JP2005072504A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】 熱伝導率が高い絶縁基体に、半導体素子の低消費電力化に対応して信号のより一層の低損失化が可能な低抵抗の配線層が形成されているとともに、その配線層に金属部材が強固にろう付けされて成る配線基板を提供すること。
【解決手段】 配線基板は、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックスから成る絶縁基体１と、絶縁基体１との同時焼成により絶縁基体１に形成されたタングステンおよびモリブデンの少なくとも１種と銅とから成る第１配線層２と、絶縁基体１との同時焼成により絶縁基体に形成されたタングステンおよびモリブデンの少なくとも１種と鉄族金属とから成る第２配線層３と、第１配線層２および第２配線層３の表面に被着された銅めっき層８と、第２配線層３にろう付けされた金属部材６とを具備し、銅めっき層８と第２配線層３との間にそれらの成分が相互に拡散した拡散層が形成されている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、熱伝導性が高い絶縁基体の表面に、低抵抗の第１配線層と、高接着強度を有し金属部材がろう付けされる第２配線層とを具備した配線基板に関するものである。

従来、半導体素子が搭載される配線基板は、一般に、アルミナセラミックスから成る絶縁基体の少なくとも表面に、タングステンやモリブデンなどの高融点金属からなる配線層を被着形成したセラミック配線基板が多用されている。ところが、従来から多用されている高融点金属からなる配線層では、電気抵抗の高い高融点金属（タングステン：電気抵抗率（２０℃）５．５×１０^−６Ω・ｃｍ、モリブデン：同５．７×１０^−６Ω・ｃｍ）からなることから、配線層を、半導体素子等の演算速度の高速化等に対応して十分に低抵抗とすることができないという問題があった。

これに対して、近年に至り、低抵抗導体である銅や銀（銅：電気抵抗率（２０℃）１．７×１０^−６Ω・ｃｍ、銀：同１．６×１０^−６Ω・ｃｍ）と同時焼成可能な、いわゆるガラスセラミックスを用いた配線基板が提案されている。

ところが、ガラスセラミックスに施される銅，銀等から成るメタライズ層の接着強度が高々１９．６Ｎ（２ｋｇｆ）以下と低いため、この配線層に外部接続用のリード端子等の金属部材を取着した場合、配線層と絶縁基体との接着強度が不十分となり、配線層の剥がれ等を生じやすくなってしまうという問題がある。

また、ガラスセラミックスの熱伝導率は高々２Ｗ／ｍ・Ｋしかなく、近時の高集積化にともない作動時の発熱量の増大している半導体素子等からの放熱を効率よく行なうことができないという問題もある。

そこで、この電気的問題点と、配線層の接着強度の不足、および熱的問題を同時に解決する方法として、本出願人は先に酸化アルミニウムを主成分とする相対密度が９５％以上のセラミックスから成る絶縁基体と、絶縁基体の表面および／または内部に銅を１０〜７０体積％、タングステンおよび／またはモリブデンを３０〜９０体積％の割合で含有する第１のメタライズ層（第１配線層）と、絶縁基体の表面にタングステンおよび／またはモリブデンを５０体積％の割合で含有し、鉄族元素を酸化物換算で０．１〜５体積％、酸化アルミニウムを０〜４５体積％の割合で含有してなる第２のメタライズ層（第２配線層）とを具備する配線基板およびその製造方法を提案した（特許文献１参照）。

この配線基板によれば、絶縁基体が酸化アルミニウム質焼結体等から成り、かつ相対密度が高く緻密であるため熱伝導性が高く、また、第１のメタライズ層（第１配線層）が低抵抗の銅を含有するため配線層を形成する導体の電気抵抗を低く（電気抵抗率（２０℃）で約３×１０^−６〜５×１０^−６Ω・ｃｍ）することができる。

また、第２のメタライズ層（第２配線層）がモリブデンおよび／またはタングステンと鉄族元素とから成ることから、低温での焼結性が良好で、配線層の絶縁基体に対する接着強度が例えば約３９．２〜５８．８Ｎ（４〜６ｋｇｆ）程度と優れるとともに、第１のメタライズ層（第１配線層）との同時焼成が可能である。

