JP2005085269A - 同時に接触方式及び非接触方式動作を有するチップカード - Google Patents

Abstract

【課題】同時に接触方式及び非接触方式動作を有するチップカードを提供する。
【解決手段】接触データと非接触データのいかなる組み合わせでも受けて処理するチップカードはチップカードに複合機能性を付与し、有用である。チップカードのマイクロコンピュータは接触インターフェースから受けた接触データと非接触インターフェースから受けた非接触データを同時に受けて処理するように構成される。さらに、チップカードは接触バイアス電圧が非接触バイアス電圧よりさらに安定であるので、接触バイアス電圧が利用可能になるたびにマイクロコンピュータに電圧を供給するために接触バイアスを選択する電源電圧選択器を含む。
【選択図】図７

Description

本発明は一般的にチップカード(例えば“スマートカード”)に係わるものであって、さらに具体的には、接触インターフェース、非接触インターフェース、および同時に接触方式及び非接触方式動作に適するマイクロコンピュータを有するチップカードに関するものである。

チップカードまたは(一般的に、“スマートカード”とも呼ばれる)ＩＣ(集積回路)カードは現在、認証、銀行業務、およびペイメントなどに一般的に多用されている。図１は従来の技術による接触方式のチップカード１０２を示す。このようなチップカード１０２においては、接触バンク１０４とＩＣ(集積回路)チップ１０６が一般的に、この分野の通常的技術のうちの一つで知られたＩＳＯ標準によるクレジットカードと類似の型の基板１０８上に形成される。接触バンク１０４は接触基盤端末機から供給電圧、クロック信号、またはデータのような各々各自の信号を受けられる多数個の接点１１０を有する。接触基盤端末機と連結された後、ＩＣチップ１０６は接触バンク１０４から受けたこのような信号に応答してデータを処理する。

図２は従来の技術による非接触方式のチップカード１１２を示す。このようなチップカード１１２においては、少なくとも一つのアンテナコイル（図２の例示された第１アンテナコイル１１４と第２アンテナコイル１１６）とＩＣチップ１１８が一般的にこの分野の通常的技術のうちの一つで知られたＩＳＯ標準によるクレジットカードと類似の型の基板１２０上に形成される。アンテナコイル１１４と１１６は供給電圧、クロック信号、およびデータのような信号の伝送のための非接触基盤端末機上のアンテナに、通信を通じて誘導的に連結される。ＩＣチップ１１８は少なくとも一つのアンテナコイル１１４と１１６によって受けたこのような信号に応答してデータを処理する。

図１に示した接触方式チップカード１０２の短所は、接触バンク１０４の接点が不注意に取り扱われ、または端末機との頻繁な接触によって損傷しやすいということである。図２に示した非接触方式チップカード１１２の短所は、アンテナコイル１１４と１１６との誘導結合によりＩＣチップ１１８に提供される供給電圧が、チップカード１２０と非接触基盤端末機との間のノイズによって不安定になるという点である。

図３は従来技術によるコンビ方式のチップカード１２２を示す。このようなチップカード１１２においては、ＩＣチップ１３０に追加して、接触バンク１２４と少なくとも一つのアンテナコイル(図３に例示された第１アンテナコイル１２６と第２アンテナコイル１２８)がこの分野の通常的技術のうちの一つで知られたＩＳＯ標準によるクレジットカードと類似の型の基板１３２上に形成される。

図４は従来の技術によるコンビ方式のチップカード１３０の内部の構成を示す。ＩＣチップ１３０は信号選択装置１３４を含み、信号選択装置１３４は接触バンク１２４から受けた第１信号と少なくとも一つのアンテナコイル１２６と１２８から受けた第２信号が入力される。信号選択装置１３４は前記信号のうちの一つを選択し、選択された信号はＩＣチップ１３０のマイクロコンピュータ１３６によって処理される。一般的に、マイクロコンピュータ１３６はマイクロコンピュータ１３６によって処理される間データを貯蔵するためのデータレジスタ１３８を含む。

信号選択装置１３４は決められた実行優先順位に従って接触バンク１２４、または少なくともアンテナコイル１２６と１２８の一つによって受けた第１、または第２信号のうちの一つを選択する。図５は非接触動作が接触動作より高い優先順位で決められている時のＩＣチップ１３０の動作段階の流れ図を示す。この場合、ＩＣチップ１３０がパワーオン(図５の段階１４０)されると、信号選択装置１３４はＲＦ電圧供給ＲＦ＿ＶＤＤの利用可能性を点検する(図５の段階１４２)。このようなＲＦ＿ＶＤＤは少なくとも一つのアンテナコイル１２６と１２８から受けたＲＦ信号から得られる。

もしこのようなＲＦ＿ＶＤＤが利用できれば(図５の段階１４２)、信号選択装置１３４はマイクロコンピュータ１３６によって処理されるように、アンテナコイル１２６と１２８から受けた信号を選択する。したがって、マイクロコンピュータ１３６に電源を供給するためにＲＦ＿ＶＤＤが選択され(図５の段階１４４)、データレジスタ１３８はリセットされる(図５の段階１４６)。少なくともアンテナコイル１２６と１２８の一つによって受けたＲＦ信号から得られたＲＦデータＲＦ＿ＩＯはひき続きＩＣチップ１３０のパワーオフ(図５の段階１５０)の前にマイクロコンピュータ１３６によって処理される(図５の段階１４８)。

図５をさらに参照すれば、もしＲＦ＿ＶＤＤが利用できなければ(図５の段階１４２)、信号選択装置１３４はマイクロコンピュータ１３６によって処理されるように接触バンク１２４を媒介として受けられた信号を選択する。したがって、マイクロコンピュータ１３６に電圧を供給するために接触バンク１２４を媒介として受けられた接触電圧ＣＮＴ_ＶＤＤが選択され(図５の段階１５２)、データレジスタ１３８はリセットされる(図５の段階１５４)。それ故、接触バンク１２４を媒介として受けられた接触データＣＮＴ_ＩＯはＩＣチップ１３０のパワーオフ(図５の段階１５８)の前にマイクロコンピュータ１３６によって処理される(図５の段階１５６)。

