JP2005072537A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】
ミスト化した処理液が排気口へ侵入することを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】
レジスト塗布処理ユニット(CT)は、蓋体37が固定カップ蓋86の上壁86aから第1の間隔h1をあけて配置され、回転カップ62の上部周縁が固定カップ61の内壁80aに対し第1の間隔h1より狭い第2の間隔h2をあけて配置されている。このため、回転カップ62の上部周縁での流入した気体の流速を速めることができる。また、気流制御部80が、外側へ向けて下方に傾斜する内壁80aと、第1の高さAで折り返して内側へ向けて下方に傾斜する内壁80bと、更に折り返して内側へ向けて上方に傾斜する内壁80cとを有している。このため、流速の速まった気体を例えば内壁80aと内壁80bとの接触部まで導入し流れをスムーズにしてレジストミストの排気口83aへの侵入を抑制することができる。従って、排気口83a内のレジスト液の堆積による排気量の低下を抑制することができる。
【選択図】 図6

Description

本発明は、液晶表示デバイス等に使用されるガラス基板を処理する基板処理装置に関する。
LCD(Liquid Crystal Display)等の製造においては、LCD用のガラス基板上にITO(Indium Tin Oxide)の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
従来から、フォトレジストの塗布処理においては、ガラス基板を保持するためのチャックプレート(スピンチャック)に吸着させ、カップ内に収容し、ノズルからレジスト液をガラス基板の中央に滴下させながらガラス基板を回転させ基板全面にレジスト液を広げ、さらにその後基板を回転させることで膜厚を均一に調整して基板上にレジスト膜を形成していた。このとき、内カップの回転により飛散したレジスト液を除去するために、内カップを収容する外カップの横側や外カップのチャックプレートの底面側に排気口を有する装置が用いられていた。回転により生じたレジストミストを、例えばカップの側周部の桶部で捕らえ、回転停止時に桶部から下方に続くドレインにレジスト液を導出するように構成されている。(例えば、特許文献1参照)。
また、フォトレジストの塗布処理において、外カップ内に気体の流れを調整するための隔壁が設けられた装置を用いる技術も知られている。外カップ内に導入された気体の流れは隔壁により調整され、気体は外カップの底面側に設けられた排気口から排出される。また、回転により生じたレジストミストは、外カップ外周側底部のドレインから排出される(例えば、特許文献2参照)。
特開2002−166217号公報(段落[0040]、図2) 特開2002−153799号公報(段落[0038]、[0042]、図2)
しかしながら、特許文献1の技術では、ガラス基板を回転させる際に、レジスト液が飛散し、外カップの横側の排気口にレジストミストが入り込み堆積し、排気量が低下するという問題があった。
また、特許文献2の技術では、カップの排出孔の外側のスペースが狭いため、レジストミストの発生を充分に抑制できず、排気口にレジストミストが入り込み堆積し排気量が低下するという問題がある。
上記事情に鑑み、本発明は、ミスト化した処理液が排気口へ侵入することを抑制することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、気体を導入する導入口がほぼ中央に設けられた上壁を有する第1の蓋体を有し、内壁が外側へ向けて下方に傾斜するとともに第1の高さで折り返して内側へ向けて下方に傾斜する第1の容器と、前記第1の容器の底面に前記導入口から導入された気体を排気する排気口を有する排気手段と、前記上壁に第1の間隔をあけて配置された第2の蓋体を有し、上部周縁が前記内壁に対し前記第1の間隔より狭い第2の間隔をあけて配置され、外壁が前記内壁に対向するとともに下方に向けて該内壁との間隔が広がるように設けられ、かつ、底面が前記第1の高さより高い第2の高さに配置される第2の容器と、前記第2の容器内で基板を保持する保持部材と、前記保持部材により保持された基板に処理液を供給する供給機構と、前記保持部材と前記第2の容器とを同期して回転させる駆動部とを具備する。
このような構成によれば、第2の容器の上部周縁が第1の容器の内壁に対し第1の間隔より狭い第2の間隔をあけて配置されているので、導入口から導入された第2の容器の上部周縁での気体の流速を速めることができる。また、本発明では、第1の容器の内壁が外側へ向けて下方に傾斜するとともに第1の高さで折り返して内側へ向けて下方に傾斜しており、第2の容器の底面が第1の高さより高い第2の高さに配置されている。これにより、流速の速まった気体を例えば第1の容器の折り返された位置まで導入し流れをスムーズにして乱流の発生を抑制しつつミスト化した処理液を例えば第1の容器の底面における所定の位置に配置された排気口への侵入を抑制することができる。さらに、本発明では、第2の容器の底面の高さより内壁の折り返し位置の高さが低くなるように構成され、かつ、第2の容器の外壁と第1の容器の内壁との間隔が広がるように設けられている。このため、第2の容器の周囲及びその下方で気流調整のための十分なスペースを確保することができる。
本発明の一の形態によれば、前記第2の容器は、前記内壁側へ前記処理液を排出可能な排出孔を有し、前記第1の容器の底面の外周付近に前記排出孔から排出された処理液を排液する第1の排液口を有する第1の排液手段と、前記第1の排液口より内側であって前記排気口より外側に、前記排出孔から排出された処理液を排液する第2の排液口を有する第2の排液手段とを更に具備する。このため、第2の容器の排気孔から排出された処理液を、例えば、第2の容器の回転停止時に第1の排液口から排出することができる。また、例えば、第1の容器の外周部側から排気口側にミスト化した処理液が流入しても第2の排液口からその処理液を排出することができる。
本発明の一の形態によれば、下部に前記外壁に向けて突出するツメ部を有し、前記排出孔に対向して設けられた前記処理液の飛散を抑制するガード部材を更に具備する。これにより、例えば、第2の容器の回転時に第2の容器からの流出物の飛散、流出をツメ部でガードして抑制することができる。
本発明の一の形態によれば、少なくとも前記排気口と前記第2の容器の底面との間に配置され、前記排気口の数より多数の貫通孔が形成された整流板を更に具備する。これにより、排気口付近に集中する気流を整流し、排気バランスの不均一性を抑制することができる。このとき、排気口と整流板の貫通孔とが上下方向で重ならないようにずらして整流板を配置することが好ましい。
本発明の一の形態によれば、前記第1の容器の底面と前記第2の容器の底面との間の空間を上下に隔てる隔壁を更に具備する。これにより、第2の容器下側の流れを分離し排気をスムーズにすることができる。