なお、この配線基板は以下の工程により製作される。即ち、
（１）酸化アルミニウム等のセラミック粉末に助剤、着色剤等を添加してなる原料粉末に、有機バインダー，溶剤等を添加して得た泥漿状物をシート状に成形してセラミックグリーンシートを形成する工程、
（２）このセラミックグリーンシートの表面に、タングステンおよび／またはモリブデンを３０乃至９０体積％、銅を１０乃至７０体積％の割合で含有して成る第１の導体ペーストを塗布するとともに、鉄族金属を酸化物換算で０．１乃至５体積％、タングステンおよび／またはモリブデンを９５乃至９９．９体積％の割合で含有して成る第２の導体ペーストを塗布する工程、
（３）第１，第２の導体ペーストを塗布したセラミックグリーンシートを焼成し、タングステンおよび／またはモリブデンと銅とから成る第１配線層及びタングステンおよび／またはモリブデンと鉄族金属とから成る第２配線層を有する絶縁基体を得る工程である。
特開２０００−１８８４５３号公報

しかしながら、上記従来の配線基板は、配線層が、電気抵抗率で約３×１０^−６〜５×１０^−６Ω・ｃｍと従来品に比し低抵抗の導体で形成されているものの、近年の半導体素子の低消費電力化に伴い、配線層中で伝播される信号のより一層の低損失化が必要となり、さらなる低抵抗化が求められるようになってきている。

本発明は、上記従来の問題点に鑑みて完成されたもので、その目的は、熱伝導率が高い絶縁基体に、半導体素子の低消費電力化に対応して信号のより一層の低損失化が可能な低抵抗の配線層が形成されているとともに、その配線層にリード端子等の金属部材が強固にろう付けされて成る配線基板を提供することである。

本発明の配線基板は、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックスから成る絶縁基体と、該絶縁基体との同時焼成により前記絶縁基体に形成されたタングステンおよびモリブデンの少なくとも１種と銅とから成る第１配線層と、前記絶縁基体との同時焼成により前記絶縁基体に形成されたタングステンおよびモリブデンの少なくとも１種と鉄族金属とから成る第２配線層と、前記第１配線層および第２配線層の表面に被着された銅めっき層と、前記第２配線層にろう付けされた金属部材とを具備しており、前記銅めっき層と前記第２配線層との間にそれらの成分が相互に拡散した拡散層が形成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の配線基板は、好ましくは、前記拡散層の厚みが０．５乃至２．５μｍであることを特徴とするものである。

本発明の配線基板によれば、絶縁基体の熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高いことから、近時の発熱量が増大している半導体素子を搭載したとしても、その半導体素子の作動にともなう発熱を絶縁基体を介して効率良く外部に放散させることができる。

また、本発明の配線基板によれば、第１配線層をタングステンおよび／またはモリブデンと銅とで形成するとともに、その表面に、電気抵抗率が１．７×１０^−６Ω・ｃｍと、配線層を形成する導体の約１／２程度の低抵抗の銅からなるめっき層を被着したことから、第１配線層をより一層低抵抗とし、第１配線層を伝播する信号の損失を極めて効果的に低減させることができ、半導体素子を正常に作動させることができる。

また、本発明の配線基板によれば、銅を主成分とする第１配線層の表面に銅めっき層を被着させ、第１配線層と銅めっき層との結合が主として同じ金属である銅同士の結合となることから、銅めっき層を第１配線層に強固に被着させることができる。

また、本発明の配線基板によれば、金属部材がろう付けされる第２配線層をタングステンおよび／またはモリブデンと鉄族金属とで形成したことから、第２配線層を絶縁基体に強固に接着させることができるとともに絶縁基体に対し金属部材を強固にろう付け固定することが可能となる。

また本発明の配線基板によれば、第２配線層の表面に銅めっき層を被着させるとともに、銅めっき層と第２配線層との間に、銅成分が相互に拡散して成る銅の拡散層を形成したことから、金属部材を第２配線導体にろう付けする際のろう材の濡れ性を良好にすることができるとともに、ろう付け時に、銅めっき層の銅成分がろう材中に拡散することを効果的に防止することができ、ろう材を介して金属部材を第２配線層に極めて強固にろう付けすることができる。