図５はまたＣＮＴ＿ＩＯの処理の前、処理中、または処理の後(図５の段階１５６の周辺)少なくとも一つのアンテナコイル１２６と１２８からマイクロコンピュータによって処理されるためのＲＦ信号を受ける時の動作段階を示した(図５の点線でアウットラインされた)。図５で、非接触動作は接触動作より高い優先順位で決められている。したがって、もしマイクロコンピュータ１３６のインタラプトによって(またはポーリングによって)ＣＮＴ＿ＩＯ(図５の段階１５６の周辺)の処理直前、処理中、または処理直後ＲＦ＿ＶＤＤが利用可能になれば(図５の段階１６０)、ＣＮＴ＿ＩＯの処理(図５の段階１５６)は一旦中断され、ＲＦ＿ＩＯを処理することに代えて段階１４４、１４６、１４８および１５０が実行される。

データレジスタ１３６は段階１４６でリセットされるので、ＣＮＴ＿ＩＯのリセット前の処理(図５の段階１５６)の結果は不利に損失される。もしこのようなインタラプト／ポーリングの間に、ＲＦ＿ＶＤＤが利用可能ではなければ(図５の段階１６０)、マイクロコンピュータ１３６はＣＮＴ＿ＩＯ(図５の段階１５６)の処理を続ける。

これと異なって、図６は接触動作が非接触動作より高い優先順位で決められている時、ＩＣチップ１３０の動作段階の流れ図を示す。この場合、ＩＣチップ１３０がパワーオン(図６の段階１６２)であれば、信号選択装置１３４は接触バンク１２４からＣＮＴ＿ＶＤＤの利用可能性を点検する(図６の段階１６４)。

もしこのようなＣＮＴ＿ＶＤＤが利用可能であれば、(図６の段階１６４)、信号選択装置１３４はマイクロコンピュータ１３６によって処理されるように接触バンク１２４によって受けた信号を選択する。したがって、ＣＮＴ＿ＶＤＤはマイクロコンピュータ１３６に電源を供給するために選択され(図６の段階１６６)、データレジスタ１３８はリセットされる(図６の段階１６８)。接触バンク１２４を媒介として受けられた接触データＣＮＴ＿ＩＯは以後のＩＣチップ１３０のパワーオフ(図６の段階１７２)の前にマイクロコンピュータ１３６によって処理される(図６の段階１７０)。

図６をさらに参照すれば、もしＣＮＴ＿ＶＤＤが利用可能ではなければ(図６の段階１６４)、信号選択装置１３４はマイクロコンピュータ１３６によって処理されるように少なくとも一つのアンテナコイル１２６と１２８を媒介として受けられた信号を選択する。したがって、ＲＦ＿ＶＤＤはマイクロコンピュータ１３６に電源を提供するために選択され(図６の段階１７４)、データレジスタ１３８はリセットされる(図６の段階１７６)。また、ＲＦ＿ＩＯはＩＣチップ１３０のパワーオフ(図６の段階１８０)の前にマイクロコンピュータ１３６によって処理される(図６の段階１７８)。

図６はまたＲＦ＿ＩＯの処理の前、処理中、または処理の後(図６の段階１７８の周辺)接触バンク１２４がマイクロコンピュータによって処理されるための信号を受ける場合の動作段階を示す。図６で、接触動作は非接触動作より高い優先順位で決められている。したがって、もしマイクロコンピュータのインタラプト(またはポーリング)によって(図６の段階１７８)ＲＦ＿ＩＯの処理直前、処理中、または処理直後(図６の段階１７８の周辺)ＣＮＴ＿ＶＤＤが利用できれば(図６の段階１８２)、ＲＦ＿ＩＯの処理は一旦中断され、ＣＮＴ＿ＩＯの処理に代えて段階１６６、１６８、１７０および１７２が実行される。

データレジスタ１３６は段階１６８でリセットされるので、ＲＦ＿ＩＯのリセット前の処理(図６の段階１７８)結果は不利に損失される。もしＣＮＴ＿ＶＤＤが利用できなければ(図６の段階１８２)、このようなインタラプト／ポーリングの間に、マイクロコンピュータ１３６がＲＦ＿ＩＯの処理を続ける(図６の段階１７８)。

従来の技術による図５、または図６のいずれかによっても、ＣＮＴ＿ＩＯ(接触データ)、またはＲＦ＿ＩＯ(非接触データ)の処理は一旦中断され、このような処理結果は不利に損失される。なお、もしＲＦ＿ＩＯとＣＮＴ＿ＩＯが全部同時にチップカード１２２に受けられれば、マイクロコンピュータは完全に無視し、接触と非接触動作との間に決められた優先順位に従ってＲＦ＿ＩＯとＣＮＴ＿ＩＯのうちの一つは処理しない。したがって、このように、どのようなデータでもチップカードに有用になるように、チップカードが複合機能で処理されることが要求される。
米国第６，１６８，０８３号 米国第５，２０６，４９５号

本発明の目的は、接触方式で電源が供給され、かつ非接触方式で通信可能なデュアルインタフェース集積回路カードを提供することである。

本発明の一側面によるチップカードはチップカードにより受けた接触データＣＮＴ＿ＩＯと非接触データＲＦ＿ＩＯのいずれも処理する。

本発明の一実施の形態において、チップカードはマイクロコンピュータと、接触バンクとマイクロコンピュータとの間のデータ伝送のための接触インターフェースと、少なくとも一つのアンテナとマイクロコンピュータとの間のデータ伝送のための非接触インターフェースとを含む。マイクロコンピュータは同時に接触インターフェースから接触データを、非接触インターフェースから非接触データを受けるのに適する。一実施の形態において、接触データと非接触データは同時に各々の接触インターフェースと非接触インターフェースからマイクロコンピュータに送られる。

本発明の他の実施の形態において、マイクロコンピュータは接触データと非接触データがマイクロコンピュータに送られるか否かの指示のための少なくとも一つの制御信号を送るようになっている。

本発明のまた他の実施の形態において、チップカードはマイクロコンピュータと、接触バンク上の信号から接触バイアス電圧を得るための接触インターフェースと、少なくとも一つのアンテナ上の信号から非接触バイアス電圧を得るための非接触インターフェースとを含む。さらに、チップカードは接触バイアス電圧が利用可能であるたびに、マイクロコンピュータに供給される接触バイアスを選択するための電源電圧を含む。接触バイアス電圧は接触バイアス電圧が非接触バイアス電圧よりさらに安定するので選択される。

本発明によるこのような実施の形態において、電源電圧選択器は非接触バイアス電圧が利用可能であり、接触バイアス電圧が利用可能ではない時、マイクロコンピュータに提供される非接触バイアス電圧を選択する。この場合、電源電圧選択器は接触バイアス電圧が利用可能になるたびに、マイクロコンピュータに提供される接触バイアス電圧を選択するためにスイチングする。さらに、電源電圧選択器は接触バイアス電圧と非接触バイアス電圧が全部利用可能である時、マイクロコンピュータに提供される接触バイアス電圧を選択する。