本発明の一の形態によれば、前記第1の高さで折り返して内側へ向けて下方に傾斜する前記第1の容器の内壁は、更に折り返して内側へ向けて上方に傾斜して設けられ、前記上方に傾斜した前記内壁に外側へ向けて突出して設けられた突出部材を更に具備する。これにより、例えば、第1の容器の底部に溜まった貯留物が流れにより乱れ排気口へ引き込まれることを抑制することができる。
本発明の一の形態によれば、前記排気口の開口面が前記第1の容器の内側へ向けて上方に傾斜している。これにより、第1の容器の内側へ行くに連れ気体の流れが減速することを抑制することができる。
本発明の一の形態によれば、前記排気口の開口面及び前記整流板のうち少なくとも一方が前記第1の容器の内側へ向けて上方に傾斜している。これにより、第1の容器の内側に行くに連れ減速する気体の流れの不均一性を抑制することができる。
本発明の一の形態によれば、第1の蓋体は、その内壁が前記第1の容器の外側へ向けて下方に傾斜する内壁とほぼ同一面上となるように配置されている。これにより、導入口から導入された気体をスムーズに第1の容器の上部周縁と第2の容器の内壁との間に流入させることができる。
本発明の他の観点に係る基板処理装置は、気体を導入する導入口がほぼ中央に設けられた上壁を有する第1の蓋体を有し、内壁が外側へ向けて下方に傾斜するとともに第1の高さで折り返して内側へ向けて下方に傾斜する第1の容器と、前記第1の容器の底面に前記導入口から導入された気体を排気する排気口を有する排気手段と、基板を保持する保持部材と、前記保持部材により保持された基板に処理液を供給する供給機構と、第2の蓋体を有し、外壁が前記内壁に対向するとともに下方に向けて該内壁との間隔が広がるように設けられて、かつ、底面が前記第1の高さより高い第2の高さに配置され、前記内壁側へ前記処理液を排出可能な排出孔を有し、前記保持部材に保持された基板を収容する第2の容器と、前記保持部材と前記第2の容器とを同期して回転させる駆動部と、前記第1の容器の底面の外周付近に、前記第2の容器の回転によって前記排出孔から排出された前記処理液を排液する第1の排液口を有する第1の排液手段と、前記第1の排液口より内側であって前記排気口より外側に、前記処理液を排液する第2の排液口を有する第2の排液手段とを具備する。
このような構成によれば、第1の容器の内壁が外側へ向けて下方に傾斜するとともに第1の高さで折り返して内側へ向けて下方に傾斜しており、第2の容器の底面が第1の高さより高い第2の高さに配置されているので、導入口から導入された気体を例えば第1の容器の折り返された位置まで導入し流れをスムーズにしてミスト化した処理液の排気口への侵入を抑制することができる。また、第2の容器が第1の排液口より内側であって排気口より外側に第2の排液口を有しているので、例えば、第1の容器の外周部側から排気口側にミスト化した処理液などが流入しても第2の排液口から排出することができる。さらに、本発明では、第2の容器の底面の高さより内壁の折り返し位置の高さが低くなるように構成され、かつ、第2の容器の外壁と第1の容器の内壁との間隔が広がるように設けられている。このため、第2の容器の周囲及びその下方で気流調整のための十分なスペースを確保することができる。
本発明の他の観点に係る基板処理装置は、気体を導入する導入口がほぼ中央に設けられた上壁を有する第1の蓋体を有する第1の容器と、前記第1の容器の底面に前記導入口から導入された気体を排気する排気口を有する排気手段と、前記上壁に第1の間隔をあけて配置された第2の蓋体を有し、上部周縁が前記第1の容器の内壁に対し前記第1の間隔より狭い第2の間隔をあけて配置されるとともに底面の高さが第1の高さに位置するように配置された第2の容器と、前記第1の容器と前記第2の容器との間であって該第2の容器の外周で下方に向けて広がるように設けられ、前記導入口から導入された気体を、外側へ向けて下方に流し、前記第1の高さより低い第2の高さで折り返して内側へ向けて下方に流すように制御する気流制御領域と、前記第2の容器内で基板を保持する保持部材と、前記保持部材により保持された基板に処理液を供給する供給機構と、前記保持部材と前記第2の容器とを同期して回転させる駆動部とを具備する。
このような構成によれば、第2の容器の上部周縁が第1の容器の内壁に対し第1の間隔より狭い第2の間隔をあけて配置されているので、導入口から導入された第2の容器の上部周縁での気体の流速を速めることができる。また、本発明では、気流制御領域において、導入口から導入された気体を外側へ向けて下方に流し、第2の容器の底面が位置する第2の高さより低い第1の高さで折り返して内側へ向けて下方に流している。これにより、流速の速まった気体を、当該気流の折り返し位置まで導入し流れをスムーズにして乱流の発生を抑制しつつミスト化した処理液を例えば第1の容器の底面における所定の位置に配置された排気口への侵入を抑制することができる。さらに、本発明では、気流の折り返し位置が第2の容器の底面より低くなるように構成され、気流制御領域が、前記第1の容器と前記第2の容器との間であって該第2の容器の外周で下方に向けて広がるように設けられている。これにより、第2の容器の周囲及びその下方で気流制御領域を十分に確保することができる。
本発明の他の観点に係る基板処理装置は、気体を導入する導入口がほぼ中央に設けられた上壁を有する第1の蓋体を有する第1の容器と、前記第1の容器の底面に前記導入口から導入された気体を排気する排気口を有する排気手段と、基板を保持する保持部材と、前記保持部材により保持された基板に処理液を供給する供給機構と、第2の蓋体を有し、底面の高さが第1の高さに位置するように配置され、前記内壁側へ前記処理液を排出可能な排出孔を有し、前記保持部材に保持された基板を収容する第2の容器と、前記第1の容器と前記第2の容器との間であって該第2の容器の外周で下方に向けて広がるように設けられ、前記導入口から導入された気体を、外側へ向けて下方に流し、前記第1の高さより低い第2の高さで折り返して内側へ向けて下方に流すように制御する気流制御領域と、前記保持部材と前記第2の容器とを同期して回転させる駆動部と、前記第1の容器の底面の外周付近に、前記第2の容器の回転によって前記排出孔から排出された前記処理液を排液する第1の排液口を有する第1の排液手段と、前記第1の排液口より内側であって前記排気口より外側に、前記処理液を排液する第2の排液口を有する第2の排液手段とを具備する。