本発明の配線基板によれば、好ましくは、拡散層の厚みを０．５乃至２．５μｍとしたことから、この拡散層を介して、第２配線層に銅めっき層をより確実に強固に被着させておくことができるとともに、拡散層の存在に起因して銅めっき層の電気伝導性が低下するようなことをより確実に防止し、第２配線層をより確実に低電気抵抗とすることができ、より低電気抵抗の配線基板とすることができる。

本発明の配線基板について添付の図面を基に以下に説明する。図１は、本発明の配線基板を半導体素子搭載用の配線基板に用いた場合の実施の形態の例を示し、１は絶縁基体、２は第１配線層、３は第２配線層であり、これらの絶縁基体１、第１配線層２、第２配線層３により半導体素子４を搭載する配線基板５が主に構成され、第２配線層３には外部接続用の金属材料からなるリード端子６がろう材７を介してろう付け取着されている。

なお、絶縁基体１に形成した貫通孔１ａ内にも第１配線層２と同様の導体が充填され、第１配線層２と第２配線層３とを電気的に接続するようにしている。

本発明によれば、図２に要部拡大断面図で示したように、第１配線層２をタングステンおよびモリブデンの少なくとも１種と銅とにより形成するとともに、第２配線層３をタングステンおよびモリブデンの少なくとも１種と鉄族元素とにより形成したものであり、第１配線層２および第２配線層３は絶縁基体１と同時焼成によって形成されたものである。また、第１配線層２および第２配線層３の表面には銅めっき層８が被着されている。

本発明において、絶縁基体１は半導体素子４を搭載し支持する基体として作用し、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体等のセラミックスにより形成され、上面に半導体素子４が搭載される。

また絶縁基体１は、その熱伝導性を１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上するとともに、機械的強度を良好とする上では、相対密度９５％以上の高緻密体から構成されるものであることが好ましい。さらに絶縁基体１は、第１配線層２との同時焼成による保形性を良好なものとする上では、１２００℃乃至１５００℃の低温で焼成することが必要となるが、このような低温での焼成においても相対密度９５％以上に緻密化することがよい。

かかる観点から、本発明における絶縁基体１は、例えば、酸化アルミニウムを主成分とするもの、具体的には酸化アルミニウムを９０重量％以上の割合で含有するものが好適に使用され、第２の成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯ_２換算で２．０乃至６．０重量％の割合で含有するものが好ましい。即ち、マンガン化合物が２．０重量％よりも少ないと、１２００℃乃至１５００℃での緻密化が達成されにくくなり、また６．０重量％よりも多いと絶縁基体１の電気的な絶縁性が低下する。マンガン化合物の最適な範囲はＭｎＯ_２換算で３乃至７重量％である。

また、この絶縁基体１中には、第３の成分として、ＳｉＯ_２およびＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ等のアルカリ土類元素酸化物を低温焼結性を高めるために合計で０．４乃至８重量％の割合で含有させることが好ましい。

さらに、この絶縁基体１中には、着色成分や誘電率などの誘電特性の向上のために、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒなどの金属を着色成分とし２重量％以下の割合で含んでいてもよい。

上記酸化アルミニウム以外の成分は、酸化アルミニウム主結晶相の粒界に非晶質相あるいは結晶相として存在するが、熱伝導性を高める上で粒界中に助剤成分を含有する結晶相が形成されていることが好ましい。

また、絶縁基体１を酸化アルミニウムを主成分として形成した場合、酸化アルミニウム主結晶相は、粒状または柱状の結晶として存在するが、これら主結晶相の平均結晶粒径は、１．５乃至５．０μｍであることが好ましい。なお、主結晶相が柱状結晶からなる場合、上記平均結晶粒径は、短軸径に基づくものである。この主結晶相の平均結晶粒径が１．５μｍよりも小さいと、高熱伝導化が難しく、平均粒径が５．０μｍよりも大きいと基板材料として用いる場合に要求される十分な強度が得られにくくなる。

本発明において、第１配線層２は、配線基板５に搭載された半導体素子４の電極を接続させる電極パッドとして作用するとともに、半導体素子４の電極を外部に導出する導電路として作用し、第２配線層３は外部接続用のリード端子６等の金属部材をろう材７を介してろう付け取着するための接続パッドとして作用する。

