターン
の長辺の長さは例えば２μｍ、短辺の長さは例えば１μ
ｍであり、各マーク内における長方形パターンのＸ軸及
びＹ軸方向の配列ピッチは４μｍである。ウエハマーク
１３Ａと１３Ｂとの中心間距離は５６μｍである。
マーク１４の各長方形パターンの長辺はＸ軸と平行にさ
れ、短辺はＹ軸と平行にされている。各長方形パターン
の長辺の長さは例えば２μｍ、短辺の長さは例えば１μ
ｍであり、各マーク内における長方形パターンのＸ軸及
びＹ軸方向の配列ピッチは４μｍである。ウエハマーク
１３Ａと１３Ｂとの中心間距離は５６μｍである。
【００２２】図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の一点鎖線Ｂ２
−Ｂ２における断面図を示す。ウエハマーク１３Ａ及び
１３Ｂは、例えば露光面上に形成したＳｉＮ膜、ポリシ
リコン膜等をパターニングして形成される。マスクマー
ク１４は、例えばＳｉＣ等からなるメンブレン１２のマ
スク面上に形成したＴａ4 Ｂ膜をパターニングして形成
される。
−Ｂ２における断面図を示す。ウエハマーク１３Ａ及び
１３Ｂは、例えば露光面上に形成したＳｉＮ膜、ポリシ
リコン膜等をパターニングして形成される。マスクマー
ク１４は、例えばＳｉＣ等からなるメンブレン１２のマ
スク面上に形成したＴａ4 Ｂ膜をパターニングして形成
される。
【００２３】図２（Ｃ）は、図２（Ａ）の一点鎖線Ｃ２
−Ｃ２における断面図を示す。光軸２５に沿ってウエハ
マーク１３Ａ、１３Ｂ及びマスクマーク１４に入射した
照明光は、図２（Ｃ）の各長方形パターンの短辺側のエ
ッジで散乱される。エッジ以外の領域に照射された光は
正反射し、図１のレンズ２２には入射しない。従って、
像検出装置２１Ａ及び２１Ｂでエッジからの散乱光のみ
を検出することができる。ここで、正反射とは、入射光
のうちほとんどの成分が、同一の反射方向に反射するよ
うな態様の反射をいう。
−Ｃ２における断面図を示す。光軸２５に沿ってウエハ
マーク１３Ａ、１３Ｂ及びマスクマーク１４に入射した
照明光は、図２（Ｃ）の各長方形パターンの短辺側のエ
ッジで散乱される。エッジ以外の領域に照射された光は
正反射し、図１のレンズ２２には入射しない。従って、
像検出装置２１Ａ及び２１Ｂでエッジからの散乱光のみ
を検出することができる。ここで、正反射とは、入射光
のうちほとんどの成分が、同一の反射方向に反射するよ
うな態様の反射をいう。
【００２４】図１の光学系２０の物空間において光軸２
５に垂直な１つの平面上の複数の点からの散乱光が、像
検出装置２１Ａ及び２１Ｂの受光面２９Ａ及び２９Ｂ上
に同時に結像する。受光面２９Ａ及び２９Ｂ上に結像し
ている物空間内の物点の集合した平面を「物面」と呼ぶ
こととする。
５に垂直な１つの平面上の複数の点からの散乱光が、像
検出装置２１Ａ及び２１Ｂの受光面２９Ａ及び２９Ｂ上
に同時に結像する。受光面２９Ａ及び２９Ｂ上に結像し
ている物空間内の物点の集合した平面を「物面」と呼ぶ
こととする。
【００２５】図２（Ｃ）において、ウエハマーク１３
Ａ、１３Ｂ及びマスクマーク１４の各エッジのうち、物
面２７上にあるエッジからの散乱光は受光面上に合焦す
るが、物面上にないエッジからの散乱光は合焦せず、エ
ッジの位置が物面から遠ざかるに従って当該エッジから
の散乱光による像のピントが合わなくなる。従って、各
マークのエッジのうち物面に最も近い位置にあるエッジ
からの散乱光による像が最も鮮明になり、物面から離れ
た位置にあるエッジからの散乱光による像はぼける。
Ａ、１３Ｂ及びマスクマーク１４の各エッジのうち、物
面２７上にあるエッジからの散乱光は受光面上に合焦す
るが、物面上にないエッジからの散乱光は合焦せず、エ
ッジの位置が物面から遠ざかるに従って当該エッジから
の散乱光による像のピントが合わなくなる。従って、各
マークのエッジのうち物面に最も近い位置にあるエッジ
からの散乱光による像が最も鮮明になり、物面から離れ
た位置にあるエッジからの散乱光による像はぼける。
【００２６】図３は、エッジからの散乱光による受光面
上の像のスケッチである。図３のｕ軸が図２（Ｃ）にお
ける物面２７とＸＺ面との交線方向に相当し、ｖ軸が図
２（Ｃ）におけるＹ軸に相当する。ウエハマーク１３Ａ
及び１３Ｂからの散乱光による像４０Ａ及び４０Ｂがｖ
軸方向に離れて現れ、その間にマスクマーク１４からの
散乱光による像４１が現れる。
上の像のスケッチである。図３のｕ軸が図２（Ｃ）にお
ける物面２７とＸＺ面との交線方向に相当し、ｖ軸が図
２（Ｃ）におけるＹ軸に相当する。ウエハマーク１３Ａ
及び１３Ｂからの散乱光による像４０Ａ及び４０Ｂがｖ
軸方向に離れて現れ、その間にマスクマーク１４からの
散乱光による像４１が現れる。
【００２７】各長方形パターンの前方のエッジと後方の
エッジによる散乱光が観測されるため、１つの長方形パ
ターンに対して２つの点状の像が現れる。各像におい
て、図２（Ｃ）の物面２７近傍のエッジからの散乱光に
よる像がはっきりと現れ、それからｕ軸方向に離れるに
従ってぼけた像となる。また、図２（Ｃ）に示すよう
に、観測光軸２５が露光面に対して傾いているため、ウ
エハマークからの散乱光による像４０Ａ及び４０Ｂの最
もピントの合っている位置とマスクマークからの散乱光
による像４１の最もピントの合っている位置とは、ｕ軸
方向に関して一致しない。
エッジによる散乱光が観測されるため、１つの長方形パ
ターンに対して２つの点状の像が現れる。各像におい
て、図２（Ｃ）の物面２７近傍のエッジからの散乱光に
よる像がはっきりと現れ、それからｕ軸方向に離れるに
従ってぼけた像となる。また、図２（Ｃ）に示すよう
に、観測光軸２５が露光面に対して傾いているため、ウ
エハマークからの散乱光による像４０Ａ及び４０Ｂの最
もピントの合っている位置とマスクマークからの散乱光
による像４１の最もピントの合っている位置とは、ｕ軸
方向に関して一致しない。
【００２８】マスクマークからの散乱光による像４１
が、ｖ軸方向に関して像４０Ａと４０Ｂとの中央に位置
するように、図１のウエハ保持台１５とマスク保持台１
６とを移動させることにより、Ｙ軸方向、即ち物面と露
光面との交線方向に関してウエハ１１とマスク１２との
位置合わせを行うことができる。
が、ｖ軸方向に関して像４０Ａと４０Ｂとの中央に位置