このような構成によれば、気流制御領域において、導入口から導入された気体を外側へ向けて下方に流し、第2の容器の底面が位置する第2の高さより低い第1の高さで折り返して内側へ向けて下方に流しているため、導入口から導入された気体を例えば第1の容器の折り返された位置まで導入し流れをスムーズにしてミスト化した処理液の排気口への侵入を抑制することができる。また、第2の容器が第1の排液口より内側であって排気口より外側に第2の排液口を有しているので、例えば、第1の容器の外周部側から排気口側にミスト化した処理液などが流入しても第2の排液口から排出することができる。さらに、本発明では、気流の折り返し位置が第2の容器の底面より低くなるように構成され、気流制御領域が、前記第1の容器と前記第2の容器との間であって該第2の容器の外周で下方に向けて広がるように設けられている。これにより、第2の容器の周囲及びその下方で気流制御領域を十分に確保することができる。
本発明によれば、ミスト化した処理液が排気口へ侵入することを抑制することができ、所望の排気量を確保することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図1は本発明が適用されるLCD基板の塗布現像処理装置を示す平面図であり、図2はその正面図、また図3はその背面図である。
この塗布現像処理装置1は、複数のガラス基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション2と、ガラス基板Gにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部3と、露光装置32との間でガラス基板Gの受け渡しを行うためのインターフェース部4とを備えており、処理部3の両端にそれぞれカセットステーション2及びインターフェース部4が配置されている。
カセットステーション2は、カセットCと処理部3との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機構10を備えている。そして、カセットステーション2においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路12上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アーム11によりカセットCと処理部3との間でガラス基板Gの搬送が行われる。
処理部3には、X方向に沿ってレジスト塗布処理ユニット(CT)を含む各処理ユニットが並設された上流部3b及び現像処理ユニット(DEV)を含む各処理ユニットが並設された下流部3cとが設けられている。
上流部3bにおいて、カセットステーション2側端部には、カセットステーション2側から、ガラス基板G上の有機物を除去するためのエキシマUV処理ユニット(e−UV)19と、ガラス基板Gにスクラビングブラシで洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)とが設けられている。
スクラバ洗浄処理ユニット(SCR)の隣には、ガラス基板Gに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック24及び25が配置されている。これら熱処理系ブロック24と25との間には、垂直搬送ユニット5が配置され、搬送アーム5aがZ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック24及び25における各熱処理系ユニットにアクセスしてガラス基板Gの搬送が行われるようになっている。なお、垂直搬送ユニット6、7、30、40についてもこの垂直搬送ユニット5と同一の構成を有している。
図2に示すように、熱処理系ブロック24には、ガラス基板Gにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット(BAKE)が2段、HMDSガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット(AD)が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック25には、ガラス基板Gに冷却処理を施すクーリングユニット(COL)が2段、アドヒージョンユニット(AD)が下から順に積層されている。
熱処理系ブロック25に隣接して垂直搬送ユニット30が設けられ、その隣にはレジスト処理ブロック15がX方向に延設されている。このレジスト処理ブロック15は、ガラス基板Gにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット(CT)と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット(VD)と、本発明に係るガラス基板Gの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ(ER)とが設けられて構成されている。このレジスト処理ブロック15には、レジスト塗布処理ユニット(CT)からエッジリムーバ(ER)にかけて移動する図示しないサブアームが設けられており、このサブアームによりレジスト処理ブロック15内でガラス基板Gが搬送されるようになっている。
レジスト処理ブロック15に隣接して垂直搬送ユニット40が設けられ、その隣には、多段構成の熱処理系ブロック26が配設されている。この熱処理系ブロック26には、ガラス基板Gにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット(PREBAKE)が3段積層されている。
下流部3cにおいては、図3に示すように、インターフェース部4側端部には、熱処理系ブロック29が設けられており、これには、クーリングユニット(COL)、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット(PEBAKE)が2段、下から順に積層されている。
熱処理系ブロック29に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット(DEV)がX方向に延設されている。この現像処理ユニット(DEV)の隣には熱処理系ブロック28及び27が配置され、これら熱処理系ブロック28と27との間には、上記垂直搬送ユニット5と同一の構成を有し、両ブロック28及び27における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット6が設けられている。また、現像処理ユニット(DEV)に隣接して、i線処理ユニット(i―UV)33が設けられている。
熱処理系ブロック28には、クーリングユニット(COL)、ガラス基板Gに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット(POBAKE)が2段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック27も同様に、クーリングユニット(COL)、ポストベーキングユニット(POBAKE)が2段、下から順に積層されている。