第１配線層２は、銅を１０乃至７０体積％、タングステンおよびモリブデンの少なくとも１種を３０乃至９０体積％の割合で含有することが好ましい。これは、第１配線層２の低抵抗化と、絶縁基体１との同時焼成性を達成するとともに、第１配線層２の同時焼成時の保形成を維持するためである。上記銅の量が１０体積％よりも少なく、タングステンやモリブデン量が９０体積％よりも多いと、第１配線層２を形成する導体の電気抵抗が約５×１０^−６Ω・ｃｍ以上と高くなる。また銅の量が７０体積％よりも多く、タングステンやモリブデン量が３０体積％よりも少ないと、第１配線層２の同時焼成時の保形成が低下し、第１配線層２においてにじみが発生したり、溶融した銅によって第１配線層２が凝集して断線が生じるとともに、絶縁基体１と第１配線層２の熱膨張系数差により第１配線層２の剥離が発生するためである。最適な組成範囲は、銅が４０乃至６０体積％、タングステンおよびモリブデンの少なくとも１種が６０乃至４０体積％である。

また、本発明においては、第１配線層２中におけるタングステンやモリブデンは、平均粒径１乃至１０μｍの球状あるいは数個の粒子による焼結粒子として銅からなるマトリックス中に分散含有されていることが好ましい。これは、上記平均粒径が１μｍよりも小さい場合、第１配線層２の保形性が悪くなるとともに組織が多孔質化し第１配線層２の抵抗も高くなる。１０μｍを超えると、銅のマトリックスがタングステンやモリブデンの粒子によって分断されてしまい第１配線層２の抵抗が高くなったり、銅成分が分離してにじみなどが発生するためである。タングステン，モリブデンは平均粒径は１．３乃至５μｍ、特に１．３乃至３μｍの大きさがよく、その平均粒径で第１配線層２中に分散されていることがより好ましい。

また、上記第１配線層２中には、絶縁基体１との密着性を改善するために、アルミナセラミックス、または絶縁基体１と同じ成分のセラミックスを０．０５乃至２体積％の割合で含有させることも可能である。

さらに、本発明の配線基板５においては、銅を含有する第１配線層２を銅の融点を超える温度で絶縁基体１と同時焼成することにより、第１配線層２中の銅成分が絶縁基体１中に拡散する場合があるが、銅を含む第１配線層２の周囲のセラミックスへの銅の拡散距離が２０μｍ以下、特に１０μｍ以下であることが好ましい。これは、銅のセラミックス中への拡散距離が２０μｍを超えると、電気回路形成時に第１配線層２間の絶縁性が低下し電気回路の信頼性が低下するためである。銅の拡散距離を２０μｍ以下とすることにより、第１配線層２のうち、同一平面内に形成された第１配線層２間の最小線間距離を１００μｍ以下、特に９０μｍ以下として高密度化を成すことができる。

また本発明の配線基板５においては、図２に示すように、第１配線層２の表面に銅めっき層８が被着されている。この銅めっき層８は、電気抵抗率が１．７×１０^−６Ω・ｃｍと非常に低抵抗の銅からなることから、第１配線層２をより一層低抵抗とし、配線基板５に搭載される半導体素子４の低消費電力化に対応して、第１配線層２中を伝播される信号の損失を極めて小さなものに低減する作用をなす。

この銅めっき層８は、その厚みが３μｍ未満では、後述するように第２配線層３の銅めっき層８と第２配線層との間に拡散層を形成するための熱処理等の際に銅成分の不要な拡散により電気抵抗が高くなる傾向があり、１５μｍを超えると内部応力により第１配線層２に対する密着性が低下し、フクレ，ハガレ等の不具合を生じるおそれがある。従って、第１配線層２に被着する銅めっき層８は、その厚みを３μｍ乃至１５μｍの範囲としておくことが好ましく、３μｍ乃至６μｍの範囲としておくことがより一層好ましい。

また銅めっき層８は、後述するめっき液成分の銅めっき層８中への共析量が０．１重量％を超えると、これらの共析成分が銅の結晶粒間に存在することに伴う電気抵抗の増大を生じるおそれがある。従って、銅めっき層８は、共析成分の含有量が０．１重量％未満の高純度のものであることが好ましい。