本発明の実施の形態において、電源電圧選択器は接触バイアス電圧が利用可能であるたびに、接触バイアス電圧をマイクロコンピュータと連結するためにターンオンされる第１スイッチを含む。また、第２スイッチは非接触バイアス電圧が利用可能であり、接触バイアス電圧は利用可能ではない時、非接触バイアス電圧とマイクロコンピュータとを連結するためにターンオンされる。

このような意味で、接触データＣＮＴ＿ＩＯと非接触データＲＦ＿ＩＯのうちのいずれも処理するチップカードは複合機能をするチップカードとして有用である。例えば、ペイメントのために非接触データを処理すると同時に接触データは電話をかけるために処理されうる。

接触方式で電源電圧が供給され、かつ非接触方式を通じてデータを送受信することができる。

このように、他の特徴及び本発明の長所は以下の添付の図面に示した発明の詳細な説明を考慮してさらによく理解されるであろう。また、図面は叙述を明白にするために示し、図示したサイズは必須ではない。図１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０および１１に同一の参照番号を有する要素は類似の構造と機能を有する要素を参照する。

図７にある本発明の実施の形態を参照すれば、コンビ方式のチップカード２００は多数個の接点２０４を有する接触バンク２０２と少なくとも一つのアンテナコイル（図７の例にある第１アンテナコイル２０６と第２アンテナコイル２０８と）を含む。接触バンク２０２と第１及び第２アンテナコイル２０６と２０８は(図７の接線でアウットラインされた)ＩＣ(集積回路)チップ２１０と連結されている。

接触バンク２０２、アンテナコイル２０６と２０８、およびＩＣチップ２１０はチップカード２００のための基板(図７に図示しない)上に形成される。チップカード２００のための基板は一般的にクレジットカードと類似の型を有し、基板上の接触バンク２０２、アンテナコイル２０６と２０８、およびＩＣチップ２１０の物理的配置はこの分野の通常的技術のうちの一つで知られたＩＳＯ標準によって決められる。

ＩＣチップ２１０は(図７の点線でアウトラインされた)マイクロコンピュータ２１２と接触バンク２０２とマイクロコンピュータ２１２との間に連結された接触インターフェース２１４を含む。接触インターフェース２１４は接触バンク２０２の接点から信号を受け、このような信号から接触データＣＮＴ＿ＩＯと接触バイアス電圧ＣＮＴ＿ＶＤＤとを得る。このような接触インターフェース２１４の方式は各々この分野の通常の知識を持つ者において自明である。

ＩＣチップ２１０はまたアンテナコイル２０６と２０８とマイクロコンピュータ２１２との間に連結された非接触インターフェース２１６を含む。非接触インターフェース２１６は少なくとも一つのアンテナコイル２０６と２０８からＲＦ(無線周波数)信号を受けて、このような信号から非接触データＲＦ＿ＩＯと非接触バイアス電圧ＲＦ＿ＶＤＤを得る。このような非接触インターフェース２１６の方式は各々この分野の通常の知識を持つ者において自明である。

ここではＲＦ(無線周波数)の記号は、非接触信号を表現するために使用されている。しかし、本発明はアンテナコイル２０６と２０８によって受信されたいかなる周波数成分を有する非接触信号の型式(無線周波数範囲の例に加えて)に対しても適用可能である。

ＩＣチップ２１０は、接触インターフェース２１４からＣＮＴ＿ＶＤＤが、非接触インターフェース２１６からＲＦ＿ＶＤＤが入力され、その１つを選択して成るバイアス電圧ＶＤＤをマイクロコンピュータ２１２に出力する、電源電圧選択器２１８(図７の波線で囲まれた部分)をさらに含む。電源電圧選択器２１８はＣＮＴ＿ＶＤＤに連結されたソースと、インバータ２２２の出力に連結されたゲートと、第２ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２４のドレインと連結されたドレインを有する第１ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２０で構成されている。第２ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２４はＲＦ＿ＶＤＤに連結されたソースと、ＣＮＴ＿ＶＤＤに連結されたゲートとを有する。ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２０と２２４のドレインはマイクロコンピュータ２１２とともに連結されている。

マイクロコンピュータ２１２は接触インターフェース２１４と連結された接触データレジスタ２２６と非接触インターフェース２１６と連結された非接触データレジスタ２２８とを含む。接触データレジスタ２２６と非接触データレジスタ２２８はマイクロコンピュータ２１２のデータプロセッサ２３０と連結されている。マイクロコンピュータ２１２はデータプロセッサ２３０によって実行される命令シーケンスを貯蔵するための、データプロセッサ２３０と連結されたメモリ装置２３２をさらに含む。データプロセッサ２３０は図８の流れ図の段階を実行するためにこのような命令シーケンスを実行する。

チップカード２００の動作を図８の流れ図を参照して説明する。ＩＣチップ２１０のパワーオンで(図８の段階３０２)、電源電圧選択器２１８は接触バイアス電圧ＣＮＴ＿ＶＤＤと非接触バイアス電圧ＲＦ＿ＶＤＤのうちのいずれが利用可能(図８の段階３０４)であるかによって動作する。もし接触バンク２０２が接触基盤端末機から信号を受けたら、接触インターフェース２１４はこのような信号からＣＮＴ＿ＶＤＤを得て、その結果、電源電圧選択器２１８によってＣＮＴ＿ＶＤＤが高い電圧レベルで利用可能になる。もし少なくとも一つのアンテナコイル２０６と２０８が非接触基盤端末機から信号を受けたら、非接触インターフェース２１６はこのような信号からＲＦ＿ＶＤＤを得て、その結果、電源電圧選択器２１８によってＲＦ＿ＶＤＤが高い電圧レベルで利用可能になる。

ＣＮＴ＿ＶＤＤが電源電圧選択器２１８に対して高い電圧レベルとして利用可能で(図８の段階３０４)ある時を考慮する。この場合、接触バンク２０２はＩＣチップ２１０によって処理される信号を受ける一方、アンテナコイル２０６と２０８は処理されるどのような信号も受けない。さらにこの場合、第１ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２０はマイクロコンピュータに電源を供給するためのバイアス電圧ＶＤＤとしてＣＮＴ＿ＶＤＤを選択するためにターンオンする第１スイッチ(この間、第２ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２４はターンオフしている)として動作する(図８の段階３０６)。