するように、図１のウエハ保持台１５とマスク保持台１
６とを移動させることにより、Ｙ軸方向、即ち物面と露
光面との交線方向に関してウエハ１１とマスク１２との
位置合わせを行うことができる。
【００２９】図１に示す位置検出装置では、ウエハマー
ク及びマスクマークを斜方から観測するため、光学系２
０を露光光４０の光路内に配置する必要がない。このた
め、露光時に光学系２０を露光範囲外に退避させる必要
がない。また、位置合わせ完了後にウエハを露光する場
合、露光中も常時位置検出が可能である。さらに、照明
光軸と観察光軸を同軸にしているため、軸ずれがなく常
に安定した像を得ることができる。
ク及びマスクマークを斜方から観測するため、光学系２
０を露光光４０の光路内に配置する必要がない。このた
め、露光時に光学系２０を露光範囲外に退避させる必要
がない。また、位置合わせ完了後にウエハを露光する場
合、露光中も常時位置検出が可能である。さらに、照明
光軸と観察光軸を同軸にしているため、軸ずれがなく常
に安定した像を得ることができる。
【００３０】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、像検出装置
２１により得られた画像信号を示す。横軸は図３のｖ軸
に対応し、縦軸は光強度を表す。なお、この画像信号
は、図３に示す受光面を走査して得られた画像信号のう
ち、像４０Ａ及び４０Ｂの最もピントの合っている位置
の走査線と像４１の最もピントの合っている位置の走査
線に対応する画像信号を合成したものである。
２１により得られた画像信号を示す。横軸は図３のｖ軸
に対応し、縦軸は光強度を表す。なお、この画像信号
は、図３に示す受光面を走査して得られた画像信号のう
ち、像４０Ａ及び４０Ｂの最もピントの合っている位置
の走査線と像４１の最もピントの合っている位置の走査
線に対応する画像信号を合成したものである。
【００３１】図４（Ａ）は、ウエハマークがポリシリコ
ンで形成されている場合、図４（Ｂ）はＳｉＮで形成さ
れている場合を示す。なお、マスクマークは、共に、Ｔ
ａ4Ｂで形成されている。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に
示すように、ほぼ中央にマスクマークに対応する３本の
ピークが現れ、その両側にウエハマークに対応する３本
のピークが現れている。
ンで形成されている場合、図４（Ｂ）はＳｉＮで形成さ
れている場合を示す。なお、マスクマークは、共に、Ｔ
ａ4Ｂで形成されている。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に
示すように、ほぼ中央にマスクマークに対応する３本の
ピークが現れ、その両側にウエハマークに対応する３本
のピークが現れている。
【００３２】以下、図４（Ａ）または図４（Ｂ）に示す
波形から、マスクマークとウエハマークとの相対位置を
検出する方法の一例を簡単に説明する。まず、マスクマ
ークに対応するピーク波形をｖ軸方向にずらせながら２
つのウエハマークの各々に対応するピーク波形との相関
係数を計算する。最大の相関係数を与えるずらし量が、
ウエハマークとマスクマークとの中心間距離に対応す
る。
波形から、マスクマークとウエハマークとの相対位置を
検出する方法の一例を簡単に説明する。まず、マスクマ
ークに対応するピーク波形をｖ軸方向にずらせながら２
つのウエハマークの各々に対応するピーク波形との相関
係数を計算する。最大の相関係数を与えるずらし量が、
ウエハマークとマスクマークとの中心間距離に対応す
る。
【００３３】マスクマークに対応するピーク波形とその
両側のウエハマークの各々に対応するピーク波形との間
隔が等しくなるように、ウエハとマスクとを移動するこ
とにより、図１のＹ軸方向に関して位置合わせを行うこ
とができる。
両側のウエハマークの各々に対応するピーク波形との間
隔が等しくなるように、ウエハとマスクとを移動するこ
とにより、図１のＹ軸方向に関して位置合わせを行うこ
とができる。
【００３４】なお、図３に示す２次元の画像信号を、ｕ
軸方向及びｖ軸方向に平行移動し、マスクマークの像と
ウエハマークの像との相似性パターンマッチングを行う
ことにより、ウエハとマスクとの相対位置を求めてもよ
い。２次元画像のパターンマッチングを行うことによ
り、ｕ軸方向とｖ軸方向に関する像間の距離を求めるこ
とができる。
軸方向及びｖ軸方向に平行移動し、マスクマークの像と
ウエハマークの像との相似性パターンマッチングを行う
ことにより、ウエハとマスクとの相対位置を求めてもよ
い。２次元画像のパターンマッチングを行うことによ
り、ｕ軸方向とｖ軸方向に関する像間の距離を求めるこ
とができる。
【００３５】次に、ウエハとマスクとの間隔を測定する
方法について説明する。図３において、ウエハマークか
らの散乱光による像４０Ａ、４０Ｂ内のｕ軸方向に関し
て最もピントの合っている位置ｕ0 が、図２（Ｃ）にお
ける物面２７と露光面との交線Ｐ0 に相当する。また、
図３において、マスクマークからの散乱光による像４１
のうち、ｕ軸方向に関して最もピントの合っている位置
ｕ1 が、図２（Ｃ）における物面２７とマスク面との交
線Ｐ1 に相当する。例えば、図３に示す２次元画像のパ
ターンマッチングにより位置ｕ0 とｕ1 間の距離を求め
ることができる。
方法について説明する。図３において、ウエハマークか
らの散乱光による像４０Ａ、４０Ｂ内のｕ軸方向に関し
て最もピントの合っている位置ｕ0 が、図２（Ｃ）にお
ける物面２７と露光面との交線Ｐ0 に相当する。また、
図３において、マスクマークからの散乱光による像４１
のうち、ｕ軸方向に関して最もピントの合っている位置
ｕ1 が、図２（Ｃ）における物面２７とマスク面との交
線Ｐ1 に相当する。例えば、図３に示す２次元画像のパ
ターンマッチングにより位置ｕ0 とｕ1 間の距離を求め
ることができる。
【００３６】線分Ｐ0 Ｐ1 の長さをＬ（Ｐ0 Ｐ1 ）で表
すと、ウエハ１１とマスク１２との間隔δは、
すと、ウエハ１１とマスク１２との間隔δは、
【００３７】
【数１】δ＝Ｌ（Ｐ0 Ｐ1 ）×ｓｉｎ（α） と表される。ここで、αは露光面の法線方向と光軸２５
とのなす角である。従って、図３におけるｕ軸上の位置