インターフェース部4には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット(Titler/EE)22が設けられ、垂直搬送ユニット7に隣接してエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35が、また背面側にはバッファカセット34が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット(Titler/EE)22とエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35とバッファカセット34と隣接した露光装置32との間でガラス基板Gの受け渡しを行う垂直搬送ユニット8が配置されている。この垂直搬送ユニット8も上記垂直搬送ユニット5と同一の構成を有している。
以上のように構成された塗布現像処理装置1の処理工程について説明する。先ずカセットC内のガラス基板Gが処理部3における上流部3bに搬送される。上流部3bでは、エキシマUV処理ユニット(e−UV)19において表面改質、有機物除去処理等が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)において、ガラス基板Gが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック24の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム5aによりガラス基板Gが取り出され、同熱処理系ブロック24のベーキングユニット(BAKE)にて加熱処理、アドヒージョンユニット(AD)にて、ガラス基板Gとレジスト膜との密着性を高めるため、ガラス基板GにHMDSガスを噴霧する処理が行われる。この後、熱処理系ブロック25のクーリングユニット(COL)による冷却処理が行われる。
次に、ガラス基板Gは搬送アーム5aから熱処理系ブロック25を介して搬送アーム30aに渡され、搬送アーム30aによりガラス基板Gがレジスト塗布処理ユニット(CT)に搬送される。レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット(VD)にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ(ER)にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
次に、ガラス基板Gが搬送アーム40aに渡され、搬送アーム40aは熱処理系ブロック26に基板を渡す。そして熱処理系ブロック26におけるプリベーキングユニット(PREBAKE)にて加熱処理が行われた後、垂直搬送ユニット7を介して熱処理系ブロック29に基板が渡され、その熱処理系ブロック29におけるクーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。続いてガラス基板Gはエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
次に、ガラス基板Gは垂直搬送ユニット8及び7の搬送アームを介して熱処理系ブロック29のポストエクスポージャーベーキングユニット(PEBAKE)に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。そしてガラス基板Gは垂直搬送ユニット7の搬送アームを介して、現像処理ユニット(DEV)においてガラス基板Gは略水平に搬送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行われる。
次に、ガラス基板Gは熱処理系ブロック28における最下段から垂直搬送ユニット6の搬送アーム6aにより受け渡され、熱処理系ブロック28又は27におけるポストベーキングユニット(POBAKE)にて加熱処理が行われ、クーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。そしてガラス基板Gは搬送機構10に受け渡されカセットCに収容される。
図4はレジスト処理ブロック15の平面図である。レジスト処理ブロック15は上述したようにレジスト塗布処理ユニット(CT)と、減圧乾燥ユニット(VD)と、エッジリムーバ(ER)とが設けられている。この処理ブロック15のY方向の長さは例えば3m〜4mとされている。レジスト処理ブロック15は、そのX方向に延設されたガイドレール60に沿って移動可能な保持アーム41が設けられている。保持アーム41は複数設けられるようにしてもよい。保持アーム41はX方向に伸縮自在のアーム41aと、Y方向に伸縮自在のアーム41bとを有している。これらアーム41a、41bの伸縮動作は保持アーム41に設けられたエアシリンダ等により行われる。保持アーム41は外部からガラス基板Gを受け取った後、レジスト塗布処理ユニット(CT)、減圧乾燥ユニット(VD)、エッジリムーバ(ER)の順に基板を搬送する。
図5はレジスト塗布処理ユニット(CT)の断面図である。レジスト塗布処理ユニット(CT)のほぼ中央部には固定カップ61が配置されている。固定カップ61は、フレーム90上に設けられたカップ支持体59に支持されている。固定カップ61内には、ガラス基板Gを収容する回転カップ62が収容されている。回転カップ62の上端部には開口62eが形成されており、回転カップ62上に円盤状の蓋体37が着脱自在に配置されている。回転カップ62を回転させる際には蓋体37で開口62eに蓋をして行う。蓋体37には取っ手37aが設けられている。この取っ手37aを、昇降機構36(図4参照)により昇降自在に設けられたロボットアーム39が把持して蓋体37を回転カップ62に対して着脱するように構成されている。また、蓋体37には図示しない通気孔が設けられ、回転カップ62が回転する際に、回転カップ62内の気流を調整できるようになっている。
回転カップ62内には、ガラス基板Gを真空引きで保持するチャックプレート63が設けられ、チャックプレート63には回転軸部材68が取り付けられている。回転軸部材68はその下部に設けられたエアシリンダ70により上下に昇降可能に設けられている。回転軸部材68はバキュームシール部69を介して図示しない真空ポンプに接続されている。これによりチャックプレート63の表面63bでガラス基板Gを真空チャックすることができるようになっている。エアシリンダ70の駆動の制御は制御部100により行われる。
回転軸部材68は例えばボールスプライン等の軸受71を介してスピンドル体64に取り付けられている。スピンドル体64の上部には、回転カップ62の下部に固定された中空の回転筒体67が取り付けられている。スピンドル体64は内側に設けられた筒部材64cと、外側の上部に設けられた上部プーリー64aと、外側の下部に設けられた下部プーリー64bとからなっている。例えば筒部材64cはスピンドル体64の内部空間に配置された固定カラー73に複数のベアリング72を介して取り付けられている。上部プーリー64aはタイミングベルト65bを介してモータ65により回転駆動する駆動プーリー65aに接続されている。同様に、下部プーリー64bはタイミングベルト66bを介してモータ66により回転駆動する駆動プーリー66aに接続されている。モータ65、66の回転は制御部100により制御される。モータ65、66が同期して同じ回転速度で同じ方向に回転することにより、スピンドル体64、回転筒体67、回転カップ62、軸受71、回転軸部材68及びチャックプレート63が一体的に回転させられる。