接触データレジスタ２２６と非接触データレジスタ２２８はリセットされる(図８の段階３０８)。続いて、接触データレジスタ２２６は接触インターフェース２１４から得られた接触データＣＮＴ＿ＩＯを受けて貯蔵する(図８の段階３１０)。データプロセッサ２３０は以後ＩＣチップ２１０のパワーオフ(図８の段階３１２)の前に、このようなＣＮＴ＿ＩＯを処理する(図８の段階３１０)。

図８はまた少なくとも一つのアンテナコイル２０６と２０８がＣＮＴ＿ＩＯの処理の前、処理中、または処理の後に処理される信号を受ける動作段階を図示する(図８の点線でアウトラインされた段階３１０)。ＣＮＴ＿ＩＯの処理直前、処理中、または処理直後のマイクロコンピュータ２１２のインタラプト(またはポーリング)によってＲＦ＿ＶＤＤは利用可能になるであろう。この場合、非接触インターフェース２１６から得られた非接触データＲＦ＿ＩＯは非接触データレジスタ２２８に受けられて貯蔵される (図８の段階３１６)。

データプロセッサ２３０は、このようなＲＦ＿ＩＯを処理し(図８の段階３１６)、その後、データプロセッサ２３０はＣＮＴ＿ＩＯの処理を続けるために戻る(図８の段階３１０)。この場合、以前段階３１０で受けられたＣＮＴ＿ＩＯは失われることはなく、ＣＮＴ＿ＩＯとＲＦ＿ＩＯの両方は、マイクロコンピュータ２１２によって処理される(図８の段階３１０、３１４および３１６)。もしＲＦ＿ＶＤＤがインタラプト／ポーリング(図８の段階３１４)の間利用可能ではなければ、データプロセッサ２３０はＩＣチップ２１０のパワーオフ(図８の段階３１２)の前にＣＮＴ＿ＩＯの処理を単純に完了する。(図８の段階３１０)

さらに、ＲＦ＿ＶＤＤが利用可能になっても(図８の段階３１４)、電源電圧選択器２１８はマイクロコンピュータ２１２に電圧を供給するためにＣＮＴ＿ＶＤＤを選択し続ける。ＣＮＴ＿ＶＤＤはノイズがさらに低くて、Ｒ＿ＶＤＤよりさらに安定した電圧ソースである。したがって、電源電圧選択器２１８はＲＦ＿ＶＤＤが利用可能になっても(図８の段階３１４)、マイクロコンピュータ２１２に電源を供給するためにＣＮＴ＿ＶＤＤを選択し続ける。利用可能な非接触データＲＦ＿ＩＯはＩＣチップ２１０のパワーオフの前に(図８の段階３１２)、データプロセッサ２３０によって処理される（図８の段階３１６）。

これとは異なって、ＲＦ＿ＶＤＤが電源電圧選択器２１８に対して高い電圧レベルで利用可能である時を考慮する。この場合、接触バンク２０２が処理されるべき、いかなる信号も受けていない間、アンテナコイル２０６と２０８の少なくとも一つがＩＣチップ２１０により処理される信号を受信する。また、この場合に、(第１ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２０はターンオフされる間)第２ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２４は、マイクロコンピュータ２１２に電圧を供給するための(図８の段階３１８)バイアス電圧ＶＤＤとしてＲＦ＿ＶＤＤを選択するためにターンオンする第２スイッチとして動作する。

接触データレジスタ２２６と非接触データレジスタ２２８はリセットされる(図８の段階３２０)。続いて、非接触データレジスタ２２８は非接触インターフェース２１６から得た非接触データＲＦ＿ＩＯを貯蔵する(図８の段階３２２)。そして、データプロセッサ２３０はＩＣチップ２１０がパワーオフされる前に(図８の段階３２４)、このようなＲＦ＿ＩＯを処理する。(図８の段階３２２)

図８はまたＲＦ＿ＩＯの処理の前、処理中、処理の後(図８の段階３２２の周辺)に接触バンク２０２が処理される信号を受ける場合の動作段階(図８の点線でアウトラインされた)を図示する。ＲＦ＿ＩＯの処理直前、処理中、処理直後(図８の段階３２２の周辺)にマイクロコンピュータ２１２のインタラプト(またはポーリング)によってＣＮＴ＿ＶＤＤは利用可能になる。この場合、電源電圧選択器２１８はマイクロコンピュータ２１２に電源を供給するためのＣＮＴ＿ＶＤＤを選択するためにスイチングする(図８の段階３２８)。

ＣＮＴ＿ＶＤＤが高い電圧レベルで利用可能になった時、第１ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２０はターンオンされ、第２ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２４はターンオフされてＣＮＴ＿ＶＤＤはマイクロコンピュータ２１２と連結される。ＣＮＴ＿ＶＤＤはノイズがさらに低くて、ＲＦ＿ＶＤＤよりさらに安定した電圧ソースである。したがって、電源電圧選択器２１８はＣＮＴ＿ＶＤＤが利用可能になる時(図８の段階３２８)マイクロコンピュータ２１２に電圧を供給するためにＣＮＴ＿ＶＤＤを選択するためにスイチングする。

また、接触インターフェース２１４で得られた接触データＣＮＴ＿ＩＯは接触データレジスタ２２６に貯蔵される(図８の段階３３０)。その後、データプロセッサ２３０は、このようなＣＮＴ＿ＩＯを処理し(図８の段階３３０)、ＲＦ＿ＩＯの処理を続けるステップに戻る。(図８の段階３２２)

このように、段階３２２であらかじめ受けられたＲＦ＿ＩＯは失われず、ＣＮＴ＿ＩＯとＲＦ＿ＩＯは、マイクロコンピュータ２１２によって処理される(図８の段階３２２、３２６、および３００)。さらに、ＲＦ＿ＩＯの処理の間ＣＮＴ＿ＶＤＤが利用可能になれば、(図８の段階３２６)電源電圧選択器２１８は直ちにマイクロコンピュータ２１２に電源を供給するため(図８の段階３２８)より安定したＣＮＴ＿ＶＤＤを選択するようにスイチングする。もしＣＮＴ＿ＶＤＤがインタラプト／ポーリングの間(図８の段階３２６)利用可能ではなければ、データプロセッサ２３０は単純にＩＣチップ２１０のパワーオフの前に(図８の段階３２４)ＲＦ＿ＩＯの処理を完了する(図８の段階３２２)。