ｕ0 とｕ1 間の距離Ｌ（ｕ0 ｕ1 ）を測定して線分Ｐ0
Ｐ1 の長さを求めることにより、間隔δを知ることがで
きる。間隔δをより正確に知るためには、ｕ軸上の位置
ｕ0 とｕ1 間の距離を正確に測定することが好ましい。
このためには、レンズの焦点深度が浅いほうがよい。
とのなす角である。従って、図３におけるｕ軸上の位置
ｕ0 とｕ1 間の距離Ｌ（ｕ0 ｕ1 ）を測定して線分Ｐ0
Ｐ1 の長さを求めることにより、間隔δを知ることがで
きる。間隔δをより正確に知るためには、ｕ軸上の位置
ｕ0 とｕ1 間の距離を正確に測定することが好ましい。
このためには、レンズの焦点深度が浅いほうがよい。
【００３８】なお、観測された像同士のパターンマッチ
ングを行うのではなく、基準となる像とのパターンマッ
チングを行ってもよい。この場合、所望の相対位置関係
を満たすようにウエハとマスクとを配置した状態におけ
る基準画像信号を、予め記憶しておく。観測されたウエ
ハマークと予め記憶されているウエハマークの像同士の
相似性パターンマッチングを行うことにより、ウエハの
基準位置からのずれ量を求める。同様にマスクの基準位
置からのずれ量を求める。このずれ量から、ウエハとマ
スクの相対位置を知ることができる。
ングを行うのではなく、基準となる像とのパターンマッ
チングを行ってもよい。この場合、所望の相対位置関係
を満たすようにウエハとマスクとを配置した状態におけ
る基準画像信号を、予め記憶しておく。観測されたウエ
ハマークと予め記憶されているウエハマークの像同士の
相似性パターンマッチングを行うことにより、ウエハの
基準位置からのずれ量を求める。同様にマスクの基準位
置からのずれ量を求める。このずれ量から、ウエハとマ
スクの相対位置を知ることができる。
【００３９】図１に示すＹ軸方向に関する位置合わせに
要求される精度は、集積回路装置の集積度向上に伴って
厳しくなっている。例えば、１６Ｇビットの記憶容量を
有するダイナミックＲＡＭの場合、１２．５ｎｍ程度の
位置合わせ精度が要求される。
要求される精度は、集積回路装置の集積度向上に伴って
厳しくなっている。例えば、１６Ｇビットの記憶容量を
有するダイナミックＲＡＭの場合、１２．５ｎｍ程度の
位置合わせ精度が要求される。
【００４０】図４に示す画像信号に基づいて位置合わせ
を行うためには、ウエハとマスクとの相対位置合わせが
ある程度の誤差範囲内に納まっていることが好ましい。
しかし、図１に示すウエハ１１をウエハ保持台１５に保
持し、マスク１２をマスク保持台１６に、この誤差範囲
内に納まる精度で保持することは困難である。このた
め、ウエハ１１とマスク１２とを保持した後、この誤差
範囲内に納まるように粗い位置合わせ（コースアライメ
ント）を行うことが好ましい。
を行うためには、ウエハとマスクとの相対位置合わせが
ある程度の誤差範囲内に納まっていることが好ましい。
しかし、図１に示すウエハ１１をウエハ保持台１５に保
持し、マスク１２をマスク保持台１６に、この誤差範囲
内に納まる精度で保持することは困難である。このた
め、ウエハ１１とマスク１２とを保持した後、この誤差
範囲内に納まるように粗い位置合わせ（コースアライメ
ント）を行うことが好ましい。
【００４１】結像倍率の低い受光面２９Ａ上の像による
画像信号に基づいて、このコースアライメントを容易に
行うことができる。コースアライメントが完了した後、
結像倍率の高い受光面２９Ｂ上の像による画像信号に基
づいて、より高精度の位置合わせ（ファインアライメン
ト）を行うことができる。ファインアライメントを行う
前にコースアライメントを行うことにより、ウエハとマ
スクとを保持する時に要求される位置合わせ精度が緩和
される。
画像信号に基づいて、このコースアライメントを容易に
行うことができる。コースアライメントが完了した後、
結像倍率の高い受光面２９Ｂ上の像による画像信号に基
づいて、より高精度の位置合わせ（ファインアライメン
ト）を行うことができる。ファインアライメントを行う
前にコースアライメントを行うことにより、ウエハとマ
スクとを保持する時に要求される位置合わせ精度が緩和
される。
【００４２】また、集積度向上に伴い、ウエハ１１とマ
スク１２との間隔も一定に保つことが要求される。この
間隔は、例えば、線幅０．１μｍのＸ線露光の場合に
は、１０〜２０μｍ程度であり、±１μｍ程度の精度が
要求される。結像倍率の低い受光面２９Ａ上の像による
画像信号に基づいて、ウエハとマスクとの間隔を検出す
る。
スク１２との間隔も一定に保つことが要求される。この
間隔は、例えば、線幅０．１μｍのＸ線露光の場合に
は、１０〜２０μｍ程度であり、±１μｍ程度の精度が
要求される。結像倍率の低い受光面２９Ａ上の像による
画像信号に基づいて、ウエハとマスクとの間隔を検出す
る。
【００４３】制御装置３０に、ファインアライメント用
の光学系で得られた画像信号の処理部とコースアライメ
ント用の光学系で得られた画像信号の処理部とが別個に
設けられている。ファインアライメント用の光学系で検
出された画像信号を用いてウエハとマスクとの間隔の調
整を行うと、制御装置３０の処理能力の関係からファイ
ンアライメントの高速性が犠牲になる。コースアライメ
ント用の光学系の画像信号を用いてウエハとマスクとの
間隔を調整することにより、ファインアライメントの高
速性の低下を防止することができる。
の光学系で得られた画像信号の処理部とコースアライメ
ント用の光学系で得られた画像信号の処理部とが別個に
設けられている。ファインアライメント用の光学系で検
出された画像信号を用いてウエハとマスクとの間隔の調
整を行うと、制御装置３０の処理能力の関係からファイ
ンアライメントの高速性が犠牲になる。コースアライメ
ント用の光学系の画像信号を用いてウエハとマスクとの
間隔を調整することにより、ファインアライメントの高
速性の低下を防止することができる。
【００４４】図１では、照明光の光軸と観測光学系の光
軸とが一致する場合について示したが、照明光の正反射
光が観測光学系２０のレンズ２２に入射しないような構
成であれば、必ずしも２つの光軸を一致させる必要はな
い。
軸とが一致する場合について示したが、照明光の正反射
光が観測光学系２０のレンズ２２に入射しないような構