フレーム90上には、レジストを吐出する例えば長尺状のノズル45(図4参照)を収容するノズル収容体46が配置されている。ノズル45はレジストをガラス基板Gに供給する供給機構の一部であり、図示しないレジストタンクに接続され、ポンプ等によってレジストが供給されるようになっている。
このノズル45は長手方向に沿って図示しない吐出孔またはスリットが形成されている。またノズル45は、図4に示すノズル駆動部140によりX方向及び垂直なZ方向に移動可能に構成されている。例えば、ノズル駆動部140はノズル45を保持する保持体142を有し、保持体142はモータ141の駆動によってガイドレール60に沿って移動自在となっている。これにより、ノズル45は固定カップ61上を移動しながらガラス基板G上にレジストを吐出するようになっている。したがってガラス基板Gの広範囲にわたってレジストが吐出される。
図6は、図5において破線で囲んだ部分Dを拡大した断面図である。なお、図6において、後述する整流板95、隔壁92などの部材は図5においては省略している。
固定カップ61は、上端部に開口を有し、外周部に気流制御部80を有した略筒状とされている。気流制御部80は、例えば、外側へ向けて下方に傾斜する内壁80aと、内壁80aの下端となる高さAで折り返して内側へ向けて下方に傾斜する内壁80bと、更に折り返して内側へ向けて上方に傾斜する内壁80cとを有して構成されている。
気流制御部80の上部外面には、図示を省略した清浄用のノズル挿入用の孔を有するノズル挿入部85が固定されている。清浄時には、ノズル挿入用の孔にノズルが挿入され回転カップ62などが清浄される。なお、ノズル挿入部85にノズル挿入用の孔を設ける代わりに、ノズル挿入部85に洗浄用のノズルを固定して設けてもよい。ノズル挿入部85の上面には、例えばVシール102が埋設されている。ノズル挿入部85の上には、内壁86bを有する円盤状の固定カップ蓋86がVシール102を介して着脱自在に配置されている。Vシール102により固定カップ61と固定カップ蓋86との密着性が確保されている。固定カップ蓋86は、内壁86bが内壁80aとほぼ同一面上となるように配置されている。
固定カップ蓋86の上壁86aには、略中央に外部の気体を導入する導入口82が形成されている。導入口82の数は、固定カップ蓋86内の気体の流速を確保するために、例えば1個に設定されている。なお、固定カップ蓋86に形成される導入口の数や形状については、例えば、導入口82の面積の半分の大きさの導入口を二つ形成するようにしてもよい。
円盤状の蓋体37は、固定カップ蓋86の上壁86aから第1の間隔h1をあけて配置されている(以下、第1の間隔h1の隙間を「第1流路」と略称する)。固定カップ蓋86の下方には、図1に示す回転筒体67に中央部が固定された回転カップ62が配置されている。回転カップ62の上部周縁は、内壁80aに対し第1の間隔h1より狭い第2の間隔h2をあけて配置されている(以下、第2の間隔h2の隙間を「第2流路」と略称する)。回転カップ62の外壁62bは、内壁80aに対向するとともに下方に向けて内壁80aとの間隔が広がるように設けられている。
高さAは、回転カップ62の底面62aの高さBより下方となるように構成されている。なお、例えば、高さAが回転カップ62の最低面の水平高さより低くなるように構成してもよい。
固定カップ61の底面には、導入口82から固定カップ61内に導入された気体を排出するための排気口83aが形成された排気ノズル83が、例えば4個下方に向けて突設されている。排気ノズル83は図示しない排気管に接続されている。
回転カップ62の側周壁下部には、回転カップ62の回転によって固定カップ61の内壁80a側へレジスト液を排出可能な排出孔104が形成されている。
気流制御部80の底部には、排出孔104から排出されたレジスト液を下方に排液する排液口81dを有するノズル81が、例えば4個下方に向けて突設されている。ノズル81は図示しない排液管に接続されている。
固定カップ61は、排液口81dより内側であって排気口83aより外側に、レジスト液を排液する第2の排液口94aが形成された第2排液ノズル94を有している。第2の排液口94aの直径は、排液口81dの直径より小さく設定されている。
内壁80cの上部には、環状の突出部材としてのガード部材97が略水平外向きに突設されている。ここで、ガード部材97は、内壁80cに対して例えば略垂直に突設されていてもよい。このようにしても、気流制御部80内のレジストミストなどの隔壁92の底面側の隙間への流入を抑制することができる。
図7は、固定カップ61と整流板95との配置関係を模式的に示す平面図である。図6に示す排気口83aと回転カップ62の底面との間に、例えば、図7に示すように、12個の貫通孔96が形成された整流板95が配置されている。整流板95の貫通孔96と排気口83aとが上下方向に重ならないようにずらして整流板95が配置されている。なお、貫通孔96と排気口83aとが上下方向に重なるように整流板95を配置してもよいが、上下方向に重ならないように配置する方が排気バランスの不均一性を抑制することができるので好ましい。また、例えば、貫通孔96の大きさを小さくし、数を多くするようにしてもよい。
固定カップ61の内底面61b上には、円盤状の隔壁92が固定されている。隔壁92の外周部には、固定カップ61の内底面61bの形状に沿うようにステップが形成されており、隔壁92の外周縁部は、内壁80cの傾斜に沿って斜下方に折り曲げられている。固定カップ61の内底面61bと回転カップ62の底面62aとの間の空間は、隔壁92により、上下にほぼ均等に隔てられている。
図8は、回転カップ62の外周部の拡大断面図である。回転カップ62の外壁62bの下部には、排出孔104に対向する環状のガード部材91が設けられている。ガード部材91は、回転カップ62の外壁62bの下部から略水平方向に突出する鍔部と、鍔部から略垂直下方に折り曲げられた側面部と、側面部下端から回転カップ62の外壁62bに向けて突出するツメ部91aとで構成されている。ガード部材91によって排出孔104から流出したレジスト液の飛散、流出が抑制される。
次に、レジスト塗布処理ユニット(CT)の動作について図6を参照しながら説明する。
まず、ガラス基板Gを保持した保持アーム41(図4参照)が固定カップ61の直上の位置まで移動すると、エアシリンダ70(図5参照)によりチャックプレート63が上昇させられる。チャックプレート63が上昇させられると、例えばチャックプレート63の表面63bが所定の高さとなりこの高さでガラス基板Gがチャックプレート63により受け取られる。この際、ロボットアーム39によって蓋体37は回転カップ62から外されている。