最後に、ＲＦ＿ＶＤＤとＣＮＴ＿ＶＤＤの両方が、電源電圧選択器２１８に対して高い電圧レベルで利用可能である時(図８の段階３０４)を考慮する。この場合、接触バンク２０２と少なくともアンテナコイル２０６と２０８の一つが、ＩＣチップ２１０によって処理される信号を同時に受ける。また、この場合、第２ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２４がマイクロコンピュータ２１２に電圧を供給するための(図８の段階３２２)バイアス電圧としてＣＮＴ＿ＶＤＤを選択するためにターンオフしている間、第１ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２０はターンオンしている。

接触データレジスタ２２６と非接触データレジスタ２２８はリセットされる(図８の段階３３４)。続いて、非接触データレジスタ２２８が非接触インターフェース２１６から得た非接触データＲＦ＿ＩＯを貯蔵する間に、接触データレジスタ２２６は接触インターフェース２１４から得た接触データＣＮＴ＿ＩＯを貯蔵する(図８の段階３３６)。引き続きデータプロセッサ２３０はＩＣチップ２１０のパワーオフの前に(図８の段階３３８)、このようなＣＮＴ＿ＩＯとＲＦ＿ＩＯを処理する。

このように、ＣＮＴ＿ＩＯとＲＦ＿ＩＯの両方が同時にマイクロコンピュータ２１２に送られ、それぞれ接触２２６及び非接触データレジスタ２２８に貯蔵される。引き続きデータプロセッサ２３０は、このようなＣＮＴ＿ＩＯとＲＦ＿ＩＯを処理する。さらに、ＣＮＴ＿ＶＤＤとＲＦ＿ＶＤＤが同時に利用可能である時、電源電圧選択器２１８はマイクロコンピュータ２１２に電源を供給するために優先的により安定したＣＮＴ＿ＶＤＤを選択する。

図８の流れ図によるＩＣチップ２１０のこのような動作によって、接触２１４及び非接触インターフェース２１６によって得られた接触データＣＮＴ＿ＩＯと非接触データＲＦ＿ＩＯのいずれもが、マイクロコンピュータ２１２によって受信され処理される。

これと反対に、従来のコンビ方式チップカードはＲＦ＿ＩＯとＣＮＴ＿ＩＯの処理のうち、決められた優先順位によって、 二つとも利用可能である場合でも、ＲＦ＿ＩＯとＣＮＴ＿ＩＯのうちのただ一つだけ処理する。したがって、従来のコンビ方式チップカードでは二つとも利用可能である時、ＲＦ＿ＩＯまたはＣＮＴ＿ＩＯのどちらかが、損失されるか無視される。

また、電源電圧選択器２１８はＣＮＴ＿ＶＤＤが利用可能であるたびにマイクロコンピュータ２１２に電源を供給するためにさらに安定したＣＮＴ＿ＶＤＤを優先的に選択する。したがって、電源電圧選択器２１８はＣＮＴ＿ＶＤＤが利用可能ではなく、ＲＦ＿ＶＤＤが利用可能である時、マイクロコンピュータ２１２に電源を供給するためにより安定ではないＲＦ＿ＶＤＤを選択する。

図９は携帯電話である接触端末機３４２の例と決済手段である非接触端末機３４４の例として図７のチップカード２００の適用を示す。チップカード２００は携帯電話３４２に設けられ、その結果、チップカード２００の接触バンク２０２は携帯電話３４２と接触する。

この場合、マイクロコンピュータ２１２は携帯電話３４２からの呼び出し待ち受けのために携帯電話３４２からのＣＮＴ＿ＩＯを処理する。ペイメント端末機３４４は少なくともアンテナコイル２０６と２０８の一つとの信号の伝送のために端末機アンテナ３４６を含む。

一人が電話通話のために携帯電話３４２を使用している間、その人はチップカード２００を利用して 決済端末機３４４で支払を済ませることができる。例えば、 決済端末機３４４は地下鉄で自動決済のために使用されうる。その人が電話通話のために携帯電話３４２を使用していると同時に、その人が地下鉄に歩いていって地下鉄を使用するために決済端末機３４４で自動決済ができる。本発明によるチップカード２００は携帯電話３４２で電話通話をするための接触データＣＮＴ＿ＩＯと決済端末機３４４で自動決済をするための非接触データＲＦ＿ＩＯのいずれのデータも同時に処理する機能を有する。

上述したことは、一実施例に過ぎず、これによって制限されるものではない。例えば、指定されたＲＦ(無線周波数)は、非接触信号を記述するために使用されている。しかし、本発明は、アンテナコイル２０６と２０８によって受信される(無線周波数範囲例に加えて)、どのような周波数要素を有するどのような方式の非接触信号に対しても実施可能である。さらに、ここに図示し説明された構成要素は一例に過ぎない。例えば、データレジスタ２２６と２２８はどのような方式のデータ貯蔵装置にも実装することができ、ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ２２０と２２４に替わるどのような方式のスイチング要素でも使用されうる。

さらに、本発明の一実施例としてここで図示され、記載された構成要素はいかなるハードウエア、ソフトウエア、および単体部品さらに集積回路とも組合せることが可能である。

さらに、チップカード２００は、ここに説明された以外の特徴を有することができる。例えば、図１０は、図７のチップカード２００とは異なるＩＣチップ３５２を有する他のチップカード３５０を示す。図１０のマイクロコンピュータ３５４は図７のチップカード２００とは異なるデータプロセッサ３５６とメモリ装置３５８を有する。さらに、図１０の接触インターフェース３６０と非接触インターフェース３６２は図７のチップカード２００のものとは異なっている。

データプロセッサ３５６が図１０のメモリ装置３５８内に貯蔵された命令のシーケンスを実行する時、データプロセッサ３５６は接触インターフェース３６０を活性、または非活性にするための接触制御信号ＣＮＴ＿ＣＯＮＴＲＯＬを送る特徴を有する。さらに、データプロセッサ３５６は非接触インターフェース３６２を活性、または非活性にするための非接触制御信号ＲＦ＿ＣＯＮＴＲＯＬを送る特徴を有する。