成であれば、必ずしも２つの光軸を一致させる必要はな
い。
【００４５】図５は、先の提案による位置検出装置にお
けるウエハとマスク、及び光学系の配置例を示す平面図
である。ウエハとマスクの各々の露光領域ＥＡ内に、位
置合わせ用の第１、第３及び第５のウエハマーク及び第
１、第３及び第５のマスクマークが配置されている。第
１のウエハマークと第１のマスクマークとが対応し、両
マークが第１のアライメントマーク群ＭY1を構成する。
第３のウエハマークと第３のマスクマークとが対応し、
両マークが第３のアライメントマーク群ＭX3を構成す
る。第５のウエハマークと第５のマスクマークとが対応
し、両マークが第５のアライメントマーク群ＭY5を構成
する。
けるウエハとマスク、及び光学系の配置例を示す平面図
である。ウエハとマスクの各々の露光領域ＥＡ内に、位
置合わせ用の第１、第３及び第５のウエハマーク及び第
１、第３及び第５のマスクマークが配置されている。第
１のウエハマークと第１のマスクマークとが対応し、両
マークが第１のアライメントマーク群ＭY1を構成する。
第３のウエハマークと第３のマスクマークとが対応し、
両マークが第３のアライメントマーク群ＭX3を構成す
る。第５のウエハマークと第５のマスクマークとが対応
し、両マークが第５のアライメントマーク群ＭY5を構成
する。
【００４６】第１、第３及び第５の光学系２０Y1、２０
X3、２０Y5の各々は、図１に示す光学系２０と同様の構
成を有する。第１及び第５の光学系２０Y1及び２０
Y5は、その光軸２５Y1及び２５Y5を露光面（図５の紙
面）に垂直投影した像がＹ軸と直交するように配置され
ている。第３の光学系２０X3は、その光軸２５X3を露光
面に垂直投影した像がＸ軸と直交するように配置されて
いる。第１、第３及び第５の光学系２０Y1、２０X3、２
０Y5は、それぞれ第１、第３及び第５のアライメントマ
ーク群ＭY1、ＭX3及びＭY5からの散乱光による像を得
る。
X3、２０Y5の各々は、図１に示す光学系２０と同様の構
成を有する。第１及び第５の光学系２０Y1及び２０
Y5は、その光軸２５Y1及び２５Y5を露光面（図５の紙
面）に垂直投影した像がＹ軸と直交するように配置され
ている。第３の光学系２０X3は、その光軸２５X3を露光
面に垂直投影した像がＸ軸と直交するように配置されて
いる。第１、第３及び第５の光学系２０Y1、２０X3、２
０Y5は、それぞれ第１、第３及び第５のアライメントマ
ーク群ＭY1、ＭX3及びＭY5からの散乱光による像を得
る。
【００４７】第１の光学系２０Y1により得られたアライ
メントマーク群ＭY1からの散乱光による像に基づいて、
ウエハとマスクとのＹ軸方向に関する相対位置を検出す
る。第３の光学系２０X3により得られたアライメントマ
ーク群ＭX3からの散乱光による像に基づいて、ウエハと
マスクとのＸ軸方向に関する相対位置を検出する。第１
の光学系２０Y1と第５の光学系２０Y5とにより得られた
Ｙ軸方向に関するウエハとマスクとの２つの位置ずれ情
報に基づいて、ウエハとマスクとのＸＹ面内の回転方向
に関する相対位置を検出することができる。
メントマーク群ＭY1からの散乱光による像に基づいて、
ウエハとマスクとのＹ軸方向に関する相対位置を検出す
る。第３の光学系２０X3により得られたアライメントマ
ーク群ＭX3からの散乱光による像に基づいて、ウエハと
マスクとのＸ軸方向に関する相対位置を検出する。第１
の光学系２０Y1と第５の光学系２０Y5とにより得られた
Ｙ軸方向に関するウエハとマスクとの２つの位置ずれ情
報に基づいて、ウエハとマスクとのＸＹ面内の回転方向
に関する相対位置を検出することができる。
【００４８】図５に示すように、３つの光学系を配置す
ることにより、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＸＹ面内の回
転方向に関するウエハとマスクとの相対位置関係に関す
る情報を得ることができる。
ることにより、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＸＹ面内の回
転方向に関するウエハとマスクとの相対位置関係に関す
る情報を得ることができる。
【００４９】表面にパターンを形成したウエハは、半導
体プロセスを経て変形する場合がある。また、マスク自
体の変形も生じ得る。ウエハに形成されたパターンとマ
スクに形成されたパターンとを高精度に位置合わせする
ためには、これらの変形を補正する必要がある。しか
し、図５に示す位置検出装置では、Ｘ軸方向及びＹ軸方
向の変形による位置ずれを検出することができない。以
下、ウエハとマスクとの変形による位置ずれを検出する
ことが可能な本発明の実施例について説明する。
体プロセスを経て変形する場合がある。また、マスク自
体の変形も生じ得る。ウエハに形成されたパターンとマ
スクに形成されたパターンとを高精度に位置合わせする
ためには、これらの変形を補正する必要がある。しか
し、図５に示す位置検出装置では、Ｘ軸方向及びＹ軸方
向の変形による位置ずれを検出することができない。以
下、ウエハとマスクとの変形による位置ずれを検出する
ことが可能な本発明の実施例について説明する。
【００５０】図６は、実施例による位置検出装置に保持
されたウエハとマスク、及び光学系の配置を示す平面図
である。図５に示すアライメントマーク群ＭY1、ＭX3、
ＭY5の他に第２及び第４のアライメントマーク群ＭY2及
びＭX4が配置され、光学系２０Y1、２０X3、２０Y5の他
に第２及び第４の光学系２０Y2及び２０X4が配置されて
いる。第２及び第４の光学系２０Y2及び２０X4の各々
は、図１に示す光学系２０と同様の構成を有する。
されたウエハとマスク、及び光学系の配置を示す平面図
である。図５に示すアライメントマーク群ＭY1、ＭX3、
ＭY5の他に第２及び第４のアライメントマーク群ＭY2及
びＭX4が配置され、光学系２０Y1、２０X3、２０Y5の他
に第２及び第４の光学系２０Y2及び２０X4が配置されて
いる。第２及び第４の光学系２０Y2及び２０X4の各々
は、図１に示す光学系２０と同様の構成を有する。
【００５１】第１のアライメントマーク群ＭY1と第２の
アライメントマーク群ＭY2とは、両者を結ぶ第１の仮想