さらに、本発明の配線基板５においては、絶縁基体１の表面に、タングステンおよびモリブデンの少なくとも１種と鉄族元素とから成り、リード端子６等の金属部材がろう付けされる第２配線層３が形成されている。この第２配線層３に対しては、金属部材との高い接合強度とともに、絶縁基体１との高い接着強度が要求される。しかしながら、第１配線層２の組成では十分な接着強度を得ることが難しい。

そこで、本発明によれば、第２配線層３を上記組成とすることにより絶縁基体１との高い接着強度を付与し得る。すなわち、第２配線層３を、導体成分として低融点の銅を多量に含有する第１配線層２と同時焼成によって形成する場合、その焼成温度を１２００乃至１５００℃の低温として焼成する必要があることから、タングステンやモリブデンのみからなる導体では、その低温焼成時に十分に焼結することができない。

そして、本発明によれば、タングステンやモリブデン以外に、鉄族金属を酸化物換算で０．１乃至５体積％の割合で含有させることにより、低温での焼結性を高めることができる。従って、この鉄族金属の量が０．１体積％未満の場合には、第２配線層３の緻密化が進行せず焼結不良になるため、絶縁基体１との接着強度が低下する。逆に、鉄族金属の量が５体積％を超える場合には、タングステン，モリブデンの粒子が異常粒成長し接着強度が低下する。この鉄族金属の量は、特には酸化物換算で０．５乃至２体積％が好ましい。

また、この第２配線層３中には、酸化アルミニウム等を主成分とする絶縁基体１との接着強度を高めるために、酸化アルミニウム等の絶縁基体１と同種のセラミック粉末を添加することも有効である。しかし、その含有量が４５体積％よりも多いと焼結不良を招くとともに後述するめっき工程においてめっき欠け（めっきが付着しない）が発生する。このめっき欠けは、リード端子６等の金属部材の接合信頼性の低下を招く。したがって、例えば酸化アルミニウムの場合、第２配線層３中に添加される酸化アルミニウムのセラミック粉末の含有量は特に２〜３５体積％が好ましい。

この第２配線層３中の鉄族金属としては、鉄，ニッケル，コバルトが挙げられるがこれらの中でもニッケルが最も好ましい。また、鉄族金属の酸化物換算量は、鉄（Fｅ）の場合はＦｅ_２Ｏ_３、ニッケル（Ｎｉ）の場合はＮｉＯ、コバルト（Ｃｏ）の場合はＣｏ_３Ｏ_４の形態で換算した量である。

なお、リード端子６は、配線基板の外部接続用の端子として作用し、銅や銅を主成分とする合金、鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属材料から成り、金属材料に圧延加工、打抜き加工等の周知の金属加工を施すことにより形成される。このリード端子６は、第２配線層３上に、間に銀−銅共晶ろう等のろう材を挟んで載せるとともに、約８００℃で熱処理することにより第２配線層３上にろう付け取着される。

本発明の配線基板５においては、第２配線層３の表面にも銅めっき層８が被着されている。第２配線層３に被着される銅めっき層８は、モリブデンおよびタングステンの少なくとも１種と鉄族金属とから成る第２配線層３に対する密着性が良好であるとともに、ろう材７の濡れ性が良好であることから、第２配線層３にろう材７を介してリード端子６を強固に接合することができる。

本発明の配線基板においては、第２配線層３に被着された銅めっき層と第２配線層３との間に、それらの成分が相互に拡散した拡散層が形成されている。拡散層を形成しておくことにより、リード端子６を第２配線導体３にろう付けする際のろう材７の濡れ性を良好にすることができるとともに、ろう付け時に、銅めっき層８の銅成分がろう材７中に拡散することを効果的に防止することができ、ろう材７を介して金属部材としてのリード端子６を第２配線層３に極めて強固にろう付けすることができる。

この場合、拡散層の厚みは０．５μｍ乃至２．５μｍとすることが好ましい。拡散層の厚みを上記範囲とすることにより、この拡散層を介して、第２配線層３に銅めっき層８をより確実に強固に被着させておくことができるとともに、拡散層の存在に起因して銅めっき層８の電気伝導性が低下するようなことをより確実に防止し、第２配線層３をより確実に低電気抵抗とすることができ、より確実に低電気抵抗の配線基板とすることができる。

