JP2005072230A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板101上に、化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜102を形成した後、非水溶性の5wt%のパーフルオロポリエーテルを添加した水よりなる溶液103をレジスト膜102と投影レンズ105との間に配した状態で、露光光104をレジスト膜102に選択的に照射してパターン露光を行なう。パターン露光が行なわれたレジスト膜102に対してポストベークを行なった後、現像を行なうと、レジスト膜102の未露光部よりなり、良好な形状を持つレジストパターン102aを得られる。
【選択図】 図1
Description
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.05g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図5(a) に示すように、基板1の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜2を形成する。
M.Switkes and M.Rothschild,"Immersion lithography at 157 nm", J.Vac.Sci.Technol., B19, 2353 (2001)
本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法について図1(a) 〜図1(d) を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.05g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図1(a) に示すように、基板101の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜102を形成する。
以下、本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法について図2(a) 〜図2(d) を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.05g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図2(a) に示すように、基板201の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜202を形成する。
以下、本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法について図3(a) 〜図3(d) を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.05g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図3(a) に示すように、基板301の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜302を形成する。
以下、本発明の第4の実施形態に係るパターン形成方法について図4(a) 〜図4(d) を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.05g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図4(a) に示すように、基板401の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜402を形成する。続いて、形成したレジスト膜402の表面を、例えば非水溶性のパーフルオロポリエーテルよりなる処理溶液403に30秒間浸す(ディップ処理)。
102 レジスト膜
102a レジストパターン
103 溶液
104 露光光
105 投影レンズ
201 基板
202 レジスト膜
202a レジストパターン
203 溶液
204 露光光
205 投影レンズ
301 基板
302 レジスト膜
302a レジストパターン
303 溶液
304 露光光
305 投影レンズ
401 基板
402 レジスト膜
402a レジストパターン
403 処理溶液
404 溶液
405 露光光
406 投影レンズ
Claims (14)
- 基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の上に水溶液を配した状態で、前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なうことにより、レジストパターンを形成する工程とを備え、
前記パターン露光を行なう工程において、前記水溶液に該水溶液が乾燥する際に染みが残りくい添加液を添加することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記添加液は、非水溶性の溶液であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記非水溶性の溶液はパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記添加液は、脂環式化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記脂環式化合物は、ノルボルネン若しくはその誘導体、パーヒドロアントラセン若しくはその誘導体、シクロヘキサン若しくはその誘導体、トリシクロデカン若しくはその誘導体、又はアダマンタン若しくはその誘導体であることを特徴とする請求項4に記載のパターン形成方法。
- 前記添加液は、脂環式ポリマーを含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記脂環式ポリマーは、ポリノルボルネン誘導体又はポリ(ノルボルネン−無水マレイン酸)誘導体であることを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。
- 前記ポリノルボルネン誘導体は、ポリ(ノルボルネン-5-メチレンカルボン酸)又はポリ(ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)であることを特徴とする特許請求項7に記載のパターン形成方法。
- 前記ポリ(ノルボルネン−無水マレイン酸)誘導体は、ポリ(ノルボルネン-5-メチレンカルボン酸−無水マレイン酸)又はポリ(ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール−無水マレイン酸)であることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。
- 基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の表面を非水溶性の溶液に晒す工程と、
非水溶性の溶液に晒された前記レジスト膜の上に水溶液を配した状態で、前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なうことにより、レジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記非水溶性の溶液はパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする請求項10に記載のパターン形成方法。
- 前記非水溶性の溶液に晒す工程に、パドル法、ディップ法又はスプレイ法を用いることを特徴とする請求項10又は11に記載のパターン形成方法。
- 前記水溶液は水であることを特徴とする請求項1又は10に記載のパターン形成方法。
- 前記露光光は、KrFエキシマレーザ光又はArFエキシマレーザ光であることを特徴とする請求項1又は10に記載のパターン形成方法。
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