直線Ｌ1 がＹ軸に平行になるように配置されている。第
３のアライメントマーク群ＭX3と第４のアライメントマ
ーク群ＭX4とは、両者を結ぶ第２の仮想直線Ｌ2 がＸ軸
に平行になるように配置されている。第５のアライメン
トマーク群ＭY5は、第１の仮想直線Ｌ1 から外れた位置
に配置されている。
アライメントマーク群ＭY2とは、両者を結ぶ第１の仮想
直線Ｌ1 がＹ軸に平行になるように配置されている。第
３のアライメントマーク群ＭX3と第４のアライメントマ
ーク群ＭX4とは、両者を結ぶ第２の仮想直線Ｌ2 がＸ軸
に平行になるように配置されている。第５のアライメン
トマーク群ＭY5は、第１の仮想直線Ｌ1 から外れた位置
に配置されている。
【００５２】第２の光学系２０Y2は、その光軸２５Y2を
露光面に垂直投影した像がＹ軸に直交するように配置さ
れ、第４の光学系２０X4は、その光軸２５X4を露光面に
垂直投影した像がＸ軸に直交するように配置されてい
る。第２及び第４の光学系２０ Y2及び２０X4は、それぞ
れ第２及び第４のアライメントマーク群ＭY2及びＭX4か
らの散乱光による像を観察する。
露光面に垂直投影した像がＹ軸に直交するように配置さ
れ、第４の光学系２０X4は、その光軸２５X4を露光面に
垂直投影した像がＸ軸に直交するように配置されてい
る。第２及び第４の光学系２０ Y2及び２０X4は、それぞ
れ第２及び第４のアライメントマーク群ＭY2及びＭX4か
らの散乱光による像を観察する。
【００５３】第１のアライメントマーク群ＭY1を観察し
て得られた第１のウエハマークと第１のマスクマークと
の位置ずれ量をΔｙ1 、第２のアライメントマーク群Ｍ
Y2を観察して得られた第２のウエハマークと第２のマス
クマークとの位置ずれ量をΔｙ2 とすると、Δｙ1 −Δ
ｙ2 から、ウエハとマスクとのＹ軸方向に関する変形量
の差を求めることができる。同様に、第３及び第４のア
ライメントマーク群Ｍ X3及びＭX4を観測することによ
り、ウエハとマスクとのＸ軸方向に関する変形量の差を
求めることができる。
て得られた第１のウエハマークと第１のマスクマークと
の位置ずれ量をΔｙ1 、第２のアライメントマーク群Ｍ
Y2を観察して得られた第２のウエハマークと第２のマス
クマークとの位置ずれ量をΔｙ2 とすると、Δｙ1 −Δ
ｙ2 から、ウエハとマスクとのＹ軸方向に関する変形量
の差を求めることができる。同様に、第３及び第４のア
ライメントマーク群Ｍ X3及びＭX4を観測することによ
り、ウエハとマスクとのＸ軸方向に関する変形量の差を
求めることができる。
【００５４】第５のアライメントマーク群ＭY5を観察し
て得られた第５のウエハマークと第５のマスクマークと
の位置ずれ量をΔｙ5 とすると、Δｙ1 −Δｙ5 から、
ウエハとマスクとのＸＹ面内の回転方向に関する相対位
置関係を知ることができる。
て得られた第５のウエハマークと第５のマスクマークと
の位置ずれ量をΔｙ5 とすると、Δｙ1 −Δｙ5 から、
ウエハとマスクとのＸＹ面内の回転方向に関する相対位
置関係を知ることができる。
【００５５】図１において、制御装置３０は、各光学系
から得られた像に基づいて上述の演算を行い、ウエハと
マスクとのＸ軸方向及びＹ軸方向に関する変形量の差を
求める。この変形量の差に応じて、変形補償手段３１に
対して、変形量補償信号を送出する。
から得られた像に基づいて上述の演算を行い、ウエハと
マスクとのＸ軸方向及びＹ軸方向に関する変形量の差を
求める。この変形量の差に応じて、変形補償手段３１に
対して、変形量補償信号を送出する。
【００５６】変形補償手段３１は、マスク１２をＸ軸方
向及びＹ軸方向に変形させ、ウエハとマスクとの変形量
を整合させる。変形補償手段３１は、例えば、マスクを
局所的に加熱して熱変形させる。加熱部位を適当に選択
することにより、Ｘ軸方向またはＹ軸方向にほぼ独立に
変形させることができる（島津らによる「Ｘ線マスク熱
変形補正による合わせ法の提案」、１９９７年秋期第５
８回応用物理学会学術講演予稿集、講演番号４ｐ−ＺＬ
−８、第７００頁参照）。または、マスクに外部から応
力を加えて変形させてもよい。
向及びＹ軸方向に変形させ、ウエハとマスクとの変形量
を整合させる。変形補償手段３１は、例えば、マスクを
局所的に加熱して熱変形させる。加熱部位を適当に選択
することにより、Ｘ軸方向またはＹ軸方向にほぼ独立に
変形させることができる（島津らによる「Ｘ線マスク熱
変形補正による合わせ法の提案」、１９９７年秋期第５
８回応用物理学会学術講演予稿集、講演番号４ｐ−ＺＬ
−８、第７００頁参照）。または、マスクに外部から応
力を加えて変形させてもよい。
【００５７】図６では、第１の仮想直線Ｌ1 と第２の仮
想直線Ｌ2 とが相互に直交する場合を示したが、必ずし
も直交する必要はない。両者がある角度で交差するよう
な配置としてもよい。
想直線Ｌ2 とが相互に直交する場合を示したが、必ずし
も直交する必要はない。両者がある角度で交差するよう
な配置としてもよい。
【００５８】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハマーク及びマスクマークからの散乱光を斜方から
観測して、高精度に位置検出することができる。露光範
囲に光学系を配置する必要がないため、光学系を退避さ
せることなく露光を行うことができる。このため、スル
ープットの向上を図ることが可能になる。さらに、ウエ
ハとマスクとの変形によるパターンの位置ずれを検出す
ることができる。
ウエハマーク及びマスクマークからの散乱光を斜方から
観測して、高精度に位置検出することができる。露光範
囲に光学系を配置する必要がないため、光学系を退避さ
せることなく露光を行うことができる。このため、スル
ープットの向上を図ることが可能になる。さらに、ウエ
ハとマスクとの変形によるパターンの位置ずれを検出す
ることができる。
【図１】本発明の実施例及び先の提案による位置検出装
置の概略を示す断面図である。
置の概略を示す断面図である。
【図２】ウエハマークとマスクマークの平面図及び断面
図である。
図である。
【図３】ウエハマークとマスクマークからの散乱光によ
る像をスケッチした図である。
る像をスケッチした図である。
【図４】図１に示す位置検出装置により得られた散乱光
