JP2005085075A - 制御方法、温度制御方法、温度調節器および熱処理装置 - Google Patents
制御方法、温度制御方法、温度調節器および熱処理装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 熱処理盤に半導体ウェハが載置されて熱処理が開始された後の時刻tにおける熱処理盤の温度のばらつきを抑制するために、半導体ウェハが載置される前に、目標温度にステップ入力を加算して予備加熱を行い、この予備加熱による干渉を利用して時刻tにおける熱処理盤の温度のばらつきを抑制するようにしている。
【選択図】 図9
Description
この実施の形態では、半導体ウェハを熱処理盤によって熱処理する熱処理装置に適用して説明する。
C=A/B
つまり、前記一定時間t1経過時点における注目点の温度のばらつきを抑制するには、半導体ウェハが載置される前に、隣のチャンネルの目標温度にステップ入力Cを加算した予備加熱を行い、前記一定時間t1経過時点が、温度ばらつきを抑制したい時点になるようにステップ入力Cの加算を停止して予備加熱を終了する。これによって、半導体ウェハ7を熱処理盤4に載置した後の所定の時刻、例えば、上述の図9の時刻t付近における温度のばらつきを抑制することができる。
A2=B12・C1+B22・C2+B32・C3+B42・C4+B52・C5
A3=B13・C1+B23・C2+B33・C3+B43・C4+B53・C5
A4=B14・C1+B24・C2+B34・C3+B44・C4+B54・C5
A5=B15・C1+B25・C2+B35・C3+B45・C4+B55・C5
このようにして得られたステップ入力値C1〜C5を、各チャンネルの目標温度に加算して予備加熱を行なうことにより、時刻tにおける5つの注目点の温度のばらつきが抑制されることになる。
(実施の形態2)
上述の実施の形態では、熱処理盤の注目点の温度のばらつきを抑制したけれども、本発明の他の実施の形態として、熱処理盤で熱処理される半導体ウェハの注目点の温度のばらつきを抑制するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、目標温度に加算するステップ入力値を、温度調節器5の目標温度生成部8に予め格納したけれども、本発明の他の実施の形態として、上位装置9から指示するようにしてもよい。
31〜35 第1〜第5のヒータ 5 温度調節器
8 目標温度生成部 9 上位装置
Claims (15)
- 制御対象の物理状態を複数の検出点でそれぞれ検出し、前記制御対象にそれぞれ操作を加える複数の操作手段を介して前記制御対象の物理状態を目標の状態となるように制御するとともに、外乱の印加後における前記制御対象の前記検出点とは異なる注目点の物理状態のばらつきを抑制する制御方法であって、
前記注目点に対する前記操作手段による干渉の度合いを予め計測し、
計測した干渉の度合いに基づいて、前記外乱の印加前に、前記制御対象の物理状態を予備制御して前記外乱の印加後における前記注目点の物理状態のばらつきを抑制することを特徴とする制御方法。 - 制御対象の温度を複数の検出点でそれぞれ検出し、前記制御対象を加熱および/または冷却する複数の操作手段を操作して検出温度が目標温度になるように制御するとともに、外乱の印加後における前記制御対象の前記検出点とは異なる注目点の温度のばらつきを抑制する温度制御方法であって、
前記注目点に対する前記操作手段による干渉の度合いを予め計測し、
計測した干渉の度合いに基づいて、前記外乱の印加前に、前記制御対象の温度を予備制御して前記外乱の印加後における前記注目点の温度のばらつきを抑制することを特徴とする温度制御方法。 - 処理手段の温度を複数の検出点でそれぞれ検出し、前記処理手段を加熱および/または冷却する複数の操作手段を操作して検出温度が目標温度になるように制御するとともに、前記処理手段での被処理物の処理開始後における前記被処理物の注目点の温度のばらつきを抑制する温度制御方法であって、
前記注目点に対する前記操作手段による干渉の度合いを予め計測し、
計測した干渉の度合いに基づいて、前記被処理物の処理開始前に、前記処理手段の温度を予備制御して前記処理開始後における前記注目点の温度のばらつきを抑制することを特徴とする温度制御方法。 - 前記予備制御では、前記目標温度を変化させる請求項2または3記載の温度制御方法。
- 予め計測した前記注目点の温度のばらつきと前記干渉の度合いとに基づいて、前記目標温度の変化量を決定する請求項4記載の温度制御方法。
- 前記制御対象が処理手段であり、前記外乱が前記処理手段で処理される被処理物である請求項2、4または5のいずれかに記載の温度制御方法。
- 制御対象の温度を複数の検出点でそれぞれ検出する複数の温度検出手段からの検出温度を、目標温度に一致させるように、前記制御対象を加熱および/または冷却する複数の操作手段に対して複数の操作信号を出力する温度制御手段を備えるとともに、外乱の印加後における前記制御対象の前記検出点とは異なる注目点の温度のばらつきを抑制する温度調節器であって、
前記外乱の印加前に、前記制御対象の温度を予備制御して前記外乱の印加後における前記注目点の温度のばらつきを抑制する予備制御手段を備えることを特徴とする温度調節器。 - 処理手段の温度を複数の検出点でそれぞれ検出する複数の温度検出手段からの検出温度を、目標温度に一致させるように、前記処理手段を加熱および/または冷却する複数の操作手段に対して複数の操作信号を出力する温度制御手段を備えるとともに、前記処理手段での被処理物の処理開始後における前記被処理物の注目点の温度のばらつきを抑制する温度調節器であって、
前記被処理物の処理開始前に、前記処理手段の温度を予備制御して前記処理開始後における前記注目点の温度のばらつきを抑制する予備制御手段を備えることを特徴とする温度調節器。 - 前記予備制御手段は、前記複数の温度検出手段によって検出される検出温度に、温度差が生じるように前記予備制御を行なう請求項7または8に記載の温度調節器。
- 前記予備制御手段は、前記目標温度を変化させる目標温度生成部を有する請求項7〜9のいずれかに記載の温度調節器。
- 前記目標温度生成部には、前記目標温度を変化させる変化量が予め格納され、前記変化量は、予め計測した前記注目点の温度のばらつきと、予め計測した前記注目点に対する前記操作手段による干渉の度合いとに基づいて求められる請求項10記載の温度調節器。
- 前記予備制御手段は、外部からのトリガ信号に応答して前記予備制御を開始する請求項7〜11のいずれかに記載の温度調節器。
- 前記予備制御手段は、前記温度検出手段の検出温度に基づいて、予備制御を停止する請求項7〜12のいずれかに記載の温度調節器。
- 前記制御対象が処理手段であり、前記外乱が前記処理手段で処理される被処理物である請求項7、9、10、11、12または13のいずれかに記載の温度調節器。
- 請求項7ないし14のいずれかに記載の温度調節器と、制御対象としての熱処理手段と、該熱処理手段を加熱する複数の操作手段と、前記熱処理手段の温度を検出する複数の温度検出手段とを備えることを特徴とする熱処理装置。
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