次に、エアシリンダ70はガラス基板Gを吸着させたチャックプレート63を回転カップ62の内部の所定の高さまで下降させる。
続いて、チャックプレート63の高さを保ったままの状態で、ノズル駆動部140の駆動によりノズル45がガラス基板G上を移動しながら、ガラス基板Gに向けてレジストRを吐出していく。
レジストRの吐出が終了すると、ノズル45はノズル駆動部140の駆動によりノズル収容体46に帰還する。そして、エアシリンダ70は、チャックプレート63を下降させる。このような制御は、制御部100で行うことができる。
この後、回転カップ62とチャックプレート63とが一体的に回転する。この回転により、ガラス基板G上のレジストRが基板全体に均される。またこの回転により、回転カップ62に設けられた排出孔104から、基板G上の残余のレジストが遠心力によって固定カップ61内に排出される。その結果、排出されたレジストの一部がミスト状となる。そこで、このように発生したレジストミストを固定カップ61、固定カップ蓋86内から除去するために、真空ポンプ(図示せず)を駆動させる。真空ポンプは、レジスト塗布処理の間だけ駆動させるようにしてもよいし、常時駆動させるようにしてもよい。
真空ポンプが駆動することにより気体は導入口82から第1流路に流入する。第1流路に流入した気体は、固定カップ蓋86の内壁86b(傾斜面)に沿って第2流路に流入する。このとき、第2流路の間隔h2は第1流路の間隔h1より小さく設定されているため、第2流路での流速は第1流路での流速より速くなる。
第2流路で加速された気体は、図6に示す内壁80a、内壁80b、内壁80cの傾斜面に沿って流れる。すなわち、気流制御部80内で気体は図6に示す矢印C方向の渦流となる。
一方、回転カップ62の底面62a近傍の気体は、回転カップ62の回転により内側から外側に、すなわち、図6に示すに矢印H方向に流動する。矢印H方向に流動した気体は、矢印C方向の渦流と合流する。このとき、矢印C方向と矢印H方向とは、合流点での方向がほぼ同一方向となるので、当該合流点で層流となり、すなわち気流制御部80での乱流の発生を防止してレジストミストが飛散することを抑制できる。
気流制御部80内で生じたレジストミストは、図6に示すガード部材97により排気口83a側への流入が抑制され、ノズル81により下方に流出される。
矢印C方向に流れる渦流のうち隔壁92の底面側に流入した気体は、例えば、整流板95の貫通孔96により流速が均一化され、排気口83aから排気される。このとき、仮に、排気口83a側に流入した気体中にレジストミストが混入していても、第2の排液口94aによりレジストが排出される。
このように本実施形態によれば、レジスト塗布処理ユニット(CT)は、蓋体37が固定カップ蓋86の上壁86aから第1の間隔h1をあけて配置され、回転カップ62の上部周縁が固定カップ61の内壁80aに対し第1の間隔h1より狭い第2の間隔h2をあけて配置されている。このため、回転カップ62の上部周縁での流入した気体の流速を速めることができる。また、気流制御部80が、外側へ向けて下方に傾斜する内壁80aと、高さAで折り返して内側へ向けて下方に傾斜する内壁80bと、更に折り返して内側へ向けて上方に傾斜する内壁80cとを有している。このため、流速の速まった気体を例えば内壁80aと内壁80bとの接触部まで導入し流れをスムーズにしてレジストミストの排気口83aへの侵入を抑制することができる。従って、排気口83a内のレジスト液の堆積による排気量の低下を抑制することができる。また、回転カップ62の底面62aの高さBより内壁の折り返し位置の高さAが低くなるように構成され、かつ、回転カップ62の外壁62bと固定カップ61の内壁80aとの間隔が広がるように設けられているため、回転カップ62の周囲及びその下方で気流調整のための十分なスペースとしての気流制御部80を確保することができる。
本実施形態によれば、固定カップ蓋86は、内壁86bが内壁80aとほぼ同一面上となるように配置されている。このため、第1流路を通過した気体をスムーズに内壁80aと内壁80bとの接触部まで流入させることができる。従って、気流制御部80内での気体の流れを安定にしレジストミストの発生を抑制することができる。
本実施形態によれば、固定カップ61の底面には、排気ノズル83が例えば4個下方に向けて突設されている。このため、導入口82から気流制御部80内に導入され、気流制御部80から整流板95の底面側の隙間に流入した気体を排気口83aから固定カップ61外へ排出することができる。
本実施形態によれば、気流制御部80の底部には、排液口81dを有するノズル81が例えば4個下方に向けて突設されている。このため、気流制御部80内で生じたレジストミストなどを効率良く排液口81dに排出することができる。
本実施形態によれば、固定カップ61は、排液口81dより内側であって排気口83aより外側に、第2の排液口94aが形成された第2排液ノズル94を有している。このため、例えば、隔壁92の底面側の隙間に流入した気体中にレジストミストが混入していても、第2の排液口94aからそのレジストを排出することができる。従って、排気口83a内にレジストミストが流入して堆積することによる排気量の低下を抑制することができる。
本実施形態によれば、内壁80cの上部には、ガード部材97が略水平外向きに突設されている。このため、例えば、気流制御部80の底部に溜まったレジスト液が気流により乱れ排気口83aへ引き込まれることを抑制することができる。
本実施形態によれば、排気口83aと回転カップ62の底面62aとの間に、貫通孔96が形成された整流板95が配置されている。このため、排気口83a付近に集中する流れを整流し、排気バランスの不均一性を抑制することができる。このとき、排気口83aと整流板95の貫通孔96とが上下方向に重ならないようにずらして整流板95を配置することが好ましい。
本実施形態によれば、固定カップ61の内底面61b上には、隔壁92が固定されており、固定カップ61の底面と回転カップ62の底面62aとの間の空間は、隔壁92により、上下にほぼ均等に隔てられている。これにより、回転カップ62の回転時に、隔壁92の上方では矢印H方向、隔壁92の下方では矢印H方向と反対方向に気体が流れるので、排気をスムーズにすることができる。従って、気流制御部80内でのレジストミストの発生を抑制することができる。
本実施形態によれば、回転カップ62の側周壁の下方部に、排出孔104に対向するガード部材91が配置されている。また、ガード部材91は、鍔部と側面部とツメ部91aを有している。このため、回転カップ62の回転時には、排出孔104から排出されたレジスト液の飛散をガード部材91の側面部で防止できる。また、回転カップ62の回転停止時には、回転時に側面部で捕らえておいたレジスト液が下方へ流出するのをガード部材91のツメ部91aで抑制することができる。その結果、ミストの発生量を極力低減することができる。