ＣＮＴ＿ＣＯＮＴＲＯＬが接触インターフェース３６０は非活性化されたと指示すると、接触インターフェース３６０は接触バンク２０２によって受けられたいかなる信号をも無視するように動作する。このような場合に、接触データＣＮＴ＿ＩＯはマイクロコンピュータ３５４に送られず、接触バイアス電圧ＣＮＴ＿ＶＤＤは電源電圧選択器２１８に対して生成されない。同じように、ＲＦ＿ＣＯＮＴＲＯＬが非接触インターフェース３６２は非活性化されたと指示すると、非接触インターフェース３６２はアンテナコイル２０６と２０８によって受けたいかなる信号をも無視するように動作する。このような場合において、非接触データＲＦ＿ＩＯはマイクロコンピュータ３５４に送られず、非接触バイアス電圧ＲＦ＿ＶＤＤは電源電圧選択器２１８に対して生成されない。

非接触インターフェース３６２が活性化されている間、ＣＮＴ＿ＣＯＮＴＲＯＬとＲＦ＿ＣＯＮＴＲＯＬが接触インターフェース３６０は非活性化されたと指示すると、チップカードは非接触データＲＦ＿ＩＯを処理するだけのために図８の段階３０２、３１８、３２０、３２２、および３２４を実行する。これと異なって、接触インターフェース３６０が活性化されている間、ＣＮＴ＿ＣＯＮＴＲＯＬとＲＦ＿ＣＯＮＴＲＯＬが非接触インターフェース３６２は非活性化されたと指示すると、チップカードは接触データＣＮＴ＿ＩＯを処理するだけのために図８の段階３０２、３０６、３０８、３１０および３１２を実行する。

最後に、ＣＮＴ＿ＣＯＮＴＲＯＬとＲＦ＿ＣＯＮＴＲＯＬが接触インターフェース３６０と非接触インターフェース３６２の二つとも活性化されたことを示す時、チップカードはチップカード３５０で受けた接触データＣＮＴ＿ＩＯと非接触データＲＦ＿ＩＯのいかなる組み合わせをも処理するために図８のすべての段階を実行する。このように、チップカード３５０は、処理のためにマイクロコンピュータ３５４に送られる接触データＣＮＴ＿ＩＯと非接触データＲＦ＿ＩＯのいずれかを選択するためのプログラムを行うことができることでさらなる柔軟性を提供する。

図１１はアンテナコイル２０６と２０８で受けた非接触ＲＦ信号を操作するためのさらに異なるチップカード３７０を示す。非接触インターフェース３７２は、このようなＲＦ信号から非接触バイアス電圧ＲＦ＿ＶＤＤを得るＲＦ＿ＶＤＤ発生器３７４を含む。非接触インターフェース３７２はまたこのようなＲＦ信号から非接触データＲＦ＿ＩＯを得るＲＦ＿ＩＯ抽出器３７６を含む。ＲＦ＿ＶＤＤ発生器３７４とＲＦ＿ＩＯ抽出器３７６をそれぞれ用いることは、この分野の通常の知識を持つ者において自明である。

ＲＦ＿ＩＯ抽出器３７６で得られたＲＦ＿ＩＯは非接触データレジスタ３８２とバス３８４に連結されたデータプロセッサ３８０を含むマイクロコンピュータ３７８に送られる。さらに、データプロセッサ３８０はバス３８４を媒介としてＶＤＤ状態フラッグレジスタ３８６と制御レジスタ３８８に連結される。非接触データレジスタ３８２は制御レジスタ３８８からのＲＦ＿ＣＯＮＴＲＯＬ信号、およびＲＦ＿ＩＯ抽出器３７６からのＲＦ＿ＩＯを入力として有するＡＮＤゲート３９０の出力と連結される。

チップカード３７０はまたＲＦ＿ＶＤＤ発生器３７４からのＲＦ＿ＶＤＤと外部ＶＤＤソース３９４によって生成された外部バイアス電圧ＥＸ＿ＶＤＤが入力される電源電圧選択器３９２を含む。一般的に、本発明はＲＦ＿ＶＤＤよりさらに安定した選択バイアス電圧ＥＸ＿ＶＤＤを生成するいかなる方式の電圧ソース３９４とも接続可能である。電源電圧選択器３９２は(プラス入力端子で)ＲＦ＿ＶＤＤと(マイナス入力端子で)ＥＸ＿ＶＤＤが入力される比較器３９６とを含む。比較器３９６の出力はインバータ３９８の入力と第１ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ４００のゲートに連結されている。第１ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ４００はＥＸ＿ＶＤＤに連結されたソースと第２ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ４０２のドレインに連結されたドレインを有する。第２ＰＭＯＳ電界効果トランジスタ４０２はインバータ３９８の出力と連結されたゲートとＲＦ＿ＶＤＤと連結されたソースを有する。

電源電圧選択器３９２はマイクロコンピュータ３７８に電圧を供給するためにＶＤＤを使用する内部電圧発生器４０４にバイアス電圧ＶＤＤを出力する。電源電圧選択器３９２はＲＦ＿ＶＤＤの利用可能性と関係なく、ＥＸ＿ＶＤＤが利用可能になるたびにＶＤＤとして出力されるように、外部電圧ソース３９４からＥＸ＿ＶＤＤを選択するように動作する。このように、電源電圧選択器３９２はＥＸ＿ＶＤＤがＲＦ＿ＶＤＤよりさらに安定した電圧である時に有用となる。

ＥＸ＿ＶＤＤは(接触バンクで受けられたＣＮＴ＿ＶＤＤの例に追加して)ＲＦ＿ＶＤＤよりさらに安定した選択バイアス電圧ＥＸ＿ＶＤＤを提供するあらゆる電圧ソース３９４であり得ることから、図１１にある電源電圧選択器３９２は図７と図１０にある電源電圧選択器２１８から総合的に求められる。図７と図９に類似に、ＲＦ＿ＶＤＤはＥＸ＿ＶＤＤほど安定ではないけれど、もしＥＸ＿ＶＤＤが利用可能ではなく、ＲＦ＿ＶＤＤが利用可能であれば、図１１の電源電圧選択器３９２はＶＤＤとして出力されるＲＦ＿ＶＤＤ発生器３７４からＲＦ＿ＶＤＤを選択する。

図１１において、内部電圧発生器４０４はマイクロコンピュータ３７８をバイアスするために電源電圧選択器３９２のＶＤＤを単純に使用することができる。これとは異なって、内部電圧発生器４０４はＶＤＤからさらに昇圧された電圧レベルをマイクロコンピュータ３７８に提供することができる。

ＶＤＤ状態フラッグレジスタ３８６内に貯蔵されたＲＦ＿ＶＤＤ電圧レベルは、ＲＦ信号がアンテナコイル２０６と２０８によって受けられるか否かをデータプロセッサ３８０に示す。データプロセッサ３８０は接触データＣＮＴ＿ＩＯと非接触データＲＦ＿ＩＯの処理の優先順位を決めるためにＶＤＤ状態フラッグレジスタ３８６のこのような表示を使用することができる。

