JP2005079285A - 積層電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 マザーボード等へ実装する積層電子部品の機械的接続強度を高める。
【解決手段】 本発明による積層電子部品１００は、複数の主導体１１０と複数の絶縁層１３１が交互に積層された積層電子部品であり、積層面と実質的に直交する部品表面には外部電極１４１，１４２が形成されており、前記部品表面と実質的に直交する他の部品表面には外部電極１４１，１４２に対して電気的に短絡された補助導体１９１が形成されている。このような積層電子部品１００をマザーボード等に実装すると、接続に用いる半田が補助電極１９１に沿って積層電子部品の部品表面を登ることから、補助電極１９１の多くの部分が半田によって覆われることになる。これにより、マザーボード等に対して強固に固定されることになる。
【選択図】 図１

Description

本発明は積層電子部品及びその製造方法に関し、特に、ヘリカル状のコイル又はコンデンサ等を含む積層電子部品の製造方法に関する。

従来、コイル部品としては、薄膜型のコイル部品や、積層型のコイル部品、さらには、巻線型のコイル部品が知られている。

薄膜型のコイル部品の例としては、例えば特許文献１に記載されているように、コア基板の表面及び裏面にフォトリソグラフィ工法を用いてスパイラル状のコイルを形成したものが知られている。また、積層型のコイル部品の例としては、例えば特許文献２に記載されているように、１／２〜３／４ターンの内部導体パターンを厚み方向に多層積層して内部にヘリカル状のコイルを形成したものが知られている。さらに、巻線型のコイル部品としては、例えば特許文献３に記載されているように、ボビンに巻線となるワイヤをヘリカル状に巻いたものが知られている。

しかしながら、特許文献１に記載されているような薄膜型のコイル部品においては、導体パターンに高度な微細加工が必要とされるのみならず、高いインダクタンス値を得ることが難しいという問題がある。また、特許文献２に記載されているような積層型のコイル部品においては、内部導体が印刷法により多層積層されるため、印刷ばらつきと積層ばらつきが発生する上、素子を焼成することから、焼成時の収縮や収縮ばらつき等によりインダクタンス精度が低下し、狭公差のコイル部品を得ることが難しいという問題がある。さらに、特許文献３に記載されているような巻線型のコイル部品は、ボビン１個ずつにワイヤを巻線することから、小型化や生産性に難があり、低コストでコイル部品を得ることが難しいという問題がある。
特許２７１４３４３号公報 特開平１１−１０３２２９号公報 特開平１１−２０４３５２号公報

このような背景から、本発明者らは、量産が容易であり、導体パターンのずれが少なく、狭公差のインダクタンス値が得られる積層コイル部品を開発した。この積層コイル部品は、導電層と絶縁層を交互に積層した積層母材を積層面とは実質的に垂直な方向に切断することによって基板を作製し、この基板を加工することによって作製される。

このようにして製造される積層コイル部品は、最終的に各種モジュールの基板やマザーボード等に実装されることになるが、各種モジュールの基板やマザーボード等への機械的な接続強度が低いと接続不良が発生したり、場合によって積層コイル部品が脱落するおそれがあるため、各種モジュールの基板やマザーボード等への機械的な接続強度としてはできる限り強固であることが望ましい。この点は、積層コイル部品のみならず、コンデンサ部品等の他の積層電子部品においても同様である。

したがって、本発明は、実装時に各種モジュールの基板やマザーボード等への高い機械的接続強度を得ることが可能な積層電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明による積層電子部品は、複数の導電層と複数の絶縁層が交互に積層され、前記導電層によって構成される複数の主導体が内蔵された積層電子部品であって、積層面と実質的に直交する第１の部品表面に形成された第１及び第２の外部電極と、前記第１の部品表面と実質的に直交する第２の部品表面に形成され、前記第１の外部電極に対して電気的に短絡された第１の補助導体と、前記第２の部品表面と対向する第３の部品表面に形成され、前記第２の外部電極に対して電気的に短絡された第２の補助導体とを備えることを特徴とする。

本発明による積層電子部品をマザーボードや各種モジュールの基板に実装すると、接続に用いる半田が補助電極に沿って積層電子部品の第２及び第３の部品表面を登ることから、補助電極の多くの部分が半田によって覆われることになる。つまり、半田との接触面積が非常に大きくなる。これにより、本発明による積層電子部品はマザーボード等に対して強固に固定されるので、実装後において接続不良が発生したり脱落したりする可能性が非常に低くなり、その結果、積層電子部品を搭載した製品の信頼性を高めることが可能となる。

本発明において、第１の補助電極の表面は第２の部品表面と実質的に同一平面を構成し、第２の補助電極の表面は第３の部品表面と実質的に同一平面を構成していることが好ましい。これによれば、第１及び第２の補助電極を設けることによって積層電子部品のサイズが大型化することはほとんど無い。

また本発明は、少なくとも一部が第１の外部電極と第１の補助導体との間及び第２の外部電極と第２の補助導体との間に設けられた橋架導体をさらに備え、第１及び第２の外部電極が橋架導体を介して複数の主導体に接続されていることを他の特徴とする。また、第２及び第３の部品表面に対して垂直な方向から見た第１及び第２の補助導体の平面形状と、第２及び第３の部品表面に対して垂直な方向から見た複数の主導体の平面形状とが実質的に同一であることをさらに他の特徴とする。

本発明において、第２及び第３の部品表面は積層面と実質的に平行な面であっても構わないし、第２及び第３の部品表面は積層面と実質的に直交する面であっても構わない。つまり、第２及び第３の部品表面と積層面との関係は特に限定されるものではない。

また本発明は、複数の主導体が第１の部品表面側に位置する第１及び第２の端部を有しており、橋架導体が所定の主導体の第１の端部と所定の主導体とは異なる層に位置する主導体の第２の端部とを接続する部分を有していることをさらに他の特徴とする。また、複数の主導体が第１の部品表面と対向する第４の部品表面側に位置する第３及び第４の端部を有しており、橋架導体が所定の主導体の第３の端部と所定の主導体と同じ層に位置する主導体の第４の端部とを接続する部分をさらに有していることをさらに他の特徴とする。

本発明において、複数の主導体及び橋架導体の少なくとも一部がコイルの導体を構成すれば、積層コイル部品を提供することが可能となる。

本発明による積層電子部品の製造方法は、主導体及び補助導体を含む複数の導電層と複数の絶縁層とが交互に積層された基板を形成する第１のステップと、前記基板の積層面に対して実質的に垂直な主面に、所定の主導体の端部とこれに対応する別の主導体の端部とを接続する複数の橋架導体を形成する第２のステップと、前記橋架導体に接続された外部電極を形成する第３のステップと、少なくとも前記補助導体の形成部分に沿って前記基板をダイシングにより分割する第４のステップとを備えることを特徴とする。