本実施形態によれば、固定カップ蓋86の上面略中央に、導入口82が1個形成されている。これにより、第1、第2流路及び固定カップ61内でレジストミストなどを除去するのに必要な流速を得ることができる。
本実施形態によれば、回転カップ62を清浄するときに、真空ポンプを作動して排気をすることで、排液を排液口81dから排出することができる。また、上述した回転カップ62など清浄時に仮に排液が排気口83a側に流入しても第2の排液口94aが形成されているので、例えば清浄液を第2の排液口94aから排出して排気口83a内に流入することを抑制することができる。
以上、本実施の形態において種々の作用効果を説明したが、実際に排気口83a付近に付着したレジストの量を確認したところ、従来の装置と比べレジストの付着量は低減した。特に、整流板95を設けたことで顕著な効果が見られた。また、ガード部材91またはガード部材97を設けたことで、整流板95を設けた場合に比べ更に付着量は低減した。
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
本実施形態では、高さAが高さBより下方となるように構成されている気流制御部80を例示したが、気流制御部80の形状はこれに限定されず、例えば、高さAが、図で示す高さより更に低い位置に位置するようにしてもよい。これにより更に回転カップ62より離れた位置まで気体を導入してレジストミストの発生を抑制することができる。
また、本実施形態では、図6に示すように、排気ノズル83が突設された固定カップ61の底部、及び、整流板95の端部が隔壁92に対して略平行に構成されている例を示したが、図9に示すように、整流板101の端部101a、及び、固定カップ61の底面61aが、内側に行くに連れ隔壁92に近づくように上方に傾斜させるようにしてもよい。このようにすれば、内側に行くに連れ流速が小さくなることを抑制し、排気口83aの近傍での気流の不均一性を抑制することができる。なお、端部101a及び固定カップ61の底面61aの少なくとも一方を傾斜させるようにしてもよい。このようにしても、排気口83aの近傍での流れの不均一性を抑制することができる。
更に、本実施形態では、ノズルとして長尺状のスリットノズルを例に挙げたが、これに限られない。1つのレジストの吐出孔を有する従来からの一般的なノズルを、ガラス基板G上でX−Y方向にスキャンさせながら塗布処理するいわゆるスキャン塗布であっても本発明は適用可能である。
また、本実施形態において、チャックプレート63及び回転カップ62を回転駆動する駆動部は、スピンドル体64がそれぞれモータ65及び66により回転させられることにより、チャックプレート63と回転カップ62とが一体的に回転する機構を有するものとした。しかし、チャックプレート63と回転カップ62とで駆動部をそれぞれ別々に独立させて設けるようにしてもよい。
また、本実施形態では、上壁86aの略中央に導入口82が形成されている例を示したが、これに限定されず、例えば、固定カップ蓋86に同心円周上に複数の導入口を設けてもよい。
本発明の一実施の形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。 図1に示す塗布現像処理装置の正面図である。 図1に示す塗布現像処理装置の背面図である。 レジスト処理ブロックを示す平面図である。 本発明の実施の形態に係るレジスト塗布処理ユニットを示す断面図である。 レジスト塗布処理ユニットの一部を示す断面図である。 レジスト塗布処理ユニットの固定カップと整流板との配置関係を模式的に示す平面図である。 レジスト塗布処理ユニットの回転カップの外周部の拡大断面図である。 レジスト塗布処理ユニットの固定カップ及び整流板の変形例を示す断面図である。
符号の説明
A,B…高さ
G…ガラス基板
CT…レジスト塗布処理ユニット
37…蓋体
45…ノズル
61…固定カップ
61a…底面
61b…内底面
62…回転カップ
62a…底面
62b…外壁
63…チャックプレート
63b…チャックプレート表面
65…モータ
66…モータ
68…回転軸部材
80…気流制御部
80a、80b、80c…内壁
81…ノズル
81d…排液口
82…導入口
83…排気ノズル
83a…排気口
86…固定カップ蓋
86a…上壁
86b…内壁
91…ガード部材
91a…ツメ部
92…隔壁
94…第2排液ノズル
94a…第2の排液口
95…整流板
96…貫通孔
97…整流板
100…制御部
104…排出孔

Claims (12)

  1. 気体を導入する導入口がほぼ中央に設けられた上壁を有する第1の蓋体を有し、内壁が外側へ向けて下方に傾斜するとともに第1の高さで折り返して内側へ向けて下方に傾斜する第1の容器と、
    前記第1の容器の底面に前記導入口から導入された気体を排気する排気口を有する排気手段と、
    前記上壁に第1の間隔をあけて配置された第2の蓋体を有し、上部周縁が前記内壁に対し前記第1の間隔より狭い第2の間隔をあけて配置され、外壁が前記内壁に対向するとともに下方に向けて該内壁との間隔が広がるように設けられ、かつ、底面が前記第1の高さより高い第2の高さに配置される第2の容器と、
    前記第2の容器内で基板を保持する保持部材と、
    前記保持部材により保持された基板に処理液を供給する供給機構と、
    前記保持部材と前記第2の容器とを同期して回転させる駆動部と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項1に記載の基板処理装置であって、
    前記第2の容器は、前記内壁側へ前記処理液を排出可能な排出孔を有し、
    前記第1の容器の底面の外周付近に前記排出孔から排出された処理液を排液する第1の排液口を有する第1の排液手段と、
    前記第1の排液口より内側であって前記排気口より外側に、前記排出孔から排出された処理液を排液する第2の排液口を有する第2の排液手段と
    を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項2に記載の基板処理装置であって、
    下部に前記外壁に向けて突出するツメ部を有し、前記排出孔に対向して設けられた前記処理液の飛散を抑制するガード部材を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項1記載の基板処理装置であって、
    少なくとも前記排気口と前記第2の容器の底面との間に配置され、前記排気口の数より多数の貫通孔が形成された整流板を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項1に記載の基板処理装置であって、