また、データプロセッサ３８０はデータプロセッサ３８０が非接触データＲＦ＿ＩＯを処理するか否かを示すために制御レジスタ３８８に貯蔵された非接触制御信号ＲＦ＿ＣＯＮＴＲＯＬを送る。もしＲＦ＿ＣＯＮＴＲＯＬがデータプロセッサ３８０がＲＦ＿ＩＯを処理することを示せば、ＡＮＤゲート３９０はＲＦ＿ＩＯ抽出器３８７によって生成されたＲＦ＿ＩＯを非接触データレジスタ３８２に向けて通過させる。その後、データプロセッサ３８０は非接触データレジスタ３８２に貯蔵されたＲＦ＿ＩＯを処理する。一方、もしＲＦ＿ＣＯＮＴＲＯＬがデータプロセッサ３８０がＲＦ＿ＩＯを処理しないことを示せば、ＡＮＤゲート３９０は非接触データレジスタ３８２にＲＦ＿ＩＯを送ることを阻止し、データプロセッサ３８０はＲＦ＿ＩＯの処理をしない。

図１１は少なくともアンテナコイル２０６と２０８のうちの一つのアンテナコイルによって受けられたＲＦ信号を操作するための他のチップカード３７０を示す。少なくとも一つのアンテナコイルによって受けられたＲＦ信号を操作するための機能は図１０および図１１と類似である。しかし、図１０および図１１の構成要素と構成要素の配置は異なる。本発明はまた図７、図１０および図１１の実施の形態の以外に他の多様な可能な実施の形態によって実行されうる。本発明は上述の請求項及びそれと等価物で特徴づけられたことによってだけ制限される。

従来の技術による接触方式のチップカードのブロック図を示す。 従来の技術による非接触方式のチップカードのブロック図を示す。 従来の技術によるコンビ方式のチップカードのブロック図を示す。 従来の技術による図３のチップカードのＩＣチップの内部の構成要素を示す。 従来の技術によって非接触動作が接触動作より高い優先順位で決められている時の図４のＩＣチップの動作段階の流れ図である。 従来の技術によって接触動作が非接触動作より高い優先順位で決められている時の図４のＩＣチップの動作段階の流れ図である。 本発明における複合機能を有するチップカードで受けた接触データと非接触データのうちのいずれか一つを処理するための複合方式のチップカードを示す。 本発明による図７のチップカードが動作する間の段階の流れ図を示す。 本発明の一実施の形態による図７のチップカードの接触及び非接触端末機の相互作用例を示す。 本発明の図７のチップカードの他の実施の形態であり、チップカードのマイクロコンピュータが接触及び非接触インターフェースのいずれかを活性化することを示す。 本発明はまた他の実施の形態によるコンビ方式のチップカードの選択的な構成要素のブロック図を示す。

Claims (41)