本発明によれば、補助導体の形成部分に沿って基板をダイシングにより分割していることから、ダイシング後において補助導体を容易に露出させることが可能となる。これにより、実装後において接続不良が発生したり脱落したりする可能性が非常に少ない積層電子部品を簡単に製造することが可能となる。

また、ダイシングの方向と実質的に直交する方向における補助導体の幅が、ダイシングにより削除される幅よりも広く設定されていることが好ましい。これによれば、ダイシングにより分割された複数の積層電子部品のそれぞれについて、補助導体を容易に露出させることが可能となる。

また、第３のステップは、橋架導体の一部分が露出するよう基板の主面に絶縁層を形成する第１のサブステップと、電気メッキによって橋架導体の露出部分に外部電極をメッキ成長させる第２のサブステップとを含んでいることが好ましく、この場合、第１のサブステップをスクリーン印刷法により行うことが好ましい。これによれば、製造工程を簡素化することができる。

このように、本発明によれば、実装時に各種モジュールの基板やマザーボード等への高い機械的接続強度を得ることが可能となる。

また、本発明による積層電子部品は、アンテナ、アンテナスイッチモジュール、フロントエンドモジュール、パワーアンプモジュール、ＶＣＯ、ＰＬＬモジュール、バンドパスフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、トラップ、バルントランス、カプラ（方向性結合器）、ＴＣＸＯモジュール、ＩＦモジュール、ＲＦモジュール、パワーアンプアイソレータモジュール、アンテナフロントエンドモジュール、光ピックアップ用重畳モジュール、ＥＭＣフィルタ、コモンモードフィルタ、ＤＣ−ＤＣコンバータ、ディレイライン、ダイプレクサ、デュプレクサ、チューナーユニット、ダブルバランスドミキサー、電力合成器、電力分配器等に使用することが可能である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の好ましい実施形態による積層電子部品１００の構造を示す略斜視図であり、図２は、図１に示すＡ方向から見た略透視平面図であり、図３は、積層電子部品１００に内蔵された導電性材料のみを抜き出して示す略斜視図である。さらに、図４は図１に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した場合の略断面図であり、図５は図１に示すＣ−Ｃ線に沿って切断した場合の略断面図である。

本実施形態による積層電子部品１００は、ヘリカル状のコイルを内蔵するコイル部品である。図１に示すように、その外形は略直方体形であり、その一つの面の両端には外部電極１４１及び１４２が設けられている。外部電極１４１はコイルの一端を構成し、外部電極１４２はコイルの他端を構成している。また、外部電極１４１、１４２が設けられている面と直交する側面であって外部電極１４１、１４２が設けられている両端側に位置する２つの側面１００ａには、いずれも補助導体１９１の表面１９１ａが露出しており、補助電極１９１の表面１９１ａとこれに対応する側面１００ａとは実質的に同一平面を構成している。

尚、本明細書及び特許請求範囲においては、外部電極１４１、１４２が設けられている面を「第１の部品表面」と呼び、補助導体１９１の表面１９１ａが露出している２つの側面１００ａをそれぞれ「第２の部品表面」及び「第３の部品表面」と呼ぶことがある。また、外部電極１４１、１４２が設けられている第１の部品表面と対向する面を「第４の部品表面」と呼ぶことがある。本実施形態では、第２及び第３の部品表面は積層面と実質的に平行な面である。

さらに、図２乃至図５に示すように、積層電子部品１００にはコの字状の複数の主導体１１０と、これら主導体１１０同士を接続する橋架導体（導体パターン）１２０とが内蔵されており、これら主導体１１０及び橋架導体１２０を取り囲むように、絶縁層１３１，１３３〜１３６及び１９２が設けられている。

図２及び図３に示すように、本例では、コの字状の主導体１１０は互いに平行に配置された６つの主導体１１１〜１１６によって構成されており、これら６つの主導体１１１〜１１６の配列方向における両端部には、同じくコの字状である補助導体１９１がそれぞれ配置されている。また、橋架導体１２０は７つの橋架導体１２１〜１２７によって構成されており、これら７つの橋架導体１２１〜１２７のうち、橋架導体１２１は主導体１１１の一端と外部電極１４１及び一方の補助電極１９１とを接続し、橋架導体１２２は主導体１１１の他端と主導体１１２の一端とを接続し、橋架導体１２３は主導体１１２の他端と主導体１１３の一端とを接続し、橋架導体１２４は主導体１１３の他端と主導体１１４の一端とを接続し、橋架導体１２５は主導体１１４の他端と主導体１１５の一端とを接続し、橋架導体１２６は主導体１１５の他端と主導体１１６の一端とを接続し、橋架導体１２７は主導体１１６の他端と外部電極１４２及他方の補助電極１９１とを接続している。これにより、外部電極１４１及び一方の補助電極１９１と外部電極１４２及び他方の補助電極１９１とは、主導体１１１〜１１６及び橋架導体１２１〜１２７からなる一続きのコイルを介して接続されることになる。

主導体１１０（１１１〜１１６）及び補助導体１９１の材料としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）もしくはこれらの合金等を用いることが好ましく、導電性やコストを考慮すれば、銅（Ｃｕ）又はその合金を用いることが最も好ましい。主導体１００（１１１〜１１６）の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ以上、７５μｍ未満に設定することが好ましい。補助導体１９１の厚みについても特に限定されず、その表面１９１ａが積層電子部品１００の側面１００ａにおいて露出していれば足りる。一方、橋架導体１２０（１２１〜１２７）の材料としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）又はその合金（銀パラジウム、銀白金等）を用いることが好ましい。

また、図４及び図５に示すように、コの字状の主導体１１１〜１１６の間には絶縁層１３１が設けられ、端部に位置する主導体１１６と補助導体１９１との間には絶縁層１９２が設けられている。さらに、コの字状の主導体１１１〜１１６及び補助導体１９１の内側には絶縁層１３３が設けられており、コの字状の主導体１１１〜１１６及び補助導体１９１の外側のうち図４における左右方向（図５における上下方向）には絶縁層１３４が設けられ、コの字状の主導体１１１〜１１６及び補助導体１９１の外側のうち図４における上下方向には絶縁層１３５，１３６が設けられている。

絶縁層１３１，１３３〜１３６及び１９２の材料としては、樹脂又は樹脂にセラミック等の無機材料からなる機能性材料粉末（磁性体粉末又は誘電体粉末）を混合した複合材料を用いることが好ましい。樹脂としては、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。