による像の画像信号の一例を示すグラフである。
による像の画像信号の一例を示すグラフである。
【図５】先の提案による位置検出装置におけるウエハ、
マスク及び光学系の配置を説明するための平面図であ
る。
マスク及び光学系の配置を説明するための平面図であ
る。
【図６】実施例による位置検出装置におけるウエハ、マ
スク及び光学系の配置を説明するための平面図である。
スク及び光学系の配置を説明するための平面図である。
１０ ウエハ／マスク保持部 １１ ウエハ １２ マスク １３Ａ、１３Ｂ ウエハマーク １４ マスクマーク １５ ウエハ保持台 １６ マスク保持台 １７、１８ 駆動機構 ２０ 光学系 ２１Ａ、２１Ｂ 像検出装置 ２２ レンズ ２３、２６Ａ ハーフミラー ２４ 光ファイバ ２５ 光軸 ２６Ｂ ミラー ２７ 物面 ２８ リレーレンズ ２９Ａ、２９Ｂ 結像面 ３０ 制御装置 ３１ 変形補償手段 ４０Ａ、４０Ｂ ウエハマークからの散乱光による像 ４１ マスクマークからの散乱光による像
Claims (10)
- 【請求項１】 入射光を散乱させる位置合わせ用の第１
及び第２のウエハマークが形成された露光面を有するウ
エハと、入射光を散乱させる位置合わせ用の第１及び第
２のマスクマークが形成されたマスク面を有するマスク
であって、該マスク面が前記露光面に対してある間隙を
隔てて配置されたとき、前記第１及び第２のマスクマー
クが、それぞれ前記第１及び第２のウエハマークに対応
し、前記第１及び第２のウエハマークとともに第１及び
第２のアライメントマーク群を構成するように配置され
た前記マスクとを、前記マスク面が前記露光面に対向す
るように配置して保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された前記ウエハ及びマスクの前記
第１及び第２のアライメントマーク群に、それぞれ前記
露光面に対して斜めの光軸に沿って照明光を照射する第
１及び第２の照明光学系と、 前記第１及び第２のアライメントマーク群からの散乱光
をそれぞれ結像させる受光面を有する第１及び第２の観
測光学系であって、該第１及び第２の観測光学系の光軸
が、前記ウエハの露光面に対して傾いており、かつそれ
らを前記露光面へ垂直投影した像が共に前記第１のウエ
ハマークと第２のウエハマークとを結ぶ第１の仮想直線
に直交する前記第１及び第２の観測光学系と、 前記第１及び第２の観測光学系により得られた前記第１
及び第２のアライメントマーク群からの散乱光による像
に基づいて、前記ウエハとマスクとの前記第１の仮想直
線方向に関する寸法の相違を検出する制御手段とを有す
る位置検出装置。 - 【請求項２】 前記第１及び第２の照明光学系からの照
明光の前記ウエハ及びマスクの表面における正反射光
が、それぞれ前記第１及び第２の観測光学系の受光面に
到達しないように、前記第１及び第２の照明光学系及び
前記第１及び第２の観測光学系が配置されている請求項
１に記載の位置検出装置。 - 【請求項３】 さらに、前記制御手段によって検出され
た前記第１の仮想直線方向に関する寸法の相違を補償す
るように、前記マスクを前記第１の仮想直線方向に関し
て変形させる第１の変形補償手段を有する請求項１また
は２に記載の位置検出装置。 - 【請求項４】 前記ウエハが、さらに、入射光を散乱さ
せる位置合わせ用の第３及び第４のウエハマークを露光
面上に有し、該第３及び第４のウエハマークが、前記第
１の仮想直線と交差する第２の仮想直線上の異なる位置
に配置されており、 前記マスクが、さらに、入射光を散乱させる位置合わせ
用の第３及び第４のマスクマークを前記マスク面上に有
し、該マスク面が前記露光面に対してある間隙を隔て、
前記第１及び第２のウエハマークがそれぞれ前記第１及
び第２のマスクマークに対応するように配置されたと
き、前記第３及び第４のマスクマークが、それぞれ前記
第３及び第４のウエハマークに対応し、前記第３及び第
４のウエハマークとともに第３及び第４のアライメント
マーク群を構成するように配置されており、 さらに、 前記保持手段に保持された前記ウエハ及びマスクの前記
第３及び第４のアライメントマーク群に、それぞれ前記
露光面に対して斜めの光軸に沿って照明光を照射する第
３及び第４の照明光学系と、 前記第３及び第４のアライメントマーク群からの散乱光
をそれぞれ結像させる受光面を有する第３及び第４の観
測光学系であって、該第３及び第４の観測光学系の光軸
が、前記ウエハの露光面に対して傾いており、かつそれ
らを前記露光面へ垂直投影した像が共に前記第２の仮想
直線と直交する前記第３及び第４の観測光学系とを有
し、 前記制御手段が、前記第３及び第４の観測光学系により
得られた前記第３及び第４のアライメントマーク群から
の散乱光による像に基づいて、前記ウエハとマスクとの
前記第２の仮想直線方向に関する寸法の相違を検出する
請求項１または２に記載の位置検出装置。 - 【請求項５】 前記第３及び第４の照明光学系からの照
明光の前記ウエハ及びマスクの表面における正反射光
が、それぞれ前記第３及び第４の観測光学系の受光面に
到達しないように、前記第３及び第４の照明光学系及び
前記第３及び第４の観測光学系が配置されている請求項
４に記載の位置検出装置。 - 【請求項６】 さらに、前記制御手段によって検出され
た前記第２の仮想直線方向に関する寸法の相違を補償す
るように、前記マスクを前記第２の仮想直線方向に関し
て変形させる第２の変形補償手段を有する請求項４また
は５に記載の位置検出装置。 - 【請求項７】 前記第１の仮想直線と第２の仮想直線と
が相互に直交する請求項４〜６のいずれかに記載の位置
検出装置。 - 【請求項８】 前記ウエハが、さらに、入射光を散乱さ
せる位置合わせ用の第５のウエハマークを露光面上に有
し、該第５のウエハマークが、前記第１の仮想直線から
外れた位置に配置されており、 前記マスクが、さらに、入射光を散乱させる位置合わせ
用の第５のマスクマークを前記マスク面上に有し、該マ
スク面が前記露光面に対してある間隙を隔て、前記第１
及び第２のウエハマークがそれぞれ前記第１及び第２の
マスクマークに対応するように配置されたとき、前記第
５のマスクマークが前記第５のウエハマークに対応し、
前記第５のウエハマークとともに第５のアライメントマ