この場合、拡散層の厚みが０．５μｍ未満では、銅めっき層８の第２配線層３に対する被着を、ろう付け時の熱応力等に耐えられるほど十分に強固なものとすることが困難となる。また、２．５μｍを超えると、拡散層が厚く銅めっき層８中に存在することにより、銅めっき層８による電気抵抗の低減の効果が不十分になり第２配線層３の電気抵抗を高くしてしまうおそれがある。

また、第２配線層３に被着され、拡散層が形成された銅めっき層８は、その厚みが１μｍ未満では拡散層の一部が外表面に露出してろう材の濡れ性等を劣化させるおそれがあり、１５μmを超えると、ろう材７中にめっき層の銅が拡散しやすくなる傾向があり、ろう材７の成分が所定範囲から外れ、ろう材７に銅成分の偏析や、濡れ性、接合性の劣化等の不具合を生じ、金属部材を第２配線層３に強固にろう付けすることができなくなってしまうおそれがある。従って、第２配線層３に被着され、拡散層が形成された銅めっき層８は、その厚みを１乃至５μｍの範囲とすることが好ましい。

なお、この第２配線層３に被着される銅めっき層８は、第１配線層２に被着される銅めっき層８と同様のものを用いることができ、第１配線層２と同時に形成される。

銅めっき層８は、硫酸銅等の銅供給源となる銅化合物と、ホルマリン，次亜リン酸ナトリウム等の還元剤とを主成分とする無電解銅めっき液中に第１配線層２および第２配線層３を所定時間浸漬することにより、第１配線層２および第２配線層３上に所定厚みに被着形成される。この場合、被着形成される銅メッキ層８は、使用する還元剤の種類に応じてめっき層中に含有する共析成分が変化し、例えばホルマリンであれば銅含有量が９９．９重量％以上の高純度の銅めっき層８が形成され、次亜リン酸ナトリウムであればリンを数重量％含有する銅めっき層８が形成される。従って、銅めっき層８は低抵抗化を図る上では高純度であることが好ましいことから、ホルマリン等のめっき層中への共析成分を含有しない還元剤を用いることが好ましい。

また、上記第２配線層３と銅めっき層８との間の拡散層は、例えば、第２配線層３の表面に銅めっき層８を被着させた後、温度８００℃乃至９００℃、時間１０分乃至３０分、還元雰囲気中で熱処理することにより形成することができる。

また、上記第１配線層２および第２配線層３に被着させた各銅めっき層８は、さらにその露出表面を０．０３乃至３μｍの厚さの金めっき層（不図示）で被覆しておくとよく、この場合銅めっき層８の酸化腐食を効果的に防止することができるとともに、ボンディングワイヤのボンディング性等をより一層良好とすることができる。

かくして、本発明の配線基板は、絶縁基体１の搭載部に半導体素子４を搭載するとともに半導体素子４の各電極を第１配線層２にボンディングワイヤ９を介して電気的に接続し、しかる後、必要に応じて半導体素子４を金属やセラミックスから成る板状の蓋体や封止樹脂（不図示）等を用いて気密封止することによって、製品としての半導体装置が完成する。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、上記実施の形態では、本発明の配線基板を半導体素子搭載用の配線基板に適用した場合について説明したが、これを混成集積回路基板等に適用してもよい。

本発明の配線基板について実施の形態の例を示す断面図である。 図１の配線基板の要部拡大断面図である。

符号の説明

１・・・絶縁基体
１ａ・・・貫通孔
２・・・第１配線層
３・・・第２配線層
４・・・半導体素子
５・・・配線基板
６・・・リード端子
７・・・ろう材
８・・・銅めっき層
９・・・ボンディングワイヤ

Claims (2)

1. 熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックスから成る絶縁基体と、該絶縁基体との同時焼成により前記絶縁基体に形成されたタングステンおよびモリブデンの少なくとも１種と銅とから成る第１配線層と、前記絶縁基体との同時焼成により前記絶縁基体に形成されたタングステンおよびモリブデンの少なくとも１種と鉄族金属とから成る第２配線層と、前記第１配線層および第２配線層の表面に被着された銅めっき層と、前記第２配線層にろう付けされた金属部材とを具備しており、前記銅めっき層と前記第２配線層との間にそれらの成分が相互に拡散した拡散層が形成されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記拡散層の厚みが０．５乃至２．５μｍであることを特徴とする請求項１記載の配線基板。

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