具体的には、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ホリフェニレンエテール（オキサイド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネートエステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物樹脂等を用いることができる。

また、熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、グラフト樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリフェニレンエーテル（オキサイド）樹脂等を用いることができる。

これらの中でも、特に、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネートエステル）樹脂、ビニルベンジル樹脂等をベースレジンとして用いることが好ましい。これらの樹脂は単独で使用しても良いし、２種類以上混合して使用してもよい。２種類以上混合して用いる場合の混合比は任意である。

また、複合材料を構成する場合の無機材料としては、比較的高い誘電率を得るためには、チタン−バリウム−ネオジム系セラミックス、チタン−バリウム−錫系セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、ＣａＷＯ_４系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ_３系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ_３系セラミックスを用いることが好ましい。

なお、二酸化チタン系セラミックスとは、二酸化チタンのみを含有するものの他、他の少量の添加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が保持されているものをいう。また、他のセラミックスも同様である。特に二酸化チタン系セラミックスはルチル構造を有するものが好ましい。

また、誘電率をあまり高くせず、高いＱを持たせるためには、樹脂材料に混合する誘電体粉末としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム（タルク）等を用いることが好ましい。これらの樹脂は単独で使用しても良いし２種類以上混合して使用してもよい。２種類以上混合して用いる場合の混合比は任意である。

また、樹脂材料に混合する無機材料に磁性体を用いる場合は、フェライトとしてはＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系等が好ましい。また、磁性体としては強磁性金属を用いることができる。この場合、カーボニル鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミニウム−珪素系合金（商標名：センダスト）、鉄−ニッケル系合金（商標名：パーマロイ）、アモルファス系（鉄系、コバルト系）等を用いることが好ましい。

図６は、本実施形態による積層電子部品１００をマザーボードに実装した状態を示す略側面図である。

本実施形態による積層電子部品１００をマザーボード１９３に実装する場合、マザーボード１９３に設けられた電極パターン１９４上に半田１９５を供給した後、半田１９５と外部電極１４１，１４２が接するよう積層電子部品１００を載置し、リフローを行う。このとき、本実施形態による積層電子部品１００においては、側面１００ａに外部電極１４１，１４２と接する補助電極１９１の表面１９１ａが露出していることから、リフロー時に溶融した半田１９５が補助電極１９１の表面１９１ａに沿ってを登り、その多くの部分が半田１９５によって覆われることになる。つまり、半田１９５との接触面積が通常の積層電子部品に比べて非常に大きくなる。これにより、本実施形態による積層電子部品１００はマザーボード１９３に対して強固に固定されるので、実装後において接続不良が発生したり、積層電子部品１００が脱落したりする可能性が非常に低くなり、その結果、積層電子部品１００を搭載した製品の信頼性を高めることが可能となる。尚、積層電子部品１００の実装対象としてはマザーボードに限らず、各種モジュールの基板等にこれを実装することも可能である。

次に、積層電子部品１００の製造方法について、図７乃至図２２を用いて説明する。

まず、樹脂又は樹脂に機能性材料粉末を混合した材料を溶剤及びバインダに分散させてペースト状とし、これを図７に示すようにドクターブレード法等により主導体１１０（１１１〜１１６）の母材である銅箔等からなる導電性シート１１０’上に塗布して薄膜絶縁シート１３１’を形成する。形成された薄膜絶縁シート１３１’は、最終的に絶縁層１３１となる。これにより、導電性シート１１０’と薄膜絶縁シート１３１’からなる積層シート１５０が形成される。

次に、積層シート１５０を所定の大きさに切断し、これを図８に示すように複数枚（本例では６枚）重ね合わせて、熱圧着または必要な場合には接着層を介して一体化し、積層体１６０を作製する。

次に、導電性シート１９１’と薄膜絶縁シート１９２’からなる積層シート１９０を複数用意し、図９に示すように、積層体１６０と積層シート１９０を熱圧着または必要な場合には接着層を介して交互に重ね合わせ、積層母材１６５を作製する。積層シート１９０は積層シート１５０と同様の方法及び材料により作製すればよい。本実施形態では、導電性シート１９１’の厚みが後述するダイシング工程（図２１・図２２）において削除される幅、つまり「切りしろ」よりも十分に厚く設定される。

次に、図１０に示すように、積層母材１６５を積層面に対して実質的に垂直な方向に切断（スライス）し、基板１８０を作製する。切断面の一方は主に加工が施される主面１８１となり、切断面の他方は裏面１８２となる。

次に、図１１に示すように、基板１８０の主面１８１を積層面に対して実質的に垂直な方向にダイシングにより研削し、複数の溝１８３を形成する。

次に、図１２に示すように、溝１８３が形成された基板１８０の主面１８１の全面に絶縁層１３３’を形成し、絶縁層１３３’によって溝１８３を完全に埋める。絶縁層１３３’を形成する方法としては、真空印刷、真空プレス、真空ラミネート等の方法を用いることができる。そして、図１３に示すように、基板１８０の主面１８１が露出するまで絶縁層１３３’の表面を研磨する。研磨は、スライサーやグラインダーを用いることができる。これにより、溝１８３には絶縁層１３３が埋め込まれた状態となる。

次に、図１４に示すように、基板１８０の主面１８１を溝１８３に対して平行にダイシングにより研削し、複数の溝１８４を形成する。以上により、積層体１６０及び積層シート１９０は裏面１８２の近傍を除いて略コの字状となり、積層体１６０を構成する導電性シート１１０’及び薄膜絶縁シート１３１’はそれぞれ主導体１１０及び絶縁層１３１となり、積層シート１９０を構成する導電性シート１９１’及び薄膜絶縁シート１９２’はそれぞれ補助導体１９１及び絶縁層１９２となる。これにより、積層面に対して垂直な方向から見た主導体１１０の平面形状と、積層面に対して垂直な方向から見た補助導体１９１の平面形状とは実質的に同一となる。

次に、図１５に示すように、溝１８４が形成された基板１８０の主面１８１の全面に絶縁層１３４’を形成し、絶縁層１３４’によって溝１８４を完全に埋める。絶縁層１３４’の形成についても、真空印刷、真空プレス、真空ラミネート等の方法を用いることができる。そして、図１６に示すように、基板１８０の主面１８１が露出するまで絶縁層１３４’の表面を研磨し、整面（平滑化）する。研磨は、スライサーやグラインダーを用いることができる。これにより、溝１８４には絶縁層１３４が埋め込まれた状態となる。

次に、整面された基板１８０の主面１８１に橋架導体１２０を形成する。橋架導体１２０の形成は、整面された基板１８０の主面１８１の全面にメッキ法等により下地導体（図示せず）を形成し、さらに、下地導体の全面にフォトレジストを形成した後、橋架導体１２０を形成すべき領域の下地層を露光により露出させ、露出した下地層の表面にメッキ法により橋架導体１２０を形成すればよい。その後、フォトレジストを剥離し、酸などを用いて不要な下地導体を除去すれば、所望のパターンの橋架導体１２０を形成することができる。但し、橋架導体１２０の形成方法としてはこれに限定されず、他の方法を用いても構わない。例えば、整面された基板１８０の主面１８１の全面にフォトレジストを形成し、橋架導体１２０を形成すべき領域の主面１８１を露光により露出させた後、主面１８１の全面にメッキ法、蒸着法、スパッタリング法等により金属層を形成し、フォトレジストとその上に形成された金属層を剥離することにより橋架導体１２０を形成しても構わない。さらに、整面された基板１８０の主面１８１の全面にメッキ法、蒸着法、スパッタリング法等により金属層を形成した後、これをパターニングすることにより橋架導体１２０を形成しても構わない。

図１７は橋架導体１２０の形状を示す略平面図であり、図１６に示す領域１８５内における形状を示している。図１７に示すように、橋架導体１２０は７つの橋架導体１２１〜１２７を一組とする複数組（領域１８５内では２組）の導体によって構成される。既に説明したとおり、橋架導体１２２〜１２６は、対応する２つの主導体の端部同士を接続する導体であり、橋架導体１２１及び１２７は、対応する主導体の一端と外部電極１４１及び外部電極１４２とをそれぞれ接続する導体である。

橋架導体１２０の形成が完了すると、図１８に示すように、最終的に外部電極１４１，１４２となる領域１４３’を除く主面１８１の全面に絶縁層１３５を形成する。最終的に外部電極１４１，１４２となる領域１４３’内には、橋架導体１２１及び１２７が形成されている領域の少なくとも一部が含まれており、これにより橋架導体１２１及び１２７の少なくとも一部が露出した状態となる。一方、橋架導体１２２〜１２６については絶縁層１３５によって完全に覆われ、これらが露出することはない。絶縁層１３５の形成方法としては、スクリーン印刷法を用いることが好ましい。スクリーン印刷法を用いれば、１工程で図１８に示す形状を有する絶縁層１３５を形成することが可能となるからである。但し、絶縁層１３５の形成方法がこれに限定されるものではなく、他の方法、例えば、基板１８０の主面１８１の全面に絶縁層１３５を形成した後、領域１４３’に形成された絶縁層１３５を除去することによって形成しても構わない。

このようにして絶縁層１３５を形成した後、電気メッキを行うことによって、図１９に示すように外部電極１４３を形成する。上述の通り、絶縁層１３５は橋架導体１２１及び１２７の少なくとも一部を露出させる一方で、橋架導体１２２〜１２６を完全に覆っていることから、絶縁層１３５をマスクとして電気メッキを行うことにより、橋架導体１２１及び１２７の露出部分にメッキ層からなる外部電極１４３を形成することができる。外部電極１４３の厚さは、絶縁層１３５の厚さよりも厚く設定される。

次に、基板１８０の裏面１８２を研磨することにより溝１８４の底部を除去し、図２０に示すように基板１８０の裏面１８２の全面に絶縁層１３６を形成した後、図２１に示すＤ−Ｄ線に沿って基板１８０をダイシングにより分割し、複数個（本例では９個）の積層電子部品１００を取り出す。このダイシングによって外部電極１４３は２つに分割され、それぞれ外部電極１４１，１４２となる。

図２２は、ダイシング位置をより詳細に説明するための略透視平面図であり、図２１に示す領域１８６におけるダイシング位置を示している。尚、図面の見やすさを考慮して、外部電極１４３や橋架導体１２１〜１２７については示されてない。

図２２においては、ダイシングする線Ｄ−Ｄが平行な２本の線Ｄ１−Ｄ１及びＤ２−Ｄ２によって表されており、この２本の線に挟まれた領域１８７がダイシングにより削除される領域、つまり「切りしろ」である。本実施形態においては、Ｄ１−Ｄ１線及びＤ２−Ｄ２線がいずれも補助導体１９１を通過するようにダイシングされる。つまり、切りしろである領域１８７が補助導体１９１内に割り当てられる。これにより、ダイシング後においては補助導体１９１の表面１９１ａが必ず露出することになる（図１参照）。補助導体１９１の元となる導電性シート１９１’の厚みを切りしろである領域１８７の幅ｄ１よりも十分に厚く設定しているのは、このようにダイシング後において補助導体１９１の表面１９１ａを確実に露出させるために他ならない。

以上により、積層電子部品１００が完成する。

このように、本実施形態による積層電子部品１００は、外部電極１４１，１４２に隣接する側面１００ａに補助電極１９１の表面１９１ａが露出していることから、これをマザーボードや各種モジュールの基板に実装すると、リフロー時に溶融した半田が補助電極１９１の表面１９１ａに沿って積層電子部品１００の側面１００ａを登ることになる（図６参照）。これにより、積層電子部品１００はマザーボード等に対して強固に固定されるので、実装後において接続不良が発生したり、積層電子部品１００が脱落したりする可能性が非常に低くなる。

また、補助電極１９１の表面１９１ａとこれに対応する側面１００ａとが実質的に同一平面を構成していることから、補助電極１９１を設けることによって積層電子部品１００のサイズが大型化することはほとんど無い。つまり、Ｌ字型に折り曲げられた外部電極を備える一般的な電子部品のように、外部電極の折り曲げ部分によって全体のサイズが大型化することがない。

しかも、本実施形態においては、基板１８０に溝１８３を形成することによりコの字状の主導体１１０を形成していることから、量産が容易であり、主導体のずれが少なく、狭公差のインダクタンス値を得ることが可能である。

次に、本発明の好ましい他の実施形態による積層電子部品について説明する。

図２３は、本発明の好ましい他の実施形態による積層電子部品２００の構造を示す略斜視図であり、図２４は、積層電子部品２００に内蔵された導電性材料のみを抜き出して示す略斜視図である。

本実施形態による積層電子部品２００もヘリカル状のコイルを内蔵するコイル部品であり、多くの点で上述した積層電子部品１００と類似している。図２３に示すように、積層電子部品２００の外形は略直方体形であり、その一つの面の両端には外部電極２４１及び２４２が設けられている。外部電極２４１はコイルの一端を構成し、外部電極２４２はコイルの他端を構成している。また、外部電極２４１、２４２が設けられている面と直交する側面であって外部電極２４１、２４２が設けられている両端側に位置する２つの側面２００ａには、いずれも補助導体２９１の表面２９１ａが露出している。さらに、図２４に示すように、積層電子部品２００には主導体２１０と、これら主導体２１０同士を接続する橋架導体２２０及び２７０とが内蔵されており、これら主導体２１０、橋架導体２２０及び２７０を取り囲むように、絶縁層２３３〜２３６が設けられている。絶縁層２３３〜２３６は、それぞれ積層電子部品１００における絶縁層１３３〜１３６に対応する要素である。積層電子部品２００には、積層電子部品１００における絶縁層１３１及び１９２に対応する絶縁層も含まれているが、図２３及び図２４には示されていない。

図２４に示すように、本例では、橋架導体１２０に対応する橋架導体２２０が備えられている他、コの字状の主導体１１０の代わりに、棒状の主導体２１０−１及び２１０−２からなる複数対の主導体２１０と、橋架導体２７０が備えられている。また、コの字状である補助導体１９１の代わりに、棒状の補助導体２９１が備えられている。棒状の主導体２１０−１は、平行に配置された６つの主導体２１１−１〜２１６−１によって構成され、棒状の主導体２１０−２は、平行に配置された６つの主導体２１１−２〜２１６−２によって構成されている。補助導体２９１は、これら平行に配置された６つの主導体２１１−１〜２１６−１の配列方向における両端部、並びに、これら平行に配置された６つの主導体２１１−２〜２１６−２の配列方向における両端部に配置されている。

また、橋架導体２７０は６つの橋架導体２７１〜２７６によって構成されている。これら６つの橋架導体２７１〜２７６のうち、橋架導体２７１は主導体２１１−１の一端と主導体２１１−２の一端とを接続し、橋架導体２７２は主導体２１２−１の一端と主導体２１２−２の一端とを接続し、橋架導体２７３は主導体２１３−１の一端と主導体２１３−２の一端とを接続し、橋架導体２７４は主導体２１４−１の一端と主導体２１４−２の一端とを接続し、橋架導体２７５は主導体２１５−１の一端と主導体２１５−２の一端とを接続し、橋架導体２７６は主導体２１６−１の一端と主導体２１６−２の一端とを接続している。これにより、一対の主導体とこれに対応する橋架導体は、上述したコの字状の主導体と同じ役割を果たすことになる。

次に、積層電子部品２００の製造方法について、図２５乃至図２８を用いて説明する。

まず、上述した図７から図１６までの工程と同じ工程を実行した後、図２５に示すように、絶縁層２３３が露出するまで基板２８０の裏面２８２を研磨して整面（平滑化）する。研磨は、スライサーやグラインダーを用いることができる。これにより、コの字状であった主導体２１０は、主導体２１０−１と２１０−２に分離されることになり、コの字状であった各補助導体２９１も２つに分離されることになる。

次に、基板２８０の表面２８１に橋架導体２２０を形成するとともに、基板２８０の裏面２８２に橋架導体２７０を形成する。橋架導体２２０、２７０の形成は、上述した橋架導体１２０の形成と同様の方法を用いることができる。ここで、橋架導体２２０の平面的なパターン形状は図１７に示した橋架導体１２０のパターン形状と同様であり、橋架導体２７０の平面的なパターン形状は図２６に示すとおりである。

橋架導体２２０、２７０の形成が完了すると、図２７に示すように、最終的に外部電極２４１，２４２となる領域２４３’を除く主面２８１の全面に絶縁層２３５を形成するとともに、基板２８０の裏面２８２の全面を覆う絶縁層２３６を形成する。最終的に外部電極２４１，２４２となる領域２４３’内には、橋架導体２２１及び２２７が形成されている領域の少なくとも一部が含まれており、これにより橋架導体２２１及び２２７の少なくとも一部が露出した状態となる。一方、橋架導体２２２〜２２６については絶縁層２３５によって完全に覆われ、これらが露出することはない。もちろん、橋架導体２７１〜２７６については絶縁層２３６によって完全に覆われる。絶縁層２３５の形成方法としては、上述の通りスクリーン印刷法を用いることが好ましい。

このようにして絶縁層２３５、２３６を形成した後、電気メッキを行うことによって、図２８に示すように外部電極２４３を形成する。上述の通り、絶縁層２３５は橋架導体２２１及び２２７の少なくとも一部を露出させる一方で、橋架導体２２２〜２２６を完全に覆っていることから、絶縁層２３５をマスクとして電気メッキを行うことにより、橋架導体２２１及び２２７の露出部分にメッキ層からなる外部電極２４３を形成することができる。外部電極２４３の厚さは、絶縁層２３５の厚さよりも厚く設定される。

そして、図２１を用いて説明したように基板２８０をダイシングにより分割し、複数個の積層電子部品２００を取り出す。この場合も、図２２を用いて説明したようにダイシングにおいて削除される領域、つまり「切りしろ」は補助導体２９１内に割り当てられ、これにより、ダイシング後においては、補助導体２９１の表面２９１ａが必ず露出することになる（図２３参照）。

以上により、積層電子部品２００が完成する。

このように、本実施形態による積層電子部品２００においても、外部電極２４１，２４２に隣接する側面２００ａに補助電極２９１の表面２９１ａが露出していることから、これをマザーボードや各種モジュールの基板に実装すると、リフロー時に溶融した半田が補助電極２９１の表面２９１ａに沿って積層電子部品２００の側面２００ａを登るので、実装後において接続不良が発生したり、積層電子部品２００が脱落したりする可能性が非常に低くなる。

さらに、本実施形態による積層電子部品２００は、上述した積層電子部品１００の効果に加え、コの字状の主導体１１０の代わりに棒状の主導体２１０−１及び２１０−２からなる複数対の主導体２１０を用いていることから、仮に、基板２８０に多少の反りが生じていたとしても、基板２８０の裏面２８２を研磨する際に、反りに起因する主面２８１の不均一な研磨状態を相殺することができる。これにより、特性のばらつきをよりいっそう抑制することが可能となる。

次に、本発明の好ましいさらに他の実施形態による積層電子部品について説明する。

図２９は、本発明の好ましいさらに他の実施形態による積層電子部品３００の構造を示す略斜視図である。

本実施形態による積層電子部品３００もヘリカル状のコイルを内蔵するコイル部品であり、図２９に示すように、その構成は上述した積層電子部品２００の構成とほぼ同様である。つまり、積層電子部品３００の外形は略直方体形であり、その一つの面の両端には外部電極３４１及び３４２が設けられている。外部電極３４１はコイルの一端を構成し、外部電極３４２はコイルの他端を構成している。また、外部電極３４１、３４２が設けられている面と直交する側面であって外部電極３４１、３４２が設けられている両端側に位置する２つの側面３００ａには、いずれも補助導体３９１の表面３９１ａが露出している。また、積層電子部品３００には、積層電子部品２００に内蔵されている主導体及び橋架導体とほぼ同様の構成を持った主導体及び橋架導体が内蔵されており、これら主導体及び橋架導体を取り囲むように、絶縁基板３３３及び絶縁層３３４〜３３６が設けられている。絶縁基板３３３及び絶縁層３３４〜３３６は、それぞれ積層電子部品２００における絶縁層２３３〜２３６に対応する要素である。本明細書及び特許請求の範囲においては、絶縁基板３３３についても「絶縁層」と呼ぶことがある。

このように、本実施形態による積層電子部品３００の構成は上述した積層電子部品２００の構成とほぼ同様であるが、本実施形態による積層電子部品３００では、対向する２つの側面３００ａ（第２及び第３の部品表面）が積層面と実質的に直交する面である点で積層電子部品２００と異なり、また、その製造方法が積層電子部品２００と大きく異なっている。以下、積層電子部品３００の製造方法について、図３０乃至図４１を用いて説明する。

まず、図３０に示すように板状の絶縁基板３３３を用意し、その両面に下地導体層３５０及びフォトレジスト層３５１をこの順に形成する。下地導体層３５０の材料としては、特に限定されないが銅（Ｃｕ）を選択することが好ましく、無電解メッキを用いて形成することができる。また、絶縁基板３３３としては、ガラスクロス、ケブラー等の樹脂クロス、フッ素樹脂の多孔質シート等の芯材に、絶縁層１３１，１３３〜１３６及び１９２の好ましい材料として挙げた樹脂又は樹脂にセラミック等の無機材料からなる機能性材料粉末（磁性体粉末又は誘電体粉末）を混合した複合材料を含浸させたものを用いることが好ましい。

次に、フォトレジスト層３５１に対して露光を行うことにより、図３１に示すように領域３１０ａ及び領域３９０ａのフォトレジスト層３５１を除去し、これら領域３１０ａ、３９０ａの下地導体層３５０を露出させる。本例では、領域３９０ａ間に６つの領域３１０ａを形成しており、領域３９０ａの幅は各領域３１０ａの幅よりも広く設定されている。また、領域３９０ａの幅は、後述するダイシング工程（図４０・図４１）において削除される幅、つまり「切りしろ」よりも十分に広く設定されている。

図３２は、領域３１０ａ、３９０ａの下地導体層３５０を除去した状態における絶縁基板３３３の平面図であり、図３２に示すＥ−Ｅ線は、図３１に示された断面部分に相当する線である。図３２に示すように、領域３１０ａ、３９０ａは絶縁基板３３３の一方向に延在して平行に設けられている。本例では、６つの領域３１０ａからなる組が３組形成され、これら各組の両側に領域３９０ａが配置されている。

このようにして領域３１０ａ、３９０ａの下地導体層３５０を露出させた後、電解メッキを行う。これにより、図３３に示すように、領域３１０ａには主導体３１０−１（３１１−１〜３１６−１）及び主導体３１０−２（３１１−２〜３１６−２）が形成され、領域３９０ａには補助導体３９１が形成される。メッキ液の種類については、主導体３１０−１，３１０−２及び補助導体３９１を構成すべき材料に応じて適宜選択すればよく、例えば、これらの材料を銅（Ｃｕ）とする場合には、メッキ液として硫酸銅を用いることができる。そして、フォトレジスト層３５１を削除するとともに、酸などのエッチング液を用いて主導体３１０−１，３１０−２及び補助導体３９１が形成されていない部分の不要な下地導体層３５０を除去（ソフトエッチング）すれば、図３４に示すパターンが形成されることになる。つまり、絶縁性基板（絶縁層）３３３の両面に主導体３１０−１，３１０−２及び補助導体３９１からなる導電層が形成されることになる。主導体３１０−１，３１０−２及び補助導体３９１と絶縁基板３３３との間には下地導体層３５０が介在することになるが、以下の説明においては、便宜上、下地導体層３５０の存在を省略して説明を進める。尚、主導体３１０−１，３１０−２及び補助導体３９１の形成方法としては上記の方法（セミアディティブ法）に限定されず、サブトラクティブ法やフルアディティブ法等、他の方法を用いても構わない。

このような加工を施した絶縁基板３３３を複数枚用意し、図３５に示すように、絶縁基板３３３と絶縁層３３４を熱圧着または必要な場合には他の絶縁層や接着層を介して交互に重ね合わせ、積層母材３６５を作製する。

次に、図３６に示すように、積層母材３６５を積層面に対して実質的に垂直な方向に切断（スライス）し、基板３８０を作製する。そして、基板３８０の主面３８１及び裏面３８２を研磨し、整面（平滑化）する。研磨は、スライサーやグラインダーを用いることができる。

次に、整面された基板３８０の主面３８１及び裏面３８２に、橋架導体３２０及び３７０をそれぞれ形成する。橋架導体３２０、３７０の形成は、既に説明した橋架導体１２０等と同様の方法を用いて形成すればよい。

図３７は、基板３８０の主面３８１に形成される橋架導体３２０の形状を示す略平面図であり、図３６に示す領域３８５内における形状を示している。図３７に示すように、橋架導体３２０は７つの橋架導体３２１〜３２７によって構成されており、橋架導体３２１は補助導体３９１と主導体３１１−１とを接続し、橋架導体３２２は主導体３１２−１と主導体３１１−２とを接続し、橋架導体３２３は主導体３１３−１と主導体３１２−２とを接続し、橋架導体３２４は主導体３１４−１と主導体３１３−２とを接続し、橋架導体３２５は主導体３１５−１と主導体３１４−２とを接続し、橋架導体３２６は主導体３１６−１と主導体３１５−２とを接続し、橋架導体３２７は補助導体３９１と主導体３１６−２とを接続する。橋架導体３２１及び３２７は、それぞれ外部電極３４１及び３４２の下地となる導体である。

図３８は、基板３８０の裏面３８２に形成される橋架導体３７０の形状を示す略平面図であり、図３６に示す領域３８５に対応する領域内における形状を示している。図３８に示すように、橋架導体３７０は６つの橋架導体３７１〜３７６によって構成されており、橋架導体３７１は主導体３１１−１と主導体３１１−２とを接続し、橋架導体３７２は主導体３１２−１と主導体３１２−２とを接続し、橋架導体３７３は主導体３１３−１と主導体３１３−２とを接続し、橋架導体３７４は主導体３１４−１と主導体３１４−２とを接続し、橋架導体３７５は主導体３１５−１と主導体３１５−２とを接続し、橋架導体３７６は主導体３１６−１と主導体３１６−２とを接続する。

これにより、外部電極３４１の下地となる橋架導体３２１と外部電極３４２の下地となる橋架導体３２７とは、主導体３１０−１（３１１−１〜３１６−１）、主導体３１０−２（３１１−２〜３１６−２）、橋架導体３２２〜３２６及び橋架導体３７０（３７１〜３７６）からなる一続きのコイルを介して接続されることになる。

このような橋架導体３２０、３７０の形成が完了すると、図３９に示すように、最終的に外部電極３４１，３４２となる領域３４３’を除く主面３８１の全面に絶縁層３３５を形成するとともに、基板３８０の裏面３８２の全面を覆う絶縁層３３６を形成する。最終的に外部電極３４１，３４２となる領域３４３’内には、橋架導体３２１及び３２７が形成されている領域の少なくとも一部が含まれており、これにより橋架導体３２１及び３２７の少なくとも一部が露出した状態となる。一方、橋架導体３２２〜３２６については絶縁層３３５によって完全に覆われ、これらが露出することはない。もちろん、橋架導体３７１〜３７６については絶縁層３３６によって完全に覆われる。絶縁層３３５の形成方法としては、上述の通りスクリーン印刷法を用いることが好ましい。

このようにして絶縁層３３５、３３６を形成した後、電気メッキを行うことによって、図４０に示すように外部電極３４３を形成する。上述の通り、絶縁層３３５は橋架導体３２１及び３２７の少なくとも一部を露出させていることから、絶縁層３３５をマスクとして電気メッキを行うことにより、橋架導体３２１及び３２７の露出部分にメッキ層からなる外部電極３４３を形成することができる。外部電極３４３の厚さは、絶縁層３３５の厚さよりも厚く設定される。

そして、図４０に示すＦ−Ｆ線に沿って基板３８０をダイシングにより分割し、複数個の積層電子部品３００を取り出す。

図４１は、ダイシング位置をより詳細に説明するための略透視平面図であり、図４０に示す領域３８６におけるダイシング位置を示している。尚、図面の見やすさを考慮して、外部電極３４３や橋架導体３２０，３７０については示されてない。

図４１においては、ダイシングする線Ｆ−Ｆが平行な２本の線Ｆ１−Ｆ１及びＦ２−Ｆ２によって表されており、この２本の線に挟まれた領域３８７がダイシングにより削除される領域、つまり「切りしろ」である。本実施形態においては、Ｆ１−Ｆ１線及びＦ２−Ｆ２線はいずれも補助導体３９１を通過するようにダイシングされる。つまり、切りしろである領域３８７が補助導体３９１内に割り当てられる。これにより、ダイシング後においては、補助導体３９１の表面３９１ａが必ず露出することになる（図２９参照）。補助導体３９１が形成される領域３９０ａの幅を切りしろである領域３８７の幅ｄ２よりも十分に厚く設定しているのは、このようにダイシング後において補助導体３９１の表面３９１ａを確実に露出させるために他ならない。

以上により、積層電子部品３００が完成する。

このように、本実施形態による積層電子部品３００においても、外部電極３４１，３４２に隣接する側面３００ａに補助電極３９１の表面３９１ａが露出していることから、これをマザーボードや各種モジュールの基板に実装すると、リフロー時に溶融した半田が補助電極３９１の表面３９１ａに沿って積層電子部品３００の側面３００ａを登るので、実装後において接続不良が発生したり、積層電子部品３００が脱落したりする可能性が非常に低くなる。

さらに、本実施形態による積層電子部品３００は、積層母材３６５を切断（スライス）して基板３８０を作製した後は溝等を形成する必要がないことから、積層母材３６５を形成した後の工程が簡素化されるばかりでなく、基板３８０に反りや変形が生じにくくなるので、特性のばらつきをよりいっそう抑制することが可能となる。

本発明は、以上説明した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

つまり、本発明は、導電層と絶縁層を交互に積層した積層母材を積層面とは実質的に垂直な方向に切断することによって基板を作製し、この基板を加工することによって作製されるべき積層電子部品であればどのようなタイプの積層電子部品に対しても適用が可能である。例えば、橋架導体によってある主導体の一端と、この主導体から見て２つ離れた主導体の一端とを接続することにより同軸に巻回された２つのコイルを形成し、これによってコモンモードチョークを構成することも可能であるし、コイルとともにコンデンサを内蔵することによって、ＬＣフィルタを構成することも可能である。この場合、主導体の少なくとも一部がコンデンサの電極を構成することになる。また、コイルを内蔵することなくコンデンサを内蔵することによって、チップコンデンサを構成することも可能である。

さらに、上記各実施形態においては、ダイシング前における補助導体１９１，２９１の厚さや補助導体３９１の幅を、ダイシングにより削除される幅（切りしろ）よりも大きく設定することによって補助導体の表面を確実に露出させているが、補助導体の厚さや幅が切りしろよりも小さい場合であっても、ダイシング位置を正確に調整すればその表面を露出させることが可能である。但し、この方法には非常に高いダイシング精度が要求されることから、上記各実施形態のように補助導体の厚さや幅を切りしろよりも大きく設定する方が好ましい。

本発明の好ましい実施形態による積層電子部品１００の構造を示す略斜視図である。 図１に示すＡ方向から積層電子部品１００を見た略透視平面図である。 積層電子部品１００に内蔵された導電性材料のみを抜き出して示す略斜視図である。 図１に示すＢ−Ｂ線に沿って積層電子部品１００を切断した場合の略断面図である。 図１に示すＣ−Ｃ線に沿って積層電子部品１００を切断した場合の略断面図である。 積層電子部品１００をマザーボード１９３に実装した状態を示す略側面図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（積層シート１５０の形成）を示す図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（積層体１６０の形成）を示す図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（積層母材１６５の形成）を示す図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（基板１８０の形成）を示す図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（溝１８３の形成）を示す図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（絶縁層１３３’の形成）を示す図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（絶縁層１３３’の研磨）を示す図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（溝１８４の形成）を示す図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（絶縁層１３４’の形成）を示す図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（絶縁層１３４’の研磨）を示す図である。 橋架導体１２０（１２１〜１２７）の形状を示す略平面図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（絶縁層１３５の形成）を示す図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（外部電極１４３の形成）を示す図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（絶縁層１３６の形成）を示す図である。 積層電子部品１００の製造工程の一部（ダイシングによる分割）を示す図である。 図２１におけるダイシング位置をより詳細に説明するための略透視平面図である。 本発明の好ましい他の実施形態による積層電子部品２００の構造を示す略斜視図である。 積層電子部品２００に内蔵された導電性材料のみを抜き出して示す略斜視図である。 積層電子部品２００の製造工程の一部（基板２８０の裏面２８２の研磨）を示す図である。 橋架導体２７０（２７１〜２７６）の形状を示す略平面図である。 積層電子部品２００の製造工程の一部（絶縁層２３５及び絶縁層２３６の形成）を示す図である。 積層電子部品２００の製造工程の一部（外部電極２４３の形成）を示す図である。 本発明の好ましいさらに他の実施形態による積層電子部品３００の構造を示す略斜視図である。 積層電子部品３００の製造工程の一部（下地導体層３５０及びフォトレジスト層３５１の形成）を示す図である。 積層電子部品３００の製造工程の一部（フォトレジスト層３５１のパターニング）を示す図である。 絶縁基板３３３の平面図である。 積層電子部品３００の製造工程の一部（主導体３１０−１、３１０−２及び補助導体３９１の形成）を示す図である。 積層電子部品３００の製造工程の一部（フォトレジスト層３５１及び不要な下地導体層３５０の除去）を示す図である。 積層電子部品３００の製造工程の一部（積層母材３６５の形成）を示す図である。 積層電子部品３００の製造工程の一部（基板３８０の形成）を示す図である。 基板３８０の主面３８１に形成される橋架導体３２０の形状を示す略平面図である。 基板３８０の裏面３８２に形成される橋架導体３７０の形状を示す略平面図である。 積層電子部品３００の製造工程の一部（絶縁層３３５及び絶縁層３３６の形成）を示す図である。 積層電子部品３００の製造工程の一部（外部電極３４３の形成及びダイシングによる分割）を示す図である。 図４０におけるダイシング位置をより詳細に説明するための略透視平面図である。

符号の説明

１００，２００，３００ 積層電子部品
１００ａ，２００ａ，３００ａ 積層電子部品の側面
１１０（１１１〜１１６），２１０（２１１−１〜２１６−１，２１１−２〜２１６−２），３１０（３１１−１〜３１６−１，３１１−２〜３１６−２） 主導体
１１０’，１９１’ 導電性シート
１２０（１２１〜１２７），２２０（２２１〜２２７），２７０（２７１〜２７６），３２０（３２１〜３２７），３７０（３７１〜３７６） 橋架導体
１３１，１３３〜１３６，１９２，２３３〜２３６，３３４〜３３６ 絶縁層
１３１’，１９２’ 薄膜絶縁シート
１４１〜１４３，２４１〜２４３，３４１〜３４３ 外部電極
１４３’，２４３’３４３’ 外部電極となる領域
１５０，１９０ 積層シート
１６０ 積層体
１６５，３６５ 積層母材
１８０，２８０，３８０ 基板
１８１，２８１，３８１ 基板の主面
１８２，２８２，３８２ 基板の裏面
１８３，１８４ 溝
１８５，１８６，３８５，３８６ 領域
１８７，３８７ 切りしろ
１９１，２９１，３９１ 補助導体
１９１ａ，２９１ａ，３９１ａ 補助導体の表面
１９３ マザーボード
１９４ 電極パターン
１９５ 半田
３１０ａ，３９０ａ フォトレジスト層が除去された領域
３３３ 絶縁基板
３５０ 下地導体層
３５１ フォトレジスト層

Claims (13)

1. 複数の導電層と複数の絶縁層が交互に積層され、前記導電層によって構成される複数の主導体が内蔵された積層電子部品であって、積層面と実質的に直交する第１の部品表面に形成された第１及び第２の外部電極と、前記第１の部品表面と実質的に直交する第２の部品表面に形成され、前記第１の外部電極に対して電気的に短絡された第１の補助導体と、前記第２の部品表面と対向する第３の部品表面に形成され、前記第２の外部電極に対して電気的に短絡された第２の補助導体とを備えることを特徴とする積層電子部品。
2. 前記第１の補助電極の表面は前記第２の部品表面と実質的に同一平面を構成しており、且つ、前記第２の補助電極の表面は前記第３の部品表面と実質的に同一平面を構成していることを特徴とする請求項１に記載の積層電子部品。
3. 少なくとも一部が前記第１の外部電極と前記第１の補助導体との間及び前記第２の外部電極と前記第２の補助導体との間に設けられた橋架導体をさらに備え、前記第１及び第２の外部電極は、前記橋架導体を介して前記複数の主導体に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層電子部品。
4. 前記第２及び第３の部品表面に対して垂直な方向から見た前記第１及び第２の補助導体の平面形状と、前記第２及び第３の部品表面に対して垂直な方向から見た前記複数の主導体の平面形状とが実質的に同一であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の積層電子部品。
5. 前記第２及び第３の部品表面は、積層面と実質的に平行な面であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の積層電子部品。
6. 前記第２及び第３の部品表面は、積層面と実質的に直交する面であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の積層電子部品。
7. 前記複数の主導体は、前記第１の部品表面側に位置する第１及び第２の端部を有しており、前記橋架導体は、所定の主導体の第１の端部と前記所定の主導体とは異なる層に位置する主導体の第２の端部とを接続する部分を有していることを特徴とする請求項５に記載の積層電子部品。
8. 前記複数の主導体は、前記第１の部品表面と対向する第４の部品表面側に位置する第３及び第４の端部を有しており、前記橋架導体は、所定の主導体の第３の端部と前記所定の主導体と同じ層に位置する主導体の第４の端部とを接続する部分をさらに有していることを特徴とする請求項７に記載の積層電子部品。
9. 前記複数の主導体及び橋架導体の少なくとも一部が、コイルの導体を構成していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の積層電子部品。
10. 主導体及び補助導体を含む複数の導電層と複数の絶縁層とが交互に積層された基板を形成する第１のステップと、前記基板の積層面に対して実質的に垂直な主面に、所定の主導体の端部とこれに対応する別の主導体の端部とを接続する複数の橋架導体を形成する第２のステップと、前記橋架導体に接続された外部電極を形成する第３のステップと、少なくとも前記補助導体の形成部分に沿って前記基板をダイシングにより分割する第４のステップとを備えることを特徴とする積層電子部品の製造方法。
11. 前記ダイシングの方向と実質的に直交する方向における前記補助導体の幅が、前記ダイシングにより削除される幅よりも広く設定されていることを特徴とする請求項１０に記載の積層電子部品の製造方法。
12. 前記第３のステップは、前記橋架導体の一部分が露出するよう前記基板の前記主面に絶縁層を形成する第１のサブステップと、電気メッキによって前記橋架導体の露出部分に前記外部電極をメッキ成長させる第２のサブステップとを含んでいることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の積層電子部品の製造方法。
13. 前記第１のサブステップをスクリーン印刷法により行うことを特徴とする請求項１２に記載の積層電子部品の製造方法。
    

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