ーク群を構成するように配置されており、 さらに、 前記保持手段に保持された前記ウエハ及びマスクの前記
第５のアライメントマーク群に、前記露光面に対して斜
めの光軸に沿って照明光を照射する第５の照明光学系
と、 前記第５のアライメントマーク群からの散乱光を結像さ
せる受光面を有する第５の観測光学系であって、該第５
の観測光学系の光軸が前記ウエハの露光面に対して傾い
ており、前記第５の観測光学系の光軸を前記露光面に垂
直投影した像が前記第１の仮想直線と直交する前記第５
の観測光学系とを有し、 前記制御手段が、前記第１及び第５の観測光学系により
得られた前記第１及び第５のアライメントマーク群から
の散乱光による像に基づいて、前記ウエハとマスクとの
前記露光面内における回転方向に関する相対位置を検出
する請求項１〜７のいずれかに記載の位置検出装置。 - 【請求項９】 前記第５の照明光学系からの照明光の前
記ウエハ及びマスクの表面における正反射光が、前記第
５の観測光学系の受光面に到達しないように、前記第５
の照明光学系及び前記第５の観測光学系が配置されてい
る請求項８に記載の位置検出装置。 - 【請求項１０】 入射光を散乱させる位置合わせ用の第
１及び第２のウエハマークが形成された露光面を有する
ウエハと、入射光を散乱させる位置合わせ用の第１及び
第２のマスクマークが形成されたマスク面を有するマス
クであって、該マスク面が前記露光面に対してある間隙
を隔てて配置されたとき、前記第１及び第２のマスクマ
ークが、それぞれ前記第１及び第２のウエハマークに対
応し、前記第１及び第２のウエハマークとともに第１及
び第２のアライメントマーク群を構成するように配置さ
れた前記マスクとを、前記マスク面が前記露光面に対向
し、前記第１及び第２のウエハマークがそれぞれ前記第
１及び第２のマスクマークに対応するように配置する工
程と、 前記保持手段に保持された前記ウエハ及びマスクの前記
第１及び第２のアライメントマーク群に、それぞれ前記
露光面に対して斜めの光軸に沿って照明光を照射する工
程と、 前記第１及び第２のアライメントマーク群からの散乱光
をそれぞれ結像させる第１及び第２の受光面を有する第
１及び第２の観測光学系であって、該第１及び第２の観
測光学系の光軸が、共に前記露光面に対して傾き、かつ
第１のウエハマークと第２のウエハマークとを結ぶ第１
の仮想直線に直交する前記第１及び第２の観測光学系を
用いて、前記第１及び第２のアライメントマーク群から
の散乱光をそれぞれ前記第１及び第２の受光面上に結像
させる工程と、 前記結像させる工程で得られた前記第１及び第２のアラ
イメントマーク群からの散乱光による像に基づいて、前
記ウエハとマスクとの前記第１の仮想直線方向に関する
変形量の相違を検出する工程とを有する変形誤差検出方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04550998A JP3279979B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | ウエハとマスクとの位置検出装置及び変形誤差検出方法 |
| US09/257,246 US6335791B1 (en) | 1998-02-26 | 1999-02-25 | Apparatus for detecting positions of wafer and mask and deformation error detecting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04550998A JP3279979B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | ウエハとマスクとの位置検出装置及び変形誤差検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11243049A true JPH11243049A (ja) | 1999-09-07 |
| JP3279979B2 JP3279979B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=12721388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04550998A Expired - Fee Related JP3279979B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | ウエハとマスクとの位置検出装置及び変形誤差検出方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6335791B1 (ja) |
| JP (1) | JP3279979B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009315A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜のレーザスクライブ用アライメントマークの認識方法及び装置 |
| JP2011227364A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Nitto Denko Corp | フォトマスクと基材との位置合わせ方法および配線回路基板の製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6537844B1 (en) * | 2001-05-31 | 2003-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server |
| US7442476B2 (en) * | 2004-12-27 | 2008-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for 3D alignment in wafer scale integration |
| US8318579B1 (en) * | 2011-12-01 | 2012-11-27 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating semiconductor device |