    前記第1の容器の底面と前記第2の容器の底面との間の空間を上下に隔てる隔壁を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項1に記載の基板処理装置であって、
    前記第1の高さで折り返して内側へ向けて下方に傾斜する前記第1の容器の内壁は、更に折り返して内側へ向けて上方に傾斜して設けられ、
    前記上方に傾斜した内壁に外側へ向けて突出して設けられた突出部材を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項1に記載の基板処理装置であって、
    前記排気口の開口面が前記第1の容器の内側へ向けて上方に傾斜していることを特徴とする基板処理装置。
  8. 請求項4に記載の基板処理装置であって、
    前記排気口の開口面及び前記整流板のうち少なくとも一方が前記第1の容器の内側へ向けて上方に傾斜していることを特徴とする基板処理装置。
  9. 請求項1に記載の基板処理装置であって、
    第1の蓋体は、その内壁が前記第1の容器の外側へ向けて下方に傾斜する内壁とほぼ同一面上となるように配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  10. 気体を導入する導入口がほぼ中央に設けられた上壁を有する第1の蓋体を有し、内壁が外側へ向けて下方に傾斜するとともに第1の高さで折り返して内側へ向けて下方に傾斜する第1の容器と、
    前記第1の容器の底面に前記導入口から導入された気体を排気する排気口を有する排気手段と、
    基板を保持する保持部材と、
    前記保持部材により保持された基板に処理液を供給する供給機構と、
    第2の蓋体を有し、外壁が前記内壁に対向するとともに下方に向けて該内壁との間隔が広がるように設けられて、かつ、底面が前記第1の高さより高い第2の高さに配置され、前記内壁側へ前記処理液を排出可能な排出孔を有し、前記保持部材に保持された基板を収容する第2の容器と、
    前記保持部材と前記第2の容器とを同期して回転させる駆動部と、
    前記第1の容器の底面の外周付近に、前記第2の容器の回転によって前記排出孔から排出された前記処理液を排液する第1の排液口を有する第1の排液手段と、
    前記第1の排液口より内側であって前記排気口より外側に、前記処理液を排液する第2の排液口を有する第2の排液手段と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  11. 気体を導入する導入口がほぼ中央に設けられた上壁を有する第1の蓋体を有する第1の容器と、
    前記第1の容器の底面に前記導入口から導入された気体を排気する排気口を有する排気手段と、
    前記上壁に第1の間隔をあけて配置された第2の蓋体を有し、上部周縁が前記第1の容器の内壁に対し前記第1の間隔より狭い第2の間隔をあけて配置されるとともに底面の高さが第1の高さに位置するように配置された第2の容器と、
    前記第1の容器と前記第2の容器との間であって該第2の容器の外周で下方に向けて広がるように設けられ、前記導入口から導入された気体を、外側へ向けて下方に流し、前記第1の高さより低い第2の高さで折り返して内側へ向けて下方に流すように制御する気流制御領域と、
    前記第2の容器内で基板を保持する保持部材と、
    前記保持部材により保持された基板に処理液を供給する供給機構と、
    前記保持部材と前記第2の容器とを同期して回転させる駆動部と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  12. 気体を導入する導入口がほぼ中央に設けられた上壁を有する第1の蓋体を有する第1の容器と、
    前記第1の容器の底面に前記導入口から導入された気体を排気する排気口を有する排気手段と、
    基板を保持する保持部材と、
    前記保持部材により保持された基板に処理液を供給する供給機構と、
    第2の蓋体を有し、底面の高さが第1の高さに位置するように配置され、前記内壁側へ前記処理液を排出可能な排出孔を有し、前記保持部材に保持された基板を収容する第2の容器と、
    前記第1の容器と前記第2の容器との間であって該第2の容器の外周で下方に向けて広がるように設けられ、前記導入口から導入された気体を、外側へ向けて下方に流し、前記第1の高さより低い第2の高さで折り返して内側へ向けて下方に流すように制御する気流制御領域と、
    前記保持部材と前記第2の容器とを同期して回転させる駆動部と、
    前記第1の容器の底面の外周付近に、前記第2の容器の回転によって前記排出孔から排出された前記処理液を排液する第1の排液口を有する第1の排液手段と、
    前記第1の排液口より内側であって前記排気口より外側に、前記処理液を排液する第2の排液口を有する第2の排液手段と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009158767A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Tokyo Electron Ltd 回転塗布装置
JP2010191310A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Hoya Corp 多階調フォトマスクの製造方法、及び半導体トランジスタの製造方法
US7793610B2 (en) 2006-04-18 2010-09-14 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
KR20190025780A (ko) * 2017-09-01 2019-03-12 세메스 주식회사 기판처리장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7793610B2 (en) 2006-04-18 2010-09-14 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
JP2009158767A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Tokyo Electron Ltd 回転塗布装置
JP2010191310A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Hoya Corp 多階調フォトマスクの製造方法、及び半導体トランジスタの製造方法
KR20190025780A (ko) * 2017-09-01 2019-03-12 세메스 주식회사 기판처리장치
KR102385267B1 (ko) * 2017-09-01 2022-04-13 세메스 주식회사 기판처리장치

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