1. マイクロコンピュータと、
   接触バンクと前記マイクロコンピュータとの間のデータ伝送のための接触インターフェースと、
   少なくとも一つのアンテナと前記マイクロコンピュータとの間のデータ伝送のための非接触インターフェースとを含み、
   前記マイクロコンピュータは前記接触インターフェースからの接触データと前記非接触インターフェースからの非接触データを同時に受けるように構成されることを特徴とするチップカード。
2. 前記マイクロコンピュータは前記受けられた接触データと非接触データとを処理するように構成されることを特徴とする請求項１に記載のチップカード。
3. 接触バイアス電圧が利用できるたびにマイクロコンピュータに提供されるように、接触インターフェースから接触バイアス電圧を選択するための電源電圧選択器をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のチップカード。
4. 前記電源電圧選択器は非接触バイアス電圧が利用可能であり、接触バイアス電圧は利用できない時、マイクロコンピュータに提供されるように非接触インターフェースから非接触バイアス電圧を選択することを特徴とする請求項３に記載のチップカード。
5. 前記電源電圧選択器は、
   接触バイアス電圧が利用できるたびに、マイクロコンピュータと接触バイアス電圧が連結されるようにターンオンする第１スイッチと、
   非接触バイアス電圧が利用でき、接触バイアス電圧が利用可能ではない時、マイクロコンピュータと非接触バイアス電圧が連結されるように、ターンオンする第２スイッチとを含むことを特徴とする請求項４に記載のチップカード。
6. 前記第１及び第２スイッチの各々は電界効果トランジスタからなることを特徴とする請求項５に記載のチップカード。
7. マイクロコンピュータと、
   接触バンクと前記マイクロコンピュータとの間のデータ伝送のための接触インターフェースと、
   少なくとも一つのアンテナと前記マイクロコンピュータとの間のデータ伝送のための非接触インターフェースとを含み、
   ここで、前記マイクロコンピュータは接触インターフェースと非接触インターフェースから送られた接触データ及び非接触データのどのような組み合わせでも受けるように構成されることを特徴とするチップカード。
8. 前記マイクロコンピュータは接触データと非接触データのどのような組み合わせが受けられても処理するように構成されることを特徴とする請求項７に記載のチップカード。
9. 前記マイクロコンピュータは接触データと非接触データの各々がマイクロコンピュータに送られるか否かを指示するための少なくとも一つの制御信号を送るように構成されることを特徴とする請求項７に記載のチップカード。
10. 前記接触データと非接触データは接触インターフェースと非接触インターフェースから各々のマイクロコンピュータに同時に送られることを特徴とする請求項７に記載のチップカード。
11. 接触バイアス電圧が利用できるたびに、マイクロコンピュータに提供されるように接触インターフェースから接触バイアス電圧を選択する電源電圧選択器をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のチップカード。
12. 前記電源電圧選択器は、非接触バイアス電圧が利用でき、接触バイアス電圧は利用できない時、マイクロコンピュータに提供されるように、非接触インターフェースから非接触バイアス電圧を選択することを特徴とする請求項１１に記載のチップカード。
13. チップカードと第１端末機との間の接触データの伝送のための接触バンクと、
    前記チップカードと第２端末機との間の非接触データの伝送のための少なくとも一つのアンテナと、
    前記チップカードによって受けられた接触データと非接触データのどのような組み合わせでも処理するための手段とを含むことを特徴とするチップカード。
14. 前記チップカードによって同時に受けられた前記接触データと前記非接触データとを処理するための手段をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のチップカード。
15. 接触バイアス電圧が利用できるたびに、前記チップカードに電源を供給するために接触バンクからの接触バイアス電圧を選択するための手段をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のチップカード。
16. 非接触バイアス電圧が利用でき、接触バイアス電圧が利用できない時、チップカードに電源を供給するために前記アンテナの信号から得られた非接触電圧を選択するための手段をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載のチップカード。
17. 前記チップカードによって受けられた接触データと非接触データの各々の選択的な処理のための手段をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のチップカード。
18. マイクロコンピュータと、
    少なくとも一つのアンテナの信号から非接触バイアス電圧を得るための非接触インターフェースと、
    非接触バイアス電圧よりさらに安定した選択バイアス電圧を生成するための電圧ソースと、
    選択バイアス電圧が利用できる時、マイクロコンピュータに提供されるように選択バイアス電圧を選択するための電源電圧選択器とを含むことを特徴とするチップカード。
19. 前記電圧ソースは接触バンクの信号から接触バイアス電圧として選択バイアス電圧を得るための接触インターフェースであることを特徴とする請求項１８に記載のチップカード。
20. 前記電源電圧選択器は非接触バイアス電圧が利用でき、選択バイアス電圧が利用できない時、非接触バイアス電圧がマイクロコンピュータに提供されるように選択することを特徴とする請求項１８に記載のチップカード。
21. 前記電源電圧選択器は選択バイアス電圧が利用できるたびに、選択バイアス電圧がマイクロコンピュータに提供されるように選択するスイチングをすることを特徴とする請求項２０に記載のチップカード。
22. 前記電源電圧選択器は前記選択バイアス電圧と前記非接触バイアス電圧の両方が利用できる時、選択バイアス電圧がマイクロコンピュータに提供されるように選択することを特徴とする請求項１８に記載のチップカード。
23. 前記電源電圧選択器は、
    選択バイアス電圧が利用できるたびに、マイクロコンピュータと選択バイアス電圧が連結されるようにターンオンする第１スイッチと、
    非接触バイアス電圧が利用でき、選択バイアス電圧が利用できない時に、マイクロコンピュータと非接触バイアス電圧が連結されるようにターンオンする第２スイッチとを含むことを特徴とする請求項１８に記載のチップカード。
24. 前記第１及び第２スイッチは各々電界効果トランジスタで構成されることを特徴とする請求項２３に記載のチップカード。
25. チップカード上にデータを処理する方法において、
    前記チップカード上の接触バンクとマイクロコンピュータとの間の伝送のための接触データを得る段階と、
    前記チップカード上の少なくとも一つのアンテナと前記マイクロコンピュータとの間の伝送のための非接触データを得る段階と、
    前記接触データと前記非接触データとをマイクロコンピュータに同時に受ける段階とを含むことをと特徴とするデータ処理方法。
26. 前記受けられた接触データと前記受けられた非接触データとをマイクロコンピュータで処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２５に記載のデータ処理方法。
27. 前記接触バイアス電圧が利用できるたびに、前記マイクロコンピュータに提供されるように前記接触バンクから接触バイアス電圧を選択する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２５に記載のデータ処理方法。
28. 前記非接触バイアス電圧が利用でき、前記接触バイアス電圧が利用できない時、マイクロコンピュータに提供されるように非接触バイアス電圧を前記アンテナから選択する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２７に記載のデータ処理方法。
29. チップカード上のデータを処理する方法において、
    前記チップカード上の接触バンクとマイクロコンピュータとの間の伝送のための接触データを得る段階と、
    前記チップカード上の少なくとも一つのアンテナと前記マイクロコンピュータとの間の伝送のための非接触データを得る段階と、
    前記マイクロコンピュータによって処理されるように、得られた接触データと非接触データのどのような組み合わせでもマイクロコンピュータに送る段階とを含むことを特徴とデータ処理方法。
30. 得られた接触データと非接触データのどのような組み合わせでもマイクロコンピュータによって処理される段階をさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載のデータ処理方法。
31. 接触データと非接触データの各々をマイクロコンピュータに送るか否かを指示するための少なくても一つの制御信号を生成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載のデータ処理方法。
32. 同時にマイクロコンピュータに接触データと非接触データとを送る段階をさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載のデータ処理方法。
33. 接触バイアス電圧が利用できるたびに、マイクロコンピュータに提供されるように接触バンクから接触バイアス電圧を選択する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載のデータ処理方法。
34. 非接触バイアス電圧が利用でき、接触バイアス電圧は利用できない時、マイクロコンピュータに提供されるように前記アンテナから非接触バイアス電圧を選択する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載のデータ処理方法。
35. チップカード上のデータを処理するための方法において、
    前記チップカードの少なくとも一つのアンテナの信号から非接触バイアス電圧を得る段階と、
    前記非接触バイアス電圧よりさらに安定した選択バイアス電圧を生成する段階と、
    選択バイアス電圧が利用できる時、前記選択バイアス電圧が前記チップカードのマイクロコンピュータに提供されるように選択する段階とを含むことを特徴とするデータ処理方法。
36. 前記選択バイアス電圧を生成する段階は、チップカードの接触バンク上の信号から前記選択バイアス電圧として接触バイアス電圧を得る段階を含むことを特徴とする請求項３５に記載のデータ処理方法。
37. 前記非接触バイアス電圧が利用でき、前記選択バイアス電圧は利用できない時に、前記非接触バイアス電圧がマイクロコンピュータに提供されるように選択する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３５に記載のデータ処理方法。
38. 選択バイアス電圧が利用できるたびに、前記選択バイアス電圧が前記マイクロコンピュータに提供されるように選択するスイチングをする段階をさらに含むことを特徴とする請求項３７に記載のデータ処理方法。
39. 前記選択バイアス電圧と前記非接触バイアス電圧の両方が利用できる時、選択バイアス電圧が前記マイクロコンピュータに提供されるように選択する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３５に記載のデータ処理方法。
40. 選択バイアス電圧が利用できるたびに、マイクロコンピュータと選択バイアス電圧が連結されるように第１スイッチをターンオンする段階と、
    前記非接触バイアス電圧が利用でき、前記選択バイアス電圧は利用できない時、前記マイクロコンピュータと非接触バイアス電圧が連結されるように第２スイッチをターンオンする段階とを含むことを特徴とする請求項３５に記載のデータ処理方法。
41. 前記第１及び第２スイッチは各々電界効果トランジスタで構成されることを特徴とする請求項４０に記載のデータ処理方法

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