| US9891048B2 (en) * | 2014-01-29 | 2018-02-13 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Measurement equipment |
| US11829077B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-11-28 | Kla Corporation | System and method for determining post bonding overlay |
| US11782411B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-10-10 | Kla Corporation | System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4728193A (en) * | 1986-12-11 | 1988-03-01 | Hughes Aircraft Company | Precision automatic mask-wafer alignment system |
| JP3125360B2 (ja) * | 1991-09-17 | 2001-01-15 | 株式会社ニコン | 位置検出装置及び投影露光装置 |
| JP3328573B2 (ja) * | 1998-02-26 | 2002-09-24 | 住友重機械工業株式会社 | 斜光軸光学系を用いた位置検出装置及び方法 |
-
1998
- 1998-02-26 JP JP04550998A patent/JP3279979B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-25 US US09/257,246 patent/US6335791B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009315A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜のレーザスクライブ用アライメントマークの認識方法及び装置 |
| JP4672833B2 (ja) * | 2000-06-22 | 2011-04-20 | 株式会社カネカ | 薄膜のレーザスクライブ用アライメントマークの認識方法及び装置 |
| JP2011227364A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Nitto Denko Corp | フォトマスクと基材との位置合わせ方法および配線回路基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3279979B2 (ja) | 2002-04-30 |
| US6335791B1 (en) | 2002-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6080877B2 (ja) | スピンウェーハ検査システムおよび高周波高速オートフォーカス機構 | |
| JP3376179B2 (ja) | 面位置検出方法 | |
| JP3181050B2 (ja) | 投影露光方法およびその装置 | |
| US4614431A (en) | Alignment apparatus with optical length-varying optical system | |
| JP2000346618A (ja) | 矩形ビーム用精密アライメント装置と方法 | |
| JPS63220521A (ja) | 焦点合せ装置 | |
| JP2023541838A (ja) | 回路基板または回路製造のためのフォトリソグラフィ直接露光プロセスにおける露光制御 | |
| JP3279979B2 (ja) | ウエハとマスクとの位置検出装置及び変形誤差検出方法 | |
| JPH10318718A (ja) | 光学式高さ検出装置 | |
| US4054386A (en) | Apparatus for determining mutual positional relationship of plural patterns in a single viewing field | |
| JPH09223650A (ja) | 露光装置 | |
| JP3688185B2 (ja) | 焦点検出装置及び自動焦点顕微鏡 | |
| JP3101582B2 (ja) | 斜光軸光学系を用いた位置検出装置及び方法 | |
| JP3048895B2 (ja) | 近接露光に適用される位置検出方法 | |
| JP3639231B2 (ja) | 位置合わせ装置及び位置合わせ方法 | |
| JP3647227B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| JP3328573B2 (ja) | 斜光軸光学系を用いた位置検出装置及び方法 | |
| JP3299144B2 (ja) | 近接露光に適用される位置検出装置及び位置検出方法 | |
| JP3333759B2 (ja) | マスクとウエハとの間隔の測定方法及び設置方法 | |
| JPH09246356A (ja) | 表面位置設定方法 | |
| JP3235782B2 (ja) | 位置検出方法及び半導体基板と露光マスク | |
| JPH0883758A (ja) | 露光方法およびステッパー | |
| JP3352280B2 (ja) | 投影露光装置の調整方法及び露光方法 | |
| CN220252272U (zh) | 一种光学系统及检测装置 | |
| JP2000349043A (ja) | 矩形ビーム用精密焦点合せ方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020205 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |